專利名稱：解封集成電路封裝體的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種解封集成電路封裝體的方法。更特定來說，本發(fā)明涉及一種解封集成電路封裝體的方法，而暴露出其中的目標集成電路，同時又不會實質上傷害目標集成電路。
背景技術：
在集成電路制造完成之后，需要將集成電路封裝以避免外界環(huán)境的傷害。一但集成電路芯片或是晶粒被模塑材料或是封裝材料封裝起來而成為集成電路封裝體后，就很難再次打開封裝材料又不傷害里面的目標集成電路。圖I繪示出一種移除公知封裝體，以暴露出其中的目標集成電路的方法。如圖I所 繪示，整個集成電路封裝體10浸泡在腐蝕溶液20中，其通常為一種強酸，而刻蝕有機封裝材料11，而暴露出其中的集成電路12，例如互連組件。然而，一但集成電路暴露出來之后，就幾乎不太可能再淬熄刻蝕反應，所以集成電路12就幾乎一定會嚴重地受到傷害。另一種方法則是將腐蝕溶液20放在集成電路封裝體10的上面，來刻蝕有機封裝材料11。第2圖繪示出另一種刻蝕封裝體，以暴露出其中的目標集成電路的公知方法。為了避免不必要的副反應，通常使用掩膜13來覆蓋集成電路封裝體10的周邊區(qū)域，所以只有集成電路封裝體10暴露出來的區(qū)域會被刻蝕。盡管有屏蔽13的保護，仍然會發(fā)生不良的側刻蝕，所以其中的集成電路12還是會受到傷害。當受損的集成電路12接受后續(xù)的測試時，例如電路編寫或是修復步驟時，受損的集成電路12則是一點用也沒有。

發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明提出一種解封集成電路封裝體的新穎方法，而打開封裝材料的時候不需要使用掩膜。本發(fā)明方法可以移除外部的有機封裝材料，暴露出其中的集成電路，同時又不會實質上傷害集成電路。首先，提供一集成電路封裝體。集成電路封裝體包含至少一電路與包圍電路的一封裝材料。其次，連續(xù)地提供又同時排除一腐蝕溶液。腐蝕溶液得以刻蝕封裝材料，并連續(xù)地接觸封裝材料的一預定區(qū)域，而刻蝕封裝材料。因此，腐蝕溶液會從預定區(qū)域移除封裝材料，并使得集成電路封裝體中的電路因此暴露出來。在本發(fā)明一實施例中，腐蝕溶液包含一種酸。在本發(fā)明另一實施例中，加熱酸以增高溫度。在本發(fā)明另一實施例中，酸包含硝酸。在本發(fā)明另一實施例中，酸包含硫酸。在本發(fā)明另一實施例中，電路包含一種鋁/金合金。在本發(fā)明另一實施例中，封裝材料包含一種環(huán)氧樹脂。在本發(fā)明另一實施例中，在無刻蝕掩膜的存在下移除封裝材料。在本發(fā)明另一實施例中，在一監(jiān)視器存在下移除封裝材料。
在本發(fā)明另一實施例中，使用一滴管以提供腐蝕溶液。在本發(fā)明另一實施例中，在刻蝕封裝材料時，提供一抽吸裝置，以排除腐蝕溶液。在本發(fā)明另一實施例中，集成電路封裝體置放在一可調整位置的操作臺上。在本發(fā)明另一實施例中，移除封裝材料使得集成電路封裝體被部份地解封。在本發(fā)明另一實施例中,還可以使用一清潔溶液潤洗集成電路封裝體。在本發(fā)明另一實施例中，還可以在移除封裝材料前潤洗集成電路封裝體。在本發(fā)明另一實施例中，還可以在移除封裝材料后潤洗集成電路封裝體。在本發(fā)明另一實施例中，清潔溶液包含去離子水。在本發(fā)明另一實施例中，清潔溶液包含丙酮。在本發(fā)明另一實施例中，還可以處理電路。在本發(fā)明另一實施例中，處理電路方法包含一電路編寫。在本發(fā)明另一實施例中，使用一聚焦離子束以進行電路編寫。


本說明書含有附圖并于文中構成了本說明書的一部分，使閱者對本發(fā)明實施例有進一步的了解。所述圖示描繪了本發(fā)明一些實施例并連同本文描述一起說明了其原理。在所述圖示中 圖I繪示出一種刻蝕公知封裝體，以暴露出其中的目標集成電路的方法。圖2繪示出另一種刻蝕公知封裝體，以暴露出其中的目標集成電路的方法。圖3至圖8繪示出本發(fā)明一種解封集成電路封裝體的方法。須注意本說明書中的所有圖示皆為圖例性質。為了清楚與方便圖標說明之故，圖標中的各部件在尺寸與比例上可能會被夸大或縮小地呈現(xiàn)。圖中相同的參考符號一般而言會用來標示修改后或不同實施例中對應或類似的特征。其中，附圖標記說明如下10 集成電路封裝體11 有機封裝材料12 集成電路13 掩膜20 腐蝕溶液100封裝體101電路組件102封裝材料110腐蝕性溶液120 滴管121抽吸裝置140監(jiān)視器150操作平臺160清潔溶液170處理裝置
具體實施例方式本發(fā)明提供一種解封集成電路封裝體的方法，在打開封裝材料的時候不需要使用掩膜，同時又不會實質上傷害集成電路，而又可以暴露出其中的集成電路芯片或是晶粒。請參考圖3-8，其繪示出本發(fā)明一種開封集成電路封裝體的方法。如圖3所示，提供一封裝體100。封裝體100通常為一種集成電路芯片封裝體。封裝體100包含至少一電路組件101與一封裝材料102。封裝材料102用來包圍電路組件101，而與外界環(huán)境隔絕。電路組件101可以包含一互連結構，互連結構可以包含一種金屬或是合金，例如鋁/金合金，或是集成電路的其它任何組件。封裝材料102可以包含一種有機材料，例如環(huán)氧樹脂。其次，如圖4所示，提供一種腐蝕性溶液110。腐蝕性溶液110得以刻蝕封裝材料102。在本發(fā)明一實施例中，腐蝕性溶液110包含一種酸，例如硝酸。在本發(fā)明另 一實施例中，腐蝕性溶液110還可以包含另一種不同的酸，例如硫酸，所以腐蝕性溶液110可以是一種混合酸。在本發(fā)明又一實施例中，例如還可以加熱腐蝕性溶液110，以增高腐蝕性溶液110的溫度與加速化學反應。視情況需要，如圖4A所示，在本發(fā)明另一實施例中，還可以在進入下一步驟前，例如刻蝕反應前，先使用一清潔溶液160潤洗封裝體100，以清潔封裝體100的表面。本發(fā)明的特征之一在于，在刻蝕封裝材料102時，會一面持續(xù)地提供腐蝕性溶液110使其直接地接觸封裝材料102，同時又一面排除腐蝕性溶液110。由于一面排除腐蝕性溶液110而直接接觸封裝材料102的腐蝕性溶液110 —直都不多，所以可以在無須掩膜的條件下刻蝕封裝材料102。因此，在封裝材料102完成刻蝕之后，后續(xù)剝除屏蔽的步驟就不必進行了。另外，由于直接接觸封裝材料102的腐蝕性溶液110 —直都不多，還可以在控制良好的情況下刻蝕封裝材料102的一預定區(qū)域。例如，請參考圖4所示,經由滴管120以持續(xù)地提供腐蝕溶液110,而小心地控制刻蝕封裝材料102時的刻蝕速率，同時又在刻蝕封裝材料102時，在附近提供一抽吸裝置130，以持續(xù)地排除腐蝕溶液110。只要是能夠提供足量地流動腐蝕溶液110刻蝕封裝材料102，就可以視情況調整腐蝕溶液110的流量或是排量。在本發(fā)明另一實施例中，請參考圖5所示，在需要輔助裝置的情形下，還可以提供監(jiān)視器140來持續(xù)追蹤刻蝕的過程。在本發(fā)明又一實施例中，請參考圖5A所示，還可以將封裝體100置放在一個操作臺上，例如可調整位置的操作平臺150上?？烧{整操作平臺150的位置，方便實施本發(fā)明。請參考圖6所示，在幾次循環(huán)后，就可以充分地移除封裝材料102，使得集成電路封裝體100被部份地解封，至于封裝體100中的電路組件101就實質上暴露了出來。由于可以經由新鮮腐蝕性溶液的110間歇釋放來調整并控制刻蝕速率，就可以充分地移除封裝材料102，同時又不會讓封裝體100中的電路組件101實質上受到傷害，而可以進行后續(xù)的操作。如果需要淬熄刻蝕反應，在本發(fā)明另一實施例中，還可以在刻蝕步驟后又使用清潔溶液160潤洗封裝體100，而帶走任何殘余的腐蝕性溶液的110，如圖7所示。清潔溶液160可以包含去離子水，或是清潔溶液160還可以包含丙酮，所以清潔溶液160可以是一種混合溶液。
由于封裝體100中的電路組件101此時已實質上暴露出來但又實質上未受到傷害，所以還可以進一步來處理電路。如圖8所示，電路組件101可以在處理裝置170中接受處理，例如電路編寫。例如，處理裝置170可以產生聚焦離子束以進行電路編寫。一般說來，聚焦離子束可以用來調整電路組件101。聚焦離子束編寫(FIB editor)指的是在原有的電路上，利用聚焦離子束的挖切及連接功能，將原有的功能改變，例如將DDR2變成DDR3、靜電放電(ESD)線路繞道、加快速度或解決現(xiàn)有問題、快速驗證新光掩膜的功能、加速量產…等
坐寸o以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權利要求所做的均等變化與修 飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權利要求
1.一種解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，包含 提供至少ー電路和包圍電路的封裝材料的集成電路封裝體； 提供并同時排除腐蝕溶液，所述腐蝕溶液連續(xù)地接觸封裝材料的預定區(qū)域，刻蝕封裝材料；以及 移除所述封裝材料并實質上暴露所述電路。
2.如權利要求I所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，所述封裝材料包含ー種環(huán)氧樹脂。
3.如權利要求I所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，所述的腐蝕溶液包含ー種酸。
4.如權利要求I所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，加熱所述的酸以增高溫度。
5.如權利要求3所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，所述的酸包含硝酸或硫酸。
6.如權利要求I所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，所述的電路包含鋁/近合金。
7.如權利要求I所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，在無刻蝕掩膜的存在下移除所述封裝材料。
8.如權利要求I所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，在監(jiān)視器存在下移除所述封裝材料。
9.如權利要求I所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，使用滴管以提供所述腐蝕溶液。
10.如權利要求I所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，更包含在刻蝕封裝材料時，提供抽吸裝置，以排除腐蝕溶液。
11.如權利要求I所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，所述集成電路封裝體置放在一可調整位置的操作臺上。
12.如權利要求I所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，移除所述封裝材料，使得所述集成電路封裝體被部份地解封。
13.如權利要求I所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，更包含使用清潔溶液潤洗所述集成電路封裝體。
14.如權利要求14所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，更包含在移除所述封裝材料之前與移除所述封裝材料之后均潤洗所述集成電路封裝體。
15.如權利要求13所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，所述清潔溶液包含去離子水或丙酮。
16.如權利要求I所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，更包含處理所述電路的電路編與。
17.如權利要求16所述的解封集成電路封裝體的方法，其特征在于，使用聚焦離子束以進行所述的電路編寫。
全文摘要
本發(fā)明公開一種解封集成電路封裝體的方法。首先，提供集成電路封裝體，集成電路封裝體包含至少一電路與包圍電路的封裝材料。其次，連續(xù)的提供和排除腐蝕溶液，且所述腐蝕溶液連續(xù)的接觸封裝材料的預定區(qū)域而刻蝕封裝材料。透過腐蝕溶液從預定區(qū)域移除封裝材料，集成電路封裝體中的電路因此暴露出來。
文檔編號H01L21/00GK102779722SQ20111034008
公開日2012年11月14日 申請日期2011年11月1日 優(yōu)先權日2011年5月12日
發(fā)明者劉獻文, 謝明燈, 陳逸男 申請人:南亞科技股份有限公司