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有機發(fā)光顯示裝置的制作方法

文檔序號:7162855閱讀:124來源:國知局
專利名稱:有機發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示(OLED)裝置,更具體地,涉及一種能夠提高白(W) 光的顏色均勻度的OLED裝置。
背景技術(shù)
近來,作為多媒體技術(shù)發(fā)展的焦點,平面顯示器(FPD)正在非常引人關(guān)注。因此, 例如液晶顯示器(IXD)、等離子體顯示面板(PDP)、場發(fā)射顯示器(FED)以及使用有機發(fā)光二級管的OLED裝置的各種平面顯示器已經(jīng)投入實際使用。特別是,OLED裝置提供Ims或更短的快速響應(yīng)時間,具有低的功耗并且是自發(fā)光型的。此外,OLED裝置具有寬的視角,因此有利于作為移動圖像顯示媒體而無需考慮它的尺寸。此外,OLED裝置可在低溫度下制造,可基于現(xiàn)有的有源層工藝技術(shù)簡單地制造,因此, 作為下一代平面顯示器而引人關(guān)注。OLED裝置包括第一電極、第二電極以及在第一電極和第二電極之間的發(fā)光層。由第一電極提供的空穴和由第二電極提供的電子在發(fā)光層復(fù)合,形成激發(fā)子,所述激發(fā)子是空穴-電子對,OLED裝置利用當(dāng)激發(fā)子回到低能級時產(chǎn)生的能量而發(fā)出光。這種OLED裝置已經(jīng)發(fā)展為具有各種結(jié)構(gòu),在這些結(jié)構(gòu)中,白色OLED裝置通過包括紅色子像素、綠色子像素以及藍(lán)色子像素來實現(xiàn)白光,或者通過除紅色子像素、綠色子像素以及藍(lán)色子像素外進一步包括白色子像素來實現(xiàn)白光。但是,由于無機膜形成在OLED裝置的發(fā)光層的下方,因此實現(xiàn)白光存在問題。即導(dǎo)致OLED裝置的視角特性和顏色均勻度的惡化。因此,更好地實現(xiàn)白光對于制造具有寬視角和/或更好的顏色均勻度的OLED來說是有益的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種能夠提高視角特性和/或顏色均勻度的OLED裝置。本發(fā)明進一步涉及一種包括紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素以及白色子像素的有機發(fā)光顯示裝置。具體來說,所述有機發(fā)光顯示裝置包括i)基板;ii)設(shè)置在所述基板上的薄膜晶體管;iii)設(shè)置在所述薄膜晶體管上方的保護層;以及iv)設(shè)置在所述薄膜晶體管和所述保護層之間的鈍化層。,所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、層間絕緣層、源極以及漏極。其中所述鈍化層不設(shè)置在光的光路中,或者所述鈍化層作為包括氮化硅的單層設(shè)置在所述光的光路中。


所包括的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解,并且并入到本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分。附示了本發(fā)明的實施例,并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1圖示根據(jù)本發(fā)明一個實施例的OLED裝置。圖2圖示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的OLED裝置的子像素。圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明又一個實施例的OLED裝置的W子像素的截面圖。圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明再一個實施例的OLED裝置的R子像素的截面圖。圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明還一個實施例的OLED裝置的W子像素的截面圖。圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的OLED裝置的R子像素的截面圖。圖7是圖示與如下OLED裝置有關(guān)的白光的光譜的視圖i)包括根據(jù)圖3的實施例的W子像素和根據(jù)圖4的實施例的R子像素的OLED裝置,以及ii)包括根據(jù)圖5的實施例的W子像素和根據(jù)圖6的實施例的R子像素的OLED裝置。
具體實施例方式將詳細(xì)描述本發(fā)明的一些實施例,這些實施例的實例在附圖中圖示。下述附圖、實施例以及實例為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員實施當(dāng)前公開主題的典型實施例提供指導(dǎo)。依據(jù)本公開和本領(lǐng)域的一般技術(shù)水平,本領(lǐng)域技術(shù)人員可理解,下述實例僅用于示例,并且在不偏離當(dāng)前公開主題的范圍的情況下,可作出大量的修改、變形以及/或改變。在根據(jù)本發(fā)明一個實施例的圖1中,OLED裝置100包括多個單元像素,每一個單元像素包括紅色子像素110R、綠色子像素110G、藍(lán)色子像素IlOB以及白色子像素110W。每一個單元像素發(fā)出紅光、綠光、藍(lán)光以及白光,由此呈現(xiàn)白色。圖2示出根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的OLED裝置的子像素的結(jié)構(gòu),所述子像素由設(shè)置成矩陣的掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL以及公共電壓線VL限定。所述子像素包括開關(guān)薄膜晶體管(TFT)Tl JgaTFT T2、電容Cst、第一電極FE、發(fā)光層(未示出)以及第二電極(未示出)。在根據(jù)一些實施例的子像素中,當(dāng)信號由掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL提供時,驅(qū)動信號從開關(guān)TFT Tl經(jīng)由電容Cst傳送至驅(qū)動TFT T2。由于從開關(guān)TFT Tl施加的信號和從公共電壓線VL施加的信號,驅(qū)動TFT T2將電流傳送至第一電極FE。此外,由于從第一電極FE 和第二電極(未示出)施加的電流,有機層(未示出)發(fā)出光。在根據(jù)本發(fā)明又一個實施例的圖3中,OLED裝置的W子像素包括在基板210上的緩沖層215??芍谱骰?10的材料包括但不限于玻璃、塑料以及導(dǎo)電材料??蛇x擇地形成緩沖層215來保護在此描述的TFT免受從基板201泄漏出的例如堿離子的雜質(zhì)的影響??芍谱骶彌_層215的材料包括但不限于硅的氧化物SiOx和硅的氮化物SiNx。有源層220設(shè)置在緩沖層215上。有源層220可包括非晶硅和/或非晶硅結(jié)晶的多晶硅。雖然未示出,有源層220可包括溝道區(qū)域、源極區(qū)域以及漏極區(qū)域,在源極區(qū)域和漏極區(qū)域中可摻雜P型雜質(zhì)或N型雜質(zhì)。柵絕緣層225設(shè)置在包括有源層220的基板210上。柵絕緣層225對有源層220 進行絕緣,并且可使用硅的氧化物SiOx和/或和硅的氮化物SiNx選擇性地形成。柵極230設(shè)置在有源層220的固定區(qū)域中,也就是說,設(shè)置在對應(yīng)溝道區(qū)域的柵絕緣層225上。柵極230可由從以下組中選擇的一種或多種物質(zhì)形成,該組包括但不限于鋁Al、鋁合金、鈦Ti、銀Ag、鉬Mo、鉬合金、鎢W以及硅化鎢WSi2。層間絕緣層235設(shè)置在包括柵極230的基板210上。層間絕緣層235可以是有機層或無機層,或可以是有機層和無機層的復(fù)合層。無機層可包括的材料包括但不限于硅的氮化物SiNx和SOG (玻璃上硅)。有機層可包括的材料包括但不限于丙烯基樹脂、聚酰亞胺基樹脂以及苯并環(huán)丁烯(BCB)基樹脂。源極245a、漏極M5b以及信號線M5c和M5d設(shè)置在層間絕緣層235上。具體地,信號線M5c和M5d可分別為公共電壓線和數(shù)據(jù)線。源極Mfe、漏極對恥、公共電壓線M5c以及數(shù)據(jù)線M5d可包括低電阻材料,以減小導(dǎo)線電阻,并且可由多層膜形成,所述多層膜包括但不限于下列材料鎢鉬MoW、鈦Ti以及鋁Al和鋁合金。所述多層膜可具有鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)或鎢鉬/鋁/鎢鉬(MoW/Al/ Moff)的層壓結(jié)構(gòu)。源極Mfe和漏極對恥經(jīng)由貫穿層間絕緣層235和柵絕緣層225的接觸孔MOa 和MOb連接至有源層220。因此,薄膜晶體管(TFT)包括柵極230、有源層220、源極Mfe 以及漏極對513。鈍化層250設(shè)置在源極Mfe、漏極M5b、公共電壓線M5c以及數(shù)據(jù)線M5d上。鈍化層250覆蓋源極Mfe、漏極對恥、公共電壓線M5c以及數(shù)據(jù)線M5d。因此,在一些實施例中,鈍化層250不形成在除源極Mfe、漏極對恥、公共電壓線M5c以及數(shù)據(jù)線M5d外的區(qū)域中,并且設(shè)置在層間絕緣層235上。鈍化層250包括的材料包括但不限于硅的氧化物SiOx和硅的氮化物SiNx,并且可形成為單層、雙層或更多層。根據(jù)本發(fā)明一個實施例的OLED裝置為背表面發(fā)光OLED裝置, 在這種背表面發(fā)光OLED裝置,來自發(fā)光層的光朝向基板210行進,由于鈍化層250不設(shè)置在從有機層280的發(fā)光層發(fā)出的光的光路(P)中,因此這種背表面發(fā)光OLED裝置在防止光的顏色均勻度降低方面具有優(yōu)點。保護層255設(shè)置在鈍化層250和層間絕緣層235上。保護層255保護濾色器,并且使由于濾色器的造成的階梯差平滑。由于要實現(xiàn)白光,因此在一些實施例的如圖3示出的W子像素中不設(shè)置濾色器。因此,只有保護層255設(shè)置在層間絕緣層235和鈍化層250 上。第一電極265設(shè)置在保護層255上。第一電極265可以是由包括但不限于ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)的材料形成的透明導(dǎo)電膜。第一電極265經(jīng)由貫穿保護層255 和鈍化層250的孔沈0電連接至TFT的漏極對恥。提層270設(shè)置在基板210上,更具體地,設(shè)置在第一電極265上。提層270限定子像素的發(fā)光區(qū)域,并且提層270可包括丙烯基樹脂、聚酰亞胺基樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)基樹脂或上述物質(zhì)的混合。此外,提層270具有暴露第一電極沈5的一部分的開口 275。有機層280設(shè)置在被開口 275暴露的第一電極265上,并可選擇地設(shè)置在提層270 上。有機層280至少包括發(fā)光層,并且可包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層中的至少一個。根據(jù)本發(fā)明一些實施例的如圖3示出的W子像素發(fā)出白光,并且有機層觀0的發(fā)光層可實現(xiàn)白光。具體來說,發(fā)光層通過包括發(fā)出紅光、綠光以及藍(lán)光的材料來可發(fā)出白光。
第二電極285設(shè)置在基板210上,更具體地,設(shè)置在有機層280上。第二電極觀5 設(shè)置在基板210的整個表面上,并且可由包括但不限于鎂Mg、銀Ag、鈣Ca以及它們的合金的材料形成。如上所述,通過從發(fā)出光的區(qū)域中去除鈍化層來形成根據(jù)本發(fā)明一個實施例的 OLED裝置的W子像素。發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn),將保護層255、層間絕緣層235以及柵絕緣層225 設(shè)置在第一電極265的下方防止了白光的顏色均勻度降低,保持了白光的良好的顏色均勻度。另一方面,與發(fā)出白光的W子像素不同,本發(fā)明一些實施例的R、G以及B子像素可還包括濾色器。如下所述,R、G以及B子像素中的R子像素將作為例子來描述。與上述圖 3中的組成元件相同的組成元件用相同的附圖標(biāo)記表示,并且在下文中省略對于它們的描述。在根據(jù)本發(fā)明一個實施例的圖4中,與W子像素不同,在R子像素中,在沒有形成鈍化層250的層間絕緣層235上還形成R濾色器四0。更具體來說,R濾色器290設(shè)置在從有機層280發(fā)出的光的光路(P)中,也就是說, 設(shè)置在第一電極265的下方。R濾色器290將從有機層280發(fā)出的白光轉(zhuǎn)換成紅光。因此, R子像素可通過利用R濾色器290將白光轉(zhuǎn)換成紅光而實現(xiàn)紅光。按照與上述W子像素相同的方式,鈍化層250不形成在發(fā)出的光的光路(P)中。發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn),將保護層255、R濾色器四0、層間絕緣層235以及柵絕緣層225設(shè)置在第一電極沈5的下方,防止了白光的顏色均勻度降低,提高了紅光的顏色均勻度。盡管已經(jīng)參考圖4描述了 R子像素,但G子像素和B子像素也可具有與R子像素相同的結(jié)構(gòu),并且G子像素和B子像素分別包括G濾色器和B濾色器,而不是R濾色器。根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的圖5中,OLED裝置的W子像素包括在基板310上的緩沖層315。有源層320設(shè)置在緩沖層315上,而柵絕緣層325設(shè)置在包括有源層320的基板 310 上。柵極330設(shè)置在柵絕緣層325上,層間絕緣層335設(shè)置在基板310上,更具體來說, 設(shè)置在柵極330上。源極:34 、漏極:345b以及信號線:345c和;345d設(shè)置在層間絕緣層335 上。具體來說,信號線345c和345d可分別為公共電壓線和數(shù)據(jù)線。源極34 和漏極34 經(jīng)由貫穿層間絕緣層335和柵絕緣層325的接觸孔340a 和340b連接至有源層320。鈍化層350設(shè)置在源極34 、漏極34 、公共電壓線345c以及數(shù)據(jù)線345d上。鈍化層350設(shè)置在包括源極345a、漏極34 、公共電壓線345c以及數(shù)據(jù)線345d 的整個基板310上。鈍化層350可由硅的氮化物SiNx的單層形成。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)由于硅的氮化物SiNx的特性,本實施例在防止光的顏色均勻度降低方面是有益的。鈍化層350還可由氮化硅的單層形成,并且設(shè)置在從隨后描述的發(fā)光層發(fā)出的光的光路(P)中。保護層355設(shè)置在鈍化層350上,第一電極365設(shè)置在保護層355上。第一電極 365經(jīng)由貫穿保護層355和鈍化層350的孔360電連接至TFT的漏極34 。提層370設(shè)置在包括第一電極365的基板310上,并且提層370具有暴露第一電極365的一部分的開口 375。有機層380設(shè)置在第一電極365和被開口 375暴露的提層370 上。根據(jù)本發(fā)明一些實施例的如圖5示出的W子像素發(fā)出白光,并且有機層380的發(fā)光層可實現(xiàn)白光。具體來說,發(fā)光層通過包括發(fā)出紅光、綠光以及藍(lán)光的材料可發(fā)出白光。第二電極385設(shè)置在包括有機層380的基板310上。如上所述,根據(jù)本發(fā)明一個實施例的OLED裝置的W子像素具有在發(fā)出光的區(qū)域中的鈍化層,所述鈍化層由氮化硅的單層形成。發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn),將保護層355、鈍化層 350、層間絕緣層335以及柵絕緣層325設(shè)置在第一電極365的下方,防止了白光的顏色均勻度降低,保持了白光的良好的顏色均勻度。另一方面,與發(fā)出白光的W子像素不同,本發(fā)明一些實施例的R、G以及B子像素可還包括濾色器。如下所述,R、G以及B子像素中的R子像素將作為例子來描述。與上述圖 5中的組成元件相同的組成元件用相同的附圖標(biāo)記表示,并且在下文中省略對于它們的描述。在根據(jù)本發(fā)明一個實施例的圖6中,與W子像素不同,在R子像素中,在鈍化層350 上還形成R濾色器390。更具體來說,R濾色器390設(shè)置在從有機層380發(fā)出的光的光路(P)中,也就是說, 設(shè)置在第一電極365的下方。R濾色器390將從有機層380發(fā)出的白光轉(zhuǎn)換成紅光。因此, R子像素可通過利用R濾色器390將白光轉(zhuǎn)換成紅光而實現(xiàn)紅光。此外,按照與上述W子像素相同的方式,由氮化硅的單層形成的鈍化層350形成在發(fā)出的光的光路(P)中。發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn),將保護層355、R濾色器390、鈍化層350、層間絕緣層335以及柵絕緣層325設(shè)置在第一電極365的下方,防止了白光的顏色均勻度降低, 提高了紅光的顏色均勻度。盡管已經(jīng)參考圖6描述了 R子像素,但G子像素和B子像素也可具有與R子像素相同的結(jié)構(gòu),并且G子像素和B子像素分別包括G濾色器和B濾色器,而不是R濾色器。在圖7中,實例1表示與包括根據(jù)圖3的實施例的W子像素和根據(jù)圖4的實施例的R子像素的OLED裝置有關(guān)的白光光譜。實例2表示與包括根據(jù)圖5的實施例的W子像素和根據(jù)圖6的實施例的R子像素的OLED裝置有關(guān)的白光光譜。對比例表示與實例2中的鈍化層在基板的整個表面上形成為硅的氧化物SiOx和硅的氮化物SiNx的雙層的OLED裝置有關(guān)的白光光譜。如圖7所示,可以看出在根據(jù)本發(fā)明一些實施例的OLED中比在對比例中發(fā)生更少的起伏現(xiàn)象。發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn),在發(fā)出光的區(qū)域中不形成鈍化層或僅形成單層的鈍化層降低了白光的起伏現(xiàn)象的發(fā)生。單層的鈍化層優(yōu)選由氮化硅形成。因此,根據(jù)本發(fā)明,可提高白光的顏色均勻度,進而可提高OLED裝置的視角特性。上述實施例和優(yōu)點僅是示例性的,并且不應(yīng)被解釋為對本發(fā)明進行限制。本發(fā)明的啟示可容易應(yīng)用于其他類型的裝置。上述實施例的描述旨在解釋而不是限制權(quán)利要求的范圍。許多變形、修改以及變化對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。在權(quán)利要求書中,帶有功能性限定的權(quán)項旨在覆蓋在此描述的執(zhí)行所限定的功能的結(jié)構(gòu),而且不僅包括結(jié)構(gòu)等同物,還包括等同的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種包括紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素以及白色子像素的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述有機發(fā)光顯示裝置包括 基板;設(shè)置在所述基板上的薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、層間絕緣層、源極以及漏極;設(shè)置在所述薄膜晶體管上方的保護層;以及設(shè)置在所述薄膜晶體管和所述保護層之間的鈍化層, 其中所述鈍化層不設(shè)置在光的光路中。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,還包括 設(shè)置在所述保護層上的第一電極;設(shè)置在所述第一電極上并暴露所述第一電極的提層; 設(shè)置在暴露的第一電極上的有機層;以及設(shè)置在所述有機層上的第二電極。
3.如權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述光的光路從所述有機層的發(fā)光層發(fā)出ο
4.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中在所述白色子像素中不設(shè)置濾色器。
5.如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中在所述白色子像素中的所述有機層發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光,以形成白光。
6.如權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述紅色子像素、所述綠色子像素以及所述藍(lán)色子像素中的至少一個包括在從所述有機層發(fā)出的光的光路中的濾色器,并且所述濾色器位于所述第一電極的下方。
7.如權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述濾色器在所述層間絕緣層上。
8.如權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述保護層和所述鈍化層包括孔,所述第一電極經(jīng)由所述孔電連接至所述薄膜晶體管,并且所述第一電極電連接至所述薄膜晶體管的漏極。
9.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述保護層設(shè)置在位于所述白色子像素的層間絕緣層上的光的光路中,并且設(shè)置在所述紅色子像素、所述綠色子像素以及所述藍(lán)色子像素的濾色器上。
10.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述光的光路朝向所述基板。
11.一種包括紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素以及白色子像素的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述有機發(fā)光顯示裝置包括 基板;設(shè)置在所述基板上的薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、層間絕緣層、源極以及漏極;設(shè)置在所述薄膜晶體管上方的保護層;以及設(shè)置在所述薄膜晶體管和所述保護層之間的鈍化層, 其中所述鈍化層作為包括氮化硅的單層設(shè)置在光的光路中。
12.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置,還包括 設(shè)置在所述保護層上的第一電極;設(shè)置在所述第一電極上并暴露所述第一電極的提層; 設(shè)置在暴露的第一電極上的有機層;以及設(shè)置在所述有機層上的第二電極。
13.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述光的光路從所述有機層的發(fā)光層發(fā)出ο
14.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中在所述白色子像素中不設(shè)置濾色ο
15.如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中在所述白色子像素中的所述有機層發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光,以形成白光。
16.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述紅色子像素、所述綠色子像素以及所述藍(lán)色子像素中的至少一個包括在從所述有機層發(fā)出的光的光路中的濾色器,并且所述濾色器位于所述第一電極的下方。
17.如權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述濾色器在所述鈍化層上。
18.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述保護層和所述鈍化層包括孔, 所述第一電極經(jīng)由所述孔電連接至所述薄膜晶體管,并且所述第一電極電連接至所述薄膜晶體管的漏極。
19.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述保護層設(shè)置在位于所述白色子像素的鈍化層上的光的光路中,并且設(shè)置在所述紅色子像素、所述綠色子像素以及所述藍(lán)色子像素的濾色器上。
20.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述光的光路朝向所述基板。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種包括紅色子像素、綠色子像素、藍(lán)色子像素以及白色子像素的有機發(fā)光顯示裝置。具體來說,所述有機發(fā)光顯示裝置包括基板;設(shè)置在所述基板上的薄膜晶體管;設(shè)置在所述薄膜晶體管上方的保護層;以及設(shè)置在所述薄膜晶體管和所述保護層之間的鈍化層。所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、層間絕緣層、源極以及漏極。其中所述鈍化層不設(shè)置在光的光路中,或者所述鈍化層作為包括氮化硅的單層設(shè)置在所述光的光路中。
文檔編號H01L51/52GK102456846SQ201110329900
公開日2012年5月16日 申請日期2011年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月21日
發(fā)明者崔晎碩, 方熙晳, 裵晟埈, 金珉秀, 金禾景, 韓敞旭 申請人:樂金顯示有限公司
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