專利名稱：在超薄晶片上進行離子注入的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種在超薄晶片上進行離子注入的方法。
背景技術(shù)：
絕緣柵雙極晶體管Gnsulate Gate Bipolar Transistor, IGBT)是由 BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)，如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。在IGBT器件制造過程中，在保證器件耐壓的情況下，所用晶片的厚度越薄，IGBT 器件的通態(tài)壓降和散熱性能越好。目前，制造耐壓1200V的IGBT器件時所用晶片的厚度約為130 μ m,制造耐壓600V的IGBT器件時所用晶片的厚度約為60 70 μ m。但是，晶片越薄，在其上制作IGBT器件時對各工藝步驟及相應(yīng)設(shè)備的要求也越高，有時必須進行特殊定制或改造，進而使得投資較大。例如，在離子注入工藝過程中，由于普通的離子注入機只能在標(biāo)準(zhǔn)厚度為625 μ m的晶片上進行離子注入，因此，在超薄(例如 130 μ m或60 70 μ m)晶片上進行離子注入時，就需要對普通的離子注入機進行改造，這一方面使得投資較大，另一方面改變了離子注入機的原有結(jié)構(gòu)，使得離子注入工藝后器件的成品率也難以保證。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種在超薄晶片上進行離子注入的方法，該方法不僅可節(jié)約投資，而且可保證離子注入工藝后器件的成品率。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案—種在超薄晶片上進行離子注入的方法，該方法包括提供一超薄晶片和一擋片，所述超薄晶片的厚度小于預(yù)設(shè)厚度；測量所述超薄晶片的厚度并記錄；對所述擋片進行減薄，使減薄后的擋片的厚度與所述超薄晶片的厚度之和為預(yù)設(shè)
厚度；將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，且使超薄晶片上進行離子注入的一面朝外；將粘貼在一起的超薄晶片和擋片置于離子注入機中，在所述超薄晶片表面進行離子注入。優(yōu)選的，上述方法中，對所述擋片進行減薄，采用機械研磨方式進行。優(yōu)選的，上述方法中，對所述擋片進行減薄，采用機械研磨和酸液刻蝕相結(jié)合的方式進行。優(yōu)選的，上述方法中，將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，之前還包括
對所述超薄晶片和減薄后的擋片分別進行清洗。優(yōu)選的，上述方法中，將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，具體包括將所述超薄晶片的注入面朝下放置在粘貼治具內(nèi)；將所述減薄后的擋片放置在所述粘貼治具內(nèi)的超薄晶片上，使所述減薄后的擋片與所述超薄晶片完全重合；采用膠帶將所述粘貼治具邊緣缺口處裸露著的超薄晶片和擋片粘貼在一起；將粘貼在一起的超薄晶片和擋片從所述粘貼治具內(nèi)取出。優(yōu)選的，上述方法中，在所述超薄晶片表面進行離子注入，之后還包括將粘貼在一起的超薄晶片和擋片從所述離子注入機中取出；將粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離。優(yōu)選的，上述方法中，將粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離，具體包括將粘貼在一起的超薄晶片和擋片置于真空吸盤上，所述真空吸盤邊緣設(shè)置有與粘貼治具邊緣相對應(yīng)的缺口，使所述超薄晶片朝下放置，且使粘貼在超薄晶片上的膠帶裸露在真空吸盤邊緣的缺口處；氣缸帶動橡膠吸嘴下落，使所述橡膠吸嘴接觸所述真空吸盤上的擋片；去除粘貼在所述超薄晶片和擋片上的膠帶；使氣缸帶動橡膠吸嘴上升，所述擋片在橡膠吸嘴的吸力下向上運動，所述超薄晶片在真空吸盤的作用下靜止不動，從而實現(xiàn)超薄晶片和擋片的分離。優(yōu)選的，上述方法中，將粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離，之后還包括將分離后的超薄晶片和擋片分別進行清洗。優(yōu)選的，上述方法中，所述預(yù)設(shè)厚度為625 μ m。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明在超薄晶片上進行離子注入時，首先測量超薄晶片的厚度并記錄；然后對一擋片進行減薄，且使減薄后的擋片的厚度與所述超薄晶片的厚度之和為預(yù)設(shè)厚度(所述預(yù)設(shè)厚度應(yīng)滿足對于具有預(yù)設(shè)厚度的晶片，可以將其直接置于普通的離子注入機中進行離子注入工藝)；之后將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，且使超薄晶片上進行離子注入的一面朝外，這樣，粘貼在一起的超薄晶片和擋片的厚度為預(yù)設(shè)厚度；將所述粘貼在一起的超薄晶片和擋片看作一個整體將其置于(普通的)離子注入機中，從而在超薄晶片表面進行離子注入工藝。本發(fā)明所提供的在超薄晶片上進行離子注入的方法，可以在不改變原有的離子注入機的結(jié)構(gòu)的情況下，實現(xiàn)在超薄晶片上進行離子注入，這樣不僅可節(jié)約大量的設(shè)備投資，而且由于沒有改變原有的離子注入機的結(jié)構(gòu)，因此可以保證離子注入后器件的成品率，再有，本發(fā)明所提供的方法，可以大大提高原有離子注入機的加工范圍。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明所提供的一種在超薄晶片上進行離子注入的方法流程圖2為本發(fā)明所提供的采用膠帶將超薄晶片和擋片粘貼在一起后的俯視圖；圖3為本發(fā)明實施例所提供的一種粘貼治具的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實施例所提供的一種分離治具的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。實施例一正如背景技術(shù)部分所述，普通的離子注入機只能在標(biāo)準(zhǔn)厚度為625μπι的晶片上進行離子注入，而無法實現(xiàn)對超薄晶片的離子注入。為了實現(xiàn)在超薄晶片上進行離子注入， 則需要改造現(xiàn)有的離子注入機，這樣將使得設(shè)備投資較大，而且改造后的離子注入機也難以保證離子注入工藝的好壞，進而可能會影響離子注入后器件的成品率?；诖?，本發(fā)明從反向思維出發(fā)，不再改造原有的離子注入機，而是改造現(xiàn)有的超薄晶片，使改造后的超薄晶片的厚度可以滿足現(xiàn)有的離子注入機的要求，從而可以在現(xiàn)有的離子注入機內(nèi)實現(xiàn)對超薄晶片的離子注入。下面結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明所提供的在超薄晶片上進行離子注入的方法。參考圖1，圖1為本發(fā)明所提供的一種在超薄晶片上進行離子注入的方法流程圖， 該方法具體包括如下步驟步驟Sl 提供一超薄晶片和一擋片，所述超薄晶片的厚度小于預(yù)設(shè)厚度。本步驟中所提供的超薄晶片即是將要在其上進行離子注入的晶片，所述超薄晶片的厚度小于預(yù)設(shè)厚度，所述預(yù)設(shè)厚度滿足對于具有預(yù)設(shè)厚度的晶片，可以直接將其置于現(xiàn)有的離子注入機中進行離子注入。對于普通的離子注入機而言，所述預(yù)設(shè)厚度為625 μ m，當(dāng)然，不同的離子注入機，其對應(yīng)的預(yù)設(shè)厚度可能不同。所述擋片一般是具有瑕疵、不能被用來制作半導(dǎo)體器件的晶片，其形狀和大小與所述超薄晶片相同，只是，所述擋片的厚度較厚，約為650 μ m。步驟S2 測量所述超薄晶片的厚度并記錄。使用高精度的厚度測試儀測量所述超薄晶片的厚度并記錄。步驟S3 對所述擋片進行減薄，使減薄后的擋片的厚度與所述超薄晶片的厚度之和為預(yù)設(shè)厚度。采用機械研磨方式對所述擋片進行減薄，且使減薄后的擋片的厚度與所述超薄晶片的厚度之和為預(yù)設(shè)厚度。例如如果預(yù)設(shè)厚度為625μπι，超薄晶片的厚度為130μπι，則減薄后的擋片的厚度應(yīng)為495 μ m。為了保證擋片表面的光潔度并去掉機械研磨所造成的損傷，也可以采用機械研磨和酸液刻蝕相結(jié)合的方式對所述擋片進行減薄。對擋片進行減薄時，為了使得減薄后的擋片具有特定的厚度，這就要求先測量出未減薄的擋片的厚度，然后根據(jù)減薄的速度，計算出使減薄后的擋片具有特定厚度所需用的減薄時間，進而可保證減薄后擋片的厚度滿足要求。
步驟S4 將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，且使超薄晶片上進行離子注入的一面朝外。本步驟之前應(yīng)對所述超薄晶片和減薄后的擋片分別進行清洗，以保證超薄晶片和減薄后的擋片表面的潔凈度。清洗之后采用揭除后無膠殘留的優(yōu)質(zhì)膠帶將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，且使超薄晶片上進行離子注入的一面朝外。膠帶的厚度應(yīng)盡可能薄，尺寸應(yīng)盡可能小，以保證能可靠固定所述超薄晶片和減薄后的擋片為準(zhǔn)，且所述膠帶最好不要遮住超薄晶片上的元器件圖形。在粘貼過程中可以借助于粘貼治具來實現(xiàn)，最終粘貼好后的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示，圖中示出了相互重疊、形成一體的超薄晶片和減薄后的擋片1，在這個一體結(jié)構(gòu)的邊緣處分別設(shè)置有三處膠帶2。采用粘貼治具的目的是防止減薄后的擋片與超薄晶片在粘貼過程中出現(xiàn)錯位或劃傷晶片表面，同時也可避免用手直接接觸所述超薄晶片。本發(fā)明實施例中所使用的粘貼治具的結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示，該粘貼治具包括: 楔形臺3，位于所述楔形臺3上的環(huán)形板4，在所述環(huán)形板4的厚度方向上設(shè)置有三個開口 5，在所述環(huán)形板4的內(nèi)部側(cè)壁上設(shè)置有與晶片形狀相同的環(huán)形臺6，在所述環(huán)形板4的側(cè)壁設(shè)置有一平面，所述平面與環(huán)形臺6表面相交于一平邊7，所述平邊7位于所述楔形臺3的下降端，且與所述楔形臺3下降端的下降邊平行，所述環(huán)形臺6表面至所述環(huán)形板4表面的高度小于所述三個開口 5的高度(或三個開口 5的深度)，從而使得當(dāng)將晶片置于所述環(huán)形臺6上時，對應(yīng)三個開口 5位置處的晶片，其上方和下方均懸空，從而可以在所述三個開口 5位置處對晶片進行粘貼。本發(fā)明實施例中采用粘貼治具(參考圖幻將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，具體可包括如下幾個步驟步驟S41 將所述超薄晶片的注入面朝下放置在粘貼治具的環(huán)形臺上。使超薄晶片的注入面朝下放置在粘貼治具的環(huán)形臺6上，且應(yīng)保證超薄晶片的平邊位于環(huán)形臺6的平邊7處，由于所述環(huán)形臺6的平邊7位置對應(yīng)楔形臺3的下降端，因此， 所述超薄晶片可在自身重力的作用下自動與環(huán)形臺6的平邊7貼合。在將所述超薄晶片放置在粘貼治具的環(huán)形臺6上時，可以使用鑷子夾住所述超薄晶片，注意設(shè)置鑷子所夾位置，應(yīng)使得所述超薄晶片被放置在所述環(huán)形臺6上時，所述鑷子正好位于環(huán)形板4上的某一開口處5，這樣方便鑷子的收回。步驟S42 將所述減薄后的擋片放置在粘貼治具的環(huán)形臺上，使所述減薄后的擋片與所述超薄晶片完全重合。使用鑷子將所述減薄后的擋片放置在粘貼治具的環(huán)形臺6上，且使得所述減薄后的擋片的平邊位于環(huán)形臺6的平邊7處，這樣，使得減薄后的擋片位于所述超薄晶片上方， 且與所述超薄晶片完全重合。步驟S43 采用膠帶將環(huán)形板上開口處裸露著的超薄晶片和擋片粘貼在一起。采用揭除后無膠殘留的優(yōu)質(zhì)膠帶，將環(huán)形板4上三個開口 5處裸露著的(或懸空的)超薄晶片與減薄后的擋片粘貼在一起，即所述優(yōu)質(zhì)膠帶的一端位于減薄后的擋片(可簡稱擋片)的上表面，另一端位于超薄晶片的下表面(即離子注入面)。
步驟S44 將粘貼在一起的超薄晶片和擋片從粘貼治具內(nèi)取出。步驟S5 將粘貼在一起的超薄晶片和擋片置于離子注入機中，在所述超薄晶片表面進行離子注入。粘貼在一起的超薄晶片和擋片，兩者的厚度為預(yù)設(shè)厚度，因此，可以在與所述預(yù)設(shè)厚度相應(yīng)的離子注入機內(nèi)進行離子注入工藝。之后將所述粘貼在一起的超薄晶片和擋片從離子注入機中取出，并去除其上的優(yōu)質(zhì)膠帶，將二者分離，從而完成對超薄晶片的離子注入工藝。由上可知，本發(fā)明所提供的在超薄晶片上進行離子注入的方法，不改造現(xiàn)有的離子注入機，而是改造要進行離子注入的超薄晶片，使所述超薄晶片和一個具有特定厚度的擋片進行粘貼，使得粘貼后超薄晶片和擋片的厚度之和為預(yù)設(shè)厚度，所述預(yù)設(shè)厚度滿足具有預(yù)設(shè)厚度的晶片可以直接置于現(xiàn)有的離子注入機中進行離子注入工藝，因此，將所述粘貼在一起的超薄晶片和擋片置于現(xiàn)有的離子注入機中，從而可實現(xiàn)對所述超薄晶片進行離子注入工藝。該方法由于不需要改造現(xiàn)有的離子注入機，因此，一方面可節(jié)約設(shè)備投資，另一方面由于沒有改變現(xiàn)有的離子注入機的結(jié)構(gòu)，故可以保證離子注入后器件的成品率，在不出現(xiàn)人為失誤的情況下，成品率可接近100%。除此之外，采用該方法可以使具有不同厚度的超薄晶片在相同的離子注入機內(nèi)完成離子注入工藝，故大大提高了現(xiàn)有離子注入機的加工范圍。實施例二下面詳細(xì)描述如何將粘貼在一起的超薄晶片與擋片進行分離。本實施例中借助于分離治具來實現(xiàn)超薄晶片與擋片的分離。參考圖4，所述分離治具具體包括支撐架8 ；位于所述支撐架8上的真空吸盤9，所述真空吸盤9邊緣設(shè)置有四個缺口，其中三個缺口 91的位置分別對應(yīng)圖3中環(huán)形板4上的三個開口 5的位置，另一缺口 92的大小相對較大，用于鑷子夾取所述超薄晶片和擋片時所述鑷子的取放，當(dāng)然，如果設(shè)置缺口 91足夠大，可以方便鑷子的取放，也可以在該分離治具上不設(shè)置專門用于鑷子取放的缺口 92。該分離治具中通過相應(yīng)單片機控制電磁閥來實現(xiàn)氣缸11運作；所述氣缸11連接有橡膠吸嘴10，橡膠吸嘴10通過真空發(fā)生器產(chǎn)生真空；所述橡膠吸嘴10在氣缸11的帶動下可實現(xiàn)上下運動，且所述橡膠吸嘴10向下運動時可接觸所述真空吸盤9的中心位置。當(dāng)氣缸11帶動橡膠吸嘴10上下運動時，可利用真空吸盤9和橡膠吸嘴10各自的真空吸力將擋片和超薄片固定住，以方便去除膠帶；真空吸盤9和橡膠吸嘴10在固定住擋片和超薄片的同時可以同步旋轉(zhuǎn)，更有利于三個固定膠帶的去除。下面結(jié)合圖4具體介紹將粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離的過程，如下首先將采用鑷子將粘貼在一起的超薄晶片和擋片置于真空吸盤9上，注意放置時使所述鑷子位于缺口 92處，使粘貼在超薄晶片上的三處膠帶分別裸露在真空吸盤9邊緣的其他三個缺口 91處，且使所述超薄晶片朝下放置，放置好后開啟真空吸盤9上的相應(yīng)按鈕使其具有吸附作用。之后開啟電磁閥，所述電磁閥控制氣缸11運作，所述氣缸11帶動橡膠吸嘴10向下運動，當(dāng)所述橡膠吸嘴10接觸到真空吸盤9上的擋片時，所述氣缸11停止運作。然后去除粘貼在所述超薄晶片和擋片上的膠帶，去除過程中，所述真空吸盤9和所述橡膠吸嘴10可同步自由旋轉(zhuǎn)，進而可將真空吸盤9上的三個缺口 91處分別旋轉(zhuǎn)至合適的位置，然后逐一去除對應(yīng)三個缺口 91位置處超薄晶片和擋片上的膠帶。最后使氣缸11帶動橡膠吸嘴10上升，所述擋片在橡膠吸嘴10的吸力下向上運動，所述超薄晶片在真空吸盤9的作用下靜止不動，從而實現(xiàn)超薄晶片和擋片的分離。所述超薄晶片和擋片分離后，通過關(guān)閉真空吸盤9上的相應(yīng)按鈕使所述真空吸盤 9不再具有吸附作用，從而可將真空吸盤9上的超薄晶片取下來；關(guān)閉控制橡膠吸嘴10內(nèi)真空度的開關(guān)，使得所述橡膠吸嘴10不再具有吸力，從而可將所述擋片取下，注意避免所述擋片摔碎。取下來的超薄晶片和擋片應(yīng)分別進行清洗。本實施例中采用分離治具使粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離，可防止手動分離過程中沾污晶片表面或損傷晶片，甚至造成超薄晶片和擋片的碎裂等情況的發(fā)生。本發(fā)明中實施例采用遞進的方式進行描述，各實施例中描述的側(cè)重點不同，相關(guān)、 相似之處可相互參考。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種在超薄晶片上進行離子注入的方法，其特征在于，包括 提供一超薄晶片和一擋片，所述超薄晶片的厚度小于預(yù)設(shè)厚度； 測量所述超薄晶片的厚度并記錄；對所述擋片進行減薄，使減薄后的擋片的厚度與所述超薄晶片的厚度之和為預(yù)設(shè)厚度；將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，且使超薄晶片上進行離子注入的一面朝外；將粘貼在一起的超薄晶片和擋片置于離子注入機中，在所述超薄晶片表面進行離子注入。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述擋片進行減薄，采用機械研磨方式進行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述擋片進行減薄，采用機械研磨和酸液刻蝕相結(jié)合的方式進行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，之前還包括對所述超薄晶片和減薄后的擋片分別進行清洗。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，具體包括將所述超薄晶片的注入面朝下放置在粘貼治具內(nèi)；將所述減薄后的擋片放置在所述粘貼治具內(nèi)的超薄晶片上，使所述減薄后的擋片與所述超薄晶片完全重合；采用膠帶將所述粘貼治具邊緣缺口處裸露著的超薄晶片和擋片粘貼在一起； 將粘貼在一起的超薄晶片和擋片從所述粘貼治具內(nèi)取出。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述超薄晶片表面進行離子注入，之后還包括將粘貼在一起的超薄晶片和擋片從所述離子注入機中取出； 將粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，將粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離，具體包括將粘貼在一起的超薄晶片和擋片置于真空吸盤上，所述真空吸盤邊緣設(shè)置有與粘貼治具邊緣相對應(yīng)的缺口，使所述超薄晶片朝下放置，且使粘貼在超薄晶片上的膠帶裸露在真空吸盤邊緣的缺口處；氣缸帶動橡膠吸嘴下落，使所述橡膠吸嘴接觸所述真空吸盤上的擋片； 去除粘貼在所述超薄晶片和擋片上的膠帶；使氣缸帶動橡膠吸嘴上升，所述擋片在橡膠吸嘴的吸力下向上運動，所述超薄晶片在真空吸盤的作用下靜止不動，從而實現(xiàn)超薄晶片和擋片的分離。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，將粘貼在一起的超薄晶片和擋片進行分離，之后還包括將分離后的超薄晶片和擋片分別進行清洗。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8任一項所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)厚度為625 μ m。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種在超薄晶片上進行離子注入的方法，該方法包括提供一超薄晶片和一擋片，所述超薄晶片的厚度小于預(yù)設(shè)厚度；測量所述超薄晶片的厚度并記錄；對所述擋片進行減薄，使減薄后的擋片的厚度與所述超薄晶片的厚度之和為預(yù)設(shè)厚度；將所述超薄晶片和減薄后的擋片粘貼在一起，且使超薄晶片上進行離子注入的一面朝外；將粘貼在一起的超薄晶片和擋片置于離子注入機中，在所述超薄晶片表面進行離子注入。本發(fā)明所提供的方法，可以在不改變原有的離子注入機的基礎(chǔ)上，對超薄晶片進行離子注入工藝，一方面節(jié)約了設(shè)備投資，另一方面可保證離子注入后器件的成品率，除此之外，還可大大提高原有離子注入機的加工范圍。
文檔編號H01L21/265GK102324384SQ20111031917
公開日2012年1月18日 申請日期2011年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月19日
發(fā)明者劉家平, 成濤, 王丕龍 申請人:科達半導(dǎo)體有限公司