專利名稱：一種vdmos器件及其的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及功率器件，特別涉及一種VDMOS器件及其的形成方法。
背景技術(shù)：
垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(VDMOS)作為功率器件的一種，由于其具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點而被廣泛應(yīng)用?，F(xiàn)有技術(shù)VDMOS器件的形成方法如公開號為CN 101515M7A的中國專利申請中所公開的，具體如圖1所示為VDMOS的結(jié)構(gòu)示意圖， 包括半導(dǎo)體基底01，所述半導(dǎo)體基底01包括襯底Ola及位于襯底Ola上的外延層Olb ’位于所述外延層Olb表面的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極氧化層02及依次位于柵極氧化層02表面的柵極多晶硅層03及柵極金屬層07 ；位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)外延層Olb內(nèi)的阱區(qū)04 及位于阱區(qū)04內(nèi)的源區(qū)05，及位于源區(qū)05表面半導(dǎo)體基底01上的源極金屬層06 ；位于襯底Ola背面的漏極金屬層08，所述背面是指襯底Ola上器件生長面的相對面。所述柵極多晶硅層03與柵極金屬層07構(gòu)成了 VDMOS器件的柵極G，所述源區(qū)05與源極金屬層06共同構(gòu)成了 VDMOS器件的源極S，所述半導(dǎo)體基底01與漏極金屬層08共同構(gòu)成了 VDMOS器件的漏極D。繼續(xù)參考圖1，源區(qū)05的載流子通過阱區(qū)04后，以垂直基底表面方向流向漏極，以利于提高擊穿電壓，并能節(jié)約芯片面積?，F(xiàn)有技術(shù)還需要通過降低柵極和漏極間的電容值，以提高VDMOS的開關(guān)速度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供了一種VDMOS器件及其的形成方法，降低柵極和漏極間的電容值，提高VDMOS的開關(guān)速度。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種VDMOS器件，包括襯底，所述襯底包括正面及與所述正面相對的背面；位于所述襯底正面的外延層；位于所述外延層表面的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極氧化層及位于柵極氧化層表面的柵極多晶硅層；分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)外延層內(nèi)的阱區(qū)及位于阱區(qū)內(nèi)的源區(qū)；位于所述襯底背面的漏極金屬層；其中，所述柵極氧化層包括底部柵極氧化層及位于所述底部柵極氧化層表面的抬高柵極氧化層，所述抬高柵極氧化層用以增加所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的柵極氧化層厚度，降低所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的電容值；與所述柵極氧化層相對的外延層內(nèi)形成有離子摻雜區(qū)，所述離子摻雜區(qū)的摻雜離子類型與所述阱區(qū)的摻雜離子類型相同?？蛇x的，所述底部柵極氧化層的寬度大于所述抬高柵極氧化層的寬度?？蛇x的，所述抬高柵極氧化層的形狀為梯形、矩形或者三角形。
可選的，所述底部柵極氧化層的厚度范圍為800 2500埃，所述抬高柵極氧化層的厚度范圍為100 1200埃?？蛇x的，所述離子摻雜區(qū)的摻雜濃度范圍為1E15 lE17cm_2。本發(fā)明還提供一種VDMOS器件的形成方法，包括提供襯底，所述襯底包括正面及與所述正面相對的背面，及位于所述襯底正面的外延層；在所述外延層表面形成柵極氧化層，所述柵極氧化層包括底部柵極氧化層及位于所述底部柵極氧化層表面的抬高柵極氧化層；形成位于柵極氧化層表面的柵極多晶硅層，所述柵極氧化層及柵極多晶硅層構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)；形成分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)外延層內(nèi)的阱區(qū)及位于阱區(qū)內(nèi)的源區(qū)；形成位于所述襯底背面的漏極金屬層；其中還包括通過離子摻雜，在所述外延層內(nèi)形成離子摻雜區(qū)，所述離子摻雜區(qū)位于所述柵極氧化層下方，且所述離子摻雜區(qū)的摻雜離子類型與所述阱區(qū)的摻雜離子類型相同。可選的，所述離子摻雜在形成所述柵極氧化層前進行。可選的，所述離子摻雜在形成所述柵極氧化層后進行，包括形成所述柵極氧化層及柵極多晶硅層，接著斷開所述柵極多晶硅層，暴露出部分的柵極氧化層；通過離子摻雜， 在所述暴露出的柵極氧化層下方的襯底內(nèi)形成離子摻雜區(qū)?？蛇x的，所述在所述外延層表面形成柵極氧化層包括在所述多晶硅表面沉積氧化層，并對所述氧化層進行一次或多次圖案化，形成底部柵極氧化層及位于所述底部柵極氧化層表面的抬高柵極氧化層?？蛇x的，所述在所述外延層表面形成柵極氧化層包括在所述多晶硅表面沉積氧化層，并對所述氧化層圖案化，形成底部柵極氧化層；接著在所述底部柵極氧化層表面沉積犧牲層，并刻蝕所述犧牲層形成開口，所述開口暴露出所述部分底部柵極氧化層；填充所述開口，形成抬高柵極氧化層。可選的，所述在所述外延層內(nèi)形成離子摻雜區(qū)包括在所述外延層表面沉積犧牲層；刻蝕所述犧牲層形成開口，所述開口暴露出所述外延層表面，對開口內(nèi)暴露出的所述外延層進行離子摻雜，在所述外延層內(nèi)形成所述離子摻雜區(qū)?？蛇x的，所述底部柵極氧化層的寬度大于所述抬高柵極氧化層的寬度?？蛇x的，所述抬高柵極氧化層的形狀為梯形、矩形或者三角形。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點通過在底部柵極氧化層表面形成抬高柵極氧化層，以增加所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的柵極氧化層厚度，降低所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的電容值，提高VDMOS的開關(guān)速度；通過在與所述柵極氧化層相對的外延層內(nèi)形成離子摻雜區(qū)，所述離子摻雜區(qū)與阱區(qū)的離子摻雜類型相同，以增加?xùn)艠O氧化層相對的外延層內(nèi)耗盡層的寬度，進而改變柵極氧化層下的耗盡區(qū)的形狀，降低所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的電容值，提高 VDMOS的開關(guān)速度；
進一步地，所述抬高柵極氧化層的形狀可為梯形、矩形或三角形，以調(diào)整增加的抬高柵極氧化層對VDMOS晶體管的電性參數(shù)的影響。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)VDMOS器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明一個實施例的VDMOS器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3至圖10是本發(fā)明一個實施例的VDMOS器件形成方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式現(xiàn)有技術(shù)需要通過降低柵極和漏極間的電容值，以提高VDMOS的開關(guān)速度。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種VDMOS器件，包括襯底，所述襯底包括正面及與所述正面相對的背面；位于所述襯底正面的外延層；位于所述外延層表面的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極氧化層及位于柵極氧化層表面的柵極多晶硅層；分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)外延層內(nèi)的阱區(qū)及位于阱區(qū)內(nèi)的源區(qū)；位于所述襯底背面的漏極金屬層。其中，所述柵極氧化層包括底部柵極氧化層及位于所述底部柵極氧化層表面的抬高柵極氧化層，所述抬高柵極氧化層用以增加所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的柵極氧化層厚度，降低所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的電容值；與所述柵極氧化層相對的外延層內(nèi)形成有離子摻雜區(qū)，所述離子摻雜區(qū)的摻雜離子類型與所述阱區(qū)的摻雜離子類型相同。通過在底部柵極氧化層表面形成抬高柵極氧化層，以增加所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的柵極氧化層厚度，降低所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的電容值；且通過在與所述柵極氧化層相對的外延層內(nèi)形成離子摻雜區(qū)，所述離子摻雜區(qū)與阱區(qū)的離子摻雜類型相同，以增加?xùn)艠O氧化層相對的外延層內(nèi)耗盡層的寬度，降低所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的電容值，提高VDMOS的開關(guān)速度。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。如圖2所示為本發(fā)明一個實施例的VDMOS器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括襯底110，所述襯底110具有正面及與正面相對的背面，其中，所述正面形成有器件區(qū)；位于所述襯底Iio正面的外延層120，所述襯底110與外延層120構(gòu)成基底100。繼續(xù)參考圖2，位于所述外延層120表面的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極氧化層300及依次位于柵極氧化層300表面的柵極多晶硅層400及柵極金屬層620 ；位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)外延層110內(nèi)的阱區(qū)500及位于阱區(qū)500內(nèi)的源區(qū)510，及位于源區(qū)510表面的源極金屬層610 ；位于襯底110背面的漏極金屬層630。所述柵極多晶硅層400與柵極金屬層 620構(gòu)成了 VDMOS器件的柵極G，所述源區(qū)510與源極金屬層610共同構(gòu)成了 VDMOS器件的源極S，所述半導(dǎo)體基底100與漏極金屬層630共同構(gòu)成了 VDMOS器件的漏極D。所述源區(qū) 510的載流子通過阱區(qū)500后，以垂直基底100表面方向流向漏極D，以利于提高擊穿電壓，并能節(jié)約芯片面積。其中，所述柵極氧化層300包括底部柵極氧化層310及位于所述底部柵極氧化層 310表面的抬高柵極氧化層320，所述抬高柵極氧化層320用以增加所述柵極多晶硅層400 和所述漏極金屬層630間的柵極氧化層厚度，降低所述柵極多晶硅層400和所述漏極金屬層630間的電容值。且與所述柵極氧化層300下方的外延層120內(nèi)形成有離子摻雜區(qū)130， 所述離子摻雜區(qū)130的摻雜離子類型與所述阱區(qū)500的摻雜離子類型相同。其中，所述底部柵極氧化層310的厚度范圍為800 2500埃，所述抬高柵極氧化層320的厚度范圍為 100 1200埃。所述離子摻雜區(qū)130的摻雜濃度范圍為1E15 lE17cm_2。其中，所述底部柵極氧化層310的寬度大于所述抬高柵極氧化層320的寬度，即使得所述抬高柵極氧化層320在厚度方面的影響大于在寬度方面對VDMOS器件的電學(xué)性能的影響。所述抬高柵極氧化層320的形狀為梯形、矩形或者三角形，通過形狀來調(diào)整增加抬高柵極氧化層對VDMOS晶體管的電性參數(shù)的影響。即一方面降低所述柵極多晶硅層400和所述漏極金屬層630間的電容值，提高VDMOS的開關(guān)速度，另一方面不會因增加的所述抬高柵極氧化層320降低其他的電學(xué)性能參數(shù)，如飽和電流、閾值電壓等參數(shù)。進一步地，通過在與所述柵極氧化層300相對的外延層120內(nèi)形成離子摻雜區(qū) 130，所述離子摻雜區(qū)130與阱區(qū)500的離子摻雜類型相同，增加了柵極氧化層300相對的外延層120內(nèi)耗盡層的寬度。因為所述耗盡層為電中性，與未形成耗盡層的外延層相比，相當(dāng)于降低介電系數(shù)，所以增加耗盡層厚度可以降低所述柵極多晶硅層400和所述漏極金屬層630間的電容值，提高VDMOS的開關(guān)速度。針對上述VDMOS器件，本發(fā)明還提供一種VDMOS器件的形成方法，包括提供襯底，所述襯底包括正面及與所述正面相對的背面，及位于所述襯底正面的外延層；在所述外延層表面形成柵極氧化層，所述柵極氧化層包括底部柵極氧化層及位于所述底部柵極氧化層表面的抬高柵極氧化層；形成位于柵極氧化層表面的柵極多晶硅層，所述柵極氧化層及柵極多晶硅層構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)；形成分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)外延層內(nèi)的阱區(qū)及位于阱區(qū)內(nèi)的源區(qū)；形成位于所述襯底背面的漏極金屬層；還包括通過離子摻雜，在所述外延層內(nèi)形成離子摻雜區(qū)，所述離子摻雜區(qū)位于所述柵極氧化層下方，且所述離子摻雜區(qū)的摻雜離子類型與所述阱區(qū)的摻雜離子類型相同。圖3至圖10是本發(fā)明一個實施例的VDMOS器件形成方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，首先提供襯底10，所述襯底10具有正面及與正面相對的背面，所述襯底10正面形成有外延層11。所述襯底10和外延層11構(gòu)成基底。所述襯底10和外延層 11導(dǎo)電類型相同。進一步地，所述基底內(nèi)還形成有隔離結(jié)構(gòu)(未圖示)，用于對相鄰的VDMOS器件進行電學(xué)絕緣，所述隔離結(jié)構(gòu)高于基底表面形成有一定高度。如圖4所示，在所述外延層11表面沉積第一犧牲層12 ；并刻蝕所述犧牲層12形成第一開口 12a，所述開口 1 暴露出部分的所述外延層11表面，對第一開口 12a內(nèi)暴露出的所述外延層11進行離子摻雜，在所述外延層13內(nèi)形成所述離子摻雜區(qū)13。所述離子摻雜區(qū)13位于后續(xù)形成的柵極氧化層下方，且所述離子摻雜區(qū)13的摻雜離子類型與后續(xù)形成的阱區(qū)的摻雜離子類型相同，以增加位于外延層11內(nèi)耗盡層的厚度。所述離子摻雜區(qū) 11內(nèi)的摻雜濃度范圍為1E15 IEl7cm"20形成所述離子摻雜區(qū)13后包括去除所述第一犧牲層12。如圖5所示，在所述外延層11表面沉積第一氧化層20 ；如圖6所示，接著在所述第一氧化層20表面沉積第二犧牲層30，所述第二犧牲層30內(nèi)形成第二開口 31，所述第二開口 31暴露出所述第一氧化層20 ；如圖7所示，填充第二開口 31，形成抬高柵極氧化層41。 形成抬高柵極氧化層41后，還包括去除所述第二犧牲層30。后續(xù)地，對第一氧化層20進行刻蝕，形成底部柵極氧化層。本實施例中，所述第一氧化層20的刻蝕與后續(xù)的柵極多晶硅層為一步刻蝕工藝完成。作為其他實施例，還可以在所述外延層11表面沉積氧化材料，并對所述氧化材料進行一次或多次圖案化，形成底部柵極氧化層及位于所述底部柵極氧化層表面的抬高柵極氧化層，所述底部柵極氧化層及抬高柵極氧化層的圖形可通過圖案化的工藝參數(shù)控制。如圖8所示，形成多晶硅層50，所述多晶硅層50位于所述第一氧化層20表面，同時覆蓋所述抬高柵極氧化層41。如圖9所示，圖案化圖8所示的第一氧化層20及多晶硅層50，在所述外延層11表面形成圖9所示的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極氧化層40及柵極多晶硅層51。其中， 所述柵極氧化層40包括底部柵極氧化層42及位于所述底部柵極氧化層42表面的抬高柵極氧化層41。所述底部柵極氧化層42的寬度大于所述抬高柵極氧化層41的寬度。繼續(xù)參考圖9，通過離子摻雜工藝，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的外延層11內(nèi)形成阱區(qū) 70及位于阱區(qū)70內(nèi)的源區(qū)80。繼續(xù)參考圖9，還包括在柵極多晶硅層51表面形成柵極金屬層92，源區(qū)80表面的源極金屬層91，及位于襯底10背面的漏極金屬層93。所述柵極多晶硅層51與柵極金屬層 92構(gòu)成了 VDMOS器件的柵極G，所述源區(qū)80與源極金屬層91共同構(gòu)成了 VDMOS器件的源極S，所述半導(dǎo)體基底與漏極金屬層93共同構(gòu)成了 VDMOS的漏極D。上述實施例中形成的抬高柵極氧化層的形狀為矩形，作為其他實施例，所述抬高柵極氧化層的形狀還可以為梯形或者三角形。如圖10所示出的抬高柵極氧化層41'的形狀為梯形。本實施例中，所述離子摻雜區(qū)13的離子摻雜在形成所述柵極氧化層40前進行。作為其他實施例，所述離子摻雜區(qū)13的離子摻雜還可以在形成所述柵極氧化層40后進行，包括形成所述柵極氧化層40及柵極多晶硅層51，接著斷開所述柵極多晶硅層51，暴露出部分的柵極氧化層40 ；通過離子摻雜，在所述暴露出的柵極氧化層下方的襯底內(nèi)形成離子摻雜區(qū)13。與在形成所述柵極氧化層40后進行離子摻雜相比，形成所述柵極氧化層40前進行離子摻雜可以避免所述柵極氧化層40對離子摻雜效果的減弱，也避免因同時對柵極氧化層40進行離子摻雜，對柵極氧化層40絕緣效果的削弱。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點通過在底部柵極氧化層表面形成抬高柵極氧化層，以增加所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的柵極氧化層厚度，降低所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的電容值，提高VDMOS的開關(guān)速度；通過在與所述柵極氧化層相對的外延層內(nèi)形成離子摻雜區(qū)，所述離子摻雜區(qū)與阱區(qū)的離子摻雜類型相同，以增加?xùn)艠O氧化層相對的外延層內(nèi)耗盡層的厚度，進而改變柵極氧化層下的耗盡區(qū)的形狀，降低所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的電容值，提高 VDMOS的開關(guān)速度；進一步地，所述抬高柵極氧化層的形狀可為梯形、矩形或三角形，以調(diào)整增加的抬高柵極氧化層對VDMOS晶體管的電性參數(shù)的影響。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種VDMOS器件，其特征在于，包括襯底，所述襯底包括正面及與所述正面相對的背面；位于所述襯底正面的外延層；位于所述外延層表面的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵極氧化層及位于柵極氧化層表面的柵極多晶硅層；分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)外延層內(nèi)的阱區(qū)及位于阱區(qū)內(nèi)的源區(qū)；位于所述襯底背面的漏極金屬層；其特征在于，所述柵極氧化層包括底部柵極氧化層及位于所述底部柵極氧化層表面的抬高柵極氧化層，所述抬高柵極氧化層用以增加所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的柵極氧化層厚度，降低所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的電容值；與所述柵極氧化層相對的外延層內(nèi)形成有離子摻雜區(qū)，所述離子摻雜區(qū)的摻雜離子類型與所述阱區(qū)的摻雜離子類型相同。
2.如權(quán)利要求1所述的VDMOS器件，其特征在于，所述底部柵極氧化層的寬度大于所述抬高柵極氧化層的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的VDMOS器件，其特征在于，所述抬高柵極氧化層的形狀為梯形、 矩形或者三角形。
4.如權(quán)利要求1所述的VDMOS器件，其特征在于，所述底部柵極氧化層的厚度范圍為 800 2500埃，所述抬高柵極氧化層的厚度范圍為100 1200埃。
5.如權(quán)利要求1所述的VDMOS器件，其特征在于，所述離子摻雜區(qū)的摻雜濃度范圍為 1E15 lE17cm_2。
6.一種VDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括提供襯底，所述襯底包括正面及與所述正面相對的背面，及位于所述襯底正面的外延層；在所述外延層表面形成柵極氧化層，所述柵極氧化層包括底部柵極氧化層及位于所述底部柵極氧化層表面的抬高柵極氧化層；形成位于柵極氧化層表面的柵極多晶硅層，所述柵極氧化層及柵極多晶硅層構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)；形成分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)外延層內(nèi)的阱區(qū)及位于阱區(qū)內(nèi)的源區(qū)；形成位于所述襯底背面的漏極金屬層；其中還包括通過離子摻雜，在所述外延層內(nèi)形成離子摻雜區(qū)，所述離子摻雜區(qū)位于所述柵極氧化層下方，且所述離子摻雜區(qū)的摻雜離子類型與所述阱區(qū)的摻雜離子類型相同。
7.如權(quán)利要求6所述的VDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述離子摻雜在形成所述柵極氧化層前進行。
8.如權(quán)利要求6所述的VDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述離子摻雜在形成所述柵極氧化層后進行，包括形成所述柵極氧化層及柵極多晶硅層，接著斷開所述柵極多晶硅層，暴露出部分的柵極氧化層；通過離子摻雜，在所述暴露出的柵極氧化層下方的襯底內(nèi)形成離子摻雜區(qū)。
9.如權(quán)利要求6所述的VDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述在所述外延層表面形成柵極氧化層包括在所述多晶硅表面沉積氧化層，并對所述氧化層進行一次或多次圖案2化，形成底部柵極氧化層及位于所述底部柵極氧化層表面的抬高柵極氧化層。
10.如權(quán)利要求6所述的VDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述在所述外延層表面形成抬高柵極氧化層包括在所述多晶硅表面沉積氧化層；接著在所述氧化層表面沉積犧牲層，并刻蝕所述犧牲層形成開口，所述開口暴露出部分所述氧化層；填充所述開口，形成抬高柵極氧化層。
11.如權(quán)利要求6所述的VDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述在所述外延層內(nèi)形成離子摻雜區(qū)包括在所述外延層表面沉積犧牲層；刻蝕所述犧牲層形成開口，所述開口暴露出所述外延層表面，對開口內(nèi)暴露出的所述外延層進行離子摻雜，在所述外延層內(nèi)形成所述離子摻雜區(qū)。
12.如權(quán)利要求6所述的VDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述底部柵極氧化層的寬度大于所述抬高柵極氧化層的寬度。
13.如權(quán)利要求6所述的VDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述抬高柵極氧化層的形狀為梯形、矩形或者三角形。
全文摘要
本發(fā)明提供一種VDMOS器件，包括襯底及外延層；位于所述外延層的柵極氧化層及柵極多晶硅層；外延層內(nèi)的阱區(qū)及位于阱區(qū)內(nèi)的源區(qū)；所述柵極氧化層包括底部柵極氧化層及位于所述底部柵極氧化層表面的抬高柵極氧化層，與所述柵極氧化層相對的外延層內(nèi)形成有離子摻雜區(qū)，其摻雜類型與所述阱區(qū)的摻雜離子類型相同。通過形成抬高柵極氧化層，以增加所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的柵極氧化層厚度，降低所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的電容值，提高VDMOS的開關(guān)速度；通過所述離子摻雜區(qū)以增加?xùn)艠O氧化層相對的外延層內(nèi)耗盡層的寬度，降低所述柵極多晶硅層和所述漏極金屬層間的電容值，提高VDMOS的開關(guān)速度。
文檔編號H01L29/423GK102339867SQ20111033526
公開日2012年2月1日 申請日期2011年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月28日
發(fā)明者王磊 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司