專利名稱：Tvs二極管及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種TVS 二極管及其制作方法，特別是涉及一種快恢復(fù)TVS 二極管及其制作方法。
背景技術(shù)：
瞬態(tài)(瞬變)電壓抑制二級管，即TVS (Transient Voltage Suppressor) 二極管大量使用在各種電子電路系統(tǒng)中，其與電阻、電容等元器件配合，以作為瞬態(tài)高壓抑制保護的用途。隨著電子電路系統(tǒng)的開關(guān)頻率越來越高，要求與之配套的TVS也應(yīng)具有快的開關(guān)速度，以保證電路不會因TVS低的開關(guān)速度而影響整個電子電路系統(tǒng)的性能。要獲得快開關(guān)速度的TVS 二極管，一般方法是在二極管pn結(jié)附近引入復(fù)合中心，這樣在二極管開關(guān)轉(zhuǎn)換過程可以加快少子的復(fù)合，提高開關(guān)速度。金是一種可供選擇的材料，引入金原子替位硅原子后，可產(chǎn)生深能級復(fù)合中心，減小少子壽命，并且金原子的濃度越高，復(fù)合中心越多，二極管的開關(guān)速地也相應(yīng)提高。在制造工藝上，一般采用背面摻金金工藝的方法。目前TVS二極管制造工藝中采用的背面摻金工藝，具體流程實例如下首先是硅片制備(以N+型襯底為例)，接著生長N-型外延層，然后N型外延層上局部P+摻雜(構(gòu)成Pn結(jié))，之后在N-型外延 層上淀積金屬鋁，光刻鋁層形成TVS的陽電極，陽電極制作完畢之后進行硅片的表面鈍化以及硅片的背面減薄，之后在硅片的背面淀積金屬金層、金原子擴散形成復(fù)合中心，以及最后在硅片背面形成TVS的陰電極。從上述的現(xiàn)有工藝流程上可以看出，背金工藝的金屬金層的淀積和金熱擴散步驟是在淀積金屬鋁形成陽電極的工藝之后進行的，為避免高溫對鋁層影響，一般金的熱擴散溫度不會高于450°C。然而，要使背金原子進入硅片中，穿越相對較厚的硅襯底，再擴散到外延層上PN結(jié)附近，并且同時還要保證一定的金的摻雜濃度，除了對硅片背面進行厚度減薄外，金熱擴散的溫度一般不應(yīng)低于750 °C。因此目前TVS工藝的金的熱擴散溫度偏低，金原子難以有效擴散到二極管的PN結(jié)附近形成復(fù)合中心，由此造成了制作所得的TVS 二極管的開關(guān)速度提高不明顯。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中金的熱擴散溫度偏低、金原子難以有效擴散到二極管的PN結(jié)附近形成復(fù)合中心、TVS 二極管的開關(guān)速度提高不明顯的缺陷，提供一種復(fù)合中心較多、開關(guān)速度較快的TVS 二極管及其制作方法。本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的一種TVS 二極管的制作方法，其特點在于，其包括以下步驟S1、提供一 N+/N-外延襯底，其中該N+/N-外延襯底包括N+型襯底和位于該N+型襯底表面上的N-外延層；
S2、在該N-外延層的表面中形成P+摻雜區(qū)域；S3、在該N-外延層的表面形成鈍化層；S4、在該N+/N-外延襯底的背面淀積金屬金層形成陰電極；S5、進行金屬金的熱擴散,使金屬金層中的金屬金從該N+/N-外延襯底的底部滲入至該N+/N-外延襯底的內(nèi)部，并擴散到由該P+摻雜區(qū)域以及該N-外延層所形成的PN結(jié)的周圍，以在該N+/N-外延襯底的內(nèi)部形成金的替位摻雜區(qū)域；S6、在該N-外延層的表面形成陽電極，其中該陽電極形成于該N-外延層的表面上與該P+摻雜區(qū)域相對應(yīng)的位置，其中，所述的N型替換為P型時，P同時替換為N。優(yōu)選地，步驟S1中提供的該N+型襯底的厚度為650-750 μ m，和/或該N+型襯底的電阻率為O. 03-0. 07ohm · cm，和/或該N+型襯底的摻雜濃度為1. 32E17-5. 63E17/W，和/或該N-外延層的厚度為2-5um，和/或該N-外延層的電阻率為l-5ohm MmdP /或該N-外延層的摻雜濃度為8. 9E14/cm3-4. 8E15/cm3。其中，可以購買市售的N+/N-外延襯底，例如晶向為〈100〉的外延片，也可以通過在N型襯底的表面生長N-外延層自行制備該N+/N-外延襯底。
優(yōu)選地，步驟S2還包括以下步驟S21、在該N-外延層的表面上形成第一掩膜,其中未被該第一掩膜覆蓋的區(qū)域為第一開放區(qū)域，例如采用掩模板作為該第一掩膜；S22、加速P型離子并通過離子注入的方式將該P型離子從該第一開放區(qū)域注入至該N-外延層中；S23、去除該第一掩膜，并對步驟S22中的離子注入?yún)^(qū)域進行熱處理，激活并推進該P型離子以形成該P+摻雜區(qū)域。優(yōu)選地，其中，步驟S21中通過光刻方式形成該第一掩膜，其中該第一掩膜為厚度為2_3um的光刻膠，和/或，步驟S22中該P型離子被加速至60KeV-120KeV，其中該P型離子的摻雜劑量為lE15-lE16/cm2,由此形成的P+摻雜區(qū)域的方塊電阻為5-30ohm/ □，該P+摻雜區(qū)域的深度為l-3um,和/或，步驟S23中熱處理的溫度為1100-1200°C，熱處理時間為60-120分鐘。優(yōu)選地，步驟S3中通過CVD (化學(xué)氣相淀積)方式形成厚度為3-5um的鈍化層，其
中該鈍化層為二氧化硅薄膜。優(yōu)選地，步驟S3之后、步驟S4之前還包括以下步驟SP、通過機械減薄將該N+型襯底的厚度減薄至250-300um。該N+型襯底被減薄后，金原子就更容易擴散，并且在熱擴散的同時還能保證一定的濃度。優(yōu)選地，步驟S4中淀積的金屬金層的厚度為500-1000人。優(yōu)選地，步驟S5中金屬金的熱擴散溫度為750-1000°C。優(yōu)選地，步驟S6還包括以下步驟S61、在與該P+摻雜區(qū)域相對應(yīng)的該鈍化層中形成接觸孔；S62、在該接觸孔中淀積金屬鋁或者鋁硅銅合金；
S63、刻蝕該金屬鋁或者鋁硅銅合金以形成該陽電極。優(yōu)選地，其中，步驟S61中通過光刻方式形成該接觸孔，和/或，步驟S62中采用PVD (Physical Vapor Deposition,物理氣相淀積)方式淀積厚度為2. 5-4. Oum的金屬鋁或者鋁硅銅合金，和/或，步驟S63中采用光刻刻蝕該金屬鋁或者鋁硅銅合金以形成該陽電極，例如淀積光刻膠并形成一第二掩膜，未被該第二掩膜覆蓋的區(qū)域為第二開放區(qū)域，隨后將第二開放區(qū)域的金屬鋁或者鋁硅銅合金刻蝕去除，使得最終形成的陽電極的寬度與該P+摻雜區(qū)域的寬度相適應(yīng)。本發(fā)明還提供一種TVS 二極管，其特點在于，其包括一 N+/N-外延襯底，其中該N+/N-外延襯底包括N+型襯底和位于該N+型襯底表面上的N-外延層；位于該N-外延層的表面中的P+摻雜區(qū)域；位于該N-外延層的表面上的鈍化層；位于該N+/N-外延襯底的背面的陰電極,該陰電極為金屬金；位于該N-外延層的表面上的陽電極，其中該陽電極位于該N-外延層的表面上與該P+摻雜區(qū)域相對應(yīng)的位 置；形成于該N+/N-外延襯底的內(nèi)部的金的替位摻雜區(qū)域，該金的替位摻雜區(qū)域是通過金屬金的熱擴散，使金屬金從該N+/N-外延襯底的底部滲入至該N+/N-外延襯底的內(nèi)部，并擴散到由該P+摻雜區(qū)域以及該N-外延層所形成的PN結(jié)的周圍形成的，其中，所述的N型替換為P型時，P同時替換為N。優(yōu)選地，該N+型襯底的厚度為250-300 μ m，和/或該N+型襯底的電阻率為O. 03-0. 07ohm*cm，和/或該N+型襯底的摻雜濃度為1. 32E17-5. 63E17/cm3，和/或該N-夕卜延層的厚度為2-5um，和/或該N-外延層的電阻率為l-5ohm· cm，和/或該N-外延層的摻雜濃度為8. 9E14/cm3-4. 8E15/cm3。其中，可以購買市售的N+/N-外延襯底，例如晶向為〈100〉的外延片，也可以通過在N型襯底的表面生長N-外延層自行制備該N+/N-外延襯底。優(yōu)選地，該N+/N-外延襯底的晶向為〈100〉。優(yōu)選地，該P+摻雜區(qū)域的方塊電阻為5_30ohm/ □,該P+摻雜區(qū)域的深度為l-3um。優(yōu)選地，該鈍化層的厚度為3-5um，其中該鈍化層為二氧化硅薄膜。優(yōu)選地，作為陰電極的金屬金的厚度為500-1000人。優(yōu)選地，與該P+摻雜區(qū)域相對應(yīng)的該鈍化層中還包括接觸孔，該陽電極通過該接觸孔與該P+摻雜區(qū)域連接。優(yōu)選地，該陽電極為厚度為2. 5-4. Oum的金屬鋁或者鋁硅銅合金。優(yōu)選地，該TVS 二極管的開關(guān)速度小于等于lus。只需要在上述過程中，調(diào)換襯底材料和離子注入摻雜的雜質(zhì)材料，則該方法同樣適用于P型襯底的TVS 二極管的制作，即所述的N型替換為P型時，P型同時替換為N型。本發(fā)明的積極進步效果在于1、在目前的TVS 二極管制備工藝基礎(chǔ)上，將背面摻金工藝放至鋁金屬工藝前面，金的擴散溫度也相應(yīng)提高到750°C -1000°C，結(jié)合硅片背面減薄后，可將一定濃度的金原子經(jīng)熱擴散進入硅襯底，再擴散到外延層上PN結(jié)附近，并替位硅原子形成復(fù)合中心，這些復(fù)合中心能有助于提高TVS 二極管的開關(guān)速度。2、本發(fā)明的快恢復(fù)TVS 二極管可廣泛應(yīng)用在電子設(shè)備中做瞬態(tài)高壓保護，特別在高頻開關(guān)電路設(shè)備、輸入接口等多種場合作為鉗位保護二極管。隨著應(yīng)用電路，接口的工作頻率越來越高，如開關(guān)電源、USB 3. O、高頻MOSFET器件等，這類應(yīng)用設(shè)備對配套的TVS保護二極管也應(yīng)具有更快的開關(guān)頻率，以保護高速開關(guān)電路，接口設(shè)備等不被瞬態(tài)高壓沖擊損壞的同時，不影響這類高頻設(shè)備的正常工作，而本發(fā)明的快恢復(fù)TVS 二極管由于其開關(guān)速度小于等于lus，因此均能滿足以上這些要求。


圖1-圖8為本發(fā)明的TVS 二極管的制作方法的分解步驟示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明較佳實施例，以詳細說明本發(fā)明的技術(shù)方案。實施例1參考圖1，步驟S1，提供一 N+/N-外延襯底，其中該N+/N-外延襯底包括N+型襯101和位于該N+型襯底101表面上的N-外延層102。其中，該N+型襯底101的厚度為650 μ m,該N+型襯底101的電阻率為O. 03ohm · cm,以及該N+型襯底101的摻雜濃度為1. 32E17/cm3 ;該N-外延層102的厚度為2um，該N-外延層102的電阻率為Iohm · cm,以及該N-外延層102的摻雜濃度為8. 9E14/cm3。參考圖2-圖4，步驟S2，在該N-外延層102的表面中形成P+摻雜區(qū)域103。具體來說，通過如下步驟形成該P+摻雜區(qū)域103 參考圖2,步驟S21,在該N-外延層102的表面上形成第一掩膜104,其中未被該第一掩膜104覆蓋的區(qū)域為第一開放區(qū)域；

參考圖3，步驟S22，加速硼離子并通過離子注入的方式沿圖3中的箭頭方向?qū)⒃撆痣x子從該第一開放區(qū)域注入至該N-外延層102中，圖3中的箭頭方向僅是示出離子注入的方向，并非對本發(fā)明的限制；參考圖4，步驟S23，采用常規(guī)工藝去除該第一掩膜104，并對步驟S22中的離子注入?yún)^(qū)域進行熱處理，激活并推進該硼離子以形成該P+摻雜區(qū)域103。具體來說，本實施例中步驟S21中通過光刻方式形成該第一掩膜，其中該第一掩膜為厚度為2um的光刻膠，并且步驟S22中該硼離子被加速至60Kev，其中該硼離子的摻雜劑量為lE15/cm2，并且步驟S23中熱處理的溫度為1100°C，熱處理時間為60分鐘，由此形成的P+摻雜區(qū)域103的方塊電阻為IOohm/ □，該P+摻雜區(qū)域103的深度為lum。參考圖5，步驟S3，在該N-外延層102的表面形成鈍化層105。本實施例中通過CVD方式形成厚度為3um的二氧化硅薄膜作為鈍化層，保護表面。同時采用機械減薄將該N+型襯底101的厚度減薄至250um。參考圖6，步驟S4，在該N+/N-外延襯底的背面淀積金屬金層形成陰電極106，即在該N+型襯底101的背面淀積金屬金層作為陰電極106，其中，金屬金層的厚度為500A。
步驟S5，在750°C的溫度下進行金屬金的熱擴散，使金屬金層106中的金屬金從該N+/N-外延襯底的底部滲入至該N+/N-外延襯底的內(nèi)部，并擴散到由該P+摻雜區(qū)域103以及該N-外延層102所形成的PN結(jié)的周圍，以在該N+/N-外延襯底的內(nèi)部形成金的替位摻雜區(qū)域。圖6中向上的箭頭表示金屬金的熱擴散方向，從圖6上看，金屬金從該N+/N-外延襯底的底部滲入至該N+/N-外延襯底的內(nèi)部，擴到PN結(jié)以上的位置，基本上整個該N+/N-外延襯底的都有不同濃度的金。參考圖7，S6、在該N-外延層的表面形成陽電極，其中該陽電極形成于該N-外延層的表面上與該P+摻雜區(qū)域相對應(yīng)的位置。具體來說，參考圖7，步驟S61，在與該P+摻雜區(qū)域103相對應(yīng)的該鈍化層105中形成接觸孔107，其中形成接觸孔107的具體工藝為光刻。參考圖8，步驟S62，采用PVD方式在該接觸孔107中淀積厚度為2. 5um的鋁硅銅合金。步驟S63，采用光刻刻蝕該鋁硅銅合金以形成該陽電極108，例如步驟S62中淀積了較寬的鋁硅銅合金(寬度遠大于該P+摻雜區(qū)域103的寬度)，此時再次通過光刻將多余的鋁硅銅合金刻蝕去除，即僅保留如圖8所示的寬度與該P+摻雜區(qū)域103的寬度相適應(yīng)的鋁硅銅合金以作為陽電極108。由此，以N型半導(dǎo)體為襯底材料的TVS二極管制作完成，其中P+摻雜區(qū)域103與N-外延層102構(gòu)成PN結(jié)。實施例2實施例2的原理與實施例1相同，其主要工藝步驟也相同，不同之處僅在于以下材料和工藝參數(shù)的選擇該N+型襯底101的厚度為750 μ m,該N+型襯底101的電阻率為O. 07ohm -cm,以及該N+型襯底101的摻雜濃度為5. 63E17/cm3,并且該N-外延層102的厚度為5um，和/或該N-外延層的電阻率為5ohm · cm,以及該N-外延層的摻雜濃度為4. 8E15/cm3。
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該硼離子被加速至120Kev，其中該硼離子的摻雜劑量為lE16/cm2，并且硼離子注入后的熱處理溫度為1200°C，熱處理時間為100分鐘，由此形成的P+摻雜區(qū)域103的方塊電阻為30ohm/ 口，該P+摻雜區(qū)域103的深度為3um。該N-外延層102的表面的鈍化層105為厚度為5um的二氧化硅薄膜，另外采用機械減薄將該N+型襯底101的厚度減薄至300um。作為陰電極106的金屬金層的厚度為1000人。步驟S5中在1000°C的溫度下進行金屬金的熱擴散。以及，淀積厚度為4. Oum的鋁硅銅合金作為陽電極108。其余未提及的工藝、參數(shù)均與實施例1相同。實施例3實施例3的原理與實施例1相同，其主要工藝步驟也相同，不同之處僅在于該N+/N-外延襯底采用市售的晶向為〈100〉的N型外延片。其余未提及的工藝、參數(shù)均與實施例1相同。實施例4實施例4的原理與實施例1相同，其主要工藝步驟也相同，不同之處僅在于本實施例中采用P型離子摻雜的硅襯底，即P+/P-外延襯底，該P+/P-外延襯底包括P+型襯101和位于該P+型襯底101表面上的P-外延層102。
相應(yīng)地，在該P-外延層102采用磷離子的離子注入以形成N+摻雜區(qū)域103，由此該N+摻雜區(qū)域103與該P-外延層102形成PN結(jié)。其余未提及的工藝、參數(shù)均與實施例1相同。為了清楚地顯示各個區(qū)域，附圖中各個摻雜區(qū)域、襯底、外延層等部分的大小并非按比例描繪，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解附圖中的比例并非對本發(fā)明的限制。另外，本發(fā)明所述的表面和背面都是相對而言的，結(jié)合本發(fā)明的附圖和說明書的文字部分，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解，這里的表面和背面僅是為了描述上的簡潔便利，并非對本發(fā)明的限制。雖然以上描述了本發(fā)明的具體實施方式
，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當理解，這些僅是舉例說明，本發(fā)明的保護范圍是由所附權(quán)利要求書限定的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不背離本發(fā)明的原理和實質(zhì)的前提下，可以對這些實施方式做出多種變更或修改，但這些變更和修改均落入本發(fā)明的 保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種TVS 二極管的制作方法，其特征在于，其包括以下步驟 51、提供一N+/N-外延襯底，其中該N+/N-外延襯底包括N+型襯底和位于該N+型襯底表面上的N-外延層； 52、在該N-外延層的表面中形成P+摻雜區(qū)域； 53、在該N-外延層的表面形成鈍化層； 54、在該N+/N-外延襯底的背面淀積金屬金層形成陰電極； 55、進行金屬金的熱擴散，使金屬金層中的金屬金從該N+/N-外延襯底的底部滲入至該N+/N-外延襯底的內(nèi)部，并擴散到由該P+摻雜區(qū)域以及該N-外延層所形成的PN結(jié)的周圍，以在該N+/N-外延襯底的內(nèi)部形成金的替位摻雜區(qū)域； 56、在該N-外延層的表面形成陽電極，其中該陽電極形成于該N-外延層的表面上與該P+摻雜區(qū)域相對應(yīng)的位置， 其中，所述的N型替換為P型時，P同時替換為N。
2.如權(quán)利要求1所述的TVS二極管的制作方法，其特征在于，步驟S1中提供的該N+型襯底的厚度為650-750 μ m，和/或該N+型襯底的摻雜濃度為1. 32E17-5. 63E17/cm3,和/或該N-外延層的厚度為2-5um，和/或該N-外延層的摻雜濃度為8. 9E14-4. 8E15/cm3。
3.如權(quán)利要求1所述的TVS二極管的制作方法，其特征在于，步驟S2還包括以下步驟 521、在該N-外延層的表面上形成第一掩膜,其中未被該第一掩膜覆蓋的區(qū)域為第一開放區(qū)域； 522、加速P型離子并通過離子注入的方式將該P型離子從該第一開放區(qū)域注入至該N-外延層中； 523、去除該第一掩膜，并對步驟S22中的離子注入?yún)^(qū)域進行熱處理，激活并推進該P型離子以形成該P+摻雜區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的TVS二極管的制作方法，其特征在于，其中， 步驟S21中通過光刻方式形成該第一掩膜，其中該第一掩膜為厚度為2-3um的光刻膠，和/或， 步驟S22中該P型離子被加速至60Kev-120Kev，其中該P型離子的摻雜劑量為lE15-lE16/cm2，和 / 或， 步驟S23中熱處理的溫度為1100-1200°C，熱處理時間為60-120分鐘。
5.如權(quán)利要求1所述的TVS二極管的制作方法，其特征在于，步驟S3中通過CVD方式形成厚度為3-5um的鈍化層，其中該鈍化層為二氧化硅薄膜。
6.如權(quán)利要求1所述的TVS二極管的制作方法，其特征在于，步驟S3之后、步驟S4之前還包括以下步驟 Sp、通過機械減薄將該N+型襯底的厚度減薄至250-300um。
7.如權(quán)利要求1所述的TVS二極管的制作方法，其特征在于，步驟S4中淀積的金屬金層的厚度為500-1000人。
8.如權(quán)利要求1所述的TVS二極管的制作方法，其特征在于，步驟S5中金屬金的熱擴散溫度為750-1000°C。
9.如權(quán)利要求1-8中任意一項所述的TVS二極管的制作方法，其特征在于，步驟S6還包括以下步驟S61、在與該P+摻雜區(qū)域相對應(yīng)的該鈍化層中形成接觸孔； S62、在該接觸孔中淀積金屬鋁或者鋁硅銅合金； S63、刻蝕該金屬鋁或者鋁硅銅合金以形成該陽電極。
10.如權(quán)利要求9所述的TVS二極管的制作方法，其特征在于，其中， 步驟S61中通過光刻方式形成該接觸孔，和/或， 步驟S62中采用PVD方式淀積厚度為2. 5-4. Oum的金屬鋁或者鋁硅銅合金，和/或， 步驟S63中采用光刻刻蝕該金屬鋁或者鋁硅銅合金以形成該陽電極。
11.一種TVS 二極管，其特征在于，其包括 一 N+/N-外延襯底，其中該N+/N-外延襯底包括N+型襯底和位于該N+型襯底表面上的N-外延層； 位于該N-外延層的表面中的P+摻雜區(qū)域； 位于該N-外延層的表面上的鈍化層； 位于該N+/N-外延襯底的背面的陰電極，該陰電極為金屬金； 位于該N-外延層的表面上的陽電極，其中該陽電極位于該N-外延層的表面上與該P+摻雜區(qū)域相對應(yīng)的位置； 形成于該N+/N-外延襯底的內(nèi)部的金的替位摻雜區(qū)域，該金的替位摻雜區(qū)域是通過金屬金的熱擴散，使金屬金從該N+/N-外延襯底的底部滲入至該N+/N-外延襯底的內(nèi)部，并擴散到由該P+摻雜區(qū)域以及該N-外延層所形成的PN結(jié)的周圍形成的， 其中，所述的N型替換為P型時，P同時替換為N。
12.如權(quán)利要求11所述的TVS二極管，其特征在于，該N+型襯底的厚度為250-300 μ m,和/或該N+型襯底的電阻率為O. 03-0. 07ohm ^cmJP /或該N-外延層的厚度為2_5um，和/或該N-外延層的電阻率為l_5ohm · cm。
13.如權(quán)利要求11所述的TVS二極管，其特征在于，該N+/N-外延襯底的晶向為〈100〉。
14.如權(quán)利要求11所述的TVS二極管，其特征在于，該P+摻雜區(qū)域的方塊電阻為5-30ohm/ □,該P+摻雜區(qū)域的深度為l_3um。
15.如權(quán)利要求11所述的TVS二極管，其特征在于，該鈍化層的厚度為3-5um，其中該鈍化層為二氧化硅薄膜。
16.如權(quán)利要求11所述的TVS二極管，其特征在于，作為陰電極的金屬金的厚度為500-1000A。
17.如權(quán)利要求11所述的TVS二極管，其特征在于，與該P+摻雜區(qū)域相對應(yīng)的該鈍化層中還包括接觸孔，該陽電極通過該接觸孔與該P+摻雜區(qū)域相連接。
18.如權(quán)利要求11-17中任意一項所述的TVS二極管，其特征在于，該陽電極為厚度為2.5-4. Oum的金屬鋁或者鋁硅銅合金。
19.如權(quán)利要求11-17中任意一項所述的TVS二極管，其特征在于，該TVS 二極管的開關(guān)速度小于等于lus。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種TVS二極管的制作方法包括以下步驟提供包括N+型襯底和N-外延層的N+/N-外延襯底；在該N-外延層的表面中形成P+摻雜區(qū)域；在該N-外延層表面形成鈍化層；在該N+/N-外延襯底的背面淀積金屬金層形成陰電極；進行金屬金的熱擴散，使金屬金層中的金屬金從該N+/N-外延襯底的底部滲入至N+/N-外延襯底的內(nèi)部，并擴散到PN結(jié)的周圍以在該N+/N-外延襯底的內(nèi)部形成金的替位摻雜區(qū)域；在該N-外延層的表面形成陽電極，其中該陽電極形成于該N-外延層的表面上與該P+摻雜區(qū)域相對應(yīng)的位置。本發(fā)明還公開了一種TVS二極管。本發(fā)明將背面摻金工藝放至鋁金屬工藝前面，使一定濃度的金原子經(jīng)熱擴散進入硅襯底并替位硅原子形成復(fù)合中心，提高了TVS二極管的開關(guān)速度。
文檔編號H01L29/861GK103050545SQ201110312920
公開日2013年4月17日 申請日期2011年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月14日
發(fā)明者紀剛, 顧建平 申請人:上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司