專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有使用非單晶半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，無(wú)線芯片、傳感器等各種裝置的薄型化在產(chǎn)品小型化方面成為重要因素。薄型化技術(shù)及小型化產(chǎn)品的使用范圍迅速地?cái)U(kuò)大。由于這些薄型化了的各種裝置具有某個(gè)程度的柔性，因此可以將它設(shè)置在彎曲的物品中使用。于是，已提出了如下技術(shù)通過(guò)將形成在玻璃基板上的包括薄膜晶體管的元件層從基板剝離并轉(zhuǎn)印到例如塑料薄膜等其他基材上，從而制造半導(dǎo)體裝置。本申請(qǐng)人提出了專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2所記載的剝離及轉(zhuǎn)印技術(shù)。在專利文獻(xiàn) 1中記載有采用濕法刻蝕去除成為剝離層的氧化硅層來(lái)進(jìn)行剝離的技術(shù)。此外，在專利文獻(xiàn) 2中記載有采用干法刻蝕去除成為剝離層的硅層來(lái)進(jìn)行剝離的技術(shù)。另外，本申請(qǐng)人提出了專利文獻(xiàn)3所記載的剝離及轉(zhuǎn)印技術(shù)。在專利文獻(xiàn)3中記載有在基板上形成金屬層(Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、佝、Ni、Co、Ru、Rh、Pd、Os、Ir)的技術(shù)。再者，在本專利文獻(xiàn)中公開了一種技術(shù)，即當(dāng)在金屬層上層疊形成氧化物層時(shí)，將該金屬層的金屬氧化物層形成在金屬層和氧化物層的界面。根據(jù)本專利文獻(xiàn)，利用該金屬氧化物層，在后面的工序中進(jìn)行剝離。此外，專利文獻(xiàn)4公開了一種半導(dǎo)體裝置，其中通過(guò)將尺寸為0.5mm以下的半導(dǎo)體芯片埋入在紙張或薄膜狀的介質(zhì)中，改善了彎曲及負(fù)荷的集中。[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開平8488522號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]日本專利特開平8-250745號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)3]日本專利特開2003-174153號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)4]日本專利特開2004-78991號(hào)公報(bào)然而，將天線安裝在芯片中而內(nèi)嵌(片上(on-chip)化)的半導(dǎo)體裝置存在如下問題若芯片的面積小，則天線尺寸減縮，通信距離變短。此外，在將設(shè)置在紙張或薄膜介質(zhì)中的天線連接到芯片來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的情況下，若芯片小，則產(chǎn)生連接不良。因此，考慮擴(kuò)大芯片本身的尺寸，以便防止連接不良及通信距離的縮短，但是當(dāng)芯片的面積增大時(shí)，將包含半導(dǎo)體元件的層轉(zhuǎn)印到塑料薄膜等上而制成的半導(dǎo)體裝置因來(lái)自外部的局部擠壓而產(chǎn)生裂縫，形成工作不良。例如，存在如下問題當(dāng)在半導(dǎo)體裝置表面的塑料薄片或紙張上用書寫工具寫字時(shí)，半導(dǎo)體裝置受到筆的壓力，半導(dǎo)體裝置被破壞。此外，通過(guò)卷對(duì)卷(roll to roll)法制造半導(dǎo)體裝置的情況下，存在如下問題在被卷筒夾住的區(qū)域承受線狀的壓力，半導(dǎo)體裝置被破壞。發(fā)明內(nèi)容于是，本發(fā)明提供高成品率地制造半導(dǎo)體裝置的方法，該半導(dǎo)體裝置不會(huì)因來(lái)自外部的局部擠壓而破壞，可靠性高。本發(fā)明的特征在于，在具有絕緣性表面的基板上形成剝離層，在剝離層上形成具有使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的元件層，通過(guò)在元件層上設(shè)置有機(jī)化合物或無(wú)機(jī)化合物的纖維體，自元件層及纖維體上方涂布包含有機(jī)樹脂的組合物并使有機(jī)樹脂浸漬到纖維體中，加熱，從而在元件層上形成包括有機(jī)化合物或無(wú)機(jī)化合物的纖維體和有機(jī)樹脂的密封層，從剝離層剝離元件層而制成半導(dǎo)體裝置。此外，本發(fā)明的特征在于，在具有絕緣性表面的基板上形成剝離層，在剝離層上形成具有使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的元件層，通過(guò)在元件層上涂布包含有機(jī)樹脂的組合物而形成有機(jī)樹脂層，在有機(jī)樹脂層上設(shè)置有機(jī)化合物或無(wú)機(jī)化合物的纖維體并使有機(jī)樹脂浸漬到纖維體中，加熱，從而在元件層上形成包括有機(jī)化合物或無(wú)機(jī)化合物的纖維體和有機(jī)樹脂的密封層，從剝離層剝離元件層而制成半導(dǎo)體裝置。元件層的厚度優(yōu)選為1 μ m 10 μ m，更優(yōu)選為1 μ m 5 μ m，密封層的厚度優(yōu)選為 ΙΟμπ ΙΟΟμπ 。通過(guò)采用這樣的厚度，可以制造可彎曲的半導(dǎo)體裝置。作為纖維體，可舉出使用有機(jī)化合物或無(wú)機(jī)化合物的高強(qiáng)度纖維的織布或無(wú)紡布。作為高強(qiáng)度纖維，具體為拉伸彈性模量高的纖維，或者是楊氏模量高的纖維。此外，作為有機(jī)樹脂，可以使用熱塑性樹脂或熱固性樹脂。通過(guò)使用高強(qiáng)度纖維作為纖維體，即使半導(dǎo)體裝置受到局部擠壓，該壓力也分散到纖維體的整體，可以防止半導(dǎo)體裝置的一部分延伸。即，可以防止一部分的延伸所引起的配線、半導(dǎo)體元件等的破壞。通過(guò)本發(fā)明，可以成品率高地制造即使受到來(lái)自外部的局部擠壓也不容易破損且可靠性高的半導(dǎo)體裝置。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。 圖2是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。 圖3是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。 圖4是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。 圖5是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。 圖6是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。 圖7是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。 圖8是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。 圖9是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。 圖10是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的立體圖及截面圖。 圖11是說(shuō)明可應(yīng)用于本發(fā)明的纖維體的俯視圖。 圖12是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的圖。 圖13是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用例的立體圖。 圖14是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的圖。 圖15是說(shuō)明可應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的圖。 圖16是說(shuō)明可應(yīng)用于本發(fā)明的天線的俯視圖。
6
符號(hào)的說(shuō)明
40半導(dǎo)體裝置
41元件層
44擠壓
50半導(dǎo)體裝置
51元件層
54柵極絕緣層
56絕緣層
100基板
101剝離層
102元件層
102直接元件層
103絕緣層
104絕緣層
106絕緣層
107絕緣層
108配線
108配線
109配線
111絕緣層
111絕緣層
112天線
113纖維體
114有機(jī)樹脂層
120密封層
121有機(jī)樹脂層
123溝槽
124一部分
126纖維體
127有機(jī)樹脂層
128有機(jī)樹脂層
129密封層
131保護(hù)薄膜
141保護(hù)薄膜
151元件層
152電極焊盤
153有機(jī)樹脂層
154開口部
155有機(jī)樹脂層
155有機(jī)樹脂層
156密封層
161連接端子
162一部分
171基板
172天線
173各向異性導(dǎo)電粘接材料
174粘接材料
175薄膜
180元件層
181配線
183連接端子
191基板
192天線
193各向異性導(dǎo)電粘接材料
250半導(dǎo)體裝置
251基底薄膜
252配線
254保護(hù)薄膜
260半導(dǎo)體裝置
261-H-* \=t 心層
262元件層
263密封層
264通路
265層置層
266有機(jī)樹脂層
267通路
268導(dǎo)體圖案
269層置層
271-H-* LL 心片
272安裝構(gòu)件
411天線
412電路部
42a粘接材料
43a薄膜
460電源部
461信號(hào)處理部
462整流電路
463保持電容
464解調(diào)電路
465時(shí)鐘生成/校正電路
466識(shí)別/判定電路
467存儲(chǔ)器控制器
468掩模ROM
469編碼電路
470調(diào)制電路
501RFID
511無(wú)記名債券類
512證書類
513標(biāo)貼臺(tái)紙(剝離紙)
514標(biāo)貼
515盒子
516標(biāo)簽
517書籍
53a半導(dǎo)體層
53a半導(dǎo)體層
552存儲(chǔ)單元陣列
554周邊電路
556地址緩沖存儲(chǔ)器
55a柵電極
55a柵電極
560升壓電路
562行譯碼器
564列譯碼器
566讀出放大器
568數(shù)據(jù)緩沖存儲(chǔ)器
570數(shù)據(jù)輸入輸出緩沖存儲(chǔ)器
904導(dǎo)電層
907元件基板
105a薄膜晶體管
113a經(jīng)紗
113b緯紗
113c方平網(wǎng)眼
2111框體
2112顯示部
2113透鏡
2114操作鍵
2115快門按鈕
2116半導(dǎo)體裝置
2121框體
2122顯示部
2123操作鍵
2125半導(dǎo)體裝置
2130主體
2131顯示部
2132半導(dǎo)體裝置
2133操作部
2134耳機(jī)
2141主體
2141顯示部
2143操作鍵
2144半導(dǎo)體裝置
253a層疊體
905a連接端子
具體實(shí)施例方式下面，基于

本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明可以通過(guò)多種不同的方式來(lái)實(shí)施，只要是本領(lǐng)域的技術(shù)人員就可以很容易地理解，其方式及詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想及其范圍的前提下可以作各種變更。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在本實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。另外，在用來(lái)說(shuō)明實(shí)施方式的所有附圖中，以相同的符號(hào)標(biāo)記相同的部分或具有相同功能的部分，省略對(duì)其的重復(fù)說(shuō)明。實(shí)施方式1在本實(shí)施方式中，將參照?qǐng)D1示出成品率高地制造即使受到來(lái)自外部的局部擠壓也不容易破損的半導(dǎo)體裝置的方法。如圖IA所示，在具有絕緣表面的基板100上形成剝離層101，在剝離層101上形成包含使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的元件層102及天線112。接著，在元件層102 及天線112上設(shè)置纖維體113。作為具有絕緣表面的基板100，優(yōu)選使用可耐受形成元件層102及天線112的溫度的基板，可以使用具有代表性的玻璃基板、石英基板、陶瓷基板、在至少一個(gè)表面上形成有絕緣層的金屬基板、有機(jī)樹脂基板等。在此，使用玻璃基板作為具有絕緣表面的基板100。 另外，元件層102的厚度優(yōu)選為1 μ m 10 μ m，更優(yōu)選為1 μ m 5 μ m。通過(guò)采用這樣的厚度，可以制造可彎曲的半導(dǎo)體裝置。剝離層101通過(guò)濺射法、等離子體CVD法、涂布法、印刷法等以單層厚30nm 200nm的層或使多層層疊而形成，所述層由選自鎢(W)、鉬(Mo)Ji (Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、 鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯⑶、鋅(Si)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)以及硅(Si) 中的元素或者以上述元素為主要成分的合金材料或以上述元素為主要成分的化合物形成。 含有硅的層的結(jié)晶結(jié)構(gòu)可以為非晶、微晶、多晶中的任意一種。另外，在此，涂布法是指將溶液吐出到被處理物上來(lái)成膜的方法，例如包括旋涂法及液滴吐出法。此外，液滴吐出法是指將包含微粒的組合物的液滴從微細(xì)的孔吐出而形成規(guī)定形狀的圖案的方法。在剝離層101是單層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選形成包含鎢、鉬、或鎢和鉬的混合物的層?；蛘?，形成包含鎢的氧化物或氧氮化物的層、包含鉬的氧化物或氧氮化物的層或者包含鎢和鉬的混合物的氧化物或氧氮化物的層。另外，鎢和鉬的混合物例如相當(dāng)于鎢和鉬的合金。在剝離層101是疊層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選形成金屬層作為第一層，形成金屬氧化物層作為第二層。具有代表性的是，形成包含鎢、鉬、或鎢和鉬的混合物的層作為第一層的金屬層，形成包含如下材料的層作為第二層鎢、鉬、或鎢和鉬的混合物的氧化物，鎢、鉬、或鎢和鉬的混合物的氮化物，鎢、鉬、或鎢和鉬的混合物的氧氮化物或者鎢、鉬、或鎢和鉬的混合物的氮氧化物。在形成以金屬層為第一層并以金屬氧化物層為第二層的疊層結(jié)構(gòu)作為剝離層101 時(shí)，可以進(jìn)行如下的活用通過(guò)形成包含鎢的層作為金屬層，在其上層形成由氧化物構(gòu)成的絕緣層，從而在包含鎢的層和絕緣層的界面形成包含鎢的氧化物的層作為金屬氧化物層。 再者，也可以通過(guò)對(duì)金屬層的表面進(jìn)行熱氧化處理、氧等離子體處理、采用臭氧水等氧化力強(qiáng)的溶液的處理等來(lái)形成金屬氧化物層。鎢的氧化物可表示為W0X。χ在2 3的范圍內(nèi)，有χ是2的情況(WO2)，χ是2. 5 的情況(W2O5)、X是2. 75的情況(W4O11)、X是3的情況(WO3)等。此外，雖然根據(jù)上述工序，與基板100接觸地形成剝離層101，但是本發(fā)明不受限于該工序。也可以與基板100接觸地形成作為基底的絕緣層，與該絕緣層接觸地設(shè)置剝離層101。在此，通過(guò)濺射法形成厚度為30nm 70nm的鎢層作為剝離層101。作為元件層102所包含的使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的代表性例子， 有薄膜晶體管、二極管、非易失性存儲(chǔ)元件等有源元件以及電阻元件、電容元件等無(wú)源元件。此外，作為非單晶半導(dǎo)體層，有結(jié)晶半導(dǎo)體層、非晶半導(dǎo)體層、微晶半導(dǎo)體層等。此外， 作為半導(dǎo)體，有硅、鍺、硅鍺化合物等。此外，作為半導(dǎo)體，可以使用金屬氧化物，具有代表性的有氧化鋅、鋅鎵銦的氧化物等。此外，作為半導(dǎo)體，可以使用有機(jī)半導(dǎo)體材料。元件層102 的厚度優(yōu)選為Iym ΙΟμπι，更優(yōu)選為Ιμπι 5μπι。通過(guò)采用這樣的厚度，可以制造可彎曲的半導(dǎo)體裝置。此外，半導(dǎo)體裝置的俯視面積優(yōu)選為4mm2以上，更優(yōu)選為9mm2以上。當(dāng)在元件層102中至少形成薄膜晶體管、電阻元件、電容元件、配線等時(shí)，作為半導(dǎo)體裝置，可以制造進(jìn)行其他裝置的控制及數(shù)據(jù)的計(jì)算、加工的微處理器(MPU)。MPU包括 CPU、主存儲(chǔ)器、控制器、接口、I/O端口等。此外，當(dāng)在元件層102中至少形成存儲(chǔ)元件及薄膜晶體管時(shí)，作為半導(dǎo)體裝置，可以制造存儲(chǔ)裝置。作為存儲(chǔ)元件，有具有浮柵或電荷積蓄層的非易失性存儲(chǔ)元件、薄膜晶體管及與其連接的電容元件、具有薄膜晶體管及與其連接的強(qiáng)介電層的電容元件、在一對(duì)電極之間夾有有機(jī)化合物層的有機(jī)存儲(chǔ)元件等。此外，作為具有這樣的存儲(chǔ)元件的半導(dǎo)體裝置，有DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、FeRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、掩模R0M(只讀存儲(chǔ)器)、EPROM(電可編程只讀存儲(chǔ)器)、EEPROM(電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)、閃等存儲(chǔ)裝置。另外，當(dāng)在元件層102中至少形成二極管時(shí)，作為半導(dǎo)體裝置，可以制造光傳感器、圖像傳感器、太陽(yáng)能電池等。作為二極管，有使用非晶硅及多晶硅的PN 二極管、PIN 二極管、雪崩二極管、肖特基二極管等。此外，當(dāng)元件層102中至少形成薄膜晶體管并在元件層102上形成電連接到薄膜晶體管的天線時(shí)，作為半導(dǎo)體裝置，可以制造能夠無(wú)線地收發(fā)信息的ID標(biāo)簽、IC標(biāo)簽、 RF (射頻)標(biāo)簽、無(wú)線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽、RFID (射頻識(shí)別)標(biāo)簽、IC卡、ID卡等(下面表示為 RFID)。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括密封由薄膜晶體管等構(gòu)成的集成電路部和天線而得的嵌體(inlet)以及將該嵌體制成密封片狀或卡狀而得的裝置。另外，由于通過(guò)將RFID的俯視面積設(shè)定為4mm2以上，優(yōu)選設(shè)定為9mm2以上，可以形成尺寸大的天線，因此可以制造與通信設(shè)備之間的通信距離長(zhǎng)的RFID。在此，作為包含使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的元件層102，示出如下結(jié)構(gòu)起到緩沖層的作用的絕緣層103，起到基底層的作用的絕緣層104，薄膜晶體管105a、 10 ，覆蓋薄膜晶體管10fe、105b的絕緣層106，覆蓋絕緣層106的絕緣層107，穿過(guò)絕緣層 106、107連接到薄膜晶體管105110 的半導(dǎo)體層的源極區(qū)域及漏極區(qū)域的配線108，連接到后面要形成的天線112的配線109，覆蓋配線108、109及絕緣層107的一部分的絕緣層 111。另外，配線109通過(guò)配線108電連接到半導(dǎo)體層的源極區(qū)域或漏極區(qū)域。為了在后面的剝離工序中使剝離層101及起到緩沖層的作用的絕緣層103的界面上的剝離變得容易，或者為了在后面的剝離工序中防止半導(dǎo)體元件和配線的開縫及損壞， 設(shè)置起到緩沖層的作用的絕緣層103。作為起到緩沖層的作用的絕緣層103，通過(guò)濺射法、 等離子體CVD法、涂布法、印刷法等使用無(wú)機(jī)化合物以單層或多層形成。作為無(wú)機(jī)化合物的代表性例子，有氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等。另外，通過(guò)在作為起到緩沖層的作用的絕緣層103中使用氮化硅、氮氧化硅、氧氮化硅等，可以防止水分及氧等的氣體從外部侵入到后面要形成的元件層中。起到緩沖層的作用的絕緣層103的厚度優(yōu)選為IOnm IOOOnm,更優(yōu)選為IOOnm 700nm。在此，通過(guò)等離子體CVD法形成厚500nm 700nm的氧氮化硅層。起到基底層的作用的絕緣層104可以采用與起到緩沖層的作用的絕緣層103相同的形成方法及材料。而且，起到基底層的作用的絕緣層104可以為疊層結(jié)構(gòu)。例如，可以使用無(wú)機(jī)化合物層疊，具有代表性的是，可以層疊氧化硅、氮氧化硅以及氧氮化硅來(lái)形成。起到基底層的作用的絕緣層104的厚度優(yōu)選為IOnm 200nm，更優(yōu)選為50nm 150nm。在此， 通過(guò)等離子體CVD法形成厚30nm 70nm的氮氧化硅層，在其上通過(guò)等離子體CVD法形成厚SOnm 120nm的氧氮化硅層。另外，在具有起到緩沖層的作用的絕緣層103的情況下， 也可以不形成起到基底層的作用的絕緣層104。接著，在絕緣層104上形成薄膜晶體管10fe、105b。圖IA所示的薄膜晶體管105a、 105b包括具有源極區(qū)域、漏極區(qū)域和溝道形成區(qū)域的半導(dǎo)體層53a、53b，柵極絕緣層M以及柵電極55a、55b。半導(dǎo)體層53a、5;3b是厚度為IOnm lOOnm、優(yōu)選為20nm 70nm的由非單晶半導(dǎo)
體形成的層。作為非單晶半導(dǎo)體層，有結(jié)晶半導(dǎo)體層、非晶半導(dǎo)體層、微晶半導(dǎo)體層等。此外，作為半導(dǎo)體，有硅、鍺、硅鍺化合物等。特別是，優(yōu)選將非晶半導(dǎo)體層通過(guò)采用瞬間熱退火(RTA)或爐法退火爐的熱處理進(jìn)行結(jié)晶，或者組合加熱處理和激光束照射將非晶半導(dǎo)體層進(jìn)行結(jié)晶來(lái)形成結(jié)晶半導(dǎo)體。加熱處理時(shí)，可以使用具有促進(jìn)硅半導(dǎo)體的結(jié)晶的作用的鎳等金屬元素進(jìn)行結(jié)晶。除了進(jìn)行加熱處理以外，還照射激光束來(lái)進(jìn)行結(jié)晶的情況下，可以通過(guò)照射連續(xù)振蕩激光束或照射重復(fù)頻率為IOMHz以上且脈沖寬度為1納秒以下、優(yōu)選為1 100皮秒的高重復(fù)頻率超短脈沖光，在使該激光束的照射方向連續(xù)地移動(dòng)的同時(shí)，將結(jié)晶半導(dǎo)體熔融而得的熔融帶進(jìn)行結(jié)晶。通過(guò)這種結(jié)晶法，可以獲得粒徑大且晶界向一個(gè)方向延伸的結(jié)晶半導(dǎo)體。在半導(dǎo)體層53a、53b的源極區(qū)域及漏極區(qū)域中，添加有磷或硼等雜質(zhì)元素。優(yōu)選在成為η溝道型薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的源極區(qū)域及漏極區(qū)域中添加有雜質(zhì)濃度為 IX IO19 IX IO21CnT3的磷。此外，優(yōu)選在成為ρ溝道型薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的源極區(qū)域及漏極區(qū)域中添加有雜質(zhì)濃度為IXlO19 IXlO21cnT3的硼。柵極絕緣層M通過(guò)等離子體CVD法、濺射法、涂布法、印刷法等以厚度為5nm 50nm、更優(yōu)選為IOnm 40nm的氧化硅及氧氮化硅等無(wú)機(jī)絕緣物形成。柵電極55a、5^可以使用金屬或添加有賦予一種導(dǎo)電型的雜質(zhì)的多晶半導(dǎo)體形成。在使用金屬的情況下，可以使用鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋁(Al)等。此外，可以使用使金屬氮化的金屬氮化物?；蛘撸€可以采用使由該金屬氮化物形成的第一層和由上述金屬形成的第二層層疊而得的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，可以通過(guò)使用金屬氮化物形成第一層，可以使其成為阻擋金屬。即，可以防止第二層的金屬擴(kuò)散到柵極絕緣層及其下層的半導(dǎo)體層中。 此外，當(dāng)采用疊層結(jié)構(gòu)的情況下，也可以采用第一層的端部比第二層的端部更向外側(cè)突出的形狀。組合半導(dǎo)體層53a、53b、柵極絕緣層54、柵電極55a、5^等構(gòu)成的薄膜晶體管 105110 可以應(yīng)用單漏極結(jié)構(gòu)、LDD(輕摻雜漏)結(jié)構(gòu)、柵漏重疊結(jié)構(gòu)等各種結(jié)構(gòu)。在此示出單漏極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。而且，還可以等價(jià)地應(yīng)用呈被施加相同電位的柵電壓的多個(gè)晶體管串聯(lián)連接的形式的多柵極結(jié)構(gòu)，用柵電極夾著半導(dǎo)體層的上下的雙柵極結(jié)構(gòu)，以及在絕緣膜56上形成有柵電極且在柵電極上形成有柵極絕緣層、半導(dǎo)體層的反交錯(cuò)型薄膜晶體管等。另外，作為薄膜晶體管，可以形成將金屬氧化物或有機(jī)半導(dǎo)體材料用于半導(dǎo)體層的薄膜晶體管。作為金屬氧化物的代表性例子，有氧化鋅、鋅鎵銦的氧化物等。絕緣層106、107起到使薄膜晶體管與配線絕緣的層間絕緣層的作用。絕緣層106、 107可以采用與起到緩沖層的作用的絕緣層103相同的形成方法及材料。另外，雖然在此采用絕緣層106、107的疊層結(jié)構(gòu)，但可以采用單層或兩層以上的疊層結(jié)構(gòu)。在此，作為絕緣層 106，通過(guò)等離子體CVD法形成厚度為30nm 70nm的氧氮化硅層。此外，作為絕緣層107， 在通過(guò)等離子體CVD法形成厚度為SOnm 120nm的氮氧化硅層之后，通過(guò)等離子體CVD法形成厚度為500nm 700nm的氧氮化硅層。配線108、109優(yōu)選通過(guò)如鋁(Al)等低電阻材料和使用如鈦(Ti)、鉬(Mo)等高熔點(diǎn)金屬材料的阻擋金屬來(lái)形成，所述組合例如有鈦(Ti)和鋁(Al)的疊層結(jié)構(gòu)、鉬(Mo)和鋁(Al)的疊層結(jié)構(gòu)等。在此，在依次層疊形成厚度為SOnm 120nm的鈦層、厚度為250nm 350nm的鋁層以及厚度為SOnm 120nm的鈦層之后，使用通過(guò)光刻工序形成的抗蝕掩模選擇性地進(jìn)行刻蝕，從而形成配線108、109?？梢栽谂渚€108、109上設(shè)置氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、類金剛石碳、氮化碳等的保護(hù)層。當(dāng)通過(guò)離子輔助沉積形成保護(hù)膜時(shí)，可以形成致密的保護(hù)膜。通過(guò)設(shè)置保護(hù)層，可以抑制水分從外部侵入到薄膜晶體管中。特別是通過(guò)形成致密的保護(hù)膜，其效果進(jìn)一步提高。即，可以提高薄膜晶體管及半導(dǎo)體裝置的電氣特性的可靠性。絕緣層111采用與起到緩沖層的作用的絕緣層103相同的形成方法及材料形成。 另外，絕緣層111是后面要形成的天線的基底層。因此，絕緣層111的表面優(yōu)選為平坦的狀態(tài)。因此，絕緣層111優(yōu)選通過(guò)涂布使用有機(jī)溶劑稀釋有機(jī)樹脂而得的組合物并進(jìn)行干燥和燒成來(lái)形成。此外，通過(guò)使用稀釋感光性樹脂而得的組合物形成絕緣層111，工序數(shù)比以往的使用以光刻工序形成的抗蝕掩模來(lái)進(jìn)行刻蝕的工序少，因此半導(dǎo)體裝置的成品率提高。在此，涂敷并干燥使用有機(jī)溶劑稀釋感光性聚酰亞胺樹脂而得的組合物，使用光刻掩模進(jìn)行曝光，然后去除未固化的部分，燒成而形成絕緣層111。天線112通過(guò)采用液滴吐出法(噴墨法、分配器法等)吐出具有銀(Ag)、金(Au)、 銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)以及鈦(Ti)等中的任意一種以上的金屬粒子的液滴或糊料，進(jìn)行干燥和燒成來(lái)形成。通過(guò)采用液滴吐出法形成天線，可以縮減工序數(shù)，從而還可以縮減成本。此外，也可以使用絲網(wǎng)印刷法形成天線112。在使用絲網(wǎng)印刷法的情況下，作為天線112的材料，選擇性地印刷將粒徑為數(shù)nm 數(shù)十μ m的導(dǎo)電性粒子溶解或分散于有機(jī)樹脂中而得的導(dǎo)電性糊料。作為導(dǎo)電性粒子，可以使用選自銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、 鉬(Pt)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)以及鈦(Ti)等的任意一種以上的金屬粒子、鹵化銀的微?；蛏鲜霾牧系姆稚⑿约{米粒子。此外，包含在導(dǎo)電性糊料中的有機(jī)樹脂可以使用選自起到金屬粒子的粘合劑、溶劑、分散劑或被覆材料的作用的有機(jī)樹脂的一種或多種。具有代表性的可以舉出環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂等有機(jī)樹脂。此外，形成導(dǎo)電層時(shí)，優(yōu)選在印刷導(dǎo)電性的糊料后進(jìn)行燒成。另夕卜，除了絲網(wǎng)印刷法之夕卜，天線112還可以使用照相凹版印刷等，也可以采用鍍覆法、濺射法等以導(dǎo)電性材料來(lái)形成。此外，應(yīng)用電磁耦合方式或者電磁感應(yīng)方式(例如，13. 56MHz頻帶)作為RFID的信號(hào)傳送方式。在利用基于磁通量密度的變化的電磁感應(yīng)的情況下，天線的俯視形狀可以形成為環(huán)形(例如，環(huán)形天線)或者螺旋形(例如，螺旋天線)。此外，也可以使用微波方式(例如UHF頻帶(860 960MHz頻帶)、2. 45GHz頻帶等)作為RFID的信號(hào)傳送方式。在此情況下，考慮用于信號(hào)傳送的電磁波波長(zhǎng)，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定天線的長(zhǎng)度等形狀即可。圖16A D示出了可應(yīng)用微波方式的RFID的天線112的一例。例如，可以將天線的俯視形狀形成為直線形(例如，偶極天線(參照?qǐng)D16A))、平坦的形狀(例如平板天線 (參照?qǐng)D16B))或者帶型的形狀(參照?qǐng)D16C、16D)等。此外，起到天線的作用的導(dǎo)電層的形狀并不限于直線形，可以考慮到電磁波的波長(zhǎng)以曲線形狀、蛇行形狀或者它們的組合的形狀設(shè)置。設(shè)置在元件層102的一個(gè)表面或兩面的纖維體113是使用有機(jī)化合物或無(wú)機(jī)化合物的高強(qiáng)度纖維的織布或無(wú)紡布，它覆蓋元件層102的整面。作為高強(qiáng)度纖維，具體為拉伸彈性模量高的纖維或者楊氏模量高的纖維。作為高強(qiáng)度纖維的代表性例子，可以使用聚乙烯醇纖維、聚酯纖維、聚酰胺纖維、聚乙烯纖維、芳族聚酰胺纖維、聚對(duì)苯撐苯并二嚼唑纖維、玻璃纖維或碳纖維。作為玻璃纖維，可以采用使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。另外，纖維體113可以一種上述高強(qiáng)度纖維形成，也可以由多種上述高強(qiáng)度纖維形成。此外，纖維體113也可以由將纖維(單絲)的束(下面稱為絲束)用作經(jīng)紗及緯紗而編織的織布或?qū)⒍喾N纖維的絲束不規(guī)則或沿一個(gè)方向堆積而得的無(wú)紡布構(gòu)成。當(dāng)采用織布時(shí)，可以適當(dāng)?shù)厥褂闷郊y組織、斜紋組織、緞紋組織等。絲束的截面可以是圓形或橢圓形。作為絲束，可以使用通過(guò)以高壓水流、液體為介質(zhì)的高頻振蕩、連續(xù)超聲波的振蕩、使用輥的擠壓等實(shí)施了開纖加工的絲束。實(shí)施了開纖加工的絲束的寬度變寬，可以縮減厚度方向的單絲數(shù)，絲束的截面成為橢圓形或平板狀。 此外，通過(guò)使用低捻絲作為絲束，絲束容易扁平化，絲束的截面形狀成為橢圓形狀或平板形狀。如上所述，通過(guò)使用截面為橢圓形或平板狀的絲束，可以降低纖維體113的厚度。因此， 可以制造薄型的半導(dǎo)體裝置。當(dāng)纖維的絲束寬度為4 μ m 400 μ m、優(yōu)選為4 μ m 200 μ m 時(shí)，確認(rèn)到本發(fā)明的效果，在理論上可以更窄。此外，當(dāng)絲束的厚度為4 μ m 20 μ m時(shí)，確認(rèn)到本發(fā)明的效果，在理論上可以更薄，這取決于纖維的材料。另外，在本說(shuō)明書的附圖中，纖維體113表示為使用截面為橢圓形的絲束編織成平紋組織而得的織布。此外，雖然薄膜晶體管105110 大于纖維體113的絲束，但是有時(shí)薄膜晶體管10fe、105b小于纖維體113的絲束。圖11示出纖維體113為將絲束用作經(jīng)紗及緯紗而編織的織布的俯視圖。如圖IlA所示，在纖維體113中編織有具有一定間隔的經(jīng)紗113a及具有一定間隔的緯紗11北。這種纖維體具有不存在經(jīng)紗113a及緯紗11 的區(qū)域(稱為方平網(wǎng)眼(kisket hole) 113c)。在這種纖維體113中，有機(jī)樹脂浸漬到纖維體中的比例提高，可以提高纖維體 113及元件層102的密合性。此外，如圖IlB所示，纖維體113也可以是經(jīng)紗113a及緯紗11 的密度高且方平網(wǎng)眼113c的比例低的纖維體。具有代表性的是，方平網(wǎng)眼113c的大小優(yōu)選比受到局部擠壓的面積小。具有代表性的是，優(yōu)選一邊為0.01mm 0.2mm的矩形。當(dāng)纖維體113的方平網(wǎng)眼113c的面積這樣小時(shí)，即使被先端細(xì)的構(gòu)件(具有代表性的是鋼筆或鉛筆等書寫工具) 擠壓，也可以通過(guò)纖維體113整體吸收該壓力。另外，也可以對(duì)纖維施行表面處理，以便提高有機(jī)樹脂對(duì)絲束內(nèi)部的滲透率。例如，有用來(lái)使纖維表面活化的電暈放電處理、等離子體放電處理等。此外，還有使用硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑的表面處理。接著，圖IB所示，在纖維體113及元件層102上形成有機(jī)樹脂層114。作為有機(jī)樹脂層114，可以使用環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹脂或氰酸酯樹脂等熱固性樹脂。此外，可以使用聚苯醚樹脂、聚醚酰亞胺樹脂或含氟樹脂等熱塑性樹脂。另外，還可以使用上述熱塑性樹脂及上述熱固性樹脂中的多種。通過(guò)使用上述有機(jī)樹脂，可以通過(guò)熱處理將纖維體固定到元件層上。另外，玻璃化溫度越高，有機(jī)樹脂層114 就越不容易因局部擠壓破壞，所以是理想的。作為有機(jī)樹脂層114的形成方法，可以使用印刷法、澆鑄法、液滴吐出法、浸涂法寸。此時(shí)，使有機(jī)樹脂層114中的一部分或全部浸漬到纖維體113中。S卩，纖維體113包含在有機(jī)樹脂層114中。通過(guò)該步驟，纖維體113與有機(jī)樹脂層114的密合性提高?？梢詫⒏邔?dǎo)熱性填料分散在有機(jī)樹脂114或纖維體的絲束中。作為高導(dǎo)熱性填料，有氮化鋁、氮化硼、氮化硅、氧化鋁等。此外，作為高導(dǎo)熱性填料，有銀、銅等的金屬粒子。 通過(guò)在有機(jī)樹脂或絲束中含有高導(dǎo)熱性填料，容易將元件層中產(chǎn)生的熱量釋放到外部，所以能夠抑制半導(dǎo)體裝置的蓄熱，可以減少半導(dǎo)體裝置的蓄熱導(dǎo)致的缺陷。接著，對(duì)有機(jī)樹脂層114進(jìn)行加熱來(lái)使有機(jī)樹脂層114的有機(jī)樹脂增塑或固化。另外，當(dāng)有機(jī)樹脂是可塑性有機(jī)樹脂時(shí)，在此之后通過(guò)冷卻到室溫使通過(guò)加熱增塑了的有機(jī)樹脂固化。其結(jié)果是，如圖IC所示，形成浸漬到纖維體113中且固定于元件層102及天線112 的一面的有機(jī)樹脂層121。另外，將固定于元件層102及天線112的一面的有機(jī)樹脂層121 及纖維體113表示為密封層120。接著，為了容易地進(jìn)行后面的剝離工序，可以通過(guò)將激光束從密封層120側(cè)照射到密封層120、元件層102以及剝離層101，形成如圖ID所示的溝槽123。作為為了形成溝槽123而照射的激光束，優(yōu)選具有剝離層101、元件層102或構(gòu)成密封層120的層中的任一層吸收的波長(zhǎng)的激光束，具有代表性的是適當(dāng)?shù)剡x擇紫外區(qū)域、可見區(qū)域或紅外區(qū)域的激光束來(lái)照射。作為能夠激發(fā)這樣的激光束的激光振蕩器，可以使用如下的激光振蕩器KrF、 ArFaeCl等的準(zhǔn)分子激光振蕩器，He、He-Cd、Ar、He-Ne、HF、(X)2等的氣體激光振蕩器，摻雜有 Cr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti 或 Tm 的 YAG、GdVO4、YVO4、YLF、YA103 等的結(jié)晶、玻璃、紅寶石等的固體激光振蕩器，GalGaA^GaAlAsJnGaAsP等的半導(dǎo)體激光振蕩器等。另外，在使用所述固體激光振蕩器時(shí)，優(yōu)選適當(dāng)?shù)貞?yīng)用其基波 五次諧波。接著，如圖IE所示，以溝槽123為起點(diǎn)，在剝離層101與起到緩沖層的作用的絕緣層103的界面上通過(guò)物理方法將形成有剝離層101的具有絕緣表面的基板100與包括元件層102的層IM剝離。物理方法指的是力學(xué)方法或機(jī)械方法，就是施加某種力學(xué)能量(機(jī)械能量)的方法，該方法典型的是施加機(jī)械力(例如，用人的手或夾握工具剝離的處理，或者使輥轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)進(jìn)行分離的處理)。此時(shí)，如果在密封層120的表面上設(shè)置可通過(guò)光或熱而剝離的粘接片，則更容易進(jìn)行剝離。此外，也可以將液體滴加到溝槽123中，使液體滲透到剝離層101與起到緩沖層的作用的絕緣層103的界面，從剝離層101剝離元件層102。在此情況下，既可以將液體只滴加到溝槽123，也可以將具有絕緣表面的基板100、元件層102、天線112以及密封層120整體浸在液體中，使液體從溝槽123滲透到剝離層101與元件層102的界面。在本實(shí)施方式中，雖然采用在與起到緩沖層的作用的絕緣層103接觸的層形成金屬氧化層作為剝離層101，通過(guò)物理方法剝離包括元件層102的層124的方法，但是不局限于此。還可以采用如下方法使用具有透光性的基板作為基板，使用含氫的非晶硅層作為剝離層101，將激光束從具有絕緣表面的基板100照射到剝離層101，使包含在非晶硅層的氫汽化，并在具有絕緣表面的基板100和剝離層101之間進(jìn)行剝離。此外，還可以使用機(jī)械地研磨而去除基板100的方法或使用氫氟酸等的溶液使基板100溶解來(lái)去除基板100的方法。在此情況下，可以不使用剝離層101。另外，可以采用如下方法在圖10中，將順3、8評(píng)3、(恥等氟化氣體導(dǎo)入到溝槽123中，使用氟化氣體刻蝕剝離層101而去除，將包括元件層102的層IM從具有絕緣表面的基板100剝離。此外，可以采用如下方法在圖ID中，將NF3、BrF3> ClF3等氟化氣體導(dǎo)入到溝槽 123中，使用氟化氣體刻蝕剝離層101的一部分而去除，然后將粘接材料貼附到有機(jī)樹脂層 121，采用物理方法將包括元件層102的層IM從具有絕緣表面的基板100剝離。另外，在元件層102包含多個(gè)半導(dǎo)體裝置的情況下，可以斷開元件層102及密封層，切出多個(gè)半導(dǎo)體裝置。通過(guò)這種工序，可以制造多個(gè)半導(dǎo)體裝置。通過(guò)上述步驟，可以制造半導(dǎo)體裝置。另外，在圖1中，雖然在將纖維體113設(shè)置在元件層102上之后形成有機(jī)樹脂層 114，但是作為代替，也可以在將有機(jī)樹脂層114形成在元件層102上之后，將纖維體設(shè)置在元件層102及有機(jī)樹脂層114上。該工序如下所示。如圖3A所示，在具有絕緣表面的基板100上形成剝離層101，在剝離層101上形成包括使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的元件層102及天線112。接著，在元件層102 及天線112上形成有機(jī)樹脂層114。接著，如圖;3B所示，在元件層102及天線112上設(shè)置纖維體113。此時(shí)，通過(guò)將纖維體113按壓于有機(jī)樹脂層114，可以使纖維體113包含于有機(jī)樹脂層114中。此外，可以使有機(jī)樹脂浸漬到纖維體113中。接著，對(duì)有機(jī)樹脂層114進(jìn)行加熱，使有機(jī)樹脂層114的有機(jī)樹脂增塑或固化。另外，在有機(jī)樹脂是可塑性有機(jī)樹脂的情況下，在此之后通過(guò)將它冷卻到室溫，使通過(guò)加熱增塑了的有機(jī)樹脂固化。其結(jié)果是，圖3C所示，形成浸漬到纖維體113中且固定于元件層102及天線112 的一面的有機(jī)樹脂層121。另外，將固定于元件層102及天線112的一面的有機(jī)樹脂層121 及纖維體113表示為密封層120。然后，與圖ID相同地，如圖3D所示在剝離層101與起到緩沖層的作用的絕緣層 103的界面剝離包括元件層102的層124。通過(guò)上述步驟，可以制造半導(dǎo)體裝置。另外，可以在起到緩沖層的作用的絕緣層103側(cè)也形成密封層。該工序如下所示。 如圖2A所示，在起到緩沖層的作用的絕緣層103上設(shè)置纖維體126。纖維體1 可以適當(dāng)?shù)厥褂脠DIA所示的纖維體113。接著，如圖2B所示，自纖維體1 及絕緣層103上方涂布包含有機(jī)樹脂的組合物并進(jìn)行燒成，形成有機(jī)樹脂層127。作為有機(jī)樹脂層127可以適當(dāng)?shù)厥褂脠DIB所示的有機(jī)樹脂層114。另外，以有機(jī)樹脂層114中包含纖維體113的方式形成有機(jī)樹脂層127。此外， 可以使有機(jī)樹脂浸漬到纖維體113內(nèi)。接著，如圖2C所示，對(duì)有機(jī)樹脂層127進(jìn)行加熱，使有機(jī)樹脂層127的有機(jī)樹脂增塑或固化。在有機(jī)樹脂是可塑性的情況下，在此之后通過(guò)冷卻到室溫，使增塑了的有機(jī)樹脂固化。其結(jié)果是，如圖2C所示，可以形成由有機(jī)樹脂層1 構(gòu)成的密封層129，該有機(jī)樹脂層1 浸漬到纖維體113中并形成于起到緩沖層的作用的絕緣層103上。S卩，可以制造在元件層102的兩面上設(shè)置有密封層120、129的半導(dǎo)體裝置。此時(shí)的密封層120、129由相同材質(zhì)的纖維體及有機(jī)樹脂形成時(shí)，翹曲減少，因此是理想的。但是，在區(qū)分正面和背面來(lái)使用時(shí)，不必采用相同的材質(zhì)。像這樣，通過(guò)浸漬于纖維體的有機(jī)樹脂被固定到元件層的兩面，纖維體支撐半導(dǎo)體裝置，因此可以減少半導(dǎo)體裝置的翹曲，該半導(dǎo)體裝置向之后的層壓薄膜及密封片等的搭載變得容易。此外，形成在元件層102的密封層120的纖維體的經(jīng)紗或緯紗的方向和密封層1 的纖維體的經(jīng)紗或緯紗的方向可以相差30° 60°，優(yōu)選為40° 50°。在此情況下，設(shè)在元件層的正面和背面的纖維體的拉伸方向在正面和背面不同，所以當(dāng)受到局部擠壓時(shí)各向同性地延伸。因此，可以進(jìn)一步減少因局部擠壓所引起的半導(dǎo)體裝置的破壞。在此，將參照?qǐng)D4示出本實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置所具有的效果。如圖4A所示，在現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置40中，包括使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的元件層41使用粘合材料42a、42b被薄膜43a、4!3b密封。對(duì)這種半導(dǎo)體裝置施加局部擠壓44。結(jié)果，如圖4B所示，元件層41、粘合材料42a、42b、薄膜43a、4 都延伸，在擠壓部分產(chǎn)生曲率半徑小的彎曲。結(jié)果，在構(gòu)成元件層41的半導(dǎo)體元件、配線等中產(chǎn)生裂縫，從而半導(dǎo)體裝置被破壞。然而，如圖4C所示，在本實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置50中，元件層51的一面或兩面設(shè)有由含有機(jī)樹脂的纖維體形成的密封層。纖維體由高強(qiáng)度纖維形成，高強(qiáng)度纖維的拉伸彈性模量或楊氏模量高。因此，即使施加點(diǎn)壓、線壓等局部擠壓44，高強(qiáng)度纖維也不會(huì)延伸，而擠壓的力量被分散至纖維體整體，半導(dǎo)體裝置的整體彎曲。結(jié)果，如圖4D所示，即使施加局部擠壓，在半導(dǎo)體裝置中產(chǎn)生的彎曲也是曲率半徑大的彎曲，在構(gòu)成元件層51的半導(dǎo)體元件、配線等中不產(chǎn)生裂縫，從而可以減少半導(dǎo)體裝置的破壞。此外，通過(guò)減小元件層51的厚度，可以使半導(dǎo)體裝置彎曲。因此，能夠擴(kuò)大元件層 51的面積。因而，制造半導(dǎo)體裝置的工序變?nèi)菀?。此外，該半?dǎo)體裝置是內(nèi)建有天線的RFID 的情況下，可以增大天線的尺寸。因此，可以制造通信距離長(zhǎng)的RFID。另外，在元件層102包括多個(gè)半導(dǎo)體裝置的情況下，也可以分割元件層102及密封層來(lái)獲得多個(gè)半導(dǎo)體裝置。通過(guò)這種工序，可以制造多個(gè)半導(dǎo)體裝置。當(dāng)分割時(shí)，可以采用切割、劃線、具有剪刀或刀等刀具的裁斷機(jī)、或激光切割法等選擇性地分割。此外，通過(guò)將半導(dǎo)體裝置嵌入到紙張中，可以形成包含半導(dǎo)體裝置的紙張。具體來(lái)說(shuō)，在第一濕紙上設(shè)置半導(dǎo)體裝置。在其上配置第二濕紙，進(jìn)行壓接和干燥。結(jié)果，可以形成包含半導(dǎo)體裝置的紙張。然后，可以將該紙張裁斷為適當(dāng)?shù)某叽?。在本?shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置中，具有使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的元件層和纖維體由有機(jī)樹脂固定。由于纖維體將局部擠壓所產(chǎn)生起的壓力分散到纖維的整體，因此不容易受到局部壓力。由此，構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的配線及半導(dǎo)體元件不被延伸，半導(dǎo)體裝置不容易被破壞。此外，由于由高強(qiáng)度纖維而成的纖維體固定到元件層，因此在剝離工序中，元件層也不容易延伸。即，可以減少形成在元件層的半導(dǎo)體元件、配線等的延伸。因此，可以提高半導(dǎo)體裝置的成品率。此外，通過(guò)減小元件層的厚度，可以使半導(dǎo)體裝置彎曲。因此，可以擴(kuò)大元件層的面積。因而，制造半導(dǎo)體裝置的工序變?nèi)菀?。此外，在該半?dǎo)體裝置是內(nèi)建有天線的RFID 的情況下，可以增大天線的尺寸。因此，可以制造通信距離長(zhǎng)的RFID。實(shí)施方式2
在本實(shí)施方式中，將參照?qǐng)D5說(shuō)明與實(shí)施方式1相比更不容易被破壞的半導(dǎo)體裝置的制造方法。與實(shí)施方式1同樣地，如圖5A所示，在具有絕緣表面的基板100上形成剝離層 101，在剝離層101上形成包含使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的元件層102及天線 112。接著，在元件層102及天線112上設(shè)置纖維體113，形成有機(jī)樹脂層114，并在有機(jī)樹脂層114上設(shè)置保護(hù)薄膜131。優(yōu)選使用高強(qiáng)度材料形成保護(hù)薄膜131。作為高強(qiáng)度材料的代表例子，可舉出聚乙烯醇類樹脂、聚酯類樹脂、聚酰胺類樹脂、聚乙烯類樹脂、芳族聚酰胺樹脂、聚對(duì)苯撐苯并二嗯唑樹脂、玻璃樹脂等。通過(guò)使用高強(qiáng)度材料形成保護(hù)薄膜131，與實(shí)施方式1相比，可以抑制因局部擠壓所引起的破壞。具體來(lái)說(shuō)，在纖維體113中，當(dāng)未分布經(jīng)紗束及緯紗束的方平網(wǎng)眼的面積大于被施加局部壓力的面積時(shí)，若是方平網(wǎng)眼受到局部負(fù)荷，則該壓力不被纖維體113吸收， 而直接施加到元件層102及天線112。結(jié)果，元件層102及天線112延伸，從而半導(dǎo)體元件或配線被破壞。然而，由于通過(guò)在有機(jī)樹脂層114上設(shè)置由高強(qiáng)度材料形成的保護(hù)薄膜131，保護(hù)薄膜131的整體吸收局部負(fù)荷，所以成為因局部擠壓所引起的破壞少的半導(dǎo)體裝置。接著，如圖5B所示，與實(shí)施方式1同樣地對(duì)有機(jī)樹脂層114進(jìn)行加熱，形成密封層 120。此外，密封層120的有機(jī)樹脂將保護(hù)薄膜131固定到元件層102及天線112。S卩，密封層120將纖維體113及保護(hù)薄膜131固定到元件層102及天線112。此外，密封層120所包含的有機(jī)樹脂層121浸漬在纖維體113中。接著，如圖5C所示，從形成有剝離層101的具有絕緣表面的基板100剝離包含元件層的層124。在此，與實(shí)施方式1同樣地，對(duì)元件層102及剝離層101照射激光束形成溝槽，然后在形成在剝離層101及起到緩沖層的作用的絕緣層103的界面上的金屬氧化物層通過(guò)物理方法進(jìn)行剝離。然后，如圖5D所示，可以在起到緩沖層的作用的絕緣層103的表面上設(shè)置纖維體， 形成有機(jī)樹脂層，在有機(jī)樹脂層上設(shè)置保護(hù)薄膜，進(jìn)行加熱和壓接，將密封層1 及保護(hù)薄膜141固定到元件層102。另外，在圖5A中，當(dāng)保護(hù)薄膜131是熱塑性材料時(shí)，也可以在元件層102及天線 112和纖維體113之間設(shè)置保護(hù)薄膜131并進(jìn)行加熱和壓接。此外，也可以在元件層102、 天線112以及纖維體113和有機(jī)樹脂層114之間設(shè)置保護(hù)薄膜131并進(jìn)行加熱和壓接。另外，在圖5D中，當(dāng)保護(hù)薄膜141是熱塑性材料時(shí)，也可以在起到緩沖層的作用的絕緣層103 和纖維體之間設(shè)置保護(hù)薄膜141并進(jìn)行加熱和壓接。此外，也可以在起到緩沖層的作用的絕緣層103及纖維體和有機(jī)樹脂層之間設(shè)置保護(hù)薄膜141并進(jìn)行加熱和壓接。在該結(jié)構(gòu)中， 也可以使用保護(hù)薄膜及纖維體分散局部擠壓所產(chǎn)生的負(fù)荷，從而可以減少半導(dǎo)體裝置的破壞。另外，在元件層102包含多個(gè)半導(dǎo)體裝置的情況下，也可以分割元件層102及密封層來(lái)切出多個(gè)半導(dǎo)體裝置。通過(guò)這種工序，可以制造多個(gè)半導(dǎo)體裝置。此外，與實(shí)施方式1同樣，通過(guò)將半導(dǎo)體裝置嵌入到紙張中，可以形成包含半導(dǎo)體裝置的紙張。
通過(guò)上述步驟，可以制造因局部擠壓所引起的破壞少的半導(dǎo)體裝置。此外，通過(guò)減小元件層的厚度，可以使半導(dǎo)體裝置彎曲。因此，可以擴(kuò)大元件層的面積。因而，制造半導(dǎo)體裝置的工序變?nèi)菀?。此外，在該半?dǎo)體裝置是內(nèi)建有天線的RFID的情況下，可以增大天線的尺寸。因此，可以制造通信距離長(zhǎng)的RFID。實(shí)施方式3在本實(shí)施方式中，將參照?qǐng)D6以及圖7說(shuō)明一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置將設(shè)置在其他基板上的天線連接到元件層，而不在元件層上形成天線。如圖6A所示，與實(shí)施方式1同樣地，在具有絕緣表面的基板100上形成剝離層 101，在剝離層101上形成包含使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的元件層151。接著， 在元件層151上形成具有纖維體113及開口部154的有機(jī)樹脂層155。在此，作為元件層151，如實(shí)施方式1所示，形成起到緩沖層的作用的絕緣層103， 在起到緩沖層的作用的絕緣層103上形成起到基底層的作用的絕緣層104，在絕緣層104上形成薄膜晶體管10fe、105b。在薄膜晶體管105a、10 上形成絕緣層106、107，形成穿過(guò)絕緣層106、107連接到薄膜晶體管105110 的半導(dǎo)體層的源極區(qū)域及漏極區(qū)域的配線108， 并形成連接到之后要形成的電極焊盤152的配線109。另外，電極焊盤152通過(guò)配線109及配線108電連接到半導(dǎo)體層的源極區(qū)域或漏極區(qū)域。在配線108、109、絕緣層107上形成絕緣層111，并且形成穿過(guò)絕緣層111連接到配線109的電極焊盤152。采用如下方法形成有機(jī)樹脂層155 以具有使電極焊盤152的一部分露出的開口部154的方式通過(guò)印刷法或液滴吐出法將使用有機(jī)溶劑稀釋有機(jī)樹脂而成的組合物設(shè)置在元件層151上，進(jìn)行干燥燒成。接著，如圖6B所示，在有機(jī)樹脂層153的開口部形成連接端子161?？梢酝ㄟ^(guò)印刷法、液滴吐出法等形成連接端子161。作為連接端子161的材料，可以使用銀(Ag)、金(Au)、 銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)以及鈦(Ti)等中的任意一種以上的金屬粒子、鹵素化銀的微粒、或上述材料的分散性納米粒子。接著，將有機(jī)樹脂層巧5及連接端子161的材料燒成，在元件層151的一面形成由有機(jī)樹脂層155及纖維體113構(gòu)成的密封層156。另外，在密封層156上形成連接到電極焊盤152的連接端子161。接著，如圖6C所示，從形成有剝離層101的具有絕緣表面的基板100剝離包含元件層151的層162。在此，與實(shí)施方式1同樣地，將激光束照射到元件層及剝離層101來(lái)形成溝槽。接著，在對(duì)該溝槽供應(yīng)液體之后，在剝離層101及起到緩沖層的作用的絕緣層103 的界面采用物理方法進(jìn)行剝離。然后，如圖7A所示，使用粘接材料174粘接固定于元件層151的密封層156和形成有天線172的基板171。此時(shí)，使用各向異性導(dǎo)電粘接材料173將形成在元件層151的連接端子161和天線172電連接。作為各向異性導(dǎo)電粘接材料173，可以舉出環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂等粘接性樹脂，該粘接性樹脂包含分散了的導(dǎo)電性粒子(粒徑為數(shù)nm 數(shù)十ym)。此外，導(dǎo)電性粒子由選自金、銀、銅、鈀、鎳、碳或鉬中的一種元素或者多種元素形成。此外，也可以是具有這些元素的多層結(jié)構(gòu)的顆粒。再者，也可以使用在由樹脂形成的粒子的表面上形成有薄膜的導(dǎo)電性粒子，該薄膜由選自金、銀、銅、鈀、鎳或鉬中的一種元素或者多種元素形成。另外，也可以使用 CNT(碳納米管)作為導(dǎo)電性粒子。
對(duì)于天線172，可以適當(dāng)?shù)厥褂门c實(shí)施方式1所示的天線112相同的材料及形成方法。
作為形成有天線172的基板171，可以使用薄膜狀塑料基板，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龍、聚醚醚酮 (PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚芳酯(PAR)、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等。
接著，如圖7B所示，可以與實(shí)施方式1同樣，在起到緩沖層的作用的絕緣層103的表面上形成密封層129。
接著，如圖7C所示，可以設(shè)置薄膜175，從而密封形成有天線172的基板171、密封層156、元件層151以及密封層129。作為薄膜，可以使用與形成有天線172的基板171相同的薄膜。
另外，本實(shí)施方式示出了如下方式，即在從剝離層101剝離之元件層151后，將形成有天線172的基板171粘接到元件層151之上的密封層120。但是也可以采用如下方式來(lái)代替上述方式，即如圖6B所示，在形成連接端子161之后，在粘接密封層156和形成有天線172的基板171的同時(shí)，使用各向異性導(dǎo)電粘接材料173將天線172和連接端子161電連接。然后，也可以從剝離層101剝離元件層151。再者，可以如圖7B所示，在起到緩沖層的作用的絕緣層103上形成密封層129，如圖7C所示，使用薄膜175密封形成有172的基板 171、密封層156、元件層151以及密封層129。
雖然上述方式中示出了具有天線172的基板171只粘接在元件層151的一面的半導(dǎo)體裝置，但是也可以在元件層151的兩面分別粘接形成有天線的基板。下面，將參照?qǐng)D8 示出這種方式。
經(jīng)過(guò)圖6以及圖7A的工序后，如圖8A所示，使用粘接材料174粘接形成有天線 172的基板171和設(shè)置在元件層180的一面的密封層156。
此外，在元件層180的另一面(S卩，絕緣層103的表面)上設(shè)置密封層129。另外， 在元件層180中，在絕緣層107上形成配線181，該配線181與連接到薄膜晶體管105a、10 的半導(dǎo)體層的源極區(qū)域及漏極區(qū)域的配線108同樣地形成。另外，作為配線181，也可以在柵極絕緣膜上形成柵電極55a、55b的同時(shí)形成配線。
接著，在密封層1 及元件層180的一部分中形成開口部，以便形成連接到配線 181的連接端子。在此，從密封層1 側(cè)向配線181照射激光束而形成開口部，使配線181 的一部分露出。
接著，如圖8B所示，以填充開口部的方式形成連接端子183。連接端子183可以與連接端子161同樣地形成。
接著，如圖8C所示，在使用粘接材料194粘接密封層1 和形成有天線192的基板191的同時(shí)，使用各向異性導(dǎo)電粘接材料193將連接端子183和天線192電連接。
通過(guò)上述步驟，可以制造在元件層的兩面設(shè)置有天線的半導(dǎo)體裝置。如果上述半導(dǎo)體裝置應(yīng)用于像能夠接收UHF頻帶的電波的RFID那樣具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)的天線的半導(dǎo)體裝置，就可以縮減半導(dǎo)體裝置的尺寸，因此是理想的。
另外，在元件層151、180包括多個(gè)半導(dǎo)體裝置的情況下，也可以分割元件層151、 181以及密封層來(lái)切出多個(gè)半導(dǎo)體裝置。通過(guò)這種工序，可以制造多個(gè)半導(dǎo)體裝置。
此外，與實(shí)施方式1同樣，將半導(dǎo)體裝置嵌入到紙張中，可以形成包含半導(dǎo)體裝置的紙張。
在本實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置中，具有使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的元件層和纖維體由有機(jī)樹脂固定。由于纖維體將局部擠壓所產(chǎn)生的壓力分散到纖維的整體，因此不容易受到局部壓力。由此，構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的配線及半導(dǎo)體元件不被延伸，半導(dǎo)體裝置不容易被破壞。此外，由于由高強(qiáng)度纖維而成的纖維體固定于元件層，因此在剝離工序中，元件層也不容易延伸。即，可以減少形成在元件層的半導(dǎo)體元件、配線等的延伸。因此，可以提高半導(dǎo)體裝置的成品率。
此外，通過(guò)減小元件層的厚度，可以使半導(dǎo)體裝置彎曲。因此，可以擴(kuò)大元件層的面積。因而，當(dāng)將外部天線連接到元件層時(shí)，可以擴(kuò)大連接面積，制造半導(dǎo)體裝置的工序變?nèi)菀?。此外，在該半?dǎo)體裝置是內(nèi)建有天線的RFID的情況下，可以增大天線的尺寸。因此， 可以制造通信距離長(zhǎng)的RFID。
實(shí)施方式4
在本實(shí)施方式中，將參照?qǐng)D9說(shuō)明實(shí)施方式1 3所示的包含使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的元件層連接到印刷基板而得的半導(dǎo)體裝置。
圖9A示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置250的立體圖。在半導(dǎo)體裝置250中，在柔性印刷基板上設(shè)有將實(shí)施方式1 3所示的包含使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的元件層。例如，在由聚酯、聚酰亞胺等形成的基底薄膜251上設(shè)置由銅、金、銀、鋁等形成的配線252。此外，在配線252上介以絕緣層設(shè)有實(shí)施方式1 3所示的包含半導(dǎo)體元件的元件層及密封層的層疊體253a、253b。另外，配線252及層疊體253a、25;3b通過(guò)形成在密封層的接觸孔的連接端子連接。基底薄膜251、配線252以及層疊體253a、25;3b被保護(hù)薄膜2M 覆蓋。此外，在半導(dǎo)體裝置250的端部，保護(hù)薄膜254的一部分被切除，露出連接器等外部電路和配線252。
可以通過(guò)在配線上介于密封層設(shè)置元件層并進(jìn)行加熱和壓接，從而將元件層固定到配線及基底基板。
另外，雖然在此示出了具有單層的配線252的半導(dǎo)體裝置，但是也可以采用多層配線結(jié)構(gòu)取而代之。此外，也可以使用多條配線夾持層疊體253a、253b。通過(guò)形成多層的配線，可以提高安裝密度。
圖9B示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置沈0的截面圖。在半導(dǎo)體裝置沈0中，在印刷基板上設(shè)有實(shí)施方式1 3所示的包含半導(dǎo)體元件的元件層。例如，在芯層的一面上設(shè)置有實(shí)施方式1 3所示的包含半導(dǎo)體元件的元件層沈2。此外，芯層261和實(shí)施方式 1 3所示的半導(dǎo)體元件或配線由穿過(guò)密封層沈3的通路264連接。
另外，在元件層262上設(shè)置有多層配線沈5。通過(guò)形成在多層配線265的有機(jī)樹脂層266的通路267，形成在芯層261及元件層262的半導(dǎo)體元件及配線等被連接到形成在半導(dǎo)體裝置260表面的導(dǎo)體圖案沈8。
此外，在芯層的另一面上設(shè)置有多層配線沈9。
另外，也可以使用導(dǎo)電性糊料、引線等安裝構(gòu)件272將電容器、線圈、電阻、二極管等的芯片271安裝到半導(dǎo)體裝置260上。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置在印刷基板上具有包含使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的層。此外，采用使用纖維體的預(yù)浸料坯(prepreg)將元件層設(shè)置在印刷基板內(nèi)。因此，即使受到局部負(fù)荷(點(diǎn)壓、線壓等)，壓力也通過(guò)纖維體而被分散。因而可以減少因安裝工序及半導(dǎo)體裝置的彎曲所產(chǎn)生的破壞。此外，還可以實(shí)現(xiàn)高集成化。
實(shí)施方式5
本實(shí)施方式示出制造具有導(dǎo)電層的基板的例子，該基板可以減少因局部負(fù)荷(點(diǎn)壓、線壓等)所引起的破壞。
在此，以具有天線的基板為例，具有導(dǎo)電層的基板的制造方法如下所示。
首先，與實(shí)施方式1同樣地，如圖IOA所示在具有絕緣表面的基板100上形成剝離層101，在剝離層101上形成起到緩沖層的作用的絕緣層103，并且在絕緣層103上形成起到天線的作用的導(dǎo)電層904。
起到天線的作用的導(dǎo)電層904可以適當(dāng)?shù)夭捎门c實(shí)施方式1所示的天線112相同的材料及制造方法。
接著，與實(shí)施方式1 3同樣地，在導(dǎo)電層904上設(shè)置纖維體113。
接著，如圖IOB所示，與實(shí)施方式1 3同樣地，自導(dǎo)電層904及纖維體113上方涂布包含有機(jī)樹脂的組合物并燒成，形成有機(jī)樹脂層114。
另外，也可以在導(dǎo)電層904上形成有機(jī)樹脂層114之后，在導(dǎo)電層904及有機(jī)樹脂層114上設(shè)置纖維體113，來(lái)替代像上述工序那樣，在導(dǎo)電層904上設(shè)置纖維體113之后形成有機(jī)樹脂層114。
接著，通過(guò)對(duì)有機(jī)樹脂層114的加熱，如圖IOC所示，包括浸自在纖維體113的有機(jī)樹脂層121的密封層120形成在導(dǎo)電層904及絕緣層103的一面。另外，與實(shí)施方式1 同樣，將固定于導(dǎo)電層904及絕緣層103的一面的有機(jī)樹脂層121以及纖維體113表示為密封層120。
接著，如圖IOD所示，進(jìn)行與實(shí)施方式1 3相同的剝離，將絕緣層103從具有絕緣表面的基板100分離。
接著，去除絕緣層103或密封層120的一部分，使導(dǎo)電層904的一部分露出。接著，如圖IOE所示，形成連接到導(dǎo)電層904的連接端子90fe、905b?？梢耘c實(shí)施方式4所示的連接端子161同樣地形成連接端子90fe、905b。另外，也可以去除密封層120的一部分形成連接端子90fe、905b，而替代去除絕緣層103的一部分形成連接端子90fe、905b。
通過(guò)上述工序，可以制造具有起到天線的作用的導(dǎo)電層的基板。另外，可以將元件基板連接到該天線制造RFID。下面將示出其方法。
如圖IOF所示，在絕緣層103上配置元件基板907。通過(guò)使用各向?qū)詫?dǎo)電材料進(jìn)行壓接，使元件基板的端子部和導(dǎo)電層904電導(dǎo)通。
另外，在多個(gè)起到天線的作用的導(dǎo)電層形成在包含導(dǎo)電層904的層疊體的情況下，也可以分割該層疊體而形成具有起到天線的作用的導(dǎo)電層904的多個(gè)層疊體，然后將元件基板連接到各個(gè)層疊體的導(dǎo)電層904。
此外，雖然圖IOF示出了設(shè)置其面積小于絕緣層103的元件基板907的例子，但是不局限與此，既可以設(shè)置其面積與絕緣層103大致相同的元件基板，也可以設(shè)置其面積大于絕緣層103的元件基板。
通過(guò)上述工序，完成起到IC標(biāo)簽的作用的半導(dǎo)體裝置。此外，可以制造因局部擠壓而引起的破壞少的半導(dǎo)體裝置。
另外，最后也可以為保護(hù)而將有機(jī)樹脂浸自在纖維體而得的密封層形成在絕緣層 103上以覆蓋元件基板907。
實(shí)施方式6
本實(shí)施方式示出本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)及應(yīng)用例。在此，作為半導(dǎo)體裝置的代表例子，將說(shuō)明RFID及存儲(chǔ)裝置。
首先，將說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置之一種，即RFID501的電路結(jié)構(gòu)例。圖12示出 RFID501的電路框圖。
圖12所示的RFID501的規(guī)格符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IS015693，是鄰近(vicinity)型，通信信號(hào)頻率為13.56MHz。此外，信息接收只響應(yīng)數(shù)據(jù)讀出指令，發(fā)送的數(shù)據(jù)傳輸頻率大約為 13kHz，采用曼徹斯特代碼作為數(shù)據(jù)編碼方式。
RFID501的電路部412大致由電源部460和信號(hào)處理部461構(gòu)成。電源部460具有整流電路462和保持電容463。此外，在電源部460可以設(shè)置從天線411接收過(guò)量的電力時(shí)用來(lái)保護(hù)內(nèi)部電路的保護(hù)電路部(也稱為限幅器電路)和用來(lái)控制是否使保護(hù)電路部工作的保護(hù)電路控制電路部。通過(guò)設(shè)置該電路部，可以防止在RFID和通信設(shè)備的通信距離非常短等情況下因RFID接收大電力而產(chǎn)生的問題，從而可以實(shí)現(xiàn)RFID的可靠性的提高。艮口， 可以使RFID正常工作，而不產(chǎn)生RFID內(nèi)部的元件的退化以及RFID本身的破壞。
另外，在此的通信設(shè)備只要具有與RFID以無(wú)線通信收發(fā)信息的單元即可，例如可舉出讀取信息的閱讀器、及具備讀取功能和寫入功能的讀寫器等。此外，還包括具有讀取功能和寫入功能的至少一方的手機(jī)及電腦等。
整流電路462對(duì)天線411所接收的載波進(jìn)行整流而生成直流電壓。保持電容463 使整流電路462所生成的直流電壓平滑。將電源部460所生成的直流電壓作為電源電壓供應(yīng)到信號(hào)處理部461中的各電路。
信號(hào)處理部461具有解調(diào)電路464、時(shí)鐘生成/校正電路465、識(shí)別/判定電路466、 存儲(chǔ)器控制器467、掩模R0M468、編碼電路469以及調(diào)制電路470。
解調(diào)電路464是對(duì)天線所接收的信號(hào)進(jìn)行解調(diào)的電路。解調(diào)電路464解調(diào)所得的接收信號(hào)輸入到時(shí)鐘生成/校正電路465和識(shí)別/判定電路466。
時(shí)鐘生成/校正電路465生成信號(hào)處理部461的工作所需要的時(shí)鐘信號(hào)，還具有修正該時(shí)鐘信號(hào)的功能。例如，時(shí)鐘生成/校正電路465具有電壓控制振蕩電路(以下稱為VC0(Voltage Controlled Oscillator)電路)，以VCO電路的輸出為反饋信號(hào)來(lái)進(jìn)行與所供應(yīng)的信號(hào)的相位比較，通過(guò)負(fù)反饋調(diào)整輸出信號(hào)，以使所輸入的信號(hào)與反饋信號(hào)具有恒定的相位。
識(shí)別/判定電路466識(shí)別并判定指令代碼。識(shí)別/判定電路466所識(shí)別并判定的指令代碼是幀結(jié)束(EOF ；end of frame)信號(hào)、幀開始(S0F ； start of frame)信號(hào)、標(biāo)記、 命令代碼、掩模長(zhǎng)度(mask length)、掩模值(mask value)等。此夕卜，識(shí)別/判定電路466 還具有辨別發(fā)送信息錯(cuò)誤的循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC;CyCliC redundancy check)功能。
存儲(chǔ)器控制器467根據(jù)識(shí)別/判定電路466處理所得的信號(hào)來(lái)從掩模ROM讀取數(shù)據(jù)。此外，掩模R0M468存儲(chǔ)有ID等。通過(guò)搭載掩模R0M468，構(gòu)成不能進(jìn)行數(shù)據(jù)的復(fù)制和偽造的讀取專用RFID501。通過(guò)將這種讀取專用RFID501嵌入到紙張中，可以提供防偽的紙張。
編碼電路469對(duì)存儲(chǔ)器控制器467從掩模R0M468讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼。調(diào)制電路470調(diào)制被編碼的數(shù)據(jù)。調(diào)制電路470調(diào)制所得的數(shù)據(jù)與載波重疊并從天線411發(fā)送。
接著，將示出RFID的使用例。本發(fā)明的RFID可以使用于所有紙張介質(zhì)及薄膜介質(zhì)上。尤其，本發(fā)明的RFID可以使用于被要求防偽的各種紙張介質(zhì)。例如，例如可以舉出紙幣、戶籍謄本、居民證、護(hù)照、執(zhí)照、身份證、會(huì)員證、鑒定書、掛號(hào)證、月票、票據(jù)、支票、提單、 船貨票據(jù)、倉(cāng)庫(kù)票據(jù)、股票、債券、商品券、券、抵押票據(jù)等。
此外，由于通過(guò)實(shí)施本發(fā)明，可以使紙張介質(zhì)以及薄膜介質(zhì)具有除紙張介質(zhì)在視覺上所顯示的信息以外的大量信息，因此通過(guò)將本發(fā)明的RFID應(yīng)用于商品標(biāo)貼等，可以用于商品管理的電子系統(tǒng)化、商品的防盜。下面，將參照?qǐng)D13說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的紙張的使用例。
圖13A為使用嵌入有本發(fā)明的RFID501的紙張的無(wú)記名債券類511的一例。無(wú)記名債券類511中包括郵票、票、券、入場(chǎng)券、商品券、圖書券、文具券、啤酒券、米券、各種禮品券、各種服務(wù)券等，然而不局限于此。此外，圖13B為使用嵌入有本發(fā)明的RFID501的紙張的證書類512 (例如，居民證、戶籍謄本等)的一例。
圖13C為將本發(fā)明的RFID應(yīng)用于標(biāo)貼的一例。在標(biāo)貼臺(tái)紙(剝離紙)513上形成有由嵌入有RFID501的紙張構(gòu)成的標(biāo)貼(ID密封片)514。標(biāo)貼514放置在盒子515內(nèi)。在標(biāo)貼514上印刷有與該商品或功用有關(guān)的信息(商品名、品牌、商標(biāo)、商標(biāo)權(quán)人、銷售商以及制造商等)。而且，由于RFID501存儲(chǔ)有該商品(或者商品種類)固有的ID號(hào)碼，因此可以容易掌握偽造或商標(biāo)權(quán)、專利權(quán)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)的侵犯、不公平競(jìng)爭(zhēng)等違法行為。RFID501可以預(yù)先輸入在商品容器或標(biāo)貼上無(wú)法全部標(biāo)明的許多信息，例如商品產(chǎn)地、銷售地、質(zhì)量、原材料、功效、用途、數(shù)量、形狀、價(jià)格、生產(chǎn)方法、使用方法、生產(chǎn)日期、使用期限、食用期限、處理說(shuō)明以及與商品有關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息等。因此，交易人和消費(fèi)者可以通過(guò)簡(jiǎn)單的通信設(shè)備來(lái)獲取這些信息。此外，其設(shè)計(jì)為雖然生產(chǎn)者也可以容易地改寫或擦除信息等，但是交易人或消費(fèi)者無(wú)法改寫或擦除信息等。
圖13D示出由嵌入有RFID501的紙張或薄膜構(gòu)成的標(biāo)簽516。通過(guò)使用嵌入有 RFID501的紙張或薄膜制造標(biāo)簽516，可以比使用塑料框體的現(xiàn)有的ID標(biāo)簽更廉價(jià)地制造。 圖13E為將本發(fā)明的RFID用于封面的書籍517，該封面嵌入有RFID501。
通過(guò)預(yù)先將搭載了作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一例的RFID的標(biāo)貼514或標(biāo)簽516 設(shè)置于商品上，商品管理變得容易。例如，在商品被盜的情況下，可以通過(guò)跟蹤商品的路徑， 可以迅速找出犯人。如上所述，通過(guò)使用本發(fā)明的RFID作為ID標(biāo)簽，可以進(jìn)行從該商品的原材料和產(chǎn)地、制造及加工、流通直到銷售等的履歷管理和跟蹤查詢。即，可以實(shí)現(xiàn)商品的可追溯性(traceability)。另外，通過(guò)本發(fā)明，可以比現(xiàn)在更低成本地實(shí)現(xiàn)商品的可追溯性管理系統(tǒng)。
此外，作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一例的RFID即使受到局部擠壓也不容易破壞。 因此，具有作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一例的RFID的紙張介質(zhì)以及薄膜介質(zhì)在貼附及設(shè)置等處理中可彎曲，處理效率提高。另外，因?yàn)榭梢栽诰哂凶鳛楸景l(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一例的RFID的紙張介質(zhì)以及薄膜介質(zhì)上用書寫工具記入信息，所以使用范圍廣。
接著，下面將示出作為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一種方式的存儲(chǔ)裝置的結(jié)構(gòu)。在此， 以非易失性存儲(chǔ)裝置為存儲(chǔ)裝置的代表例子示出。
圖14示出非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的電路框圖的一例。在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，在同一元件層上形成有存儲(chǔ)單元陣列552和周邊電路554。存儲(chǔ)單元陣列552具有如實(shí)施方式1所示的非易失性存儲(chǔ)元件。周邊電路554的結(jié)構(gòu)如下。
在存儲(chǔ)單元陣列552周圍設(shè)置有用于選擇字線的行譯碼器562和用于選擇位線的列譯碼器564。地址通過(guò)地址緩沖存儲(chǔ)器556被發(fā)送向控制電路558，內(nèi)部行地址信號(hào)和內(nèi)部列地址信號(hào)分別被送至行譯碼器562和列譯碼器564。
在寫入或擦除數(shù)據(jù)時(shí)，利用通過(guò)升高電源電位獲得的電位。因此，設(shè)置有由控制電路558根據(jù)操作模式控制的升壓電路560。將升壓電路560的輸出通過(guò)行譯碼器562和列譯碼器564供給字線和位線。將從列譯碼器564輸出的數(shù)據(jù)輸入至讀出放大器566。將讀出放大器566所讀出的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)緩沖存儲(chǔ)器568中，在控制電路558的控制下隨機(jī)訪問數(shù)據(jù)，通過(guò)數(shù)據(jù)輸入輸出緩沖存儲(chǔ)器570輸出。寫入數(shù)據(jù)通過(guò)數(shù)據(jù)輸入輸出緩沖存儲(chǔ)器570被暫時(shí)存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)緩沖存儲(chǔ)器568中，在控制電路558的控制下被送至列譯碼器 564。
像這樣，在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)單元陣列552中需要采用與電源電位不同的電位。因此，優(yōu)選至少將存儲(chǔ)單元陣列552與周邊電路陽(yáng)4相互絕緣分離。在這種情況下，通過(guò)使用形成于絕緣表面上的非晶半導(dǎo)體層形成非易失性存儲(chǔ)元件以及周邊電路的晶體管，能夠容易實(shí)現(xiàn)絕緣分離。由此，能夠獲得消除了誤動(dòng)作且耗電量低的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。
實(shí)施方式7
在本實(shí)施方式中，下面將示出使用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。
作為應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備，可舉出攝像機(jī)和數(shù)字照相機(jī)等拍攝裝置、護(hù)目鏡型顯示器(頭戴顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置(車載音響、組合音響等)、電腦、游戲機(jī)、移動(dòng)信息終端(移動(dòng)計(jì)算機(jī)、手機(jī)、便攜式游戲機(jī)或電子書等)、具備記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置(具體是指再現(xiàn)DVD (數(shù)字通用盤)等記錄介質(zhì)且具備可顯示其圖像的顯示器的裝置)等。圖15示出這些電子設(shè)備的具體例子。
圖15A和15B示出數(shù)字照相機(jī)。圖15B示出圖15A的背面。該數(shù)字照相機(jī)包括框體2111、顯示部2112、透鏡2113、操作鍵2114、快門按鈕2115等。框體2111內(nèi)部具備具有存儲(chǔ)裝置、MPU、圖像傳感器等的功能的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置2116。
此外，圖15C示出手機(jī)，它是移動(dòng)終端的一個(gè)代表例子。該手機(jī)包括框體2121、顯示部2122、操作鍵2123等。此外，在手機(jī)的內(nèi)部具備具有存儲(chǔ)裝置、MPU、圖像傳感器等的功能的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置2125。
此外，圖15D示出數(shù)字播放器，它是音響設(shè)備的一個(gè)代表例子。圖15D所示的數(shù)字播放器包括主體2130，顯示部2131，具有存儲(chǔ)裝置、MPU、圖像傳感器等的功能的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置2132，操作部2133，耳機(jī)2134等。
此外，圖15E示出電子書(也稱為電子紙)。該電子書包括主體2141，顯示部2142， 操作鍵2143，具有存儲(chǔ)裝置、MPU、圖像傳感器等的功能的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置2144。此外， 既可在主體2141中內(nèi)藏調(diào)制解調(diào)器，也可采用能夠無(wú)線地收發(fā)信息的結(jié)構(gòu)。
如上所述那樣，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用范圍非常廣泛，可以使用于其他電子設(shè)備。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括 元件層；包括纖維體和有機(jī)樹脂的第一密封層；以及夾在所述元件層以及所述第一密封層之間的絕緣層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括天線，所述天線夾在所述絕緣層以及所述第一密封層之間，以使所述天線通過(guò)配線電連接到所述元件層。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括包含纖維體和有機(jī)樹脂的第二密封層，該第二密封層在所述元件層上。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括 第一保護(hù)膜，所述第一保護(hù)膜在所述第一密封層上。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括 第二保護(hù)膜，所述第二保護(hù)膜在所述第二密封層上。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括 天線，所述天線在所述第一密封層上；以及基板，所述基板在所述第一密封層上。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括包含纖維體和有機(jī)樹脂的第二密封層，該第二密封層在所述元件層上。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括 保護(hù)膜，所述保護(hù)膜在第二密封層上，其中所述第二密封層、所述元件層、所述絕緣層、所述天線以及所述第一密封層由所述基板和所述保護(hù)膜來(lái)密封。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述元件層包括選自硅、鍺、硅鍺化合物和金屬氧化物的半導(dǎo)體。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述元件層包括包含金屬氧化物的導(dǎo)電體，且所述金屬氧化物選自氧化鋅和鋅鎵銦的氧化物。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第一纖維體是選自聚乙烯醇纖維、聚酯纖維、聚酰胺纖維、聚乙烯纖維、芳族聚酰胺纖維、聚對(duì)苯撐苯并二惡唑纖維、玻璃纖維和碳纖維的纖維。
12.如權(quán)利要求3或7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第二纖維體是選自聚乙烯醇纖維、聚酯纖維、聚酰胺纖維、聚乙烯纖維、芳族聚酰胺纖維、聚對(duì)苯撐苯并二惡唑纖維、玻璃纖維和碳纖維的纖維。
13.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述基板為塑料基板。
14.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于 所述保護(hù)膜為塑料基板。
15.一種包括半導(dǎo)體裝置的紙張，所述半導(dǎo)體裝置包括 元件層；包括纖維體和有機(jī)樹脂的第一密封層； 夾在所述元件層以及所述第一密封層之間的絕緣層。
16.如權(quán)利要求15所述的紙張，其特征在于，還包括天線，所述天線夾在所述絕緣層以及所述第一密封層之間，以使所述天線通過(guò)配線電連接到所述元件層。
17.如權(quán)利要求16所述的紙張，其特征在于，還包括包含纖維體和有機(jī)樹脂的第二密封層，該第二密封層在所述元件層上。
18.如權(quán)利要求16所述的紙張，其特征在于，還包括 第一保護(hù)膜，所述第一保護(hù)膜在所述第一密封層上。
19.如權(quán)利要求17所述的紙張，其特征在于，還包括 第二保護(hù)膜，所述第二保護(hù)膜在所述第二密封層上。
20.如權(quán)利要求15所述的紙張，其特征在于，還包括 天線，所述天線在所述第一密封層上；以及基板，所述基板在所述第一密封層上。
21.如權(quán)利要求20所述的紙張，其特征在于，還包括包含纖維體和有機(jī)樹脂的第二密封層，該第二密封層在所述元件層上。
22.如權(quán)利要求21所述的紙張，其特征在于還包括 保護(hù)膜，所述保護(hù)膜在第二密封層上，其中所述第二密封層、所述元件層、所述絕緣層、所述天線以及所述第一密封層由所述基板和所述保護(hù)膜來(lái)密封。
23.如權(quán)利要求15所述的紙張，其特征在于所述元件層包括選自硅、鍺、硅鍺化合物和金屬氧化物的半導(dǎo)體。
24.如權(quán)利要求15所述的紙張，其特征在于所述元件層包括包含金屬氧化物的導(dǎo)電體，且所述金屬氧化物選自氧化鋅和鋅鎵銦的氧化物。
25.如權(quán)利要求15所述的紙張，其特征在于所述第一纖維體是選自聚乙烯醇纖維、聚酯纖維、聚酰胺纖維、聚乙烯纖維、芳族聚酰胺纖維、聚對(duì)苯撐苯并二惡唑纖維、玻璃纖維和碳纖維的纖維。
26.如權(quán)利要求17或21所述的紙張，其特征在于所述第二纖維體是選自聚乙烯醇纖維、聚酯纖維、聚酰胺纖維、聚乙烯纖維、芳族聚酰胺纖維、聚對(duì)苯撐苯并二惡唑纖維、玻璃纖維和碳纖維的纖維。
27.如權(quán)利要求20所述的紙張，其特征在于 所述基板為塑料基板。
28.如權(quán)利要求19所述的紙張，其特征在于 所述保護(hù)膜為塑料基板。
29.如權(quán)利要求17所述的紙張，其特征在于 所述半導(dǎo)體裝置嵌入所述紙張中。
30.一種包括半導(dǎo)體裝置的可追溯性管理系統(tǒng)，所述半導(dǎo)體裝置包括 元件層；包括纖維體和有機(jī)樹脂的第一密封層；以及夾在所述元件層以及所述第一密封層之間的絕緣層。
31.如權(quán)利要求30所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于還包括天線，所述天線夾在所述絕緣層以及所述第一密封層之間，以使所述天線通過(guò)配線電連接到所述元件層。
32.如權(quán)利要求31所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于還包括 包含纖維體和有機(jī)樹脂的第二密封層，該第二密封層在所述元件層上。
33.如權(quán)利要求31所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于還包括 第一保護(hù)膜，所述第一保護(hù)膜在所述第一密封層上。
34.如權(quán)利要求32所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于還包括 第二保護(hù)膜，所述第二保護(hù)膜在所述第二密封層上。
35.如權(quán)利要求30所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于還包括 天線，所述天線在所述第一密封層上；以及基板，所述基板在所述第一密封層上。
36.如權(quán)利要求35所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于還包括 包含纖維體和有機(jī)樹脂的第二密封層，該第二密封層在所述元件層上。
37.如權(quán)利要求36所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于還包括 保護(hù)膜，所述保護(hù)膜在第二密封層上，其中所述第二密封層、所述元件層、所述絕緣層、所述天線以及所述第一密封層由所述基板和所述保護(hù)膜來(lái)密封。
38.如權(quán)利要求30所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于所述元件層包括選自硅、鍺、硅鍺化合物和金屬氧化物的半導(dǎo)體。
39.如權(quán)利要求30所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于所述元件層包括包含金屬氧化物的導(dǎo)電體，且其中所述金屬氧化物選自氧化鋅和鋅鎵銦的氧化物。
40.如權(quán)利要求30所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于所述第一纖維體是選自聚乙烯醇纖維、聚酯纖維、聚酰胺纖維、聚乙烯纖維、芳族聚酰胺纖維、聚對(duì)苯撐苯并二惡唑纖維、玻璃纖維和碳纖維的纖維。
41.如權(quán)利要求32或36所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于所述第二纖維體是選自聚乙烯醇纖維、聚酯纖維、聚酰胺纖維、聚乙烯纖維、芳族聚酰胺纖維、聚對(duì)苯撐苯并二惡唑纖維、玻璃纖維和碳纖維的纖維。
42.如權(quán)利要求35所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于 所述基板為塑料基板。
43.如權(quán)利要求34所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于 所述保護(hù)膜為塑料基板。
44.如權(quán)利要求32所述的可追溯性管理系統(tǒng)，其特征在于 所述半導(dǎo)體裝置嵌入所述紙張中。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高成品率地制造半導(dǎo)體裝置的方法，該半導(dǎo)體裝置不會(huì)因來(lái)自外部的局部擠壓而破壞，可靠性高。本發(fā)明如下制造半導(dǎo)體裝置在具有絕緣性表面的基板上形成剝離層，在剝離層上形成具有使用非單晶半導(dǎo)體層形成的半導(dǎo)體元件的元件層，在元件層上設(shè)置有機(jī)化合物或無(wú)機(jī)化合物的纖維體，自元件層及纖維體上涂布包含有機(jī)樹脂的組合物，加熱，在元件層上形成有機(jī)化合物或無(wú)機(jī)化合物的纖維體被有機(jī)樹脂浸漬而得的密封層，從剝離層剝離元件層。
文檔編號(hào)H01L23/31GK102496607SQ201110321830
公開日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2008年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月26日
發(fā)明者大谷久, 杉山榮二, 道前芳隆, 鶴目卓也 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所