專利名稱：像素陣列的制作方法
像素陣列技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種液晶顯示器，且特別是有關(guān)于液晶顯示器中的像素陣列。
技術(shù)背景
3D晶體管，即具有3柵極(tri-gate)的晶體管，而采用其的液晶顯示器，主要由 3D晶體管陣列基板、彩色濾光陣列基板和液晶層所構(gòu)成，其中3D晶體管陣列基板則由像素陣列結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
參照圖1，圖1繪示了現(xiàn)有的像素陣列的局部示意圖。如圖1所示，像素陣列 100，包括掃描線(gate-line) 110、數(shù)據(jù)線(data-line) 120、每兩條掃描線110與每兩條數(shù)據(jù)線120交錯(cuò)圍成的子像素區(qū)130以及每一子像素區(qū)130對應(yīng)配置的一公共配線 (COm-line)140。一般當(dāng)像素陣列100的各線路出現(xiàn)問題時(shí)，如短路或斷路時(shí)，通常采用修補(bǔ)的方式解決此類問題，從而減少這些線路的報(bào)廢，進(jìn)而減少液晶顯示器的報(bào)廢。
但是對于目前的像素矩陣100中的線路修補(bǔ)，如，當(dāng)掃描線110斷路時(shí)，則修補(bǔ)困難，多數(shù)只能報(bào)廢，具體地說，其修補(bǔ)方式一般是將掃描線110切半，再利用數(shù)據(jù)線120及公共配線140組合成回路，將斷路連接上，但這樣修好仍會有亮點(diǎn)產(chǎn)生，另外所使用的數(shù)據(jù)線 120及公共配線140就直接報(bào)廢。
有鑒于此，如何設(shè)計(jì)一種像素矩陣，改進(jìn)其布線結(jié)構(gòu)，使其便于修補(bǔ)且提高修補(bǔ)成功率，從而減少報(bào)廢，是業(yè)內(nèi)相關(guān)技術(shù)人員亟待解決的一技術(shù)問題。發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種像素陣列，包含多條掃描線，沿一第一方向配置，所述掃描線具有一第一分支掃描線及與其電性連接的一第二分支掃描線，所述第二分支掃描線毗鄰并平行于所述第一分支掃描線；以及多條數(shù)據(jù)線，沿一第二方向與多條所述掃描線交叉配置，多條所述數(shù)據(jù)線與多條所述掃描線交叉排列形成多個(gè)像素區(qū)域；以及多條公共配線，沿所述第二方向配置，所述公共配線具有一第一分支公共配線及與其電性連接的一第二分支公共配線。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述第一分支掃描線與所述第二分支掃描線間具有多個(gè)第一連接點(diǎn)，以使所述第一分支掃描線與所述第二分支掃描線電性連接。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述第一分支掃描線與所述第二分支掃描線間具有一第一間接。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述第一分支掃描線與所述第二分支掃描線間具有相同的導(dǎo)電系數(shù)。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述像素區(qū)域具有至少一晶體管。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述晶體管為3D晶體管。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述晶體管為薄膜晶體管。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述第一分支公共配線與所述第二分支公共配線間具有多個(gè)第二連接點(diǎn)以使所述第一分支公共配線與所述第二分支公共配線電性連接。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述第一分支公共配線與所述第二分支公共配線間具有一第二間接。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述第一分支公共配線與所述第二分支公共配線具有相同的導(dǎo)電系數(shù)。
由上可知，本發(fā)明所提出的像素陣列，將掃描線分成兩條分支掃描線，以及將公共配線分成兩條分支公共配線，從而便于修補(bǔ)，進(jìn)而減少報(bào)廢。
圖1繪示了現(xiàn)有的像素陣列的局部示意圖2繪示了本發(fā)明一實(shí)施方式的像素陣列的局部示意圖3繪示了本發(fā)明一實(shí)施方式的像素陣列的掃描線斷路的修補(bǔ)示意圖4繪示了本發(fā)明一實(shí)施方式的像素陣列的公共配線短路的修補(bǔ)示意圖；以及
圖5繪示了本發(fā)明一實(shí)施方式的像素陣列的掃描線與數(shù)據(jù)線交叉處短路的修補(bǔ)示意圖。
具體實(shí)施方式
下文是舉實(shí)施方式配合附圖作詳細(xì)說明，但所提供的實(shí)施方式并非用以限制本發(fā)明所涵蓋的范圍，而結(jié)構(gòu)運(yùn)作的描述非用以限制其執(zhí)行的順序，任何由元件重新組合的結(jié)構(gòu)，所產(chǎn)生具有均等功效的裝置，皆為本發(fā)明所涵蓋的范圍。此外，圖式僅以說明為目的，并未依照原尺寸作圖。
關(guān)于本文中所使用的“約”、“大約”或“大致” 一般通常是指數(shù)值的誤差或范圍于百分之二十以內(nèi)，較好地是于百分之十以內(nèi)，而更佳地則是于百分之五以內(nèi)。文中若無明確說明，其所提及的數(shù)值皆視作為近似值，即如“約”、“大約”或“大致”所表示的誤差或范圍。
請參照圖2，圖2繪示了本發(fā)明一實(shí)施方式的像素陣列的局部示意圖。
在本實(shí)施方式中，像素陣列200包含多條掃描線210、多條數(shù)據(jù)線220、多條掃描線 210與多條數(shù)據(jù)線220交叉排列所形成的多個(gè)像素區(qū)域230及多條公共配線M0，需說明的是，為了便于敘述，圖2中只繪示了兩條掃描線210、210’，兩條數(shù)據(jù)線220、220’，一個(gè)像素區(qū)域230及一條公共配線140，但是，掃描線210、數(shù)據(jù)線220及公共配線240可以是多條， 像素區(qū)域230可以是多個(gè)。還需說明的是，掃描線210與210’為完全相同的掃描線，只是為了敘述方便，以不同的標(biāo)記區(qū)別開來，同理數(shù)據(jù)線220與220’為相同的數(shù)據(jù)線，因此，下文中如果只是對掃描線的結(jié)構(gòu)介紹時(shí)，則只介紹掃描線210，如果涉及到修補(bǔ)時(shí)，則同時(shí)采用掃描線210、210’進(jìn)行敘述，同樣，對于數(shù)據(jù)線采用類似方式處理。
如圖2所示，掃描線210沿第一方向配置，即X方向，在本實(shí)施方式中，定義為水平方向。掃描線210具有第一分支掃描線212及與其電性連接的第二分支掃描線214，第二分支掃描線214與第一分支掃描線212相毗鄰且平行，此第二分支掃描線214主要利用在修補(bǔ)中，此外，第二分支掃描線214與第一分支掃描線212之間有有一定的間距，且有多個(gè)連接點(diǎn)216，連接點(diǎn)216用于使第二分支掃描線214與第一分支掃描線212相電性連接，使兩者能夠同步傳遞，為了更好地實(shí)現(xiàn)同步傳輸，在本實(shí)施方式中，第二分支掃描線214與第一分支掃描線212具有相同的導(dǎo)電參數(shù)，比如其材質(zhì)選擇相同的金屬。但是，在某些情形下， 如修補(bǔ)時(shí)，則需要對連接點(diǎn)216進(jìn)行斷開，使第二分支掃描線214與第一分支掃描線212在一定區(qū)段里相斷開，從而不電性連接。同理，掃描線210’具有第一分支掃描線212’及與其電性連接的第二分支掃描線214’，第一分支掃描線212及與第二分支掃描線214之間具有連接點(diǎn)116’，為了敘述簡要，在此不再贅述。
如圖2所示，數(shù)據(jù)線220，沿第二方向配置，即第二方向Y，在本實(shí)施方式中，較佳地，第二方向Y垂直于第一方向X。
如圖2所示，數(shù)據(jù)線220、220’與掃描線210、210’圍成像素區(qū)域230。在本實(shí)施方式中，像素區(qū)域230具有晶體管232，晶體管232位于數(shù)據(jù)線與掃描線的交叉處，較佳地，為 3D晶體管，或者薄膜晶體管，不以此為限。
如圖2所示，公共配線M0，沿第二方向配置，即Y方向配置，但在制程上，公共配線240與掃描線210為不同層，即相互間為電性絕緣的。公共配線240具有第一分支公共配線242及與其電性連接的一第二分支公共配線M4，第二分支公共配線244與第一分支公共配線242相毗鄰且平行，第二分支公共配線244與第一分支公共配線242之間有有一定的間距，便于在修補(bǔ)時(shí)斷開，兩者間具有多個(gè)連接點(diǎn)對6，連接點(diǎn)246用于使第二分支公共配線線244與第一分支掃描線242相電性連接，使兩者能夠同步傳遞，為了更好地實(shí)現(xiàn)同步傳輸，在本實(shí)施方式中，第二分支公共配線242與第一分支公共配線244具有相同的導(dǎo)電參數(shù)，比如其材質(zhì)選擇相同的金屬。
下面請參照圖3，圖3繪示了本發(fā)明一實(shí)施方式的像素陣列的掃描線斷路的修補(bǔ)示意圖。
如圖3所示，當(dāng)像素陣列200的水平掃描線210’出現(xiàn)缺陷時(shí)，如水平掃描線210 出現(xiàn)斷路(H-line-open)情形時(shí)，如圖3中所示缺陷dl時(shí)。在本實(shí)施方式中，可以在5個(gè)修補(bǔ)區(qū)域Al、A2、A3、A4及A5區(qū)域內(nèi)，通過激光斷開(cut)及激光焊接(welding)來對像素陣列200中的線路進(jìn)行處理。具體修補(bǔ)，參照后述。
首先，在Al區(qū)域，將公共配線M0’的兩分支，即第一分支公共配線M2’與第二分支公共配線M4’斷開，即斷開兩者之間的連接點(diǎn)，并將第一分支公共配線M2’與第一分支掃描線212’激光焊接使兩者電性連接。此外，還將靠近缺陷dl的第一分支掃描線212’與第二分支掃描線214’都斷開。
然后，在A2區(qū)域，將第一分支公共配線M2’與第二分支掃描線214激光焊接使兩者電性連接，并斷開第一分支公共配線對2’與第二分支公共配線M4’。
之后，在A3區(qū)域，將掃描線210的兩分支，即第一分支掃描線212與第二分支掃描線214斷開，也就是將連接點(diǎn)216斷開。
繼而，在A4區(qū)域，將第二分支掃描線214與第二分支公共配線244進(jìn)行焊接以使其電性連接，并分別將第二分支掃描線214與第二分支公共配線M4的另一端都斷開。
之后，在A5區(qū)域，將第二分支公共配線244與第一分支掃描線212’進(jìn)行焊接以使其電性連接，并將第一分支公共配線242與第二分支公共配線244斷開以使第一分支公共配線242與第一分支掃描線212’電性絕緣，并將第二分支公共配線M4的另一端斷開，此外，還將靠近缺陷dl的第一分支掃描線212’及第二分支掃描線214’都斷開。
通過以上修補(bǔ)，則可實(shí)現(xiàn)如圖B1-B2的走向，則此時(shí)，可繞過缺陷dl，從而使掃描線210’能夠正常工作。
請參照圖4，圖4繪示了本發(fā)明一實(shí)施方式的像素陣列的公共配線短路的修補(bǔ)示意圖。
如圖4所示，此時(shí)像素陣列200，出現(xiàn)了水平方向的公共配線短路(H-Comlhort)， 即出現(xiàn)缺陷d2、d3，將使公共配線240與M0’短路，同理在本實(shí)施方式中，可以采用如圖3 所示的修補(bǔ)方式進(jìn)行修補(bǔ)，在此不再贅述。
請參照圖5，圖5繪示了本發(fā)明一實(shí)施方式的像素陣列的掃描線與數(shù)據(jù)線交叉處短路的修補(bǔ)示意圖。
如圖5所示，此時(shí)像素陣列200，出現(xiàn)了掃描線210’與數(shù)據(jù)線220交叉處短路 (X-Short)，即出現(xiàn)缺陷d4，同理，在本實(shí)施方式中，可以采用如圖3所示的修補(bǔ)方式進(jìn)行修補(bǔ)，在此不再贅述。
以上僅是示意性提出部分缺陷，并相應(yīng)地進(jìn)行修補(bǔ)，但需強(qiáng)調(diào)的是，本發(fā)明所提出的方案可以對其他類型缺陷作出相應(yīng)的修補(bǔ)，而不僅限于此。
由上可知，本發(fā)明所提出的像素陣列，將掃描線分成兩條分支掃描線，以及將公共配線分成兩條分支公共配線，從而便于修補(bǔ)，進(jìn)而減少報(bào)廢。
上文中，參照附圖描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。但是，本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員能夠理解，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作各種變更和替換。這些變更和替換都落在本發(fā)明權(quán)利要求書所限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種像素陣列，其特征在于，包含多條掃描線，沿一第一方向配置，所述掃描線具有一第一分支掃描線及與其電性連接的一第二分支掃描線，所述第二分支掃描線毗鄰并平行于所述第一分支掃描線；多條數(shù)據(jù)線，沿一第二方向與多條所述掃描線交叉配置，多條所述數(shù)據(jù)線與多條所述掃描線交叉排列形成多個(gè)像素區(qū)域；以及多條公共配線，沿所述第二方向配置，所述公共配線具有一第一分支公共配線及與其電性連接的一第二分支公共配線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述第一分支掃描線與所述第二分支掃描線間具有多個(gè)第一連接點(diǎn)，以使所述第一分支掃描線與所述第二分支掃描線電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述第一分支掃描線與所述第二分支掃描線間具有一第一間接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述第一分支掃描線與所述第二分支掃描線間具有相同的導(dǎo)電系數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述像素區(qū)域具有至少一晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素陣列，其特征在于，所述晶體管為3D晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素陣列，其特征在于，所述晶體管為薄膜晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述第一分支公共配線與所述第二分支公共配線間具有多個(gè)第二連接點(diǎn)以使所述第一分支公共配線與所述第二分支公共配線電性連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述第一分支公共配線與所述第二分支公共配線間具有一第二間接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素陣列，其特征在于，所述第一分支公共配線與所述第二分支公共配線具有相同的導(dǎo)電系數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種像素陣列，包含多條掃描線，沿一第一方向配置，掃描線具有一第一分支掃描線及與其電性連接的一第二分支掃描線，第二分支掃描線毗鄰并平行于第一分支掃描線；以及多條數(shù)據(jù)線，沿一第二方向與多條掃描線交叉配置，多條數(shù)據(jù)線與多條掃描線交叉排列形成多個(gè)像素區(qū)域；以及多條公共配線，沿第二方向配置，公共配線具有一第一分支公共配線及與其電性連接的一第二分支公共配線。本發(fā)明所提出的像素陣列，將掃描線分成兩條分支掃描線，以及將公共配線分成兩條分支公共配線，從而便于修補(bǔ)，進(jìn)而減少報(bào)廢。
文檔編號H01L23/50GK102508383SQ201110349989
公開日2012年6月20日 申請日期2011年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者林義芳, 許金福 申請人:友達(dá)光電股份有限公司