專利名稱：一種led組件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及照明領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種LED組件及其制備方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode、LED)是一種注入電致發(fā)光器件，以其耗電量少、光色純、全固態(tài)、質(zhì)量輕、體積小、環(huán)保等一系列的優(yōu)點(diǎn)，成為21世紀(jì)最具發(fā)展前景的高技術(shù)產(chǎn)品之一。LED產(chǎn)業(yè)始于20世紀(jì)70年代，90年代以來(lái)在全球范圍內(nèi)迅速崛起并高速發(fā)展，LED將成為繼白熾燈、熒光燈之后的第3代照明光源。傳統(tǒng)白光LED的封裝技術(shù)是將熒光粉與硅膠共混后涂覆在LED支架上，由于硅膠的散熱性較差，隨著溫度升高，硅膠內(nèi)部的熱應(yīng)力增大，導(dǎo)致硅膠的折射率降低，光子在硅膠界面中的損失較大，使得LED的發(fā)光效率低，并且發(fā)光面積小、不均勻，光線亮度較差。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的LED組件的發(fā)光效率低，發(fā)光面積小且不均勻的技術(shù)問(wèn)題。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)了一種LED組件，包括支架和位于支架內(nèi)部的芯片，從所述芯片延伸出電極；所述芯片上覆蓋有封裝層，其中，所述封裝層中含有硅膠、熒光粉和高散射粒子，所述高散射粒子選自氮化物、硅酸鹽、氮氧化物中的至少一種。在所述的LED組件中，優(yōu)選地，所述高散射粒子的折射率為1. 5-3. 0，平均粒徑為
1-15μ m0在所述的LED組件中，優(yōu)選地，以100重量份的硅膠為基準(zhǔn)，所述高散射粒子的含量為5-25重量份。在所述的LED組件中，優(yōu)選地，以100重量份的硅膠為基準(zhǔn)，所述熒光粉的含量為
2-20重量份。在所述的LED組件中，優(yōu)選地，所述硅膠為液態(tài)硅膠，其透光率為90%_99%%，折射率為1. 4-1. 5。在所述的LED組件中，優(yōu)選地，所述封裝層的厚度為O. 1-0. 4_。同時(shí)，本發(fā)明還公開(kāi)的上述的LED組件的制備方法，包括下述步驟
步驟1、將芯片固定于支架內(nèi)，并從所述芯片延伸出電極；
步驟2、將高散射粒子、熒光粉和硅膠溶液混合均勻后得到高散射性熒光粉硅膠溶液，其中，所述高散射粒子選自氮化物、硅酸鹽、氮氧化物中的至少一種，然后將該溶液涂覆在芯片上，固化后形成封裝層。在所述的制備方法中，優(yōu)選地，以100重量份的硅膠為基準(zhǔn)，所述高散射粒子的添加量為5-25重量份，所述熒光粉的添加量為2-20重量份。在所述的制備方法中，優(yōu)選地，所述混合的方法為先將高散射粒子均勻分散在硅膠溶液中，形成高散射性硅膠溶液；然后再加入熒光粉進(jìn)行均勻攪拌后，得到高散射性熒光粉硅膠溶液。在所述的制備方法中，優(yōu)選地，所述固化的方法為先在80°C -90°C下固化
O.5-lh，再在 140。。_160°C下固化 lh-1. 5h。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明的LED組件的芯片發(fā)出的光射向封裝層時(shí)，由于封裝層中含有高散射粒子，高散射粒子對(duì)光進(jìn)行反射和折射，使得LED組件的發(fā)光面積更大、出光更均勻；并且由于含有高散射粒子，隨著溫度升高，封裝層內(nèi)部的熱應(yīng)力相較于現(xiàn)有的硅膠層的熱應(yīng)力變小，對(duì)折射率的影響較小，減少了高溫下光子的損失，提高了 LED的發(fā)光效率和光通量。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明公開(kāi)的LED組件包括支架和位于支架內(nèi)部的芯片，從所述芯片延伸出電極；所述芯片上覆蓋有封裝層，所述封裝層中含有硅膠、熒光粉和高散射粒子。作為L(zhǎng)ED組件的基本組成部分，所述支架為本領(lǐng)域公知的支架，在本發(fā)明中，該支架可選用貼片式支架，例 如具體可選用型號(hào)為3528、5050、6020等的常規(guī)LED支架。上述支架均可通過(guò)商購(gòu)得到。作為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，上述支架通常具有凹陷部，芯片即設(shè)置于該凹陷部?jī)?nèi)，該凹陷型的內(nèi)壁同時(shí)具有高反射性，可將從芯片射向內(nèi)壁的光線反射向支架的開(kāi)口處。所述芯片為L(zhǎng)ED組件中的發(fā)光功能件，具體為本領(lǐng)域公知的。從芯片延伸出的電極用于在使用過(guò)程中為芯片供電，以實(shí)現(xiàn)其發(fā)光功能。具體采用的芯片均可通過(guò)商購(gòu)得到，在此不再贅述。根據(jù)本發(fā)明，在所述支架內(nèi)，于所述芯片上還覆蓋有封裝層。該封裝層的結(jié)構(gòu)可采用現(xiàn)有技術(shù)中公知的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選情況下，所述封裝層厚度大于芯片厚度，以便能將芯片完全覆蓋。本發(fā)明的主要改進(jìn)之處在于所述封裝層，在含有現(xiàn)有的硅膠、熒光粉組分的基礎(chǔ)上，添加有高散射粒子，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明的LED組件的芯片發(fā)出的光射向封裝層時(shí)，由于封裝層中含有高散射粒子，高散射粒子對(duì)光進(jìn)行反射和折射，使得LED組件的發(fā)光面積更大、出光更均勻，不會(huì)出現(xiàn)光斑現(xiàn)象；并且由于含有高散射粒子，隨著溫度升高，封裝層內(nèi)部的熱應(yīng)力相較于現(xiàn)有的硅膠層的熱應(yīng)力較小，對(duì)折射率的影響較小，減少了高溫下光子的損失，能夠提高LED組件的發(fā)光效率和光通量。根據(jù)本發(fā)明，封裝層中的硅膠為現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)硅膠，優(yōu)選情況下，所述硅膠的透光率為90%-99. 9%，進(jìn)一步優(yōu)選為95%以上，其折射率為1. 4-1. 5。本發(fā)明中，透光率是指對(duì)上述硅膠基體進(jìn)行光照，透過(guò)硅膠基體的光量與投射到硅膠基體表面的光總量之比。在本發(fā)明中，采用的高散射粒子選自硅酸鹽、氮化物、氮氧化物中的至少一種。本發(fā)明采用的硅酸鹽指的是硅、氧與其它化學(xué)元素結(jié)合而成的化合物的總稱，例如可以為硅酸鐵、硅酸鋁、硅酸鈣、硅酸鎂、硅酸鉀、硅酸鈉等中的一種或幾種。本發(fā)明采用的氮化物是指化學(xué)元素與氮形成的化合物，可以為金屬氮化物，例如氮化鋰(Li3N)、氮化鎂(Mg3N2)、氮化鋁(A1N)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)中的一種或幾種，還可以為非金屬氮化物，例如氮化硼(BN)、五氮化三磷(P3N5)、四氮化三硅(Si3N4)等中的一種或幾種。本發(fā)明采用的氮氧化物是指由氮、氧兩種元素組成的化合物，優(yōu)選常態(tài)下呈固體的五氧化二氮。本發(fā)明中優(yōu)選的高散射粒子為硅酸鹽。作為進(jìn)一步的優(yōu)選情況，所選用的高散射粒子的折射率為1. 5-3.0，更優(yōu)選為1. 8-2. 6 ;所選用的高散射粒子的平均粒徑不大于15 μ m，優(yōu)選為1-15μπι，更優(yōu)選為1-5 μ m。在本發(fā)明公開(kāi)的封裝層中，高散射粒子起到改變光線的傳播方向的作用，使光線能夠得到更好的折射和散射。而光線實(shí)際上是具有一定波長(zhǎng)的光波，如果高散射粒子的粒徑過(guò)大，散射光線的效果不好。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)采用的高散射粒子的折射率在上述范圍內(nèi)時(shí)，高散射粒子能對(duì)光線進(jìn)行有效的散射，同時(shí)，采用的高散射粒子的平均粒徑在上述范圍內(nèi)時(shí)，該分散于封裝層中的高散射粒子能起到增強(qiáng)的作用，提高作為基體材料的硅膠的力學(xué)性能，使得固化后的封裝層的硬度提高，不會(huì)出現(xiàn)氣泡、隔層等問(wèn)題。在本發(fā)明公開(kāi)的封裝層中，以100重量份的硅膠為基準(zhǔn)，所述高散射粒子的含量為5-25重量份，優(yōu)選為5-10重量份。由于封裝層主要作用是傳導(dǎo)光線，故應(yīng)盡量減少光線能量在封裝層中的損失。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)高散射粒子的含量在上述范圍內(nèi)時(shí)，對(duì)提高光通量和光線均勻性，改善硅膠基體的力學(xué)性能更有利。根據(jù)本發(fā)明，上述封裝層形成于支架內(nèi)壁，優(yōu)選情況下，所述封裝層的厚度為
O.1-0. 4mm,更優(yōu)選為 O. 2-0. 3mm。本發(fā)明的熒光粉如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，均勻分散于硅膠中，通過(guò)吸收芯片發(fā)出的光，產(chǎn)生熒光效應(yīng)，改變出光的顏色，從而實(shí)現(xiàn)LED光源的顏色多樣性。本發(fā)明公開(kāi)的LED組件中，該熒光粉可采用現(xiàn)有技術(shù)中公知的熒光粉，在此沒(méi)有特殊的要求。在優(yōu)選的情況下，高散射粒子的材料應(yīng)與熒光粉的材料相匹配，在LED發(fā)光的過(guò)程中，溫度會(huì)上升，同種材料的性質(zhì)接近，不會(huì)產(chǎn)生較大差異。

根據(jù)本發(fā)明，在所述熒光粉層中，熒光粉的含量可在較大范圍內(nèi)變動(dòng)，優(yōu)選情況下，以100重量份的硅膠為基準(zhǔn)，所述熒光粉的含量為2-20重量份，進(jìn)一步優(yōu)選為5-15重量份。同時(shí)，本發(fā)明還公開(kāi)了上述LED組件的制備方法，包括下述步驟
步驟1、將芯片固定于支架內(nèi)，并從所述芯片延伸出電極；
步驟2、將高散射粒子、熒光粉和硅膠溶液混合均勻后得到高散射性熒光粉硅膠溶液，然后將該溶液涂覆在芯片上，固化后形成封裝層。首先，可先根據(jù)實(shí)際需要制備高散射性熒光粉硅膠溶液。高散射性熒光粉硅膠溶液中含有高散射粒子、熒光粉和硅膠溶液。優(yōu)選情況下，如前所述，所述高散射性熒光粉硅膠溶液，高散射粒子選自硅酸鹽、氮化物、氮氧化物中的一種或多種；所述封裝層中，以100重量份的硅膠為基準(zhǔn)，所述高散射粒子的含量為5-25重量份，所述高散射粒子的平均粒徑為1-15 μ m,所述熒光粉的含量為2-20重量份。在優(yōu)選情況下，首先將高散射粒子按比例均勻的加入硅膠中，分散均勻，形成高散射性硅膠溶液；然后再將熒光粉加入高散射性硅膠溶液中，進(jìn)行充分的攪拌，形成高散射性熒光粉硅膠溶液，由于熒光粉的分散較為困難，容易沉淀，因而優(yōu)選先在硅膠中加入高散射粒子，再加入熒光粉。
根據(jù)本發(fā)明，上述形成的封裝層的厚度沒(méi)有太大限制，優(yōu)選情況下，形成的封裝層的厚度為O. 1-0. 4mm，優(yōu)選為O. 2-0. 3mm。在所述步驟I中，采用本領(lǐng)域公知的支架，例如貼片式支架。將芯片固晶于該支架內(nèi)，并引線，制備電極。上述固晶、引線制備電極的方法均為本領(lǐng)域公知的方法。在所述步驟2中，上述涂覆高散射性熒光粉硅膠溶液的方法也是本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，例如可采用噴涂或點(diǎn)膠的方法完成，優(yōu)選地，將高散射性熒光粉硅膠溶液加入點(diǎn)膠機(jī)中，并對(duì)點(diǎn)膠機(jī)的參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，然后采用點(diǎn)膠機(jī)將高散射性熒光粉硅膠溶液點(diǎn)膠在LED芯片的表面。涂覆的高散射性熒光粉硅膠溶液的量使得其完全覆蓋芯片即可。涂覆完成后，即可對(duì)高散射性熒光粉硅膠溶液進(jìn)行固化，得到固定的形狀，即為封裝層。固化的方法為在80-90°C下固化O. 5-lh，再在140-160°C下固化1-1. 5h。固化后即可得到本發(fā)明公開(kāi)的含有硅膠、高散射粒子和熒光粉的封裝層。通過(guò)上述制備方法即可得到本發(fā)明公開(kāi)的LED組件，發(fā)光面積更大、出光更均勻；并且發(fā)光效率和光通量得到了極大提高。下面通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的說(shuō)明。實(shí)施例1
本實(shí)施例1用于說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的LED組件及其制備方法；
步驟1、將LED芯片(晶圓)固晶于支架內(nèi)，并引線，形成電極；
步驟2、稱取5g液態(tài)硅膠、Ig硅酸鈉顆粒(粒徑為2 μ m)和O. 5g熒光粉，并在IOOml的燒杯中進(jìn)行攪拌，攪拌時(shí)間分別為O. 5h，即得到高散射性熒光粉硅膠溶液；然后將配好的高散射性熒光粉硅膠溶液放入真空箱 內(nèi)，進(jìn)行真空除泡IOmin ;然后將高散射性熒光粉硅膠溶液裝入點(diǎn)膠機(jī)中，按照3528型號(hào)支架所使用的膠量，對(duì)點(diǎn)膠機(jī)進(jìn)行設(shè)置并完成點(diǎn)膠，使高散射性熒光粉硅膠溶液覆蓋芯片；最后在85°C的溫度下固化50min，再在150°C的溫度下固化60min,即得到LED組件Al。實(shí)施例2
本實(shí)施例2用于說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的LED組件及其制備方法；
步驟1、將LED芯片(晶圓)固晶于支架內(nèi)，并引線，形成電極；
步驟2、稱取5g液態(tài)硅膠、Ig氮化鋁顆粒(粒徑為6 μ m)和O. 5g熒光粉，并在IOOml的燒杯中進(jìn)行攪拌，攪拌時(shí)間分別為O. 5h，即得到高散射性熒光粉硅膠溶液；然后將配好的高散射性熒光粉硅膠溶液放入真空箱內(nèi)，進(jìn)行真空除泡15min ;然后將高散射性熒光粉硅膠溶液裝入點(diǎn)膠機(jī)中，按照5050型號(hào)支架所使用的膠量，對(duì)點(diǎn)膠機(jī)進(jìn)行設(shè)置并完成點(diǎn)膠，使高散射性熒光粉硅膠溶液覆蓋芯片；最后在90°C的溫度下固化40min，再在140°C的溫度下固化70min，即得到LED組件A2。實(shí)施例3
本實(shí)施例3用于說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的LED組件及其制備方法；
步驟1、將LED芯片(晶圓)固晶于支架內(nèi)，并引線，形成電極；
步驟2、稱取IOg液態(tài)硅膠、2. 5g五氧化二氮(粒徑為8 μ m)和Ig熒光粉，并在IOOml的燒杯中進(jìn)行攪拌，攪拌時(shí)間分別為O. 5h，即得到高散射性熒光粉硅膠溶液；然后將配好的高散射性熒光粉硅膠溶液放入真空箱內(nèi)，進(jìn)行真空除泡15min ;然后將高散射性熒光粉硅膠溶液裝入點(diǎn)膠機(jī)中，按照3528型號(hào)支架所使用的膠量，對(duì)點(diǎn)膠機(jī)進(jìn)行設(shè)置并完成點(diǎn)膠，使高散射性熒光粉硅膠溶液覆蓋芯片；最后在80°C情況下固化30min，再在160°C下固化60min，即得到LED組件A3。實(shí)施例4
本實(shí)施例4用于說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的LED組件及其制備方法；
步驟1、將LED芯片(晶圓)固晶于支架內(nèi)，并引線，形成電極；
步驟2、稱取5g液態(tài)硅膠、O. 5g硅酸鈣顆粒(粒徑為2 μ m)和O. 5g熒光粉，并在IOOml的燒杯中進(jìn)行攪拌，攪拌時(shí)間分別為O. 5h，即得到高散射性熒光粉硅膠溶液；然后將配好的高散射性熒光粉硅膠溶液放入真空箱內(nèi)，進(jìn)行真空除泡IOmin ;然后將高散射性熒光粉硅膠溶液裝入點(diǎn)膠機(jī)中，按照3528型號(hào)支架所使用的膠量，對(duì)點(diǎn)膠機(jī)進(jìn)行設(shè)置并完成點(diǎn)膠，使高散射性熒光粉硅膠溶液覆蓋芯片；最后在85°C的溫度下固化50min，再在150°C的溫度下固化60min,即得到LED組件A4。實(shí)施例5
本實(shí)施例5用于說(shuō)明本發(fā)明公開(kāi)的LED組件及其制備方法；
步驟1、將LED芯片(晶圓)固晶于支架內(nèi)，并引線，形成電極；
步驟2、稱取5g液態(tài)硅膠、O. 25g氮化鎂顆粒(粒徑為6 μ m)和Ig熒光粉，并在IOOml的燒杯中進(jìn)行攪拌，攪拌時(shí)間分別為O. 5h，即得到高散射性熒光粉硅膠溶液；然后將配好的高散射性熒光粉硅膠溶液放入真空箱內(nèi)，進(jìn)行真空除泡15min ;然后將高散射性熒光粉硅膠溶液裝入點(diǎn)膠機(jī)中，按照5050型號(hào)支架所使用的膠量，對(duì)點(diǎn)膠機(jī)進(jìn)行設(shè)置并完成點(diǎn)膠，使高散射性熒光粉硅膠溶液覆蓋芯片；最后在90°C的溫度下固化40min，再在140°C的溫度下固化70min，即得到LED組件A5。

對(duì)比例I
本對(duì)比例用于說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)中的LED組件及其制備方法；
LED組件的制備方法與實(shí)施例1基本相同，不同之處在于，在液態(tài)硅膠中沒(méi)有添加高散射粒子，得到LED組件Dl。性能測(cè)試
對(duì)以上制備得到的LED組件A1-A5、Dl進(jìn)行如下性能測(cè)試
1、使用壽命采用恒定LED的點(diǎn)亮?xí)r間，但是逐漸提升LED的電壓或者是電流，分別測(cè)試出不同電氣條件下的光強(qiáng)，然后將數(shù)據(jù)輸入測(cè)試軟件中計(jì)算得出LED的壽命，測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表I ;
2、光通量采用SJ/T11394-2009半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法中的5. 3. 3測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表I ;
3、均勻性對(duì)LED組件A1-A5、LED組件Dl發(fā)出的光線進(jìn)行觀察，目測(cè)結(jié)果為L(zhǎng)ED組件A1-A5的出光更均勻；
4、硬度采用邵氏硬度計(jì)對(duì)LED組件A1-A5、Dl的封裝層的硬度進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表I。表I
釋品|A1 |A2 |A3 |A4 |A5 [PI
￥用壽命(h) 一20000H 20000H 20000 Γ 20000Η 20000Η ΤδΟΟΟΗ瓦通量(Im) 一4.75 4.64 ΓθΟ~4.90 4.65 Γ30I!度(HD)丨67 丨66 丨66 |θ7 |θ5 |θ1從以上測(cè)試結(jié)果可以看出，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的LED組件，本發(fā)明的實(shí)施例1-5公開(kāi)的LED組件不僅使得LED組件的出光更均勻，并且其使用壽命、光通量以及封裝層的硬度得到了極大的提高。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種LED組件，包括支架和位于支架內(nèi)部的芯片，從所述芯片延伸出電極；所述芯片上覆蓋有封裝層，其特征在于，所述封裝層中含有硅膠、熒光粉和高散射粒子，所述高散射粒子選自氮化物、硅酸鹽、氮氧化物中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED組件，其特征在于，所述高散射粒子的折射率為1.5-3. O，平均粒徑為1-15 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED組件，其特征在于，以100重量份的硅膠為基準(zhǔn)，所述高散射粒子的含量為5-25重量份。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的LED組件，其特征在于，以100重量份的硅膠為基準(zhǔn)，所述熒光粉的含量為2-20重量份。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED組件，其特征在于，所述硅膠為液態(tài)硅膠，其透光率為90%-99%%，折射率為1. 4-1. 5。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED組件，其特征在于，所述封裝層的厚度為O.1-0. 4mm。
7.如權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的LED組件的制備方法，其特征在于，包括下述步驟 步驟1、將芯片固定于支架內(nèi)，并從所述芯片延伸出電極； 步驟2、將高散射粒子、熒光粉和硅膠溶液混合均勻后得到高散射性熒光粉硅膠溶液，其中，所述高散射粒子選自氮化物、硅酸鹽、氮氧化物中的至少一種，然后將該溶液涂覆在芯片上，固化后形成封裝層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，以100重量份的硅膠為基準(zhǔn)，所述高散射粒子的添加量為5-25重量份，所述熒光粉的添加量為2-20重量份。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在步驟2中，所述混合的方法為先將高散射粒子均勻分散在硅膠溶液中，形成高散射性硅膠溶液；然后再加入熒光粉進(jìn)行均勻攪拌后，得到高散射性熒光粉硅膠溶液。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在步驟2中，所述固化的方法為先在 80。。_90°C下固化 O. 5-lh，再在 140。。_160°C下固化 lh-1. 5h。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種LED組件，包括支架和位于支架內(nèi)部的芯片，從所述芯片延伸出電極；所述芯片上覆蓋有封裝層，所述封裝層中含有硅膠、熒光粉和高散射粒子，所述高散射粒子選自氮化物、硅酸鹽、氮氧化物中的至少一種。本發(fā)明還提供了上述LED組件的制備方法。本發(fā)明的LED組件由于封裝層中含有高散射粒子，高散射粒子對(duì)光進(jìn)行反射和折射，使得LED組件的發(fā)光面積更大、出光更均勻；并且由于含有高散射粒子，隨著溫度升高，封裝層內(nèi)部的熱應(yīng)力相較于現(xiàn)有的硅膠層的熱應(yīng)力變小，對(duì)折射率的影響較小，減少了高溫下光子的損失，提高了LED的發(fā)光效率和光通量。
文檔編號(hào)H01L33/00GK103066189SQ201110325568
公開(kāi)日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2011年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月24日
發(fā)明者鐘亮 申請(qǐng)人:比亞迪股份有限公司