專利名稱：鍺硅hbt器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種HBT(Heterojunction bipolar transistor，異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管)器件，特別是涉及一種鍺硅(SiGe)HBT器件。
背景技術(shù)：
在射頻芯片的設(shè)計(jì)中，根據(jù)芯片功能的需要，有時(shí)需要集成不同工作電壓、不同特征頻率(即截止頻率)的鍺硅HBT。例如在射頻收發(fā)器(RF Transceiver)芯片上，其中的功率放大器需要用到高壓鍺硅HBT器件，以達(dá)到高功率輸出的需要；同一芯片上的低噪聲放大器則需要用到標(biāo)準(zhǔn)的鍺硅HBT或高速鍺硅HBT，以滿足低噪聲系數(shù)的需要。面對(duì)芯片上同時(shí)集成不同工作電壓的鍺硅HBT器件的情況，目前的做法是在制作時(shí)采用不同的集電區(qū)摻雜濃度，來實(shí)現(xiàn)具有不同擊穿電壓的鍺硅HBT器件。擊穿電壓不同，也就實(shí)現(xiàn)了工作電壓不同。不同特征頻率的鍺硅HBT器件也是通過采用不同的集電區(qū)摻雜濃度來實(shí)現(xiàn)的。這種做法需要對(duì)工作電壓不同的鍺硅HBT器件采用不同的光刻掩模版，以便在集電區(qū)離子注入時(shí)實(shí)現(xiàn)不同的摻雜濃度。有多少種工作電壓的鍺硅HBT器件，就需要進(jìn)行多少次光刻和離子注入的工藝，工藝步驟復(fù)雜且工藝成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種擊穿電壓可調(diào)的鍺硅HBT器件結(jié)構(gòu)，這種調(diào)整并不是由某一部分結(jié)構(gòu)的摻雜濃度不同來實(shí)現(xiàn)的，而是由某些結(jié)構(gòu)之間的距離來實(shí)現(xiàn)的。為此，本發(fā)明還要提供所述鍺硅HBT器件的制造方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明鍺硅HBT器件包括有位于溝槽中的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)往下在襯底中依次形成有三個(gè)以上縱向接觸的贗埋層，其中最下方的贗埋層相互之間橫向連接，最上方的贗埋層與所述隔離結(jié)構(gòu)相接觸且通過接觸孔中的電極引出作為集電極，其余贗埋層則連接最下方和最上方的贗埋層。優(yōu)選地，除最下方的贗埋層以外，其余贗埋層在橫向上相互獨(dú)立。為了便于形成溝槽底部往下的三個(gè)以上的贗埋層，優(yōu)選地，所述溝槽的截面形狀為正梯形，即溝槽頂部開口的寬度小于溝槽底部的寬度。本發(fā)明鍺硅HBT器件的制造方法包括如下步驟第1步，在襯底上刻蝕溝槽；第2步，在溝槽底部進(jìn)行多次不同能量的離子注入，形成從溝槽底部往下依次接觸的三個(gè)以上的贗埋層，最下方的贗埋層還在橫向上相互連接；第3步，以介質(zhì)填充溝槽形成隔離結(jié)構(gòu)，并對(duì)兩個(gè)溝槽之間的襯底進(jìn)行離子注入形成集電區(qū)；第4步，在硅片表面淀積第一介質(zhì)并刻蝕出基區(qū)開口，接著在硅片表面淀積一層鍺硅材料并刻蝕，僅保留集電區(qū)之上的鍺硅材料和第一介質(zhì)；
第5步，在硅片表面淀積第二介質(zhì)并刻蝕出發(fā)射極窗口，接著在硅片表面淀積一層多晶硅并刻蝕，僅保留所述基區(qū)開口區(qū)域之上的多晶硅和第二介質(zhì)，最后形成側(cè)墻；第6步，在硅片表面淀積第三介質(zhì)并進(jìn)行拋光，接著在第三介質(zhì)中刻蝕通孔，包括與發(fā)射極相接觸的第一通孔、與鍺硅基區(qū)相接觸的第二通孔、以及與第三贗埋層相接觸的第三通孔，最后以金屬填充這些通孔。優(yōu)選地，所述方法第2步中，按照從下往上的順序依次形成各個(gè)縱向相互接觸的
贗埋層。本發(fā)明鍺硅HBT器件以溝槽底部的縱向連接的三個(gè)以上的贗埋層代替現(xiàn)有鍺硅 HBT器件的集電區(qū)下的埋層，利用深孔(即第三通孔)穿過溝槽中的隔離結(jié)構(gòu)連接最上方的贗埋層。通過調(diào)節(jié)最上方的贗埋層與有源區(qū)的距離(即與集電區(qū)的中間凸起之間的距離， 又即與溝槽底部?jī)?nèi)側(cè)一角的距離)決定鍺硅HBT器件的擊穿電壓和特征頻率，實(shí)現(xiàn)具有不同擊穿電壓的鍺硅HBT器件，滿足芯片的設(shè)計(jì)需要。本發(fā)明鍺硅HBT器件的制造方法，是通過多次不同能量的贗埋層離子注入，形成三個(gè)以上的贗埋層。其中最下方的贗埋層橫向互連且在集電區(qū)以下，用來滿足深孔(第三通孔)歐姆接觸所需的重?fù)诫s集電區(qū)引出端。這無須增加額外的光刻，也無須額外的光刻掩膜版，不僅簡(jiǎn)化了工藝，而且降低了成本。


圖1是本發(fā)明鍺硅HBT器件的結(jié)構(gòu)圖；圖加 圖加是本發(fā)明鍺硅HBT器件的制造方法的各步驟示意圖。圖中附圖標(biāo)記說明1為襯底；2為溝槽；3為內(nèi)側(cè)墻；4為第一贗埋層；5為第二贗埋層；6為第三贗埋層；7為集電區(qū)；8為介質(zhì)；9為基區(qū)；10為介質(zhì)；11為發(fā)射極；12為第一通孔；13為第二通孔；14為第三通孔；29a、29b為側(cè)墻；30為層間介質(zhì)。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1，這是本發(fā)明鍺硅HBT器件的一個(gè)實(shí)施例。其具體結(jié)構(gòu)為在襯底1中具有溝槽2，溝槽2中填充有介質(zhì)作為隔離結(jié)構(gòu)。溝槽2的側(cè)壁具有內(nèi)側(cè)墻3。在溝槽2的底部往下依次有縱向連接的第三贗埋層6、第二贗埋層5和第一贗埋層4。兩個(gè)溝槽2下方的第一贗埋層4在橫向上連為一體。由兩個(gè)溝槽2、兩個(gè)第三贗埋層6、兩個(gè)第二贗埋層5 和第一贗埋層4所圍成的區(qū)域是集電區(qū)7。在集電區(qū)7之上有第一介質(zhì)8和T型鍺硅基區(qū) 9，第一介質(zhì)8在T型鍺硅基區(qū)9的兩個(gè)肩膀部位下方。在所述隔離結(jié)構(gòu)之上且在第一介質(zhì) 8和T型鍺硅基區(qū)9的外側(cè)具有側(cè)墻^b。在鍺硅基區(qū)9之上有第二介質(zhì)10和T型多晶硅發(fā)射極11，第二介質(zhì)10在T型發(fā)射極11的兩個(gè)肩膀部位下方。在T型鍺硅基區(qū)9之上且在第二介質(zhì)10和T型發(fā)射極11的外側(cè)具有側(cè)墻^a。硅片表面具有一層第三介質(zhì)(層間介質(zhì))30，其中開設(shè)有第一通孔12、第二通孔13和第三通孔14并均填充有金屬電極。發(fā)射極11與第一通孔12中的電極相接觸。鍺硅基區(qū)9與第二通孔13中的電極相接觸。第三贗埋層6與第三通孔14中的電極相接觸。在圖1所示的三個(gè)贗埋層的基礎(chǔ)上，本發(fā)明鍺硅HBT器件還可在溝槽底部往下形成大于三個(gè)的縱向連接的贗埋層結(jié)構(gòu)，最下方的贗埋層在橫向上互連，其余贗埋層在橫向上獨(dú)立。本發(fā)明鍺硅HBT器件具有如下特點(diǎn)其一，在溝槽2的底部往下依次排列有三個(gè)以上的縱向方向上相接觸的贗埋層， 其中最下方的贗埋層還在橫向方向上相連接。與溝槽2中的隔離結(jié)構(gòu)相接觸的是最上方的贗埋層，其采用低能量的離子注入工藝，用來與深接觸孔(第三通孔14)形成歐姆接觸。該最上方的贗埋層緊挨著溝槽2的底部，兩者之間沒有間隙。如圖1所示，最上方的贗埋層6的內(nèi)側(cè)與集電區(qū)7中間凸起之間的距離(即與溝槽2的底部?jī)?nèi)側(cè)一角的距離)為X，這也是最上方的贗埋層與有源區(qū)之間的距離。當(dāng)χ減小，則增加器件的特征頻率，降低擊穿電壓，相反，當(dāng)Χ增加，則會(huì)降低器件的特征頻率，增加擊穿電壓。最下方的是橫向擴(kuò)散連為一體的第一贗埋層4，其采用高能量的離子注入工藝。高能量的離子注入使得雜質(zhì)橫向擴(kuò)散，兩個(gè)最下方的贗埋層橫向互連，在遠(yuǎn)離表面的有源區(qū)下形成埋層，降低鍺硅HBT器件的集電區(qū)串聯(lián)電阻和器件的飽和壓降。在縱向上位于最上方贗埋層和最下方贗埋層之間的其余贗埋層，采用中等能量的離子注入工藝，用來連接最上方贗埋層和最下方贗埋層。其二，為便于三個(gè)以上的贗埋層的離子注入工藝，優(yōu)選地，溝槽2的截面形狀為正梯形，即溝槽2開口的寬度小于溝槽2底部的寬度。正梯形的溝槽形狀有利于后續(xù)形成多個(gè)贗埋層，使得進(jìn)行贗埋層的離子注入時(shí)離子不會(huì)摻雜到溝槽2的側(cè)壁。并且可有高能量注入，使注入的雜質(zhì)的橫向擴(kuò)散、互連，實(shí)現(xiàn)埋層功能，避免了器件橫向距離的加大引入的器件飽和壓降的提高。更優(yōu)選地，溝槽2的截面形狀為等腰梯形。與溝槽2的正梯形截面形狀相對(duì)應(yīng)，集電區(qū)7的截面形狀為倒T型，即集電區(qū)底部的寬度大于集電區(qū)頂部的寬度。并且集電區(qū)7的中間具有向內(nèi)的凸起，集電區(qū)7并采用較低的摻雜濃度。其三，第一通孔12、第二通孔13只是穿過層間介質(zhì)30，分別連接發(fā)射極11和鍺硅基區(qū)9。第三通孔14則穿過層間介質(zhì)30和溝槽2中的隔離結(jié)構(gòu)，連接最上方的贗埋層。本發(fā)明鍺硅HBT器件可通過調(diào)節(jié)第三贗埋層6與有源區(qū)之間的距離，來實(shí)現(xiàn)不同的擊穿電壓，距離越大，擊穿電壓越高，特征頻率越低。距離越小，擊穿電壓越低，特征頻率越高。本發(fā)明是通過版圖的改變來得到具有不同擊穿電壓的鍺硅HBT器件。無論是NPN 型還是PNP型鍺硅HBT器件，其第一贗埋層中都含有較易橫向擴(kuò)散的雜質(zhì)如磷或硼，第一贗埋層中的雜質(zhì)橫向擴(kuò)散后形成集電區(qū)埋層，最上方的贗埋層到有源區(qū)的距離為改變器件特性的一個(gè)重要因素，通過調(diào)整該距離，即可獲得想要的器件擊穿電壓和特征頻率，而不需要增加額外的工藝步驟。本發(fā)明所述的鍺硅HBT器件的制造方法包括如下步驟第1步，請(qǐng)參閱圖加，在半導(dǎo)體襯底(通常為硅襯底)1上刻蝕溝槽2，例如可采用淺槽隔離(STI)工藝?？蛇x地，在襯底1上先淀積硬掩膜層21。所述硬掩膜層21為介質(zhì)材料，例如采用
5氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化氮化硅(SiOxNy, χ、y均為自然數(shù))或三者的任意組合。 其厚度由贗埋層的離子注入能量決定，需保證該硬掩膜層21能夠完全阻擋贗埋層的離子注入。接著再采用光刻和刻蝕工藝在襯底1上刻蝕出溝槽2。優(yōu)選地，溝槽2的截面形狀為正梯形；更優(yōu)選地，溝槽2的截面形狀為等腰梯形。第2步，請(qǐng)參閱圖2b，在溝槽2的底部進(jìn)行多次不同能量的離子注入，形成從溝槽 2的底部往下依次接觸的第三贗埋層6、第二贗埋層5和第一贗埋層4，所述第一贗埋層4還在橫向上相互連接?？蛇x地，先采用光刻工藝以光刻膠30覆蓋溝槽2的部分底部區(qū)域。溝槽2的其余底部區(qū)域打開，接收贗埋層的離子注入。接著采用離子注入工藝在溝槽2的未被光刻膠30 所覆蓋的底部區(qū)域進(jìn)行多次不同能量的離子注入。離子注入的能量決定了其射程，即離子穿入硅片的總距離。這一步至少包括三次不同能量的離子注入，從而形成了與溝槽2的底部具有不同距離的三個(gè)以上的贗埋層。所述離子注入優(yōu)選為如下情況首先進(jìn)行高能量的離子注入并進(jìn)行退火。由于是高能量(500keV以上)，離子注入?yún)^(qū)域距離溝槽2底部的距離最遠(yuǎn)。退火后兩個(gè)離子注入?yún)^(qū)域橫向擴(kuò)散并相連接，在襯底 1中形成第一贗埋層4。該步離子注入優(yōu)選采用中等劑量，范圍為1 X IO12 1 X IO14原子每平方厘米(或離子每平方厘米)。接著進(jìn)行中能量的離子注入并可選地進(jìn)行退火。由于是中能量(50 500keV)，離子注入?yún)^(qū)域距離溝槽2底部的距離中等。在第一贗埋層4之上形成兩個(gè)第二贗埋層5，用來連接最下方贗埋層4和最上方贗埋層6，注入劑量為范圍為1 X IO14 1 X IO16原子每平方厘米(或離子每平方厘米)。當(dāng)具有大于三個(gè)的贗埋層時(shí)，該中等能量離子注入的贗埋層為大于一個(gè)。最后進(jìn)行低能量的離子注入并可選地進(jìn)行退火。由于是低能量(50keV以下)， 離子注入?yún)^(qū)域距離溝槽2底部的距離最近，緊挨溝槽2底部。在兩個(gè)第二贗埋層5之上形成兩個(gè)第三贗埋層6，用來與深孔形成歐姆接觸。該步離子注入優(yōu)選采用高劑量，范圍為 1 XIO14 1 X IO16原子每平方厘米(或離子每平方厘米)。對(duì)于PNP型鍺硅HBT器件，三個(gè)贗埋層均為ρ型摻雜，所注入的ρ型雜質(zhì)優(yōu)選為硼。對(duì)于NPN型鍺硅HBT器件，三個(gè)贗埋層均為η型摻雜，所注入的η型雜質(zhì)例如為磷、 砷、銻等。優(yōu)選地，第一贗埋層4和第二贗埋層5中所注入的η型雜質(zhì)為磷或砷，第三贗埋層6中所注入的η型雜質(zhì)為磷。第3步，請(qǐng)參閱圖2c，以介質(zhì)填充溝槽2形成隔離結(jié)構(gòu)，并對(duì)兩個(gè)溝槽2之間的襯底1進(jìn)行離子注入形成集電區(qū)7。例如，先在溝槽2內(nèi)制作內(nèi)側(cè)墻3，接著以介質(zhì)填充溝槽2形成隔離結(jié)構(gòu)。這一步開始時(shí)，如果硅片上仍存在有光刻膠30，則首先去除光刻膠30。所述內(nèi)側(cè)墻3的制造方法為現(xiàn)有工藝，簡(jiǎn)單描述如下。首先可選地在溝槽2的側(cè)壁和底部熱氧化生長(zhǎng)一層氧化硅作為襯墊氧化層。其次在溝槽2的區(qū)域(或者在整個(gè)硅片表面)淀積一層氧化硅，該層氧化硅覆蓋溝槽2的側(cè)壁和底部。接著對(duì)所淀積的氧化硅進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕終止點(diǎn)為溝槽2底部的硅或硬掩膜層21。刻蝕結(jié)束后，在溝槽2的側(cè)壁上就形成了內(nèi)側(cè)墻3。所述溝槽2的填充方法為現(xiàn)有工藝，例如采用淺槽隔離工藝，簡(jiǎn)單描述如下。首先在溝槽2的區(qū)域(或者在整個(gè)硅片表面)淀積一層介質(zhì)材料，例如為氧化硅，該層介質(zhì)填充溝槽2，并高于硬掩膜層21。其次采用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝對(duì)所淀積的介質(zhì)進(jìn)行平坦化拋光，硬掩膜層21作為拋光阻擋層。最后采用濕法腐蝕工藝去除硬掩膜層21。這樣便在溝槽2中形成了隔離結(jié)構(gòu)。 形成集電區(qū)7例如采用輕摻雜漏注入(LDD)工藝，注入劑量小于IxlO13原子每平方厘米(或離子每平方厘米)。 第4步，請(qǐng)參閱圖2d，在硅片表面淀積第一介質(zhì)8并刻蝕出基區(qū)開口，接著在硅片表面淀積一層鍺硅材料9并刻蝕，僅保留集電區(qū)7之上的鍺硅材料9和第一介質(zhì)8。所述第一介質(zhì)8例如為氧化硅。所述基區(qū)開口就是圖1中基區(qū)9與集電區(qū)7相接觸的區(qū)域。在刻蝕完成后便形成了截面形狀為T型的鍺硅材料9，以及位于該T型鍺硅材料 9的兩個(gè)肩膀部位下方的第一介質(zhì)8。第5步，請(qǐng)參閱圖2e，在硅片表面淀積第二介質(zhì)10并刻蝕出發(fā)射極窗口，接著在硅片表面淀積一層多晶硅11并刻蝕，僅保留所述基區(qū)開口區(qū)域之上的多晶硅11、第二介質(zhì) 10，最后形成側(cè)墻^a J9b。所述第二介質(zhì)10例如為氧化硅。所述發(fā)射極窗口區(qū)域就是圖1中發(fā)射極11與基區(qū)9相接觸的區(qū)域。在刻蝕完成后便形成了截面形狀為T型的發(fā)射極11，以及位于T型發(fā)射極11的兩個(gè)肩膀部位下方的第二介質(zhì)10。所述刻蝕工藝的終止點(diǎn)例如設(shè)為鍺硅基區(qū)9 的上表面。在鍺硅基區(qū)9之上，且在發(fā)射極11和第二介質(zhì)10的兩側(cè)具有側(cè)墻；同時(shí)在第一介質(zhì)8和鍺硅基區(qū)9的兩側(cè)也具有側(cè)墻^b。所述側(cè)墻29a或^b的制造方法為現(xiàn)有工藝，簡(jiǎn)單描述如下。首先在硅片表面淀積一層介質(zhì)四，例如為氧化硅、氮化硅等。接著對(duì)所淀積的介質(zhì)四進(jìn)行干法反刻，刻蝕終止點(diǎn)為鍺硅基區(qū)9或溝槽2中的隔離結(jié)構(gòu)的上表面?？涛g結(jié)束后，在發(fā)射極11和第二介質(zhì) 10的兩側(cè)、以及第一介質(zhì)8和鍺硅基區(qū)9的兩側(cè)就形成了側(cè)墻^aJ9b。第6步，請(qǐng)參閱圖1，在硅片表面淀積第三介質(zhì)30并進(jìn)行拋光，接著在第三介質(zhì)30 中刻蝕通孔，包括與發(fā)射極11相接觸的第一通孔12、與鍺硅基區(qū)9相接觸的第二通孔13、 以及與第三贗埋層6相接觸的第三通孔14，最后以金屬填充這些通孔。所述第三介質(zhì)30又稱為層間介質(zhì)(ILD)，例如為氧化硅、氮化硅、氧化氮化硅或三者的任意組合。所述拋光工藝?yán)鐬榛瘜W(xué)機(jī)械研磨等平坦化工藝，將第三介質(zhì)30的表面拋光平整。以金屬填充通孔例如采用鎢塞工藝。發(fā)射極11由第一通孔12中的電極引出?；鶇^(qū)9由第二通孔13中的電極引出。集電區(qū)7由第一贗埋層4、第二贗埋層5、第三贗埋層6 和第三通孔14中的電極引出。以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限定本發(fā)明。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種鍺硅HBT器件，包括有位于溝槽中的隔離結(jié)構(gòu)，其特征是，所述隔離結(jié)構(gòu)往下在襯底中依次形成有三個(gè)以上縱向接觸的贗埋層，其中最下方的贗埋層相互之間橫向連接， 最上方的贗埋層與所述隔離結(jié)構(gòu)相接觸且通過接觸孔中的電極引出作為集電極，其余贗埋層則連接最下方和最上方的贗埋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺硅HBT器件，其特征是，除最下方的贗埋層以外，其余贗埋層在橫向上相互獨(dú)立。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍺硅HBT器件，其特征是，集電區(qū)由兩個(gè)溝槽中的隔離結(jié)構(gòu)和各個(gè)贗埋層所圍成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺硅HBT器件，其特征是，所述溝槽的截面形狀為正梯形，即溝槽頂部開口的寬度小于溝槽底部的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的鍺硅HBT器件，其特征是，所述集電區(qū)的截面形狀為倒T 型，即集電區(qū)底部的寬度大于集電區(qū)頂部的寬度，且中間具有向內(nèi)的凸起。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍺硅HBT器件，其特征是，最上方的贗埋層與集電區(qū)的中間凸起的間距越大，則擊穿電壓越高，特征頻率越低；所述間距越小，則擊穿電壓越低，特征頻率越高。
7.—種鍺硅HBT器件的制造方法，其特征是，包括如下步驟第1步，在襯底上刻蝕溝槽；第2步，在溝槽底部進(jìn)行多次不同能量的離子注入，形成從溝槽底部往下依次接觸的三個(gè)以上的贗埋層，最下方的贗埋層還在橫向上相互連接；第3步，以介質(zhì)填充溝槽形成隔離結(jié)構(gòu)，并對(duì)兩個(gè)溝槽之間的襯底進(jìn)行離子注入形成集電區(qū)；第4步，在硅片表面淀積第一介質(zhì)并刻蝕出基區(qū)開口，接著在硅片表面淀積一層鍺硅材料并刻蝕，僅保留集電區(qū)之上的鍺硅材料和第一介質(zhì)；第5步，在硅片表面淀積第二介質(zhì)并刻蝕出發(fā)射極窗口，接著在硅片表面淀積一層多晶硅并刻蝕，僅保留所述基區(qū)開口區(qū)域之上的多晶硅和第二介質(zhì)，最后形成側(cè)墻；第6步，在硅片表面淀積第三介質(zhì)并進(jìn)行拋光，接著在第三介質(zhì)中刻蝕通孔，包括與發(fā)射極相接觸的第一通孔、與第一介質(zhì)相接觸的第二通孔、以及與第三贗埋層相接觸的第三通孔，最后以金屬填充這些通孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鍺硅HBT器件的制造方法，其特征是，所述方法第2步中，按照從下往上的順序依次形成各個(gè)縱向相互接觸的贗埋層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種鍺硅HBT器件，包括有位于溝槽中的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)往下在襯底中依次形成有三個(gè)以上縱向接觸的贗埋層，其中最下方的贗埋層相互之間橫向連接，最上方的贗埋層與所述隔離結(jié)構(gòu)相接觸且通過接觸孔中的電極引出作為集電極，其余贗埋層則連接最下方和最上方的贗埋層。本發(fā)明通過調(diào)節(jié)溝槽底部的最上方贗埋層與有源區(qū)的邊緣距離決定鍺硅HBT器件的擊穿電壓，實(shí)現(xiàn)具有不同擊穿電壓的鍺硅HBT器件。本發(fā)明還公開了所述鍺硅HBT器件的制造方法，只需要在形成贗埋層的離子注入步驟中調(diào)節(jié)注入能量便可以實(shí)現(xiàn)，無須增加額外的光刻，也無須額外的光刻掩膜版，不僅簡(jiǎn)化了工藝，而且降低了成本。
文檔編號(hào)H01L29/737GK102412287SQ20111034992
公開日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月8日
發(fā)明者錢文生 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司