專利名稱：化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法，以減少化學(xué)機(jī)械拋光后對超低介電常數(shù)薄膜產(chǎn)生的損失。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體集成電路工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步，當(dāng)半導(dǎo)體器件縮小至深亞微米的范圍時，高性能的集成電路芯片需要盡可能低的連線電容(C)、電阻(R)、信號延遲(RC time delay)和信號串?dāng)_。為此，需要低阻值材料如銅金屬線以及連線的層間及線間填充低介電常數(shù)(low k dielectric)的隔離材料來減少因寄生電阻與寄生電容引起的RC延遲時間， 以提升器件性能。然而，金屬導(dǎo)線材料為銅時，銅的蝕刻較為困難，因此，現(xiàn)有技術(shù)通過轉(zhuǎn)變到大馬士革結(jié)構(gòu)，先形成低阻值材料介質(zhì)層，然后在介質(zhì)層中形成用來填入銅的溝槽來實(shí)現(xiàn)銅互聯(lián)，以促使低阻值材料如銅或低介電常數(shù)材料在集成電路生產(chǎn)工藝中的應(yīng)用?，F(xiàn)有比較通用的一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法為例，可以參見圖IA至圖ID0首先，參見圖1A，在提供的基底層100上由下至上依次形成第一介電阻擋層102和第一介電層104，并在第一介電層104和第一介電阻擋層102中制作第一溝槽110。其次，參見圖1B，在第一溝槽110的側(cè)壁和第一介電層104的表面上采用物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)工藝形成擴(kuò)散阻擋層112后，進(jìn)行金屬填充，形成第一溝槽電鍍銅114。接著，參見圖1C，對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝，并停止在第一介電層 104的表面上，使第一溝槽電鍍銅114的表面平坦化，并使第一溝槽電鍍銅114和第一介電層104的表面平齊。繼而，參見圖1D，在第一介電層104和第一溝槽電鍍銅114的表面上繼續(xù)沉積第二介電阻擋層120，準(zhǔn)備下一互連層的制備。目前在45納米以上技術(shù)，普遍采用的超低介電常數(shù)絕緣介質(zhì)材料是摻碳的多孔氧化硅(carbon doped oxide)薄膜(K < 2. 7)。通過超低介電常數(shù)材料的使用，可以在不降低布線密度的條件下，有效的降低寄生效應(yīng)，減少了 RC互連延遲時間，提高集成電路的速度。但是，伴隨著介質(zhì)材料介電常數(shù)不斷降低的要求，介電材料的孔隙率和含碳量不斷增加，而結(jié)構(gòu)變得越來越疏松，在許多工藝過程中，如CMP工藝(圖IC所示)之后，由于摻碳的氧化硅中存在著多孔，上述工藝會引入諸如水汽、研磨液等污染滲入到多孔中，形成一層水汽層(moisture) 116，即在第一介電層104的表層之下形成一層水汽層116，從而改變介電常數(shù)；并且金屬層表面也會被這些研磨液等氧化，在銅金屬區(qū)域表面(即第一溝槽電鍍銅114的表面上)形成氧化層118 ；與此同時，在介電材料和銅金屬區(qū)域的表面上也會殘留污染物。為此，如何有效地去除這些污染，避免低介電常數(shù)材料損傷導(dǎo)致的介電常數(shù)提高， 以及如何改善金屬層表面狀態(tài)，提高與下層的結(jié)合力，消除這些污染對集成電路的速度性能、可靠性和產(chǎn)量產(chǎn)生的嚴(yán)重影響，提高電遷移和應(yīng)力遷移性能，成為當(dāng)今一個尤為重要的
為了解決上述問題，在集成電路生產(chǎn)工藝中運(yùn)用這些低阻值材料或低介電常數(shù)材料時，需要尋求解決辦法消除來自于CMP等工藝過程后對低介電常數(shù)材料以及金屬表面造成的損傷，但在實(shí)際的實(shí)施過程中仍然存在相當(dāng)大的壁壘，亟待引進(jìn)能有效改善上述缺陷的新方法，以解決低阻值材料如銅和/或低介電常數(shù)材料等在集成電路生產(chǎn)工藝使用時面臨的最主要的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法，以降低化學(xué)機(jī)械拋光后對超低介電常數(shù)薄膜的損傷。為解決上述問題，本發(fā)明提出的一種化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法，包括如下步驟在基底層上由下至上依次沉積第一介電阻擋層和第一介電層，采用蝕刻工藝在第一介電阻擋層和第一介電層中形成第一溝槽；在第一溝槽的側(cè)壁和第一介電層的表面上形成擴(kuò)散阻擋層后，進(jìn)行金屬填充形成第一溝槽電鍍銅；對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，停止在第一介電層的表面上；進(jìn)行預(yù)熱處理，去除上述結(jié)構(gòu)中的水汽；對上述結(jié)構(gòu)的表面采用還原性氣體組合進(jìn)行原位等離子體工藝后，進(jìn)行第二介電阻擋層的沉積。由上述技術(shù)方案可見，與傳統(tǒng)通用的超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光工藝相比，本發(fā)明公開的化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法，在第一介電阻擋層和第一介電層中完成第一溝槽電鍍銅之后進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，然后在反應(yīng)腔中對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行一定時間的預(yù)熱處理，去除上述結(jié)構(gòu)中的水汽，尤其是第一介電層中的水汽。隨后，采用一定配比的氫氣和碳?xì)浠衔锏冗€原性組合氣體，在反應(yīng)腔里直接產(chǎn)生等離子體對經(jīng)過 CMP工藝后的大馬士革結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行原位等離子體工藝處理，處理結(jié)束后，立刻進(jìn)行第二介電阻擋層的沉積。由于上述大馬士革結(jié)構(gòu)先進(jìn)行了預(yù)熱處理，使第一介質(zhì)層中尤其是多孔中的水汽被一一去除，不僅增加了第一介質(zhì)層與后續(xù)阻擋層之間的粘合力，同時避免了大馬士革結(jié)構(gòu)尤其是第一阻擋層被水汽長期侵蝕而造成的器件失效，從而提高了器件性能； 然后進(jìn)行的原位等離子體工藝產(chǎn)生的碳元素能補(bǔ)償之前工藝如CMP工藝帶來的碳損耗，使 CMP工藝造成的薄膜介電常數(shù)的升高得到一定的降低，并且可以同步對介質(zhì)材料表面和銅金屬區(qū)域表面進(jìn)行清潔，增強(qiáng)了第一介電層和銅金屬區(qū)域與后續(xù)阻擋層之間的粘合力，從而起到全面的修復(fù)作用，有利于器件速度性能的改善，提高銅金屬線抗電遷移和應(yīng)力遷移性能，提高電介質(zhì)的介質(zhì)擊穿壽命。


圖IA至圖ID為現(xiàn)有技術(shù)中一種超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光方法。圖2為本發(fā)明一種化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法流程。圖IA至圖IC以及圖IE至圖IG為本發(fā)明一種化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。參見圖2，本發(fā)明所提供的一種化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法流程為SlOO 在基底層上由下至上依次沉積第一介電阻擋層和第一介電層，采用蝕刻工藝在第一介電阻擋層和第一介電層中形成第一溝槽；SlOl 在第一溝槽的側(cè)壁和第一介電層的表面上形成擴(kuò)散阻擋層后，進(jìn)行金屬填充形成第一溝槽電鍍銅；S102 對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，停止在第一介電層的表面上；S103 進(jìn)行預(yù)熱處理，去除上述結(jié)構(gòu)中的水汽；S104:對上述結(jié)構(gòu)的表面采用還原性氣體組合進(jìn)行原位等離子體工藝后，進(jìn)行第二介電阻擋層的沉積。下面以圖2所示的方法流程為例，結(jié)合附圖IA至IC以及圖IE至1G，對一種化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法的制作工藝進(jìn)行詳細(xì)描述。SlOO 在基底層上由下至上依次沉積第一介電阻擋層和第一介電層，采用蝕刻工藝在第一介電阻擋層和第一介電層中形成第一溝槽。參見圖1A，首先，提供一基底層100，在所述基底層100上由下至上依次沉積第一介電阻擋層102和第一介電層104，然后，采用蝕刻工藝在第一介電阻擋層102和第一介電層104中形成第一溝槽110，所述第一溝槽110包括第一通孔106和溝渠108。所述第一溝槽110的形成過程如下首先，采用蝕刻工藝來形成第一通孔106穿過第一介電層104和第一介電阻擋層102，蝕刻停止在基底層上；接下來，利用相似的蝕刻工藝來形成溝渠108穿過部分第一介電層104，這些步驟形成的所述溝渠108位于且圍繞在第一通孔106的上方。SlOl 在第一溝槽的側(cè)壁和第一介電層的表面上形成擴(kuò)散阻擋層后，進(jìn)行金屬填充形成第一溝槽電鍍銅。參見圖1B，在第一溝槽的側(cè)壁和第一介電層104的表面采用但不限于物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)工藝形成擴(kuò)散阻擋層112后，采用電鍍工藝進(jìn)行金屬填充，形成第一溝槽電鍍銅114。S102 對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，停止在第一介電層的表面上。參見圖1C，對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行CMP工藝，并停止在所述第一介電層104的表面上，且使第一溝槽Iio平面上的上方部分(亦即過度填充)被去除，使第第一溝槽電鍍銅114的表面平坦化，且使第一介電層104和第一溝槽電鍍銅114的表面平齊。結(jié)合參閱圖IA和圖1C，經(jīng)過本步驟使第一通孔106內(nèi)鑲嵌著的金屬與用于金屬導(dǎo)線的溝渠108中的材料相同，減少由第一通孔106產(chǎn)生電遷移失效的問題，從而實(shí)現(xiàn)了銅替代鋁材料的高導(dǎo)電的導(dǎo)線與低介電常數(shù)材料之間的金屬連線工藝，降低了 RC時間延遲，提高集成電路的速度性能。但是，經(jīng)過上述步驟尤其是CMP工藝后，在所述第一介電層104表層之下鎖住了大量的水汽，形成了水汽層116，且在所述第一介電層104和所述第一溝槽電鍍銅114的表面上附著了殘留物，尤其在銅金屬區(qū)域表面上還形成了氧化層118，所述氧化層118可以為氧化銅。S103 進(jìn)行預(yù)熱處理，去除上述結(jié)構(gòu)中的水汽。參見圖1E，在進(jìn)行后續(xù)第二介電阻擋層120沉積(參見圖1D)之前，將上述結(jié)構(gòu) (參見圖1C)放置一反應(yīng)腔中，通過通用的預(yù)熱裝置對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行一定時間的預(yù)定溫度的預(yù)熱之后，可以去除上述結(jié)構(gòu)中尤其是水汽層116中的水汽(亦即濕氣)，并且，所述預(yù)熱處理不會破損上述結(jié)構(gòu)以及上述結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體晶體。所述預(yù)熱處理進(jìn)行的溫度在200攝氏度 400攝氏度。若預(yù)熱溫度低于200攝氏度，則去除水汽的速度較慢，不容易完全去除水汽，且不能充分提升上述結(jié)構(gòu)表面的粘合力；若預(yù)熱溫度高于400攝氏度，會導(dǎo)致沿上述結(jié)構(gòu)表面產(chǎn)生較大氣泡，若溫差越大，越容易產(chǎn)生大的氣泡，在上述結(jié)構(gòu)表面越容易引起介質(zhì)分配不均勻，對整個器件功能造成破壞。所述預(yù)熱處理的時間為大于60秒。當(dāng)然，預(yù)熱處理的時間可以根據(jù)實(shí)際器件的結(jié)構(gòu)、介電材料以及形成該器件結(jié)構(gòu)的其他材料的不同可以進(jìn)行調(diào)控，以去除水汽層116中的水汽，同樣可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。優(yōu)選的，預(yù)熱處理的溫度為350攝氏度，不僅可以去除水汽，防止氣泡產(chǎn)生，而且可以增加上述結(jié)構(gòu)表面的粘合力。S104:對上述結(jié)構(gòu)的表面采用還原性氣體組合進(jìn)行原位等離子體工藝后，進(jìn)行第二介電阻擋層的沉積。參見圖IF和圖1G，在反應(yīng)腔中對上述結(jié)構(gòu)(參見圖1E)的表面采用還原性氣體組合進(jìn)行原位等離子體工藝，經(jīng)過所述原位等離子體工藝后，即可以對第一介電層104盡量補(bǔ)償之前工藝帶來的碳損失，又能同步對第一介電層104和第一溝槽電鍍銅114的表面進(jìn)行清潔，以去除表面上的殘留物，還能對在銅金屬區(qū)域表面形成的氧化銅進(jìn)行還原修復(fù)。因此，經(jīng)過原位等離子體工藝處理后，不僅能使CMP工藝造成的薄膜介電常數(shù)的升高得到控制，使之顯著降低，從而，有利于器件速度性能的改善，而且使第一介電層104和第一溝槽電鍍銅114的表面得到清潔，同時提高與后續(xù)沉積的第二介電阻擋層120的粘合力，進(jìn)而提高銅金屬線抗電遷移和應(yīng)力遷移性能，提高電介質(zhì)的介質(zhì)擊穿壽命。所述還原性氣體組合可以為一定配比的氫氣和碳?xì)浠衔餁怏w的組合，其中，在混合物中通過控制適當(dāng)?shù)奶細(xì)浠衔锏谋壤?，使所述碳?xì)浠衔镌诜磻?yīng)腔中可以產(chǎn)生對第一介電層104中損傷的碳進(jìn)行補(bǔ)償?shù)奶茧x子。所述碳?xì)浠衔餁怏w可以為CxHy氣體或CxHy氣體與其他氣體混合的CxHy化合物氣體?；蛘呤翘?xì)浠衔锟梢杂捎袡C(jī)分子前驅(qū)物所構(gòu)成，且形成于等離子體反應(yīng)腔中。所述前驅(qū)物可以包括具有揮發(fā)性的碳?xì)浠衔锘蛉魏伟ㄆ渌奶細(xì)浠衔?，較佳的前驅(qū)物可以為已烷衍生物 a-松油烯(SubstitutedHexane Derivative a-terpinene ；ATRP) [(CH3)2CHC6H6CH3]或乙烯(C2H4)15所述還原性氣體組合可以采用通用的等離子體工藝進(jìn)行等離子的產(chǎn)生或其它可以產(chǎn)生等離子的方法以用于原位等離子體工藝。所述還原性氣體組合在反應(yīng)腔中直接產(chǎn)生等離子體進(jìn)行原位等離子體工藝的具體參數(shù)包括工作壓力為2托至8托，反應(yīng)溫度為200攝氏度至400攝氏度，在He氣體氛圍下，反應(yīng)氣體為H2和CxHy，其中，H2與CxHy的氣體流量比為10至100。其中，射頻功率為25至2000瓦，所述氫氣和碳?xì)浠衔餁怏w流量分別為100至 lOOOOsccm 禾口 10 至 lOOsccm。如果在本步驟中要想同步去除水汽層116，則上述結(jié)構(gòu)的器件會長時間的暴露在等離子體下被轟擊。同時，當(dāng)介質(zhì)材料的介電常數(shù)K小于2. 7時，在上述結(jié)構(gòu)經(jīng)過CMP 和清潔之后，立刻會在第一介電層104的表面上進(jìn)行NDC層(Nitrogen dopped Silicon Carbite，氮摻雜的碳化硅層)的沉積，因?yàn)樾枰\(yùn)用具有良好的氣密性和水密性等性能的 NDC層用作第一介電層104的阻擋層(即第二介電阻擋層120)，以防止銅的擴(kuò)散。由上述技術(shù)方案可見，與傳統(tǒng)通用的超低介電材料的化學(xué)機(jī)械拋光工藝相比，本發(fā)明公開的化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法，在第一介電阻擋層102 和第一介電層104中完成第一溝槽電鍍銅114之后進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，然后在反應(yīng)腔中對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行一定時間的預(yù)熱處理，去除上述結(jié)構(gòu)中的水汽，尤其是第一介電層104 中的水汽。隨后，采用一定配比的氫氣和碳?xì)浠衔锏冗€原性組合氣體，在反應(yīng)腔里直接產(chǎn)生等離子體對經(jīng)過CMP工藝后的大馬士革結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行原位等離子體工藝處理，處理結(jié)束后，立刻進(jìn)行第二介電阻擋層120的沉積。由于上述大馬士革結(jié)構(gòu)先進(jìn)行了預(yù)熱處理，使第一介電層104中尤其是多孔中的水汽被一一去除，不僅增加了第一介電層104與后續(xù)第二介電阻擋層120之間的粘合力，同時避免了大馬士革結(jié)構(gòu)尤其是第一介電阻擋層102和第二介電阻擋層120被水汽長期侵蝕而造成的器件失效，從而提高了器件性能；然后進(jìn)行的原位等離子體工藝產(chǎn)生的碳元素能補(bǔ)償之前工藝如CMP工藝帶來的碳損耗，使CMP工藝造成的薄膜介電常數(shù)的升高得到控制，使之顯著降低，并且可以同步對介電材料表面和銅金屬區(qū)域表面進(jìn)行清潔，增強(qiáng)了第一介電層104和銅金屬區(qū)域的表面與后續(xù)介電阻擋層(即第二介電阻擋層120)之間的粘合力，從而起到全面的修復(fù)作用，有利于器件速度性能的改善，提高銅金屬線抗電遷移和應(yīng)力遷移性能，提高電介質(zhì)的介質(zhì)擊穿壽命。當(dāng)然，本發(fā)明公開的一種化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法包括但不限于只有一層介電層(在器件中這種層與層之間的電介質(zhì)材料稱為間層電介質(zhì) (ILD，Inter Layer Dielectric))，在本發(fā)明中所述第一介電層中形成的第一通孔和溝渠可形成于不同的間層電介質(zhì)，其中，這些不同的間層電介質(zhì)之間形成有另一介電阻擋層。若在實(shí)際生產(chǎn)過程中還需要進(jìn)行第二介電層或是第三介電層甚至更多的間層電介質(zhì)的制作， 也屬于本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法，包括如下步驟在基底層上由下至上依次沉積第一介電阻擋層和第一介電層，采用蝕刻工藝在第一介電阻擋層和第一介電層中形成第一溝槽；在第一溝槽的側(cè)壁和第一介電層的表面上形成擴(kuò)散阻擋層后，進(jìn)行金屬填充形成第一溝槽電鍍銅；對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，停止在第一介電層的表面上；進(jìn)行預(yù)熱處理，去除上述結(jié)構(gòu)中的水汽；對上述結(jié)構(gòu)的表面采用還原性氣體組合進(jìn)行原位等離子體工藝后，進(jìn)行第二介電阻擋層的沉積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法，其特征在于所述預(yù)熱處理的反應(yīng)溫度為200攝氏度至400攝氏度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法，其特征在于所述還原性氣體組合為氫氣和碳?xì)浠衔锏幕旌衔铩?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法，其特征在于所述原位等離子體工藝的工作壓力為2托至8托，反應(yīng)溫度為200攝氏度至400攝氏度，在He氣體氛圍下，反應(yīng)氣體吐和CxHy，其中，H2與CxHy的氣體流量比為10至100。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法，其特征在于所述擴(kuò)散阻擋層的形成采用物理氣相沉積工藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法，其特征在于所述金屬填充采用電鍍工藝。
全文摘要
本發(fā)明提出一種化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法，包括如下步驟在基底層上由下至上依次沉積第一介電阻擋層、第一介電層，采用蝕刻工藝在第一介電阻擋層和第一介電層中形成第一溝槽；在第一溝槽的側(cè)壁和第一介電層的表面上形成擴(kuò)散阻擋層后，進(jìn)行金屬填充形成第一溝槽電鍍銅；對上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，停止在第一介電層的表面上；進(jìn)行預(yù)熱處理，去除上述結(jié)構(gòu)中的水汽；對上述結(jié)構(gòu)的表面采用還原性氣體組合進(jìn)行原位等離子體工藝后，進(jìn)行第二介電阻擋層的沉積。本發(fā)明提供的化學(xué)機(jī)械拋光后損傷的超低介電常數(shù)薄膜的修復(fù)方法，以降低化學(xué)機(jī)械拋光后對超低介電常數(shù)薄膜的損傷。
文檔編號H01L21/3105GK102509705SQ201110355630
公開日2012年6月20日 申請日期2011年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月10日
發(fā)明者張文廣, 徐強(qiáng), 鄭春生, 陳玉文 申請人:上海華力微電子有限公司