專利名稱：隔離型高耐壓場效應(yīng)管及版圖結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，特別涉及一種隔離型高耐壓場效應(yīng)管及版圖結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前所使用的高耐壓場效應(yīng)管通常是在P型硅基板襯底301上形成的非隔離型高耐壓N型場效應(yīng)管，截面如圖2所示，P型硅基板襯底301進(jìn)行N型注入形成有N型漂移區(qū)302，源區(qū)位于N型漂移區(qū)302外，使得場效應(yīng)管的襯底P型阱303與P型硅基板襯底301連在一起。漏區(qū)漂移區(qū)403用N+有源區(qū)307引出，形成漏區(qū)401，漏區(qū)漂移區(qū)403中生成有場氧隔離305，場氧隔離305的下方形成有與漏區(qū)漂移區(qū)403離子注入類型不同的P型摻雜區(qū)304。源端由N+有源區(qū)306形成，場效應(yīng)管的襯底P型阱303引出P+有源區(qū)308，N+有源區(qū)306和P+有源區(qū)308用金屬連在一起，形成源區(qū)402。源區(qū)402下也形成有P型摻雜區(qū)，和漏區(qū)場氧隔離305下的P型摻雜304保持一定距離。在漏區(qū)場氧隔離305上方，覆蓋有多晶硅場板309，這個(gè)場板和柵極多晶硅是同一個(gè)多晶硅形成柵極，并覆蓋在漏區(qū)P型摻雜區(qū)304和源區(qū)中的P型摻雜區(qū)上。在靠近漏區(qū)的場氧隔離305上覆蓋有多晶硅310，用金屬鋁312和漏區(qū)401引出的N+有源區(qū)307連在一起，形成漏區(qū)場板。在源區(qū)的金屬場板311邊上,離一定距離放置另一根金屬場板313,金屬場板313和柵極多晶娃連在一起。上述非隔離型場效應(yīng)管的平面版圖結(jié)構(gòu)如圖1所示，源區(qū)多晶硅場板及柵極309為非閉合結(jié)構(gòu)，B-B和C-C處的截面如圖2結(jié)構(gòu)。上述非隔離型高耐壓場效應(yīng)管的襯底無法和硅基板襯底隔離開，在某些電路設(shè)計(jì)中，要求源區(qū)接一定電位的情況下就無法使用，而上述結(jié)構(gòu)無法實(shí)現(xiàn)。在提高耐壓方面，現(xiàn)有的非隔離型高耐壓場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)中，圖1所示的漏區(qū)漂移區(qū)位置A-A截面采用圖3所示結(jié)構(gòu)，即P型硅基板襯底襯底301和N型漂移區(qū)302進(jìn)行耐壓，由于是完全PN結(jié)耗盡來耐受高壓，為了提供足夠的耗盡區(qū)來承受足夠的耐壓，需要的P型襯底區(qū)域比較大，會造成整個(gè)器件的面積偏大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種隔離型高耐壓場效應(yīng)管，可以實(shí)現(xiàn)場效應(yīng)管的襯底和硅基板襯底的隔離，解決某些電路設(shè)計(jì)中需要源區(qū)接一定電位的應(yīng)用。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的隔離型高耐壓場效應(yīng)管的技術(shù)方案為:在具有第一導(dǎo)電類型的硅基板襯底上形成一具有與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，所述漂移區(qū)中包括漏區(qū)漂移區(qū)，所述漏區(qū)漂移區(qū)由具有第二導(dǎo)電類型的第一有源區(qū)引出形成漏區(qū)，漏區(qū)漂移區(qū)中生成有場氧隔離，場氧隔離的下方形成具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)；所述硅基板襯底中形成具有第一導(dǎo)電類型的阱區(qū)，阱區(qū)由具有第一導(dǎo)電類型的第三有源區(qū)引出，源端由具有第二導(dǎo)電類型的第二有源區(qū)形成，第二有源區(qū)和第三有源區(qū)相連接形成源區(qū)，源區(qū)下方形成有具有第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)，第二摻雜區(qū)和場氧隔離下的第一摻雜區(qū)之間有一段距離；所述源區(qū)位于漂移區(qū)的內(nèi)部，阱區(qū)與硅基板襯底被漂移區(qū)隔離。進(jìn)一步地，所述場氧隔離靠近源區(qū)的一端上方覆蓋有源區(qū)多晶硅場板，所述源區(qū)多晶硅場板和柵極多晶硅是同一個(gè)多晶硅形成柵極，其一端覆蓋在第一摻雜區(qū)靠近源區(qū)的區(qū)域上，另一端覆蓋在第二摻雜區(qū)靠近漏區(qū)漂移區(qū)的區(qū)域上；所述場氧隔離靠近漏區(qū)的一端上方覆蓋有漏區(qū)多晶硅場板，所述漏區(qū)多晶硅場板通過金屬場板和第一有源區(qū)相連接；與金屬場板相距一段距離處設(shè)有金屬場板，所述金屬場板和柵極多晶硅連接。在上述結(jié)構(gòu)中，所述第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型，或者所述第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型。本發(fā)明還要解決的技術(shù)問題是提供一種隔離型高耐壓場效應(yīng)管的版圖結(jié)構(gòu)，可以提供高耐壓，同時(shí)減小高耐壓區(qū)域的面積。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的隔離型高耐壓場效應(yīng)管版圖結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案為:包括漏區(qū)、源區(qū)、漏區(qū)漂移區(qū)、漂移區(qū)、源區(qū)多晶硅場板及柵極多晶硅和漏區(qū)多晶硅場板，所述源區(qū)多晶硅場板、柵極多晶硅和漏區(qū)多晶硅場板均為閉合的多邊形結(jié)構(gòu)，且漏區(qū)多晶硅場板位于源區(qū)多晶硅場板及柵極多晶硅的內(nèi)部，所述漏區(qū)位于閉合的漏區(qū)多晶硅場板內(nèi)，漏區(qū)漂移區(qū)位于源區(qū)多晶硅場板及柵極多晶硅和漏區(qū)多晶硅場板之間，源區(qū)位于閉合的源區(qū)多晶硅場板及柵極多晶硅外，所述源區(qū)和漏區(qū)位于漂移區(qū)內(nèi)，源區(qū)與硅基板襯底被漂移區(qū)隔離。進(jìn)一步地，所述源區(qū)多晶硅場板及柵極多晶硅為內(nèi)外雙層U型結(jié)構(gòu)，且內(nèi)外雙層通過圓弧場板連接；所述漏區(qū)多晶硅場板也為內(nèi)外雙層U型結(jié)構(gòu)，內(nèi)外雙層通過圓弧場板連接，且漏區(qū)多晶硅場板位于源區(qū)多晶硅場板及柵極多晶硅的內(nèi)外雙層U型結(jié)構(gòu)之間。其中，位于源區(qū)多晶硅場板及柵極多晶硅和漏區(qū)多晶硅場板的U型內(nèi)層底部圓弧處的場效應(yīng)管，所述硅基板襯底中形成具有第一導(dǎo)電類型的阱區(qū)，阱區(qū)由具有第一導(dǎo)電類型的第三有源區(qū)引出，源端由具有第二導(dǎo)電類型的第二有源區(qū)形成，第二有源區(qū)和第三有源區(qū)相連接形成源區(qū)，源區(qū)下方形成有具有第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)；具有第一導(dǎo)電類型的硅基板襯底上形成一具有與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，所述漂移區(qū)中包括漏區(qū)漂移區(qū)，所述漏區(qū)漂移區(qū)由具有第二導(dǎo)電類型的第一有源區(qū)引出形成漏區(qū)，漏區(qū)漂移區(qū)中生成有場氧隔離，場氧隔離的下方形成具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)，第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)之間有一段距離，所述漂移區(qū)位于源區(qū)和漏區(qū)下方，場氧隔離的一端位于漏區(qū)下方的漂移區(qū)上，另一端位于源區(qū)下方的漂移區(qū)上，第一摻雜區(qū)遠(yuǎn)離漏區(qū)的一端位于漏區(qū)下方的漂移區(qū)外，且與硅基板襯底連接；所述源區(qū)位于漂移區(qū)的內(nèi)部，阱區(qū)和第二摻雜區(qū)位于源區(qū)下方的漂移區(qū)內(nèi)，與硅基板襯底之間通過漂移區(qū)隔離；未注入漂移區(qū)的場氧隔離下方形成有多個(gè)隔離耐壓環(huán)。進(jìn)一步地，所述隔離耐壓環(huán)包括具有第一導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)和具有第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，第三摻雜區(qū)與場氧隔離連接，漂移區(qū)下方和隔離耐壓環(huán)之間為硅基板襯底。所述隔離耐壓環(huán)之間的間距為Ium 20um。所述第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型，或者所述第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型。本發(fā)明的有益效果在于:
1.本發(fā)明的隔離型高耐壓場效應(yīng)管可以實(shí)現(xiàn)場效應(yīng)管的襯底和硅基板的襯底隔離，場效應(yīng)管的襯底的電位將可以不受硅基板襯底的電位影響，獨(dú)立加電位；2.本發(fā)明的版圖結(jié)構(gòu)中，利用源區(qū)整個(gè)包圍漏區(qū)，并在拐角處用圓弧連接，還增加多個(gè)高耐壓的隔離耐壓環(huán)，可以提供遠(yuǎn)高于高耐壓場效應(yīng)管擊穿的耐壓，避免該處高壓電位在外，低壓電位在內(nèi)，電力線集中影響擊穿電壓的問題，在減小器件面積的同時(shí)保證承受聞耐壓。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:圖1是現(xiàn)有非隔離型高耐壓場效應(yīng)管的平面版圖結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1中B-B處和C-C處的非隔離型高耐壓場效應(yīng)管的截面示意圖；圖3是圖1中A-A處的非隔離型高耐壓場效應(yīng)管的截面示意圖；圖4是本發(fā)明隔離型高耐壓場效應(yīng)管的平面版圖結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是圖4中K -B'處和CT -CT處的隔離型高耐壓場效應(yīng)管的截面示意圖；圖6是圖4中V -A'處的隔離型高耐壓場效應(yīng)管的截面示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的隔離型高耐壓場效應(yīng)管，如圖5所示，在P型硅基板襯底101上形成N型的漂移區(qū)102，所述漂移區(qū)102中包括漏區(qū)漂移區(qū)203，所述漏區(qū)漂移區(qū)203由N型的第一有源區(qū)107引出形成漏區(qū)201，漏區(qū)漂移區(qū)203中生成有場氧隔離105，場氧隔離105的下方形成P型的第一摻雜區(qū)104，在漏區(qū)201加高壓時(shí)，P型第一摻雜區(qū)104提供空穴更容易和漏區(qū)漂移區(qū)203中的電子中和，產(chǎn)生耗盡區(qū)以提高漏區(qū)201的耐壓。P型硅基板襯底101中形成P型的阱區(qū)103，阱區(qū)103由P型的第三有源區(qū)108引出，源端由N型的第二有源區(qū)106形成，第二有源區(qū)106和第三有源區(qū)108相連接形成源區(qū)202，源區(qū)202下方形成有P型的第二摻雜區(qū)104a，第二摻雜區(qū)104a和場氧隔離105下的第一摻雜區(qū)104之間有一段距離。所述源區(qū)202位于漂移區(qū)102的內(nèi)部，阱區(qū)103與P型硅基板襯底101被N型漂移區(qū)102隔離。場氧隔離105靠近源區(qū)202的一端上方覆蓋有源區(qū)多晶硅場板109，源區(qū)多晶硅場板109和柵極多晶硅109a是同一個(gè)多晶硅形成柵極，其一端覆蓋在第一摻雜區(qū)104靠近源區(qū)202的區(qū)域上，另一端覆蓋在第二摻雜區(qū)104a靠近漏區(qū)漂移區(qū)203的區(qū)域上。場氧隔離105靠近漏區(qū)201的一端上方覆蓋有漏區(qū)多晶硅場板110，所述漏區(qū)多晶硅場板Iio通過金屬場板112和第一有源區(qū)107相連接。與金屬場板111相距一段距離處設(shè)有金屬場板113，所述金屬場板113和柵極多晶硅連接，既形成金屬場板，又因?yàn)楹蜄艠O并聯(lián)而降低柵極電阻。本發(fā)明的隔離型高耐壓場效應(yīng)管的版圖結(jié)構(gòu)，如圖4所示，包括漏區(qū)201、源區(qū)202、漏區(qū)漂移區(qū)203、漂移區(qū)102、源區(qū)多晶硅場板109及柵極多晶硅109a和漏區(qū)多晶硅場板110，所述源區(qū)多晶硅場板109及柵極多晶硅109a為內(nèi)外雙層U型結(jié)構(gòu)，且內(nèi)外雙層通過圓弧場板連接；所述漏區(qū)多晶硅場板110也為內(nèi)外雙層U型結(jié)構(gòu)，內(nèi)外雙層通過圓弧場板連接，且漏區(qū)多晶硅場板Iio位于源區(qū)多晶硅場板109及柵極多晶硅109a的內(nèi)外雙層U型結(jié)構(gòu)之間。所述漏區(qū)201位于閉合的漏區(qū)多晶硅場板110內(nèi)，漏區(qū)漂移區(qū)203位于源區(qū)多晶娃場板109及柵極多晶娃109a和漏區(qū)多晶娃場板110之間,源區(qū)202位于閉合的源區(qū)多晶硅場板109及柵極多晶硅109a外，所述源區(qū)202和漏區(qū)201位于漂移區(qū)102內(nèi)，源區(qū)202與硅基板襯底101被漂移區(qū)102隔離。其中，位于源區(qū)多晶硅場板109及柵極多晶硅109a和漏區(qū)多晶硅場板110的U型內(nèi)層底部A' -K'圓弧處的場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)為:所述P型硅基板襯底101中形成P型的阱區(qū)103，阱區(qū)103由P型的第三有源區(qū)108引出，源端由N型的第二有源區(qū)106形成，第二有源區(qū)106和第三有源區(qū)108相連接形成源區(qū)202，源區(qū)202下方形成有P型的第二摻雜區(qū)104a ；P型硅基板襯底101上形成一 N型漂移區(qū)102，所述漂移區(qū)102中包括漏區(qū)漂移區(qū)203，漏區(qū)漂移區(qū)203由N型的第一有源區(qū)107引出形成漏區(qū)201，漏區(qū)漂移區(qū)203中生成有場氧隔離105，場氧隔離105的下方形成P型的第一摻雜區(qū)104，第一摻雜區(qū)104和第二摻雜區(qū)104a之間有一段距離。所述漂移區(qū)102位于源區(qū)202和漏區(qū)201下方，場氧隔離105的一端位于漏區(qū)201下方的漂移區(qū)102上，另一端位于源區(qū)202下方的漂移區(qū)102上，第一摻雜區(qū)104遠(yuǎn)離漏區(qū)201的一端位于漏區(qū)201下方的漂移區(qū)102外，且與硅基板襯底101連接；所述源區(qū)202位于漂移區(qū)102的內(nèi)部，阱區(qū)103和第二摻雜區(qū)104a位于源區(qū)202下方的漂移區(qū)102內(nèi)，與硅基板襯底101之間通過漂移區(qū)102隔離；未注入漂移區(qū)102的場氧隔離105下方形成有多個(gè)隔離耐壓環(huán)204。隔離耐壓環(huán)204包括P型的第三摻雜區(qū)104c和N型的漂移區(qū)，第三摻雜區(qū)104c與場氧隔離105連接，漂移區(qū)下方和隔離耐壓環(huán)204之間為硅基板襯底101。所述隔離耐壓環(huán)204之間的間距為Ium 20umo在上述N型高耐壓場效應(yīng)管中，變換各注入層離子類型，可以組成P型高耐壓場效應(yīng)管。本發(fā)明的隔離型高耐壓場效應(yīng)管可以實(shí)現(xiàn)場效應(yīng)管的襯底和硅基板的襯底隔離，場效應(yīng)管的襯底的電位將可以不受硅基板襯底的電位影響，獨(dú)立加電位；本發(fā)明的版圖結(jié)構(gòu)中，利用源區(qū)整個(gè)包圍漏區(qū)，并在拐角處用圓弧連接，還增加多個(gè)高耐壓的隔離耐壓環(huán)，可以提供遠(yuǎn)高于高耐壓場效應(yīng)管擊穿的耐壓，避免該處高壓電位在外，低壓電位在內(nèi)，電力線集中影響擊穿電壓的問題，在減小器件面積的同時(shí)保證承受高耐壓。以上通過具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種隔離型高耐壓場效應(yīng)管，其特征在于， 在具有第一導(dǎo)電類型的硅基板襯底(101)上形成一具有與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)(102)，所述漂移區(qū)(102)中包括漏區(qū)漂移區(qū)(203)，所述漏區(qū)漂移區(qū)(203)由具有第二導(dǎo)電類型的第一有源區(qū)(107)引出形成漏區(qū)(201)，漏區(qū)漂移區(qū)(203)中生成有場氧隔離(105)，場氧隔離(105)的下方形成具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)(104)； 所述硅基板襯底(101)中形成具有第一導(dǎo)電類型的阱區(qū)(103)，阱區(qū)(103)由具有第一導(dǎo)電類型的第三有源區(qū)(108)引出，源端由具有第二導(dǎo)電類型的第二有源區(qū)(106)形成，第二有源區(qū)(106)和第三有源區(qū)(108)相連接形成源區(qū)(202)，源區(qū)(202)下方形成有具有第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)(104a)，第二摻雜區(qū)(104a)和場氧隔離(105)下的第一摻雜區(qū)(104)之間有一段距離； 所述源區(qū)(202)位于漂移區(qū)(102)的內(nèi)部，阱區(qū)(103)與硅基板襯底(101)被漂移區(qū)(102)隔離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離型高耐壓場效應(yīng)管，其特征在于， 所述場氧隔離(105)靠近源區(qū)(202)的一端上方覆蓋有源區(qū)多晶硅場板(109)，所述源區(qū)多晶硅場板(109)和柵極多晶硅(109a)是同一個(gè)多晶硅共同形成柵極，其一端覆蓋在第一摻雜區(qū)(104)靠近源區(qū)(202)的區(qū)域上，另一端覆蓋在第二摻雜區(qū)(104a)靠近漏區(qū)漂移區(qū)(203)的區(qū)域上； 所述場氧隔離(105)靠近漏區(qū)(201)的一端上方覆蓋有漏區(qū)多晶硅場板(110)，所述漏區(qū)多晶硅場板(110)通過金屬場板(112)和第一有源區(qū)(107)相連接； 與金屬場板(111)相 距一段距離處設(shè)有金屬場板(113)，所述金屬場板(113)和柵極多晶娃連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的隔離型高耐壓場效應(yīng)管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型，或者所述第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型。
4.一種隔離型高耐壓場效應(yīng)管的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括漏區(qū)(201)、源區(qū)(202)、漏區(qū)漂移區(qū)(203)、漂移區(qū)(102)、源區(qū)多晶硅場板(109)及柵極多晶硅(109a)和漏區(qū)多晶娃場板(Iio),所述源區(qū)多晶娃場板(109)、柵極多晶娃(109a)和漏區(qū)多晶娃場板(110)均為閉合的多邊形結(jié)構(gòu)，且漏區(qū)多晶硅場板(110)位于源區(qū)多晶硅場板(109)及柵極多晶硅(109a)的內(nèi)部，所述漏區(qū)(201)位于閉合的漏區(qū)多晶硅場板(110)內(nèi)，漏區(qū)漂移區(qū)(203)位于源區(qū)多晶娃場板(109)及柵極多晶娃(109a)和漏區(qū)多晶娃場板(110)之間,源區(qū)(202)位于閉合的源區(qū)多晶硅場板(109)及柵極多晶硅(109a)夕卜，所述源區(qū)(202)和漏區(qū)(201)位于漂移區(qū)(102)內(nèi)，源區(qū)(202)與硅基板襯底(101)被漂移區(qū)(102)隔離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離型高耐壓場效應(yīng)管版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源區(qū)多晶娃場板(109)及柵極多晶娃(109a)為內(nèi)外雙層U型結(jié)構(gòu)，且內(nèi)外雙層通過圓弧場板連接；所述漏區(qū)多晶硅場板(110)也為內(nèi)外雙層U型結(jié)構(gòu)，內(nèi)外雙層通過圓弧場板連接，且漏區(qū)多晶娃場板(110)位于源區(qū)多晶娃場板(109)及柵極多晶娃(109a)的內(nèi)外雙層U型結(jié)構(gòu)之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的隔離型高耐壓場效應(yīng)管版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于源區(qū)多晶硅場板(109)及柵極多晶硅(109a)和漏區(qū)多晶硅場板(110)的U型內(nèi)層底部圓弧處的場效應(yīng)管為: 所述硅基板襯底(101)中形成具有第一導(dǎo)電類型的阱區(qū)(103)，阱區(qū)(103)由具有第一導(dǎo)電類型的第三有源區(qū)(108)引出，源端由具有第二導(dǎo)電類型的第二有源區(qū)(106)形成，第二有源區(qū)(106)和第三有源區(qū)(108)相連接形成源區(qū)(202)，源區(qū)(202)下方形成有具有第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)(104a)； 具有第一導(dǎo)電類型的硅基板襯底(101)上形成一具有與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)(102)，所述漂移區(qū)(102)中包括漏區(qū)漂移區(qū)(203)，所述漏區(qū)漂移區(qū)(203)由具有第二導(dǎo)電類型的第一有源區(qū)(107)引出形成漏區(qū)(201)，漏區(qū)漂移區(qū)(203)中生成有場氧隔離(105)，場氧隔離(105)的下方形成具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)(104)，第一摻雜區(qū)(104)和第二摻雜區(qū)(104a)之間有一段距離，所述漂移區(qū)(102)位于源區(qū)(202)和漏區(qū)(201)下方，場氧隔離(105)的一端位于漏區(qū)(201)下方的漂移區(qū)(102)上，另一端位于源區(qū)(202)下方的漂移區(qū)(102)上，第一摻雜區(qū)(104)遠(yuǎn)離漏區(qū)(201)的一端位于漏區(qū)(201)下方的漂移區(qū)(102)外，且與硅基板襯底(101)連接； 所述源區(qū)(202)位于漂移區(qū)(102)的內(nèi)部，阱區(qū)(103)和第二摻雜區(qū)(104a)位于源區(qū)(202)下方的漂移區(qū)(102)內(nèi)，與硅基板襯底(101)之間通過漂移區(qū)(102)隔離； 未注入漂移區(qū)(102)的場氧隔離(105)下方形成有多個(gè)隔離耐壓環(huán)(204)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的隔離型高耐壓場效應(yīng)管版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離耐壓環(huán)(204)包括具有第一導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)(104c)和具有第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，所述第三摻雜區(qū)(104c)與場氧隔離(105)連接，漂移區(qū)下方和隔離耐壓環(huán)(204)之間為硅基板襯底(101)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或 7所述的隔離型高耐壓場效應(yīng)管版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型，或者所述第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的隔離型高耐壓場效應(yīng)管版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離耐壓環(huán)(204)之間的間距為Ium 20um。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種隔離型高耐壓場效應(yīng)管，在硅基板襯底上將漏區(qū)的漂移區(qū)延展包住整個(gè)源區(qū)，形成源區(qū)的襯底和硅基板襯底的隔離，可以實(shí)現(xiàn)場效應(yīng)管的襯底電位可以不受硅基板襯底的電位影響，獨(dú)立加電位。本發(fā)明還提供一種隔離型高耐壓場效應(yīng)管的版圖結(jié)構(gòu)，包括漏區(qū)、源區(qū)、漏區(qū)漂移區(qū)、漂移區(qū)、源區(qū)多晶硅場板及柵極和漏區(qū)多晶硅場板，源區(qū)多晶硅場板及柵極和漏區(qū)多晶硅場板均為U型閉合結(jié)構(gòu)，且漏區(qū)多晶硅場板位于源區(qū)多晶硅場板及柵極的內(nèi)部，利用源區(qū)整個(gè)包圍漏區(qū)的結(jié)構(gòu)，同時(shí)在U型內(nèi)層底部圓弧處采用襯底+漂移區(qū)注入+摻雜區(qū)組成隔離耐壓環(huán)，避免該處高壓電位在外，低壓電位在內(nèi)，電力線集中影響擊穿電壓，高耐壓的同時(shí)減小器件面積。
文檔編號H01L29/06GK103094317SQ20111034012
公開日2013年5月8日 申請日期2011年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月1日
發(fā)明者金鋒, 董科, 董金珠 申請人:上海華虹Nec電子有限公司