專利名稱：一種應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法。
背景技術(shù)：
自從集成電路問世以來，電路集成已經(jīng)有了巨大的發(fā)展，所有器件都可被集成在一塊硅襯底上，從而使得集成電路具有可互連許多器件、成本低廉、可靠性高等特點(diǎn)。隨著集成電路技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，器件尺寸越來越小，互連引線的寬度也隨之減小，導(dǎo)致的后果是互連引線的延遲時(shí)間越來越長(zhǎng)。在集成電路后段工藝中，降低互連引線延遲時(shí)間的一個(gè)重要方法就是使用銅取代鋁作為互連材料。由于銅的特殊性質(zhì)銅化合物揮發(fā)的溫度高于半導(dǎo)體生產(chǎn)的使用溫度，導(dǎo)致銅不能像鋁一樣通過干法刻蝕來實(shí)現(xiàn)布線工藝。目前被人們看好并被普遍采用的技術(shù)方案是所謂雙大馬士革工藝，該工藝也是銅后段互連得到應(yīng)用的 ■石出。利用雙大馬士革工藝形成銅后段互連，通過淀積介質(zhì)層把銅互連引線互相隔離開來。具體的，通過在介質(zhì)層上有選擇的開接觸孔并后續(xù)填銅的方法來形成銅互連引線。業(yè)界通常把深度與寬度(通常指孔頂部的直徑)的比值即深寬比大于3的接觸孔定義為深孔， 深孔一般是通過干法刻蝕的辦法來實(shí)現(xiàn)的。目前深孔刻蝕后的檢查項(xiàng)目一般僅為監(jiān)測(cè)孔的直徑，同時(shí)因?yàn)榭咨畹脑蛲ǔo法監(jiān)測(cè)到深孔底部(即深孔隱藏的一端)的直徑而只能監(jiān)測(cè)深孔頂部(即深孔露出來的一端)的直徑，從而就無法有效地監(jiān)測(cè)到深孔的形貌是否有異常，即異于符合工藝要求的標(biāo)準(zhǔn)形貌。請(qǐng)參考圖1，其為深孔的形貌為標(biāo)準(zhǔn)形貌的剖面示意圖。如圖1所示，例如，標(biāo)準(zhǔn)形貌為圓柱體形，深孔A為標(biāo)準(zhǔn)形貌，其頂部直徑為0. 14微米，其底部直徑也為0. 14微米。 請(qǐng)參考圖2，其為深孔的形貌為一種偏差形貌的剖面示意圖。如圖2所示，深孔B的形貌上寬下窄，其頂部直徑同樣為0. 14微米，但是其底部直徑并非為0. 14微米，而是小于0. 14微米。請(qǐng)參考圖3，其為深孔的形貌為另一種偏差形貌的剖面示意圖。如圖3所示，深孔C的形貌上窄下寬，其頂部直徑同樣為0. 14微米，但是其底部直徑并非為0. 14微米，而是大于0. 14微米。綜合比較圖1、2、3可以看出，當(dāng)所需求的深孔形貌為如圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)形貌，而因種種原因(如設(shè)備，工藝或操作方法等等)得到如圖2、3所示的偏差形貌時(shí)，以目前深孔刻蝕常用的監(jiān)測(cè)方法只監(jiān)測(cè)深孔頂部直徑，是無法及時(shí)發(fā)現(xiàn)深孔形貌發(fā)生偏差這一問題的，當(dāng)然也就無法采取有效地防范措施。從而，該深孔形貌偏差帶來的惡劣影響只有在5到10天甚至更晚的電性能測(cè)試中才能被發(fā)現(xiàn)，這就可能導(dǎo)致大量的產(chǎn)品性能偏差甚至需要報(bào)廢。因此，需要更為可靠、有效的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法來解決該問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，以解決現(xiàn)有的深孔形貌檢測(cè)方法不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)深孔的形貌發(fā)生偏差的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其中，所述雙大馬士革工藝包括刻蝕材料層形成深孔；形成BARC層，以覆蓋所述深孔及材料層；對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕，以去除所述深孔外的BARC層；所述深孔形貌監(jiān)測(cè)方法包括監(jiān)測(cè)深孔頂部的直徑；及監(jiān)測(cè)對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)?？蛇x的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，在刻蝕材料層形成深孔的步驟之后，執(zhí)行監(jiān)測(cè)深孔頂部的直徑的步驟。可選的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，若對(duì)所述BARC 層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)為標(biāo)準(zhǔn)用時(shí)，則所述深孔為標(biāo)準(zhǔn)形貌?？蛇x的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，若對(duì)所述BARC 層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)大于或者小于標(biāo)準(zhǔn)用時(shí)，則所述深孔為偏差形貌?？蛇x的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，采用找刻蝕終點(diǎn)的方式，以控制對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕的刻蝕時(shí)間?？蛇x的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，監(jiān)測(cè)對(duì)所述 BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)包括監(jiān)測(cè)所述找刻蝕終點(diǎn)的用時(shí)。可選的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，所述材料層包括靠近BARC層的頂層材料及遠(yuǎn)離BARC層的底層材料?？蛇x的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，若所述頂層材料為硅氧化合物，則采用監(jiān)控對(duì)碳氧信號(hào)敏感的波長(zhǎng)的信號(hào)強(qiáng)弱變化來找刻蝕終點(diǎn)?？蛇x的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，所述硅氧化合物包括:TE0S和/或FSG?？蛇x的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，所述對(duì)碳氧信號(hào)敏感的波長(zhǎng)包括長(zhǎng)度為4835埃的波長(zhǎng)?？蛇x的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，若所述頂層材料為硅氮化合物，則采用監(jiān)控對(duì)碳氮信號(hào)敏感的波長(zhǎng)的信號(hào)強(qiáng)弱變化來找刻蝕終點(diǎn)?？蛇x的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，所述硅氮化合物包括SiON和/或SiN?？蛇x的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，所述對(duì)碳氮信號(hào)敏感的波長(zhǎng)包括長(zhǎng)度為3865埃的波長(zhǎng)?？蛇x的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，所述深孔的深寬比大于3?？蛇x的，在所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，所述BARC層的材料為碳原子為主體的有機(jī)抗反射膜。在本發(fā)明提供的一種應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，通過監(jiān)測(cè)深孔頂部的直徑；及監(jiān)測(cè)對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)來進(jìn)行深孔形貌監(jiān)測(cè)，從而以及時(shí)發(fā)現(xiàn)深孔的形貌發(fā)生偏差，提高深孔形貌監(jiān)測(cè)的可靠性。當(dāng)發(fā)現(xiàn)深孔的形貌發(fā)生偏差時(shí)，便可對(duì)工藝進(jìn)行校正，從而防止偏差的擴(kuò)大，提高了生產(chǎn)工藝的可靠性。此外，本發(fā)明提供的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，在現(xiàn)有的雙大馬士革工藝中并不增加任何工藝，從而能夠很好地應(yīng)用于現(xiàn)有的雙大馬士革工藝。
圖1是深孔的形貌為標(biāo)準(zhǔn)形貌的剖面示意圖；圖2是深孔的形貌為一種偏差形貌的剖面示意圖；圖3是深孔的形貌為另一種偏差形貌的剖面示意圖；圖4是當(dāng)深孔的形貌為圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)形貌時(shí)，雙大馬士革工藝中形成BARC層工藝的剖面示意圖；圖5是當(dāng)深孔的形貌為圖2所示的一種偏差形貌時(shí)，雙大馬士革工藝中形成BARC 層工藝的剖面示意圖；圖6是當(dāng)深孔的形貌為圖3所示的另一種偏差形貌時(shí)，雙大馬士革工藝中形成 BARC層工藝的剖面示意圖；圖7是對(duì)圖4所示的BARC層進(jìn)行BARC層反刻蝕工藝后所形成的剖面示意圖；圖8是對(duì)圖5所示的BARC層進(jìn)行BARC層反刻蝕工藝后所形成的剖面示意圖；圖9是對(duì)圖6所示的BARC層進(jìn)行BARC層反刻蝕工藝后所形成的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的一種應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。當(dāng)利用雙大馬士革工藝形成銅后段互連時(shí)，首先包括刻蝕材料層形成深孔。所述材料層可以是多層結(jié)構(gòu)，例如可包括介質(zhì)層以及位于所述介質(zhì)層上的硬掩膜層。所述深孔的形貌則如背景技術(shù)中所介紹的，有可能形成工藝所希望的標(biāo)準(zhǔn)形貌，在本實(shí)施例中假設(shè)為圓柱體形，也有可能形成不符合工藝要求的偏差形貌，往往如圖2所示的上寬下窄的形貌或者如圖3所示的上窄下寬的形貌。在雙大馬士革工藝中，在刻蝕材料層形成深孔工藝后，形成BARC(Bottom Anti-reflection Coating)層，所述BARC層覆蓋前一步驟所形成的深孔以及材料層。具體請(qǐng)參考圖4至圖6，其中，圖4是當(dāng)深孔的形貌為圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)形貌時(shí)，雙大馬士革工藝中形成BARC層工藝的剖面示意圖；圖5是當(dāng)深孔的形貌為圖2所示的一種偏差形貌時(shí)，雙大馬士革工藝中形成BARC層工藝的剖面示意圖；圖6是當(dāng)深孔的形貌為圖3所示的另一種偏差形貌時(shí)，雙大馬士革工藝中形成BARC層工藝的剖面示意圖。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)控制形成BARC層的材料為一確定量時(shí)，則通過這一確定量的BARC 層的材料，在面對(duì)不同形貌的深孔時(shí)，特別地，面對(duì)如圖1至圖3所示的深孔的形貌時(shí)，形成的BARC層的厚度將不同。具體的，請(qǐng)參考圖4，當(dāng)深孔的形貌為圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)形貌時(shí)，所形成的BARC層20包括填滿深孔的第一部分21及位于深孔外的第二部分22，此時(shí)，由于深孔為標(biāo)準(zhǔn)形貌，所得到的深孔外的第二部分22的厚度也將為標(biāo)準(zhǔn)厚度VI。請(qǐng)參考圖5，當(dāng)深孔的形貌為圖2所示的一種偏差形貌時(shí)，所形成的BARC層20’包括填滿深孔的第一部分21’及位于深孔外的第二部分22’，所得到的深孔外的第二部分22’ 的厚度為V2。此時(shí)，由于深孔的形貌為上寬下窄，即相對(duì)于圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)形貌的深孔，圖2所示的偏差形貌的深孔的整個(gè)孔的體積將小于圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)形貌的深孔的體積，即填滿深孔(圖2所示的偏差形貌)的第一部分21’用去的BARC材料小于填滿深孔(圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)形貌)的第一部分21用去的BARC材料，從而將導(dǎo)致位于深孔(圖2所示的偏差形貌)外的第二部分22’的厚度比位于深孔(圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)形貌)外的第二部分22的厚度厚，即厚度V2大于標(biāo)準(zhǔn)厚度VI。請(qǐng)參考圖6，當(dāng)深孔的形貌為圖3所示的另一種偏差形貌時(shí)，所形成的BARC層20” 包括填滿深孔的第一部分21”及位于深孔外的第二部分22”，所得到的深孔外的第二部分 22”的厚度為V3。此時(shí)，由于深孔的形貌為上窄下寬，即相對(duì)于圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)形貌的深孔， 圖3所示的偏差形貌的深孔的整個(gè)孔的體積將大于圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)形貌的深孔的體積，即填滿深孔(圖3所示的偏差形貌)的第一部分21 ”用去的BARC材料大于填滿深孔(圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)形貌)的第一部分21用去的BARC材料，從而將導(dǎo)致位于深孔(圖3所示的偏差形貌)外的第二部分22”的厚度比位于深孔(圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)形貌)外的第二部分22的厚度薄，即厚度V3小于標(biāo)準(zhǔn)厚度VI。在雙大馬士革工藝中，在形成BARC層工藝之后，需要對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕， 以去除深孔外的BARC層。具體請(qǐng)參考圖7至圖9，其中，圖7是對(duì)圖4所示的BARC層進(jìn)行 BARC層反刻蝕工藝后所形成的剖面示意圖；圖8是對(duì)圖5所示的BARC層進(jìn)行BARC層反刻蝕工藝后所形成的剖面示意圖；圖9是對(duì)圖6所示的BARC層進(jìn)行BARC層反刻蝕工藝后所形成的剖面示意圖。通過本步驟對(duì)BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝后，將去除圖4所示的深孔外的第二部分22 ；或者圖5所示的深孔外的第二部分22’ ；或者圖6所示的深孔外的第二部分 22”。由上文記述的內(nèi)容可知，當(dāng)面對(duì)圖4至圖6不同的BARC層時(shí)，特別的，不同的厚度VI、 V2及V3時(shí)，在本步驟中進(jìn)行BARC層反刻蝕所需的用時(shí)將不同。鑒于此，發(fā)明人提出一種應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其中，所述雙大馬士革工藝包括刻蝕材料層形成深孔；形成BARC層，以覆蓋所述深孔及材料層；對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕，以去除所述深孔外的BARC層；所述深孔形貌監(jiān)測(cè)方法包括監(jiān)測(cè)深孔頂部的直徑；及監(jiān)測(cè)對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)。即除了在刻蝕材料層形成深孔的步驟之后監(jiān)測(cè)深孔頂部的直徑外，還對(duì)BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)進(jìn)行監(jiān)測(cè)。根據(jù)上文記述的內(nèi)容可知，根據(jù)監(jiān)測(cè)到的BARC層反刻蝕工藝的用時(shí)，可進(jìn)一步判斷深孔的形貌，即為符合工藝要求的標(biāo)準(zhǔn)形貌還是不符合工藝要求的偏差形貌。從而可以及時(shí)發(fā)現(xiàn)深孔的形貌發(fā)生偏差，提高深孔形貌監(jiān)測(cè)的可靠性。當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可直接監(jiān)測(cè)BARC層位于深孔外的第二部分的厚度。在本實(shí)施例中，具體的，若對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)為標(biāo)準(zhǔn)用時(shí)(所述標(biāo)準(zhǔn)用時(shí)為針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)厚度Vl時(shí)，進(jìn)行BARC層反刻蝕工藝所用的時(shí)間，此工藝時(shí)間為一已知的、標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間，即針對(duì)設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)形貌，通過計(jì)算或?qū)嶒?yàn)等可得到的一已知的、標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間。)，則所述深孔為標(biāo)準(zhǔn)形貌；若對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)大于或者小于標(biāo)準(zhǔn)用時(shí)，則所述深孔為偏差形貌。特別地，若對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)大于標(biāo)準(zhǔn)用時(shí)時(shí)，所示深孔為如圖2所示的偏差形貌；若對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)小于標(biāo)準(zhǔn)用時(shí)時(shí)，所示深孔為如圖3所示的偏差形貌。進(jìn)一步，采用找刻蝕終點(diǎn)的方式，以控制對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕的刻蝕時(shí)間， 而對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)的監(jiān)測(cè)包括監(jiān)測(cè)所述找刻蝕終點(diǎn)的用時(shí)。若所述材料層(如圖4至圖6所示的材料層10)的頂層材料(如圖4至圖6所示的硬掩膜層11) 為硅氧化合物，則采用監(jiān)控對(duì)碳氧信號(hào)敏感的波長(zhǎng)的信號(hào)強(qiáng)弱變化來找刻蝕終點(diǎn)。所述硅氧化合物包括TE0S和/或FSG ；所述對(duì)碳氧信號(hào)敏感的波長(zhǎng)包括長(zhǎng)度為4835埃的波長(zhǎng)。 若所述材料層(如圖4至圖6所示的材料層10)的頂層材料(如圖4至圖6所示的硬掩膜層11)為硅氮化合物，則采用監(jiān)控對(duì)碳氮信號(hào)敏感的波長(zhǎng)的信號(hào)強(qiáng)弱變化來找刻蝕終點(diǎn)。 所述硅氮化合物包括SiON和/或SiN ；所述對(duì)碳氮信號(hào)敏感的波長(zhǎng)包括長(zhǎng)度為3865埃的波長(zhǎng)。具體的，通過監(jiān)控波長(zhǎng)信號(hào)強(qiáng)弱的變化以確定刻蝕終點(diǎn)，而刻蝕開始至該波長(zhǎng)信號(hào)強(qiáng)弱發(fā)生變化的用時(shí)即為找刻蝕終點(diǎn)的用時(shí)。由于采用找刻蝕終點(diǎn)的方式以控制對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕的刻蝕時(shí)間，根據(jù)厚度V1、V2及V3的不同，找到刻蝕終點(diǎn)所花費(fèi)的時(shí)間也將不同，在本實(shí)施例中，找到圖5所示的BRAC層的刻蝕終點(diǎn)所花費(fèi)的時(shí)間將最短，為一比標(biāo)準(zhǔn)用時(shí)(所述標(biāo)準(zhǔn)用時(shí)為針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)厚度Vl時(shí)，進(jìn)行BARC層反刻蝕工藝所用的時(shí)間，此工藝時(shí)間為一已知的、標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間，即針對(duì)設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)形貌，通過計(jì)算或?qū)嶒?yàn)等可得到的一已知的、標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間。)短的時(shí)間；接著是找到圖4所示的BARC層的刻蝕終點(diǎn)所花費(fèi)的時(shí)間，為一與標(biāo)準(zhǔn)用時(shí)相等的時(shí)間；最后是圖6 所示的BARC層的刻蝕終點(diǎn)所花費(fèi)的時(shí)間，為一比標(biāo)準(zhǔn)用時(shí)長(zhǎng)的時(shí)間。在本實(shí)施例中，所述深孔的深寬比大于3，所述BARC層的材料為碳原子為主體的有機(jī)抗反射膜。在本發(fā)明提供的一種應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法中，通過監(jiān)測(cè)深孔頂部的直徑；及監(jiān)測(cè)對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)來進(jìn)行深孔形貌監(jiān)測(cè)，從而以及時(shí)發(fā)現(xiàn)深孔的形貌發(fā)生偏差，提高深孔形貌監(jiān)測(cè)的可靠性。當(dāng)發(fā)現(xiàn)深孔的形貌發(fā)生偏差時(shí)，便可對(duì)工藝進(jìn)行校正，從而防止偏差的擴(kuò)大，提高了生產(chǎn)工藝的可靠性。此外，本發(fā)明提供的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，在現(xiàn)有的雙大馬士革工藝中并不增加任何工藝，從而能夠很好地應(yīng)用于現(xiàn)有的雙大馬士革工藝。上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其中，所述雙大馬士革工藝包括刻蝕材料層形成深孔；形成BARC層，以覆蓋所述深孔及材料層；對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕，以去除所述深孔外的BARC層；其特征在于，所述深孔形貌監(jiān)測(cè)方法包括監(jiān)測(cè)深孔頂部的直徑；及監(jiān)測(cè)對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)。
2.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，在刻蝕材料層形成深孔的步驟之后，執(zhí)行監(jiān)測(cè)深孔頂部的直徑的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，若對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)為標(biāo)準(zhǔn)用時(shí)，則所述深孔為標(biāo)準(zhǔn)形貌。
4.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，若對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)大于或者小于標(biāo)準(zhǔn)用時(shí)，則所述深孔為偏差形貌。
5.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法， 其特征在于，采用找刻蝕終點(diǎn)的方式，以控制對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕的刻蝕時(shí)間。
6.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，監(jiān)測(cè)對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)包括監(jiān)測(cè)所述找刻蝕終點(diǎn)的用時(shí)。
7.如權(quán)利要求6所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，所述材料層包括靠近BARC層的頂層材料及遠(yuǎn)離BARC層的底層材料。
8.如權(quán)利要求7所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，若所述頂層材料為硅氧化合物，則采用監(jiān)控對(duì)碳氧信號(hào)敏感的波長(zhǎng)的信號(hào)強(qiáng)弱變化來找刻蝕終點(diǎn)。
9.如權(quán)利要求8所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，所述硅氧化合物包括=TEOS和/或FSG。
10.如權(quán)利要求8所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，所述對(duì)碳氧信號(hào)敏感的波長(zhǎng)包括長(zhǎng)度為4835埃的波長(zhǎng)。
11.如權(quán)利要求7所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，若所述頂層材料為硅氮化合物，則采用監(jiān)控對(duì)碳氮信號(hào)敏感的波長(zhǎng)的信號(hào)強(qiáng)弱變化來找刻蝕終點(diǎn)。
12.如權(quán)利要求11所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其特征在于， 所述硅氮化合物包括=SiON和/或SiN。
13.如權(quán)利要求11所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其特征在于， 所述對(duì)碳氮信號(hào)敏感的波長(zhǎng)包括長(zhǎng)度為3865埃的波長(zhǎng)。
14.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法， 其特征在于，所述深孔的深寬比大于3。
15.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法， 其特征在于，所述BARC層的材料為碳原子為主體的有機(jī)抗反射膜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種應(yīng)用于雙大馬士革工藝的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，其中，所述雙大馬士革工藝包括刻蝕材料層形成深孔；形成BARC層，以覆蓋所述深孔及材料層；對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕，以去除所述深孔外的BARC層；所述深孔形貌監(jiān)測(cè)方法包括監(jiān)測(cè)深孔頂部的直徑；及監(jiān)測(cè)對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)。通過監(jiān)測(cè)深孔頂部的直徑；及監(jiān)測(cè)對(duì)所述BARC層進(jìn)行反刻蝕工藝的用時(shí)來進(jìn)行深孔形貌監(jiān)測(cè)，從而以及時(shí)發(fā)現(xiàn)深孔的形貌發(fā)生偏差，提高深孔形貌監(jiān)測(cè)的可靠性。此外，本發(fā)明提供的深孔形貌監(jiān)測(cè)方法，在現(xiàn)有的雙大馬士革工藝中并不增加任何工藝，從而能夠很好地應(yīng)用于現(xiàn)有的雙大馬士革工藝。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102361015SQ20111032137
公開日2012年2月22日 申請(qǐng)日期2011年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月20日
發(fā)明者汪新學(xué) 申請(qǐng)人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司