專利名稱：具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造工藝，特別涉及一種具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管及其制造方法。
背景技術(shù)：
自集成電路發(fā)明以來，其性能一直穩(wěn)步提高。性能的提高主要是通過不斷縮小集成電路器件的尺寸來實(shí)現(xiàn)的。目前，集成電路器件(如M0SFET)的特征尺寸已縮小到納米尺度。在此尺度下，各種基本的和實(shí)際的限制開始出現(xiàn)，使得建立在硅平面CMOS技術(shù)之上的集成電路技術(shù)的發(fā)展正遭受前所未有的挑戰(zhàn)。一般認(rèn)為，經(jīng)過努力，CMOS技術(shù)仍有可能推進(jìn)到20納米甚至10納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，但在45納米節(jié)點(diǎn)之后，傳統(tǒng)的平面CMOS技術(shù)將很難進(jìn)一步發(fā)展，新的技術(shù)必須適時(shí)產(chǎn)生。在所提出的各種新技術(shù)當(dāng)中，多柵MOS器件技術(shù)被認(rèn)為是最有希望在亞45納米節(jié)點(diǎn)后得到應(yīng)用的技術(shù)。與傳統(tǒng)單柵器件相比，多柵器件具有更強(qiáng)的短溝道抑制能力，更好的亞閾特性、更高的驅(qū)動能力以及能帶來更高的電路密度。當(dāng)前，正在對包括具有鰭型溝道結(jié)構(gòu)的晶體管即所謂的鰭型場效應(yīng)晶體管(finFET)的多柵MOS器件進(jìn)行研究，鰭型溝道結(jié)構(gòu)利用薄鰭作為溝道，鰭型場效應(yīng)晶體管可以抑制傳統(tǒng)平面晶體管中存在的短溝道效應(yīng)且同時(shí)可以增大工作電流。具有周圍柵極(gate all around, GAA)結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管作為一項(xiàng)正在研究的新興技術(shù),關(guān)于其的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造方法都有待提出。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管及其制造方法。本發(fā)明提供一種具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法，包括:提供初鍺硅襯底；刻蝕所述初鍺硅襯底，以形成鍺硅襯底及位于所述鍺硅襯底上的柱結(jié)構(gòu)，所述柱結(jié)構(gòu)包括靠近所述鍺硅襯底的下柱結(jié)構(gòu)及位于所述下柱結(jié)構(gòu)上的上柱結(jié)構(gòu)；形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述鍺硅襯底及下柱結(jié)構(gòu)，同時(shí)，露出上柱結(jié)構(gòu)；對上柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化處理，以形成鰭柱及位于所述鰭柱表面的二氧化硅層，所述鰭柱包括靠近所述下柱結(jié)構(gòu)的下鰭柱及位于所述下鰭柱上的上鰭柱；形成鍺硅層，所述鍺硅層覆蓋所述阻擋層及二氧化硅層；刻蝕所述鍺硅層及二氧化硅層以形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述下鰭柱表面，同時(shí)，暴露出阻擋層及上鰭柱；移除所述阻擋層，暴露出鍺硅襯底及下柱結(jié)構(gòu)；對所述上鰭柱、下柱結(jié)構(gòu)及鍺硅襯底的表面進(jìn)行離子注入工藝，以形成源漏極?？蛇x的，在所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括:緊靠所述下鰭柱的第一部分；及與所述第一部分連接且與所述第一部分的夾角為90度的第二部分?？蛇x的，在所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法中，所述第一部分包括:緊靠所述下鰭柱表面的二氧化硅層及緊靠所述二氧化硅層表面的鍺硅層；所述第二部分包括:鍺硅層。可選的，在所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法中，所述漏極通過對所述上鰭柱進(jìn)行離子注入工藝而形成；所述源極通過對所述下柱結(jié)構(gòu)及鍺硅襯底的表面進(jìn)行離子注入工藝而形成?？蛇x的，在所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法中，刻蝕所述初鍺硅襯底，以形成鍺硅襯底及位于所述鍺硅襯底上的柱結(jié)構(gòu)的步驟包括:對所述初鍺硅襯底進(jìn)行刻蝕，以形成鍺硅襯底及位于所述鍺硅襯底上的初柱結(jié)構(gòu)；在溫度為600°C 1500°C下，利用氫氣對所述初柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以形成柱結(jié)構(gòu)。可選的，在所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法中，刻蝕所述鍺硅層及二氧化硅層以形成柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括:對所述鍺硅層進(jìn)行刻蝕，暴露出所述阻擋層；對所述鍺硅層及二氧化硅層進(jìn)行刻蝕，暴露出上鰭柱，并形成柵極結(jié)構(gòu)?？蛇x的，在所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法中，還包括:在形成源漏極的步驟之后，對所述柵極結(jié)構(gòu)、漏極及源極進(jìn)行自對準(zhǔn)處理，以在所述柵極結(jié)構(gòu)、源極及漏極表面形成自對準(zhǔn)硅化物。可選的，在所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法中，還包括:在對所述柵極結(jié)構(gòu)、漏極及源極進(jìn)行自對準(zhǔn)處理步驟之后，形成層間介質(zhì)層，以隔離所述柵極結(jié)構(gòu)、漏極及源極?？蛇x的，在所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法中，還包括:在形成層間介質(zhì)層步驟之后，在所述層間介質(zhì)層中形成連接?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的第一接觸孔及連接源極的第二接觸孔。本發(fā)明還提供一種具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管，包括:鍺硅襯底及位于所述鍺硅襯底上的下柱結(jié)構(gòu)，所述下柱結(jié)構(gòu)及鍺硅襯底的表層經(jīng)過離子注入工藝以作為源極；位于所述下柱結(jié)構(gòu)上的鰭柱，所述鰭柱的材料為鍺硅，所述鰭柱包括靠近所述下柱結(jié)構(gòu)的下鰭柱及位于所述下鰭柱上的上鰭柱，其中，所述下鰭柱的表面形成有柵極結(jié)構(gòu)，所述上鰭柱經(jīng)過離子注入工藝以作為漏極?？蛇x的，在所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括:緊靠所述下鰭柱的第一部分；及與所述第一部分連接且與所述第一部分的夾角為90度的
第二部分?？蛇x的，在所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管中，所述第一部分包括:緊靠所述下鰭柱表面的二氧化硅層及緊靠所述二氧化硅層表面的鍺硅層；所述第二部分包括:鍺硅層。通過本發(fā)明提供的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管及其制造方法，抑制了場效應(yīng)晶體管的短溝道效應(yīng)，同時(shí)提高了場效應(yīng)晶體管的電性能。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法的流程不意圖；圖2a 2j是本發(fā)明實(shí)施例的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明提出的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管及其制造方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。請參考圖1，其為本發(fā)明實(shí)施例的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法的流程示意圖。如圖1所示，具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法包括如下步驟:SlO:提供初錯(cuò)娃襯底；S20:刻蝕所述初鍺硅襯底，以形成鍺硅襯底及位于所述鍺硅襯底上的柱結(jié)構(gòu)，所述柱結(jié)構(gòu)包括靠近所述鍺硅襯底的下柱結(jié)構(gòu)及位于所述下柱結(jié)構(gòu)上的上柱結(jié)構(gòu)；S30:形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述鍺硅襯底及下柱結(jié)構(gòu)，同時(shí)，露出上柱結(jié)構(gòu)；S40:對上柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化處理，以形成鰭柱及位于所述鰭柱表面的二氧化硅層，所述鰭柱包括靠近所述下柱結(jié)構(gòu)的下鰭柱及位于所述下鰭柱上的上鰭柱；S50:形成鍺硅層，所述鍺硅層覆蓋所述阻擋層及二氧化硅層；S60:刻蝕所述鍺硅層及二氧化硅層以形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述下鰭柱表面，同時(shí)，暴露出阻擋層及上鰭柱；S70:移除所述阻擋層，暴露出鍺硅襯底及下柱結(jié)構(gòu)；S80:對所述上鰭柱、下柱結(jié)構(gòu)及鍺硅襯底的表面進(jìn)行離子注入工藝，以形成源漏極。具體的，請參考圖2a 2j,其為本發(fā)明實(shí)施例的具有周圍棚極結(jié)構(gòu)的轄型場效應(yīng)晶體管的制造方法的剖面示意圖。如圖2a所示，提供初鍺硅襯底10。接著，如圖2b所示，刻蝕所述初鍺硅襯底10，以形成鍺硅襯底11及位于所述鍺硅襯底11上的柱結(jié)構(gòu)21，所述柱結(jié)構(gòu)21包括靠近所述鍺硅襯底11的下柱結(jié)構(gòu)210及位于所述下柱結(jié)構(gòu)210上的上柱結(jié)構(gòu)211。在本實(shí)施例中，所述柱結(jié)構(gòu)21的高度可以為100埃 5000埃，所述柱結(jié)構(gòu)21的寬度可以為50埃 3000埃。在本實(shí)施例中，通過兩步刻蝕工藝形成柱結(jié)構(gòu)21，以提高所形成的柱結(jié)構(gòu)21的精度及可靠性。具體的，如圖2b-l所示，進(jìn)行第一次刻蝕:對初鍺硅襯底10進(jìn)行刻蝕，以形成鍺硅襯底11及位于所述鍺硅襯底11上的初柱結(jié)構(gòu)20。在本步驟中，所述初柱結(jié)構(gòu)20的高度可以為100埃 5000埃，所述初柱結(jié)構(gòu)20的寬度可以為100埃 5000埃。即通過第一次刻蝕工藝，并不直接形成設(shè)計(jì)需要的柱結(jié)構(gòu)21，而是形成一初步的形狀。所述第一次刻蝕工藝優(yōu)選為現(xiàn)有工藝中刻蝕速率較快的刻蝕工藝，從而提高生產(chǎn)效率。接著，如圖2b-2所示，進(jìn)行第二次刻蝕:對所述初柱結(jié)構(gòu)20進(jìn)行刻蝕，以形成柱結(jié)構(gòu)21。通過該第二次刻蝕工藝，最終形成設(shè)計(jì)需要的柱結(jié)構(gòu)21，所述柱結(jié)構(gòu)21的高度可以為100埃 5000埃，所述柱結(jié)構(gòu)21的寬度可以為50埃 3000埃。所述第二次刻蝕工藝優(yōu)選為現(xiàn)有工藝中刻蝕精度更高的刻蝕工藝，從而提高刻蝕所形成的柱結(jié)構(gòu)21的形貌的精度及可靠性，從而提高產(chǎn)品質(zhì)量。在本實(shí)施例中，所述第二次刻蝕工藝的工藝溫度為600°C 1500°C，利用刻蝕氣體為氫氣的干法刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)。通過利用兩步刻蝕工藝形成柱結(jié)構(gòu)21，既可保證刻蝕速率，又可保證刻蝕精度，從而達(dá)到了良好的工藝效果。接著，如圖2c所示，形成阻擋層30，所述阻擋層30覆蓋所述鍺硅襯底11及下柱結(jié)構(gòu)210,同時(shí),露出上柱結(jié)構(gòu)211。在本實(shí)施例中,可通過化學(xué)氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝等各類淀積工藝形成所述阻擋層30。所述阻擋層30的厚度優(yōu)選為50埃 1500埃。如圖2d所示，對上柱結(jié)構(gòu)211進(jìn)行氧化處理，以形成鰭柱40及位于所述鰭柱40表面的二氧化硅層50，所述鰭柱40包括靠近所述下柱結(jié)構(gòu)210的下鰭柱400及位于所述下鰭柱400上的上鰭柱401。具體的，可在溫度為600°C 2000°C的工藝條件下，利用氧氣與上柱結(jié)構(gòu)211表面的鍺硅反應(yīng)，從而形成鰭柱40及位于所述鰭柱40表面的二氧化硅層50。在本實(shí)施例中，由于在上一步驟中，利用阻擋層30對鍺硅襯底11及下柱結(jié)構(gòu)210進(jìn)行了保護(hù)，從而鍺硅襯底11及下柱結(jié)構(gòu)210表面將不發(fā)生氧化反應(yīng)以形成二氧化硅層。接著，如圖2e所示，形成鍺硅層60，所述鍺硅層60覆蓋所述阻擋層30及二氧化硅層50。如圖2f所示，刻蝕所述鍺硅層60及二氧化硅層50以形成柵極結(jié)構(gòu)70，所述柵極結(jié)構(gòu)70位于所述下鰭柱400表面，同時(shí)，暴露出阻擋層30及上鰭柱401。優(yōu)選的，所述柵極結(jié)構(gòu)70包括:緊靠所述下鰭柱400的第一部分700 ;及與所述第一部分700連接且與所述第一部分700的夾角為90度的第二部分701。需說明的是，所述夾角為90度為理想情況下第一部分700與第二部分701之間的位置關(guān)系，在實(shí)際操作中往往可能因工藝的誤差等因素而有所偏差。在本實(shí)施例中，所述第一部分700包括:緊靠所述下鰭柱400表面的二氧化硅層500及緊靠所述二氧化硅層500表面的鍺硅層610 ;所述第二部分701包括:鍺硅層。在本實(shí)施例中，通過兩步刻蝕工藝形成柵極結(jié)構(gòu)70。首先，如圖2f_l所示，進(jìn)行第一次刻蝕:對所述鍺硅層60進(jìn)行刻蝕，暴露出所述阻擋層30。接著，如圖2f-2所述，進(jìn)行第二次刻蝕:對所述鍺硅層(在此為經(jīng)過第一次刻蝕工藝后剩余的鍺硅層61)及二氧化硅層50進(jìn)行刻蝕，暴露出上鰭柱401，并形成柵極結(jié)構(gòu)70。接著，如圖2g所示，移除阻擋層30，暴露出鍺硅襯底11及下柱結(jié)構(gòu)210。接著，如圖2h所示，對所述上鰭柱401、下柱結(jié)構(gòu)210及鍺硅襯底11的表面進(jìn)行離子注入工藝，以形成源極71及漏極72。此外，所述漏極72通過對所述上鰭柱401進(jìn)行離子注入工藝而形成；所述源極71通過對所述下柱結(jié)構(gòu)210及鍺硅襯底11的表面進(jìn)行離子注入工藝而形成，即所述源極71包括下源極結(jié)構(gòu)710及位于所述下源極結(jié)構(gòu)710上的上源極結(jié)構(gòu)711。請繼續(xù)參考圖2h，通過上述工藝，形成了具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管1，包括:鍺硅襯底11及位于所述鍺硅襯底11上的下柱結(jié)構(gòu)，所述下柱結(jié)構(gòu)及鍺硅襯底11的表層經(jīng)過離子注入工藝以作為源極71 ；位于所述下柱結(jié)構(gòu)上的鰭柱，所述鰭柱的材料為鍺硅，所述鰭柱包括靠近所述下柱結(jié)構(gòu)的下鰭柱及位于所述下鰭柱上的上鰭柱，其中，所述下鰭柱的表面形成有柵極結(jié)構(gòu)70，所述上鰭柱經(jīng)過離子注入工藝以作為漏極72。進(jìn)一步的，所述柵極結(jié)構(gòu)70包括:緊靠所述下鰭柱400的第一部分700 ;及與所述第一部分700連接且與所述第一部分700的夾角為90度的第二部分701。所述第一部分700包括:緊靠所述下鰭柱400表面的二氧化硅層500及緊靠所述二氧化硅層500表面的鍺硅層610 ;所述第二部分701包括:鍺硅層。在本實(shí)施例中，在形成柵極結(jié)構(gòu)70、源極71及漏極72的步驟之后，還進(jìn)一步包括如下后續(xù)工藝步驟:對所述柵極結(jié)構(gòu)70、源極71及漏極72進(jìn)行自對準(zhǔn)處理，以在所述柵極結(jié)構(gòu)70、源極71及漏極72表面形成自對準(zhǔn)硅化物(圖2h中未示出)，通過形成所述自對準(zhǔn)硅化物，從而提高柵極結(jié)構(gòu)、源極及漏極與其他器件之間的電連接特性。接著，如圖2i所示，形成層間介質(zhì)層80，以隔離所述柵極結(jié)構(gòu)70、源極71及漏極72。在本實(shí)施例中，所述層間介質(zhì)層80覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)70及源極71，暴露出漏極72的上表面。如圖2j所示，在所述層間介質(zhì)層80中形成連接?xùn)艠O結(jié)構(gòu)70的第一接觸孔81及連接源極71的第二接觸孔82。優(yōu)選的，所述第一接觸孔81與柵極結(jié)構(gòu)70的第二部分701連接，所述第二接觸孔82與下源極結(jié)構(gòu)710連接。通過該后續(xù)工藝步驟，柵極結(jié)構(gòu)70、源極71及漏極72能夠方便地與其他工藝器件連接，并且能夠提高與其他工藝器件之間的電連接特性。上述描述僅是對本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法，包括: 提供初錯(cuò)娃襯底； 刻蝕所述初鍺硅襯底，以形成鍺硅襯底及位于所述鍺硅襯底上的柱結(jié)構(gòu)，所述柱結(jié)構(gòu)包括靠近所述鍺硅襯底的下柱結(jié)構(gòu)及位于所述下柱結(jié)構(gòu)上的上柱結(jié)構(gòu)； 形成阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述鍺硅襯底及下柱結(jié)構(gòu)，同時(shí)，露出上柱結(jié)構(gòu)； 對上柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化處理，以形成鰭柱及位于所述鰭柱表面的二氧化硅層，所述鰭柱包括靠近所述下柱結(jié)構(gòu)的下鰭柱及位于所述下鰭柱上的上鰭柱； 形成鍺硅層，所述鍺硅層覆蓋所述阻擋層及二氧化硅層； 刻蝕所述鍺硅層及二氧化硅層以形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述下鰭柱表面，同時(shí)，暴露出阻擋層及上鰭柱； 移除所述阻擋層，暴露出鍺硅襯底及下柱結(jié)構(gòu)； 對所述上鰭柱、下柱結(jié)構(gòu)及鍺硅襯底的表面進(jìn)行離子注入工藝，以形成源漏極。
2.如權(quán)利要求1所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括: 緊靠所述下鰭柱的第一部分；及 與所述第一部分連接且與 所述第一部分的夾角為90度的第二部分。
3.如權(quán)利要求2所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一部分包括:緊靠所述下鰭柱表面的二氧化硅層及緊靠所述二氧化硅層表面的鍺硅層；所述第二部分包括:鍺硅層。
4.如權(quán)利要求1所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，所述漏極通過對所述上鰭柱進(jìn)行離子注入工藝而形成；所述源極通過對所述下柱結(jié)構(gòu)及鍺硅襯底的表面進(jìn)行離子注入工藝而形成。
5.如權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，刻蝕所述初鍺硅襯底，以形成鍺硅襯底及位于所述鍺硅襯底上的柱結(jié)構(gòu)的步驟包括: 對所述初鍺硅襯底進(jìn)行刻蝕，以形成鍺硅襯底及位于所述鍺硅襯底上的初柱結(jié)構(gòu)； 在溫度為600°C 1500°C下，利用氫氣對所述初柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以形成柱結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，刻蝕所述鍺硅層及二氧化硅層以形成柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括: 對所述鍺硅層進(jìn)行刻蝕，暴露出所述阻擋層； 對所述鍺硅層及二氧化硅層進(jìn)行刻蝕，暴露出上鰭柱，并形成柵極結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，還包括:在形成源漏極的步驟之后，對所述柵極結(jié)構(gòu)、漏極及源極進(jìn)行自對準(zhǔn)處理，以在所述柵極結(jié)構(gòu)、源極及漏極表面形成自對準(zhǔn)硅化物。
8.如權(quán)利要求7所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，還包括:在對所述柵極結(jié)構(gòu)、漏極及源極進(jìn)行自對準(zhǔn)處理步驟之后，形成層間介質(zhì)層，以隔離所述柵極結(jié)構(gòu)、漏極及源極。
9.如權(quán)利要求8所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，還包括:在形成層間介質(zhì)層步驟之后，在所述層間介質(zhì)層中形成連接?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的第一接觸孔及連接源極的第二接觸孔。
10.一種具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括: 鍺硅襯底及位于所述鍺硅襯底上的下柱結(jié)構(gòu)，所述下柱結(jié)構(gòu)及鍺硅襯底的表層經(jīng)過離子注入工藝以作為源極； 位于所述下柱結(jié)構(gòu)上的鰭柱，所述鰭柱的材料為鍺硅，所述鰭柱包括靠近所述下柱結(jié)構(gòu)的下鰭柱及位于所述下鰭柱上的上鰭柱，其中，所述下鰭柱的表面形成有柵極結(jié)構(gòu)，所述上鰭柱經(jīng)過離子注入工藝以作為漏極。
11.如權(quán)利要求10所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括: 緊靠所述下鰭柱的第一部分；及 與所述第一部分連接且與所述第一部分的夾角為90度的第二部分。
12.如權(quán)利要求11所述的具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一部分包括:緊靠所述下鰭柱表面的二氧化硅層及緊靠所述二氧化硅層表面的鍺硅層；所述第二部分包括 :鍺硅層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有周圍柵極結(jié)構(gòu)的鰭型場效應(yīng)晶體管及其制造方法，其中，所述方法包括提供初鍺硅襯底；刻蝕初鍺硅襯底，形成鍺硅襯底及位于鍺硅襯底上的柱結(jié)構(gòu)，柱結(jié)構(gòu)包括下柱結(jié)構(gòu)及位于下柱結(jié)構(gòu)上的上柱結(jié)構(gòu)；形成阻擋層，覆蓋鍺硅襯底及下柱結(jié)構(gòu)；對上柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化處理，形成鰭柱及位于所述鰭柱表面的二氧化硅層，鰭柱包括下鰭柱及位于下鰭柱上的上鰭柱；形成鍺硅層，覆蓋所述阻擋層及二氧化硅層；刻蝕鍺硅層及二氧化硅層形成柵極結(jié)構(gòu)；移除阻擋層，暴露出鍺硅襯底及下柱結(jié)構(gòu)；對上鰭柱、下柱結(jié)構(gòu)及鍺硅襯底的表面進(jìn)行離子注入工藝，以形成源漏極。從而抑制了場效應(yīng)晶體管的短溝道效應(yīng)，同時(shí)提高了場效應(yīng)晶體管的電性能。
文檔編號H01L21/336GK103107088SQ20111035846
公開日2013年5月15日 申請日期2011年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月11日
發(fā)明者張海洋, 王新鵬 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司