專利名稱：制造有機(jī)發(fā)光器件的方法及制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法以及一種使用該方法制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
近來，顯示裝置已經(jīng)被輕薄、便攜的平板顯示裝置取代。在平板顯示裝置中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置由于其寬視角、高對(duì)比度和短響應(yīng)時(shí)間已經(jīng)作為下一代平板顯示裝置獲得廣泛關(guān)注。有機(jī)發(fā)光顯示裝置還具有高亮度和低驅(qū)動(dòng)電壓。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括有機(jī)發(fā)光器件，有機(jī)發(fā)光器件包含陰極電極、陽極電極和有機(jī)發(fā)光層。對(duì)陰極電極和陽極電極施加電壓驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光器件時(shí)，從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射出可見光。有機(jī)發(fā)光層可以有兩種或三種顏色，因此，可以實(shí)現(xiàn)彩色顯示裝置。有機(jī)發(fā)光層可以使用多種方法形成。例如，有機(jī)發(fā)光層可以使用沉積方法或熱傳導(dǎo)方法形成，因?yàn)橛袡C(jī)材料不容易被濕法圖案化。在熱傳導(dǎo)方法中，在制備包括含有用于形成有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)材料的傳導(dǎo)層的供體薄膜后，通過對(duì)供體薄膜施熱形成有機(jī)發(fā)光層。然而，在使用熱量的傳導(dǎo)工藝之前，很難精確操作供體薄膜和在其上使用供體薄膜進(jìn)行傳導(dǎo)工藝的基板，因此，制作具有期望特性的有機(jī)發(fā)光層尚有限制。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述和/或其它問題，本發(fā)明實(shí)施例的方面提供了一種制造易于提高具有有機(jī)發(fā)光層的中間層的特性的有機(jī)發(fā)光器件的方法，以及使用該方法制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，該方法包括制備具有第一電極的基板；將所述基板設(shè)置在基底構(gòu)件上；設(shè)置供體薄膜以覆蓋所述基板并接觸圍繞所述基板暴露的所述基底構(gòu)件；結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜；在將所述基板插入在其間并相互結(jié)合在一起的所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜放進(jìn)激光熱傳導(dǎo)裝置后， 通過在所述激光熱傳導(dǎo)裝置中實(shí)施傳導(dǎo)工藝在所述第一電極上形成具有有機(jī)發(fā)光層的中間層；和在所述中間層上形成第二電極。所述基底構(gòu)件可以具有大于所述基板的面積的面積。所述基板可以被設(shè)置在所述基底構(gòu)件上，從而所述基板被放置在所述基底構(gòu)件的所述面積內(nèi)。
所述供體薄膜和所述基底構(gòu)件可以以所述供體薄膜被托盤擴(kuò)展的狀態(tài)被結(jié)合，在所述供體薄膜和所述基底構(gòu)件被結(jié)合后所述托盤可以從所述供體薄膜被移除。所述結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜可以包括結(jié)合所述基底構(gòu)件的圍繞所述基板的邊緣的區(qū)域和所述供體薄膜。所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜可以被使用熱結(jié)合。所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜可以被使用粘合構(gòu)件結(jié)合。將所述基板設(shè)置在所述基底構(gòu)件上、設(shè)置所述供體薄膜以及結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜可以是在真空室內(nèi)進(jìn)行的。該方法可以進(jìn)一步包括在結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜后，將所述基板插入在其間并相互結(jié)合在一起的所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜移除到所述真空室的外面。所述真空室的所述外面可以處于大氣狀態(tài)。在所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜被結(jié)合后，所述供體薄膜的在與所述基底構(gòu)件結(jié)合的區(qū)域外面的區(qū)域可以被移除。在所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜被結(jié)合后，所述基底構(gòu)件的在與所述供體薄膜結(jié)合的區(qū)域外面的區(qū)域可以被移除。該方法可以進(jìn)一步包括在形成所述中間層后將所述基底構(gòu)件從所述基板分離。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括 制備具有像素限定薄膜的基板，所述像素限定薄膜被設(shè)置為暴露第一電極的一個(gè)區(qū)域；將所述基板設(shè)置在基底構(gòu)件上；設(shè)置供體薄膜，所述供體薄膜覆蓋所述基板并接觸圍繞所述基板暴露的所述基底構(gòu)件；結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜；通過在激光熱傳導(dǎo)裝置中對(duì)所述基板插入在其間并相互結(jié)合在一起的所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜實(shí)施傳導(dǎo)工藝， 在所暴露的第一電極的所述區(qū)域上形成具有有機(jī)發(fā)光層的中間層；和在所述中間層上形成第二電極。所述基底構(gòu)件可以具有大于所述基板的面積的面積。所述基板可以被設(shè)置在所述基底構(gòu)件上，從而所述基板被放置在所述基底構(gòu)件的所述面積內(nèi)。所述供體薄膜和所述基底構(gòu)件可以以所述供體薄膜被托盤擴(kuò)展的狀態(tài)被結(jié)合，在所述供體薄膜和所述基底構(gòu)件被結(jié)合后所述托盤可以從所述供體薄膜被移除。所述結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜可以包括結(jié)合所述基底構(gòu)件的圍繞所述基板的邊緣的區(qū)域和所述供體薄膜。所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜可以被使用熱結(jié)合。所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜可以被使用粘合構(gòu)件結(jié)合。將所述基板設(shè)置在所述基底構(gòu)件上、設(shè)置所述供體薄膜以及結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜可以是在真空室內(nèi)進(jìn)行的。該方法可以進(jìn)一步包括在結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜后，將所述基板插入在其間并相互結(jié)合在一起的所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜移除到所述真空室的外面。所述真空室的所述外面可以處于大氣狀態(tài)。在所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜被結(jié)合后，所述供體薄膜的在與所述基底構(gòu)件結(jié)合的區(qū)域外面的區(qū)域可以被移除。
在所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜被結(jié)合后，所述基底構(gòu)件的在與所述供體薄膜結(jié)合的區(qū)域外面的區(qū)域可以被移除。該方法可以進(jìn)一步包括在形成所述中間層后將所述基底構(gòu)件從所述基板分離。所述制造有機(jī)發(fā)光器件的方法以及所述制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法可以易于提高具有有機(jī)發(fā)光層的中間層的特性。


通過參考附圖對(duì)示例實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其他特點(diǎn)和方面會(huì)更加明顯，其中圖1到圖10是依次示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法的剖視圖；和圖11到圖17是依次示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。
具體實(shí)施例方式下面將參考示出了本發(fā)明示例實(shí)施例的附圖更加全面地描述本發(fā)明。圖1到圖10是依次示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法的剖視圖。參考圖1，制備基底構(gòu)件102?；讟?gòu)件102可設(shè)置在工作臺(tái)101上。基底構(gòu)件 102和工作臺(tái)101可設(shè)置在真空室190內(nèi)。雖未示出，真空室190可以通過被連接到一個(gè)真空泵容易地將真空度控制在所需的級(jí)別?；讟?gòu)件102可以是一個(gè)柔韌薄膜型構(gòu)件。作為一個(gè)實(shí)際的例子，基底構(gòu)件102 可以由例如塑料材料或玻璃材料形成。參考圖2，基板103被設(shè)置在基底構(gòu)件102上。圖3是圖2中A部分的放大視圖。 參考圖3，第一電極112被形成在基板103上?；?03具有小于基底構(gòu)件102的面積的面積，從而基板103可以被放置在基底構(gòu)件102的面積內(nèi)。也就是說，基板103的邊緣(例如外圍)被放置在基底構(gòu)件102的邊緣(例如外圍)內(nèi)?；?03可以由含有作為主要成分的二氧化硅的玻璃材料形成。然而，基板103 并不限于由此形成，例如還可以由塑料材料形成。形成基板103的塑料材料可以是選自由從聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、醋酸纖維素 (TAC)、醋酸丙酸纖維素(CAP)及其組合組成的組的絕緣有機(jī)材料。基板103可以由金屬薄膜形成。第一電極112可由多種導(dǎo)電材料形成。參考圖4，制備供體薄膜130。雖未示出，供體薄膜130包含具有有機(jī)材料的傳導(dǎo)層。更具體地說，作為用于傳導(dǎo)中間層(未示出)的構(gòu)件的傳導(dǎo)層可包括用于形成有機(jī)發(fā)光層的材料。并且，供體薄膜130的傳導(dǎo)層可包括用于形成空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層或電子注入層的材料。除傳輸層外，供體薄膜130可進(jìn)一步包括基層和光熱轉(zhuǎn)換層。
使用托盤140，供體薄膜130被擴(kuò)展，以將供體薄膜130對(duì)齊并穩(wěn)定連接到基板 103。參考圖5，供體薄膜130以供體薄膜130被托盤140擴(kuò)展的狀態(tài)被設(shè)置在基板103 和基底構(gòu)件102上。更具體地說，供體薄膜130被設(shè)置成覆蓋基板103以及圍繞基板103 暴露的基底構(gòu)件102。雖未示出，在將一個(gè)滾軸設(shè)置在供體薄膜130上之后，供體薄膜130 可使用該滾軸(未示出)緊密接觸基板103。之后，將供體薄膜130與基底構(gòu)件102結(jié)合。更具體地說，使用具有寬度D的結(jié)合區(qū)域AD將供體薄膜130與基底構(gòu)件102結(jié)合。有多種結(jié)合方法。例如，可以使用熱結(jié)合供體薄膜130和基底構(gòu)件102。比如，可以通過對(duì)結(jié)合區(qū)域AD施熱來即時(shí)熔化和硬化結(jié)合區(qū)域AD將供體薄膜130與基底構(gòu)件102互相結(jié)合。當(dāng)基底構(gòu)件102由玻璃材料形成時(shí)，可以在基底構(gòu)件102的表面上提前形成熱粘合薄膜。并且，當(dāng)基底構(gòu)件102由玻璃材料形成時(shí)， 在結(jié)合區(qū)域AD上可形成另外的粘合構(gòu)件?；讟?gòu)件102和供體薄膜130通過基板103被插入其間的結(jié)合工藝互相結(jié)合在一起。參考圖6，供體薄膜130在結(jié)合區(qū)域AD外面的區(qū)域和托盤140 —起被移除。并且， 基底構(gòu)件102在結(jié)合區(qū)域AD外面的區(qū)域被移除。然而，本發(fā)明的實(shí)施例并非僅限于此，基底構(gòu)件102在結(jié)合區(qū)域外面的區(qū)域也可不被移除。參考圖7，從真空室190移除基板103插入在其間并相互結(jié)合在一起的基底構(gòu)件 102和供體薄膜130。真空室190外面可處于大氣狀態(tài)，而不與另外的壓力控制設(shè)備連接。 在圖7中，示出了從真空室190移除工作臺(tái)101的例子。然而，本發(fā)明并非僅限于此，可從真空室190移除基板103插入在其間并相互結(jié)合在一起的基底構(gòu)件102和供體薄膜130，而將工作臺(tái)101保留在真空室190中。當(dāng)從真空室190移除基板103插入在其間并相互結(jié)合在一起的基底構(gòu)件102和供體薄膜I30時(shí)，供體薄膜130和基板103可因瞬時(shí)壓力變化而相互緊密接觸。參考圖8，基板103插入在其間并相互結(jié)合在一起的基底構(gòu)件102和供體薄膜130 被放進(jìn)激光熱傳導(dǎo)裝置195。激光熱傳導(dǎo)裝置195包括激光光源，用于輻射產(chǎn)生一定量熱量 (例如預(yù)定量的熱量)的激光。使用激光熱傳導(dǎo)裝置195將供體薄膜130的傳導(dǎo)層傳導(dǎo)到第一電極112上。參考圖9，在使用激光熱傳導(dǎo)裝置195完成傳導(dǎo)工藝后，在第一電極112上形成具有有機(jī)發(fā)光層的中間層114。雖未示出，在通過傳導(dǎo)工藝形成中間層114時(shí)基底構(gòu)件102從基板103分離。參考圖10，在中間層114上形成第二電極115。第二電極115可由多種導(dǎo)電材料形成。當(dāng)?shù)诙姌O115形成時(shí)，有機(jī)發(fā)光器件100也最終形成。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，當(dāng)基板103和供體薄膜130緊密結(jié)合在一起時(shí)，使用了基底構(gòu)件102。在將基板103設(shè)置在其面積大于基板103的面積的基底構(gòu)件102上之后，使用例如熱結(jié)合方法的結(jié)合方法，在真空室190中將基底構(gòu)件102和供體薄膜130結(jié)合。實(shí)施熱結(jié)合工藝后，將托盤140從供體薄膜130移除。這樣，由于基板103插入在其間并相互結(jié)合在一起的基底構(gòu)件102和供體薄膜130放置于激光熱傳導(dǎo)裝置195時(shí)沒有托盤140，實(shí)施傳導(dǎo)工藝時(shí)無需限制激光熱傳導(dǎo)裝置195的尺寸。由于傳導(dǎo)工藝的簡便，有機(jī)發(fā)光器件100的中間層114可以形成為期望的圖形，而沒有產(chǎn)品失敗或減少產(chǎn)品失敗的產(chǎn)生。并且，基板103插入在其間的基底構(gòu)件102和供體薄膜130在真空室190內(nèi)相互結(jié)合，并從真空室190中移除。因此，供體薄膜130和基底構(gòu)件102之間的粘合增強(qiáng)，從而， 可容易地進(jìn)行傳導(dǎo)工藝，并且中間層114的特性可以得到提高。并且，因?yàn)榛?03插入在其間的基底構(gòu)件102和供體薄膜130在真空室190內(nèi)相互結(jié)合，并從真空室190中移除，基板103、供體薄膜130和基底構(gòu)件102的結(jié)合體(例如完全結(jié)合體)可以容易和自由地運(yùn)送到加工地點(diǎn)和加工設(shè)備。圖11到圖17是依次示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。為敘述方便，僅描述與前一實(shí)施例的區(qū)別。參考圖11，基底構(gòu)件202被設(shè)置在工作臺(tái)201上，基板203被設(shè)置在基底構(gòu)件202 上?；讟?gòu)件202、工作臺(tái)201和基板203被放置在真空室四0中?；?03具有小于基底構(gòu)件202的面積的面積，從而基板203可被放置在基底構(gòu)件202的面積內(nèi)。也就是說，基板203的邊緣(例如外圍)被放置在基底構(gòu)件202的邊緣 (例如外圍)內(nèi)。圖12是圖11中A部分的放大視圖。參考圖12，在基板203上形成薄膜晶體管、第一電極212和像素限定薄膜213。薄膜晶體管包括活性層205、柵電極207、源電極209和漏電極210。更具體地說，在基板203上形成緩沖層204。緩沖層204在基板203上提供一個(gè)平的表面，可防潮和防止異物在朝著基板203的方向上穿透。在緩沖層204上形成具有圖案(例如預(yù)定圖案)的活性層205?；钚詫?05可由無機(jī)半導(dǎo)體或有機(jī)半導(dǎo)體形成，例如非晶硅或多晶硅，并包括源區(qū)域、漏區(qū)域和溝道區(qū)域。 在活性層205上形成柵絕緣膜206，在柵絕緣膜206的一個(gè)區(qū)域(例如一個(gè)預(yù)定區(qū)域)上形成柵電極207。柵電極207連接到柵極線(未示出)。柵電極207可由選自由金、銀、銅、 鎳、鈀、鉬、鋁和鉬及其它們的組合組成的組中的材料形成，或由鋁釹或鉬鎢合金形成， 但并非僅限于此。層間絕緣膜208形成于柵電極207上，并露出活性層205的源區(qū)域和漏區(qū)域。之后，形成源電極209和漏電極210，以分別接觸活性層205的源區(qū)域和漏區(qū)域。形成覆蓋源電極209、漏電極210和層間絕緣膜208的鈍化薄膜(passivation
film)211o第一電極212形成于鈍化薄膜211上。鈍化薄膜211形成為在此露出漏電極210， 第一電極212連接到露出的漏電極210。像素限定薄膜213形成于第一電極212上。像素限定薄膜213可由各種絕緣材料形成，第一電極212的一個(gè)區(qū)域(例如一個(gè)預(yù)定區(qū)域)可在此露出。參考圖13，制備供體薄膜230。使用托盤240擴(kuò)展供體薄膜230。參考圖14，供體薄膜230與基底構(gòu)件202結(jié)合。更具體地說，使用具有寬度D的結(jié)合區(qū)域AD將供體薄膜230與基底構(gòu)件202結(jié)合。雖未示出，供體薄膜230設(shè)置在基板203 和基底構(gòu)件202上，而供體薄膜230被托盤240擴(kuò)展。并且，使用具有寬度D的結(jié)合區(qū)域AD將供體薄膜230與基底構(gòu)件202結(jié)合。在通過結(jié)合工藝將基板203插入在其間的基底構(gòu)件202和供體薄膜230結(jié)合后，供體薄膜230的
8在結(jié)合區(qū)域AD外面的區(qū)域被移除。此時(shí)，托盤240也一并被移除。并且，基底構(gòu)件202的在結(jié)合區(qū)域AD外面的區(qū)域被移除。然而，本發(fā)明并非僅限于此，在其他實(shí)施例中不需移除基底構(gòu)件202的該區(qū)域。之后，基板203插入在其間并相互結(jié)合在一起的基底構(gòu)件202和供體薄膜230從真空室290移除。真空室290外面可處于大氣狀態(tài)，而不與另外的壓力控制設(shè)備連接。在圖14中，示出了從真空室290移除工作臺(tái)201。然而，本發(fā)明并非僅限于此，可從真空室290移除基板203插入在其間并相互結(jié)合在一起的基底構(gòu)件202和供體薄膜230，而將工作臺(tái)201保留在真空室四0中。當(dāng)從真空室290移除基板203插入在其間并相互結(jié)合在一起的基底構(gòu)件202和供體薄膜230時(shí)，供體薄膜230和基板203可因瞬時(shí)壓力變化而相互緊密接觸。參考圖15，基板203插入在其間并相互結(jié)合在一起的基底構(gòu)件202和供體薄膜 230被放進(jìn)激光熱傳導(dǎo)裝置四5。使用激光熱傳導(dǎo)裝置295將供體薄膜230的傳導(dǎo)層被傳導(dǎo)到第一電極212上。參考圖16，在使用激光熱傳導(dǎo)裝置295完成傳導(dǎo)工藝后，在第一電極212上形成具有有機(jī)發(fā)光層的中間層214。更具體地說，中間層214被形成為接觸第一電極212的未被像素限定薄膜213覆蓋的暴露區(qū)域。雖未示出，在由傳導(dǎo)工藝形成中間層214時(shí)，基底構(gòu)件202從基板203分離。參考圖17，在中間層214上形成第二電極215。第二電極215可由多種導(dǎo)電材料形成。當(dāng)?shù)诙姌O215形成時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示裝置200也最終完成。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)基板203和供體薄膜230結(jié)合時(shí)，使用了設(shè)置在基板 203下方的基底構(gòu)件202。例如，在將基板203設(shè)置在其面積大于基板203的面積的基底構(gòu)件202上之后，使用例如熱結(jié)合方法的結(jié)合方法，在真空室290中將基底構(gòu)件202和供體薄膜230結(jié)合。實(shí)施熱結(jié)合工藝后，將托盤240從供體薄膜230移除。這樣，由于基板203插入在其間并相互結(jié)合在一起的基底構(gòu)件202和供體薄膜230放置于激光熱傳導(dǎo)裝置295時(shí)沒有托盤M0，實(shí)施傳導(dǎo)工藝時(shí)無需限制激光熱傳導(dǎo)裝置四5的尺寸。由于傳導(dǎo)工藝的簡便，有機(jī)發(fā)光顯示裝置200的中間層214可以形成為期望的圖形，而沒有產(chǎn)品失敗或減少產(chǎn)品失敗的產(chǎn)生。并且，在本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例中，基板203插入在其間的基底構(gòu)件202和供體薄膜 230在真空室四0內(nèi)相互結(jié)合，并從真空室290中移除。因此，供體薄膜230和基底構(gòu)件202 之間的粘合增強(qiáng)，從而，可容易地進(jìn)行傳導(dǎo)工藝，并且中間層214的特性可以得到提高。并且，因?yàn)榛?03插入在其間的基底構(gòu)件202和供體薄膜230在真空室四0內(nèi)相互結(jié)合，并從真空室290中移除，基板203、供體薄膜230和基底構(gòu)件202的結(jié)合體(例如完全結(jié)合體)可以容易和自由地運(yùn)送到加工地點(diǎn)和加工設(shè)備。盡管參考其示例實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了特別說明和描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可在其中進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)的任何改變，而不背離由后面的權(quán)利要求及其等同限定的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，該方法包括制備具有第一電極的基板；將所述基板設(shè)置在基底構(gòu)件上；設(shè)置供體薄膜以覆蓋所述基板并接觸圍繞所述基板暴露的所述基底構(gòu)件；結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜；在將所述基板插入在其間并相互結(jié)合在一起的所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜放進(jìn)激光熱傳導(dǎo)裝置后，通過在所述激光熱傳導(dǎo)裝置中實(shí)施傳導(dǎo)工藝在所述第一電極上形成具有有機(jī)發(fā)光層的中間層；和在所述中間層上形成第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，其中所述基底構(gòu)件具有大于所述基板的面積的面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，其中所述基板被設(shè)置在所述基底構(gòu)件上，從而所述基板被放置在所述基底構(gòu)件的所述面積內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，其中所述供體薄膜和所述基底構(gòu)件以所述供體薄膜被托盤擴(kuò)展的狀態(tài)被結(jié)合，在所述供體薄膜和所述基底構(gòu)件被結(jié)合后所述托盤從所述供體薄膜被移除。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，其中所述結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜包括結(jié)合所述基底構(gòu)件的圍繞所述基板的邊緣的區(qū)域和所述供體薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，其中所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜被使用熱結(jié)合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，其中所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜被使用粘合構(gòu)件結(jié)合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，其中將所述基板設(shè)置在所述基底構(gòu)件上、設(shè)置所述供體薄膜以及結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜是在真空室內(nèi)進(jìn)行的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，進(jìn)一步包括在結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜后，將所述基板插入在其間并相互結(jié)合在一起的所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜移除到所述真空室的外面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，其中所述真空室的所述外面處于大氣狀態(tài)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，其中，在所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜被結(jié)合后，所述供體薄膜的在與所述基底構(gòu)件結(jié)合的區(qū)域外面的區(qū)域被移除。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，其中，在所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜被結(jié)合后，所述基底構(gòu)件的在與所述供體薄膜結(jié)合的區(qū)域外面的區(qū)域被移除。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，進(jìn)一步包括在形成所述中間層后將所述基底構(gòu)件從所述基板分離。
14.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括制備具有像素限定薄膜的基板，所述像素限定薄膜被設(shè)置為暴露第一電極的一個(gè)區(qū)域；將所述基板設(shè)置在基底構(gòu)件上；設(shè)置供體薄膜以覆蓋所述基板并接觸圍繞所述基板暴露的所述基底構(gòu)件；結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜；通過在激光熱傳導(dǎo)裝置中對(duì)所述基板插入在其間并相互結(jié)合在一起的所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜實(shí)施傳導(dǎo)工藝，在第一電極的所述區(qū)域上形成具有有機(jī)發(fā)光層的中間層； 禾口在所述中間層上形成第二電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述基底構(gòu)件具有大于所述基板的面積的面積。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述基板被設(shè)置在所述基底構(gòu)件上，從而所述基板被放置在所述基底構(gòu)件的所述面積內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述供體薄膜和所述基底構(gòu)件以所述供體薄膜被托盤擴(kuò)展的狀態(tài)被結(jié)合，在所述供體薄膜和所述基底構(gòu)件被結(jié)合后所述托盤從所述供體薄膜被移除。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜包括結(jié)合所述基底構(gòu)件的圍繞所述基板的邊緣的區(qū)域和所述供體薄膜。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜被使用熱結(jié)合。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜被使用粘合構(gòu)件結(jié)合。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中將所述基板設(shè)置在所述基底構(gòu)件上、設(shè)置所述供體薄膜以及結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜是在真空室內(nèi)進(jìn)行的。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，進(jìn)一步包括在結(jié)合所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜后，將所述基板插入在其間并相互結(jié)合在一起的所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜移除到所述真空室的外面。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述真空室的所述外面處于大氣狀態(tài)。
24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中，在所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜被結(jié)合后，所述供體薄膜的在與所述基底構(gòu)件結(jié)合的區(qū)域外面的區(qū)域被移除。
25.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中，在所述基底構(gòu)件和所述供體薄膜被結(jié)合后，所述基底構(gòu)件的在與所述供體薄膜結(jié)合的區(qū)域外面的區(qū)域被移除。
26.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，進(jìn)一步包括在形成所述中間層后將所述基底構(gòu)件從所述基板分離。
全文摘要
一種制造易于提高具有有機(jī)發(fā)光層的中間層的特性的有機(jī)發(fā)光器件的方法以及一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。所述制造有機(jī)發(fā)光器件的方法包括制備具有第一電極的基板；將基板設(shè)置在基底構(gòu)件上；設(shè)置供體薄膜，該供體薄膜覆蓋基板并接觸圍繞基板暴露的基底構(gòu)件；結(jié)合供體薄膜與基底構(gòu)件；在將基板插入在其間并相互結(jié)合在一起的基底構(gòu)件和供體薄膜放進(jìn)激光熱傳導(dǎo)裝置后，通過在激光熱傳導(dǎo)裝置中實(shí)施傳導(dǎo)工藝在第一電極上形成具有有機(jī)發(fā)光層的中間層；以及在中間層上形成第二電極。
文檔編號(hào)H01L51/56GK102456851SQ20111032858
公開日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2011年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月22日
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