專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light Emission Diode)或有機(jī)電致發(fā)光器件,簡(jiǎn)稱0LED，具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及可順暢顯示動(dòng)畫(huà)的高速響應(yīng)等優(yōu)勢(shì)，并且OLED可制作成柔性結(jié)構(gòu)，可進(jìn)行折疊彎曲，是一種極具潛力的平板顯示技術(shù)和平面光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，是最近十幾年相當(dāng)熱門(mén)的研究領(lǐng)域。
有機(jī)電致發(fā)光二極管具有一種類似三明治的結(jié)構(gòu)，其上下分別是陰極和陽(yáng)極，二個(gè)電極之間夾著單層或多層不同材料種類和不同結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料功能層，依次為空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層。有機(jī)電致發(fā)光器件是載流子注入型發(fā)光器件，在陽(yáng)極和陰極加上工作電壓后，空穴從陽(yáng)極，電子從陰極分別注入到工作器件的有機(jī)材料層中，兩種載流子在有機(jī)發(fā)光材料中形成空穴-電子對(duì)發(fā)光，然后光從電極一側(cè)發(fā)出。
OLED 一般使用高反射率的金屬陰極材料，而高反射率陰極卻使得有機(jī)電致發(fā)光器件作為顯示器件時(shí)的對(duì)比度較低，這樣在太陽(yáng)光下，其顯示的內(nèi)容將無(wú)法看清。
發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供 一種反射率較低的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括依次層疊的基底、陽(yáng)極、發(fā)光層及陰極，所述陰極包括依次層疊在所屬發(fā)光層上的第一金屬層、介質(zhì)層、金屬氟化物層及第二金屬層，所述第一金屬層的材料為銀、鋁、鎂、釤或鐿，所述第一金屬層的厚度為6nm 12nm，所述介質(zhì)層的材料包括無(wú)機(jī)透明材料及摻雜在所述無(wú)機(jī)透明材料中的摻雜金屬，所述無(wú)機(jī)透明材料為金屬硫化物或金屬硒化物，所述介質(zhì)層的厚度為40nm 80nm,所述金屬氟化物層的材料為氟化鋰、氟化銫或氟化鈉，所述金屬氟化物層的厚度為0.5nm Inm,所述第二金屬層的材料為鋁、銀、鋁銀合金或鎂銀合金，所述第二金屬層的厚度為SOnm 150nm。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述金屬硫化物為硫化鋅、硫化銻或硫化鎘；所述硒化物為硒化鋅；所述摻雜金屬為鋰、銫、鋁或銀；所述無(wú)機(jī)透明材料與所述摻雜金屬的質(zhì)量比為 10: 2 10: 0.2。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述基底為聚合物薄膜，所述聚合物薄膜的材料為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、環(huán)烯烴共聚物或聚碳酸酯。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述陽(yáng)極的材料為銀、鋁或金。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括依次層疊在所述陽(yáng)極上的空穴注入層和空穴傳輸層，所述空穴注入層及所述空穴傳輸層位于所述陽(yáng)極及所述發(fā)光層之間，所述空穴注入層的材料為4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺，所述空穴傳輸層的材料為N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基-聯(lián)苯_4，4' - 二胺。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括依次層疊在所述發(fā)光層上的電子傳輸層和電子注入層，所述電子傳輸層及所述電子注入層位于所述發(fā)光層及所述陰極之間，所述電子傳輸層的材料為(8-羥基喹啉)-鋁，所述電子注入層的材料為氟化鋰、氟化銫或氟化鈉。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料包括主體和摻雜客體，所述主體為4， 4! -N，N-二咔唑基-聯(lián)苯，所述摻雜客體為二(4，6-二氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合銥，所述摻雜客體的質(zhì)量百分比為6% 10%。
一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:步驟一、提供基底；步驟二、 在所述基底表面形成陽(yáng)極；步驟三、在所述陽(yáng)極表面形成發(fā)光層；步驟四、在所述發(fā)光層表面形成第一金屬層，所述第一金屬層的材料為銀、鋁、鎂、釤或鐿，所述第一金屬層的厚度為 6nm 12nm ;步驟五、在所述第一金屬層表面形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層的材料包括無(wú)機(jī)透明材料及摻雜在所述無(wú)機(jī)透明材料中的摻雜金屬，所述無(wú)機(jī)透明材料為金屬硫化物或金屬硒化物，所述介質(zhì)層的厚度為40nm SOnm ;步驟六、在所述介質(zhì)層表面形成金屬氟化物層，所述金屬氟化物層的材料為氟化鋰、氟化銫或氟化鈉，所述金屬氟化物層的厚度為0.5nm Inm;步驟七、在所述金屬氟化物層表面形成第二金屬層，所述第二金屬層的材料為鋁、銀、 招銀合金或鎂銀合金，所述第二金屬層的厚度為80nm 150nm。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述金屬硫化物為硫化鋅、硫化銻或硫化鎘；所述硒化物為硒化鋅；所述摻雜金屬為鋰、銫、鋁或銀；所述無(wú)機(jī)透明材料與所述摻雜金屬的質(zhì)量比為 10: 2 10: 0.2。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述基底為聚合物薄膜，所述聚合物薄膜的材料為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、環(huán)烯烴共聚物或聚碳酸酯。
上述有機(jī)電致發(fā)光器件采用四層結(jié)構(gòu)的陰極，第一金屬層厚度為6nm 12nm，起到了半透射半反射的作用，金屬氟化物層及第二金屬層起到反射的作用，介質(zhì)層的厚度為 40nm 80nm，介質(zhì)層在分別位于其兩側(cè)的第一金屬層、金屬氟化物層及第二金屬層上的反射相位正好相反，可以達(dá)到干涉相消的作用，大大的減少了總的反射，從而能降低有機(jī)電致發(fā)光器件的反射率。

圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法流程圖3為實(shí)施例1、實(shí)施例2與對(duì)比例I制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的反射光譜的曲線。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的基底10、陽(yáng)極 20、空穴注入層30、空穴傳輸層40、發(fā)光層50、電子傳輸層60、電子注入層70及陰極80。
基底10為聚合物薄膜。聚合物薄膜的材料為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)，聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、透明聚酰亞胺(PI)、環(huán)烯烴共聚物(COC)或聚碳酸酯(PC)?；?0的表面必須經(jīng)過(guò)平整加硬處理，表面硬度達(dá)到2H-3H(鉛筆硬度)。
陽(yáng)極20的材料為銀(Ag)、鋁(Al)或金(Au)，陽(yáng)極的厚度為18nm 25nm。
空穴注入層30形成于陽(yáng)極20的第二金屬層25表面。空穴注入層30的材料為4， 4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)。空穴注入層30的厚度為 30nm 50nmo
空穴傳輸層40形成于空穴注入層30表面。空穴傳輸層40的材料為N, N' -二 苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，1'-聯(lián)苯_4，4' -二胺(NPB)。空穴傳輸層40的厚度為 40nm 60nmo
發(fā)光層50形成于空穴傳輸層40的表面。發(fā)光層50的材料包括主體和摻雜客體， 主體為4，V -N, N- 二咔唑基-聯(lián)苯(CBP)，摻雜客體為二(4，6- 二氟苯基-N，C2)吡啶甲 酰合銥(FIrPic)。摻雜客體的質(zhì)量含量為6% 10%。發(fā)光層50的厚度為IOnm 30nm。
電子傳輸層60形成于發(fā)光層50的表面。電子傳輸層60的材料為(8-輕基喹 啉)-招(Alq3)。電子傳輸層60的厚度為30nm 50nm。
電子注入層70形成于電子傳輸層60的表面。電子注入層70的材料為氟化鋰 (LiF)。電子傳輸層70的厚度為lnm。
陰極80包括依次層疊的第一金屬層81、介質(zhì)層83、金屬氟化物層85及第二金屬 層87。第一金屬層81的材料為銀(Ag)、招(Al)、鎂(Mg)、衫(Sm)或鐿(Yb)。第一金屬層 81的厚度為6nm 12nm。第一金屬層81起到半反射半透射的作用。介質(zhì)層83的材料包 括無(wú)機(jī)透明材料及摻雜在無(wú)機(jī)透明材料中的摻雜金屬。無(wú)機(jī)透明材料為金屬硫化物或金屬 硒化物。本實(shí)施方式中，金屬硫化物為硫化鋅(ZnS)、硫化銻(Sb2S3)或硫化鎘(CdS);硒化 物為硒化鋅(ZnSe);摻雜金屬為鋰(Li)、銫(Cs)、鋁(Al)或銀(Ag);無(wú)機(jī)透明材料與摻雜 金屬的質(zhì)量比為10: 2 10: 0.2。介質(zhì)層83的厚度為40nm 80nm。金屬氟化物層85 的材料為氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)或氟化鈉(NaF)，金屬氟化物層85的厚度為0.5nm lnm。金屬氟化物層起到電子注入的效果。第二金屬層87的材料為鋁(Al)、銀(Ag)、鋁銀 (Al-Ag)合金或鎂銀(Mg-Ag)合金。第二金屬層87的厚度為80nm 150nm。金屬氟化物 層85和第二金屬層87起到反射的作用。
上述有機(jī)電致發(fā)光器件100采用四層結(jié)構(gòu)的陰極80，第一金屬層81厚度為6nm 12nm，起到了半透射半反射的作用，金屬氟化物層85及第二金屬層87起到反射的作用，介 質(zhì)層83的厚度為40nm 80nm,介質(zhì)層83在分別位于其兩側(cè)的第一金屬層81、金屬氟化物 層85及第二金屬層87上的反射相位正好相反，可以達(dá)到干涉相消的作用，能夠降低對(duì)環(huán)境 的光線反射，降低了有機(jī)電致發(fā)光器件的反射率，從而能提高使用有機(jī)電致發(fā)光器件作為 顯示器件的對(duì)比度。
可以理解，根據(jù)有機(jī)電致發(fā)光器件的性能需求，空穴注入層30、空穴傳輸層40、電 子傳輸層60及電子注入層70中的一個(gè)或多個(gè)可以省略。
請(qǐng)參閱圖2，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
步驟S1、提供基底10。
本實(shí)施方式中，基底10為聚合物薄膜。聚合物薄膜的材料為聚對(duì)苯二甲酸乙二 醇酯(PET)，聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、透明聚酰亞胺(PI)、環(huán)烯烴共聚物 (COC)或聚碳酸酯(PC)。基底10的表面必須經(jīng)過(guò)平整加硬處理，表面硬度達(dá)到2H-3H(鉛筆硬度)。基底10在使用前先進(jìn)行清洗。首先將基底10放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn) 行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈桑?得到潔凈的基底。
步驟S2、在基底10表面形成陽(yáng)極20。
本實(shí)施方式中，陽(yáng)極20在真空鍍膜系統(tǒng)中經(jīng)過(guò)蒸鍍形成。陽(yáng)極20的材料為銀 (Ag)、招(Al)或金(Au)，陽(yáng)極的厚度為18nm 25nm。
步驟S3、在陽(yáng)極20表面形成發(fā)光層50。
發(fā)光層50由蒸鍍形成。發(fā)光層50的材料包括主體和摻雜客體，主體為4，V -N, N- 二咔唑基-聯(lián)苯(CBP)，摻雜客體為二(4，6- 二氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrPic)。 摻雜客體的質(zhì)量含量為6% 10%。發(fā)光層50的厚度為20nm。
步驟S4、在發(fā)光層50表面形成第一金屬層81，第一金屬層81的材料為銀、鋁、鎂、 衫或鐿，第一金屬層的厚度為6nm 12nm。
本實(shí)施方式中，第一金屬層81由蒸鍍形成。
步驟S5、在第一金屬層81表面形成介質(zhì)層83,介質(zhì)層83的材料包括無(wú)機(jī)透明材 料及摻雜在所述無(wú)機(jī)透明材料中的摻雜金屬，無(wú)機(jī)透明材料為金屬硫化物或金屬硒化物， 介質(zhì)層83的厚度為40nm 80nm。
本實(shí)施方式中，介質(zhì)層83由蒸鍍形成；金屬硫化物為硫化鋅(ZnS)、硫化鋪(Sb2S3) 或硫化鎘(CdS);硒化物為硒化鋅(ZnSe);摻雜金屬為鋰(Li)、銫(Cs)、鋁(Al)或銀(Ag)； 無(wú)機(jī)透明材料與摻雜金屬的質(zhì)量比為10: 2 10: 0.2。
步驟S6、在介質(zhì)層83表面形成金屬氟化物層85，金屬氟化物層的材料為氟化鋰、 氟化銫或氟化鈉，所述金屬氟化物層的厚度為0.5nm lnm。
本實(shí)施方式中，金屬氟化物層85由蒸鍍形成。
步驟S7、在金屬氟化物層85表面形成第二金屬層87，第二金屬層87的材料為鋁、 銀、鋁銀合金或鎂銀合金，第二金屬層87的厚度為80nm 150nm。
本實(shí)施方式中，第二金屬層87由蒸鍍形成。
上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，制備過(guò)程較為簡(jiǎn)單，制備四層結(jié)構(gòu)的陰極80， 能夠降低對(duì)環(huán)境的光線反射，降低了有機(jī)電致發(fā)光器件的反射率。
在制備上述有機(jī)電致發(fā)光器件時(shí)，可以根據(jù)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的要求在陽(yáng)極20 和發(fā)光層50之間制備空穴注入層和空穴傳輸層,在發(fā)光層50和第一金屬層81之間制備 電子傳輸層60和電子注入層70?？昭ㄗ⑷雽?0的材料為4，4'，4"-三(N-3-甲基苯 基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)。空穴注入層30的厚度為30nm 50nm。空穴傳輸層 40 的材料為 N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，1'-聯(lián)苯 _4，4' -二胺(NPB)?？?穴傳輸層40的厚度為40nm 60nm。電子傳輸層60的材料為(8-輕基喹啉)-招(Alq3)。 電子傳輸層60的厚度為30nm 50nm。電子注入層70的材料為氟化鋰(LiF)。電子傳輸 層70的厚度為lnm。
以下為具體實(shí)施例。
實(shí)施例1
本實(shí)施例1的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu):PET/Ag/m-MTDATA/NPB/FIrPic:CBP/Alq3/ LiF/Ag/Ag:ZnS/CsF/Ag。
該實(shí)施例1的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
將PET薄膜襯底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈?。在真空蒸鍍系統(tǒng)中，在PET薄膜表面沉積厚度為18nm的金屬Ag作為陽(yáng)極，然后將陽(yáng)極用氧等離子處理2分鐘。處理完畢后，繼續(xù)在陽(yáng)極上依次蒸鍍厚度為30nmm-MTDATA(4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)作為空穴注入層，厚度為40nm NPB (N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，1'-聯(lián)苯-4,4' - 二胺)作為的空穴傳輸層，厚度為20nm，摻雜比例為8%的 FIrPiciCBP(FIrPic 二 (4，6-二氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合銥，CBP:4,4/ -N, N-二咔唑基-聯(lián)苯)作為摻雜發(fā)光層，厚度為30nm的Alq3((8-輕基喹啉)-招)作為電子傳輸層。 厚度為0.5nm的LiF作為電子注入層，厚度為8nm的Ag作為第一金屬層，隨后是厚度為 60nm的介質(zhì)層,介質(zhì)層采用Ag摻雜的ZnS, ZnS與Ag的比例為10: I,在介質(zhì)層上是厚度為0.5nm的金屬氟化物層,金屬氟化物為CsF,金屬氟化物層上為厚度為80nm的金屬Ag層作為第二金屬層。
實(shí)施例2
本實(shí)施例2的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu):PC/Al/m-MTDATA/NPB/FIrPic:CBP/Alq3/ LiF/Al/L1:ZnSe/NaF/Al。
該實(shí)施例2的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
按實(shí)施例1的處理方法將PC薄膜清洗完畢后，在PC薄膜表面沉積厚度為20nm的金屬Al作為陽(yáng)極，然后將陽(yáng)極用氧等離子處理2分鐘。處理完畢后，繼續(xù)在陽(yáng)極上依次蒸鍍厚度為50nm m-MTDATA(4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)作為空穴注入層，厚度為 60nm NPB(N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯 _4，4' -二胺)作為的空穴傳輸層，厚度為10nm，摻雜比例為6%的FIrPic:CBP(FIrPic:二(4，6_ 二氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合銥，CBP:4,4/ -N, N-二咔唑基-聯(lián)苯)作為摻雜發(fā)光層，厚度為50nm的Alq3((8-羥基喹啉)-鋁)作為電子傳輸層。厚度為Inm的LiF作為電子注入層，然后是厚度為6nm的Al作為第一金屬層，隨后是厚度為80nm的介質(zhì)層,介質(zhì)層采用Li 摻雜的ZnSe，ZnSe與Li的比例為10: 0.2。在介質(zhì)層上是厚度為Inm的金屬氟化物層， 金屬氟化物為NaF,金屬氟化物層上為厚度為IOOnm的金屬Al層作為第二金屬層。
實(shí)施例3
本實(shí)施例3的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu):PEN/Ag/m-MTDATA/NPB/FIrPic: CBP/Alq3/ LiF/Al/Cs:CdS/CsF/Al-Ag。
該實(shí)施例3的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
按實(shí)施例1的處理方法將PEN薄膜清洗完畢后，在PEN薄膜表面沉積厚度為25nm 的金屬Ag作為陽(yáng)極，然后將陽(yáng)極用氧等離子處理2分 鐘。處理完畢后，繼續(xù)在陽(yáng)極上依次蒸鍍厚度為30nm m-MTDATA(4，4' Λ"-三(Ν_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)作為空穴注入層，厚度為40nm NPB(N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，Γ -聯(lián)苯_4， 4' - 二胺)作為的空穴傳輸層，厚度為10nm，摻雜比例為10%的FIrPic:CBP (FIrPic:二 (4，6-二氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合銥，CBP:4，V -N，N-二咔唑基-聯(lián)苯)作為摻雜發(fā)光層，厚度為30nm的Alq3((8-羥基喹啉)-鋁)作為電子傳輸層。厚度為Inm的LiF作為電子注入層，然后是厚度為12nm的Sm作為第一金屬層，隨后是厚度為40nm的介質(zhì)層，介質(zhì)層采用Cs摻雜的CdS，CdS與Cs的比例為10: 2。在介質(zhì)層上是厚度為Inm的金屬氟化物 層，金屬氟化物為CsF,金屬氟化物層上為厚度為150nm的Al-Ag合金層作為第二金屬層。
實(shí)施例4
本實(shí)施例4的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu):PES/Ag/m-MTDATA/NPB/FIrPic: CBP/Alq3/ CsF/Ag/Cs:ZnS/CsF/Ag。
該實(shí)施例4的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
按實(shí)施例1的處理方法將PES薄膜清洗完畢后，在PES薄膜表面沉積厚度為22nm 的金屬Ag作為陽(yáng)極，然后將陽(yáng)極用氧等離子處理2分鐘。處理完畢后，繼續(xù)在陽(yáng)極上依次蒸 鍍厚度為30nm m-MTDATA(4，4' Λ"-三(Ν_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)作為空穴 注入層，厚度為 40nm ΝΡΒ(Ν，Ν' - 二苯基-Ν，Ν' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯 _4，4' -二 胺)作為的空穴傳輸層，厚度為20nm，摻雜比例為8%的FIrPic:CBP(FIrPic:二 (4，6_ 二 氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrPichCBP=If -N，N-二咔唑基-聯(lián)苯)作為摻雜發(fā)光 層，厚度為30nm的Alq3((8-羥基喹啉)-鋁)作為電子傳輸層。厚度為Inm的CsF作為電 子注入層，，然后是厚度為6nm的Yb作為第一金屬層，隨后是厚度為65nm的介質(zhì)層，介質(zhì)層 采用Cs摻雜的ZnS，ZnS與Cs的比例10: 1.5。在介質(zhì)層上是厚度為Inm的金屬氟化物 層，金屬氟化物為CsF,金屬氟化物層上為厚度為120nm的金屬Ag層作為第二金屬層。
實(shí)施例5
本實(shí)施例5的有機(jī)電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu):PET/Ag/m-MTDATA/NPB/FIrPic: CBP/Alq3/ LiF/Al/Al:Sb2S3/CsF/Mg-Ag。
該實(shí)施例5的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
按實(shí)施例1的處理方法將PET薄膜清洗完畢后，在PET薄膜表面沉積厚度為20nm 的金屬Ag作為陽(yáng)極，然后將陽(yáng)極用氧等離子處理2分鐘。處理完畢后，繼續(xù)在陽(yáng)極上依次蒸 鍍厚度為30nm m-MTDATA(4，4' Λ"-三(Ν_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)作為空穴 注入層，厚度為 40nm ΝΡΒ(Ν，Ν' - 二苯基-Ν，Ν' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯 _4，4' -二 胺)作為的空穴傳輸層，厚度為20nm，摻雜比例為8%的FIrPic:CBP(FIrPic:二(4，6_ 二 氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrPichCBP=If -N，N-二咔唑基-聯(lián)苯)作為摻雜發(fā)光 層，厚度為30nm的Alq3((8-羥基喹啉)-鋁)作為電子傳輸層。厚度為Inm的LiF作為電 子注入層，然后是厚度為IOnm的Mg作為第一金屬層，隨后是厚度為45nm的介質(zhì)層，介質(zhì)層 采用Al摻雜的Sb2S3, Sb2S3與Al的摻雜比例為10: 0.5。在介質(zhì)層上是厚度為Inm的金 屬氟化物層，金屬氟化物為CsF,金屬氟化物層上為厚度為IOOnm的Mg-Ag合金層作為第二 金屬層。
對(duì)比例I
對(duì)比實(shí)施例1，按照實(shí)施例1的制作方法制作器件結(jié)構(gòu)為PET/Ag/m-MTDATA/NPB/ FIrPic:CBP/Alq3/LiF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件，該發(fā)光器件的陰極采用厚度為IOOnm的 Ag，其他各層材料厚度與實(shí)施例1對(duì)應(yīng)的各層厚度相同。
請(qǐng)參閱圖3，圖3所示為實(shí)施例1、實(shí)施例2與對(duì)比例I制備的有機(jī)電致發(fā)光器件 的反射光譜的曲線對(duì)比。將本發(fā)明實(shí)施例1 5設(shè)計(jì)的有機(jī)電致發(fā)光器件與對(duì)比例I設(shè)計(jì) 的有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行反射率測(cè)試對(duì)比，結(jié)果如表I所示。從圖3和表I中可以看出，采 用本發(fā)明設(shè)計(jì)的陰極的有機(jī)電致發(fā)光器件，具有較低的反射率，明顯低于普通的有機(jī)電致發(fā)光器件，因此，在用于頂發(fā)射顯示的時(shí)候，可以降低器件對(duì)外部物體的反射，顯著提高顯示對(duì)比度。
表I
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括依次層疊的基底、陽(yáng)極、發(fā)光層及陰極，其特征在于，所述陰極包括依次層疊在所屬發(fā)光層上的第一金屬層、介質(zhì)層、金屬氟化物層及第二金屬層，所述第一金屬層的材料為銀、招、鎂、衫或鐿，所述第一金屬層的厚度為6nm 12nm,所述介質(zhì)層的材料包括無(wú)機(jī)透明材料及摻雜在所述無(wú)機(jī)透明材料中的摻雜金屬，所述無(wú)機(jī)透明材料為金屬硫化物或金屬硒化物，所述介質(zhì)層的厚度為40nm 80nm,所述金屬氟化物層的材料為氟化鋰、氟化銫或氟化鈉，所述金屬氟化物層的厚度為0.5nm lnm，所述第二金屬層的材料為鋁、銀、鋁銀合金或鎂銀合金，所述第二金屬層的厚度為SOnm 150nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬硫化物為硫化鋅、硫化銻或硫化鎘；所述硒化物為硒化鋅；所述摻雜金屬為鋰、銫、鋁或銀；所述無(wú)機(jī)透明材料與所述摻雜金屬的質(zhì)量比為10: 2 10: 0.2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述基底為聚合物薄膜，所述聚合物薄膜的材料為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、環(huán)烯烴共聚物或聚碳酸酯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽(yáng)極的材料為銀、鋁或金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括依次層疊在所述陽(yáng)極上的空穴注入層和空穴傳輸層，所述空穴注入層及所述空穴傳輸層位于所述陽(yáng)極及所述發(fā)光層之間，所述空穴注入層的材料為4，4,，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺，所述空穴傳輸層的材料為N，N' - 二苯基-N，N' - 二(1-萘基)_1，I'-聯(lián)苯-4,4' _ 二胺。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括依次層疊在所述發(fā)光層上的電子傳輸層和電子注入層，所述電子傳輸層及所述電子注入層位于所述發(fā)光層及所述陰極之間，所述電子傳輸層的材料為(8-羥基喹啉)-鋁，所述電子注入層的材料為氟化鋰、氟化銫或氟化鈉。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料包括主體和摻雜客體，所述主體為4，V -N, N- 二咔唑基-聯(lián)苯，所述摻雜客體為二(4，6- 二氟苯基-N，C2)吡啶甲酰合銥，所述摻雜客體的質(zhì)量百分比為6% 10%。
8.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟: 步驟一、提供基底； 步驟二、在所述基底表面形成陽(yáng)極； 步驟三、在所述陽(yáng)極表面形成發(fā)光層； 步驟四、在所述發(fā)光層表面形成第一金屬層，所述第一金屬層的材料為銀、鋁、鎂、釤或鐿，所述第一金屬層的厚度為6nm 12nm ; 步驟五、在所述第一金屬層表面形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層的材料包括無(wú)機(jī)透明材料及摻雜在所述無(wú)機(jī)透明材料中的摻雜金屬，所述無(wú)機(jī)透明材料為金屬硫化物或金屬硒化物，所述介質(zhì)層的厚度為40nm 80nm ； 步驟六、在所述介質(zhì)層表面形成金屬氟化物層，所述金屬氟化物層的材料為氟化鋰、氟化銫或氟化鈉，所述金屬氟化物層的厚度為0.5nm Inm ； 步驟七、在所述金屬氟化物層表面形成第二金屬層，所述第二金屬層的材料為鋁、銀、招銀合金或鎂銀合金，所述第二金屬層的厚度為80nm 150nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬硫化物為硫化鋅、硫化銻或硫化鎘；所述硒化物為硒化鋅；所述摻雜金屬為鋰、銫、鋁或銀；所述無(wú)機(jī)透明材料與所述摻雜金屬的質(zhì)量比為10: 2 10: 0.2。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述基底為聚合物薄膜，所述聚合物薄膜的材料為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、環(huán)烯烴共聚物或聚碳酸酯。
全文摘要
一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括依次層疊的基底、陽(yáng)極、發(fā)光層及陰極，所述陰極包括依次層疊在所屬發(fā)光層上的第一金屬層、介質(zhì)層、金屬氟化物層及第二金屬層，所述第一金屬層的材料為銀、鋁、鎂、釤或鐿，所述第一金屬層的厚度為6nm～12nm，所述介質(zhì)層的材料包括無(wú)機(jī)透明材料及摻雜在所述無(wú)機(jī)透明材料中的摻雜金屬，所述無(wú)機(jī)透明材料為金屬硫化物或金屬硒化物，所述介質(zhì)層的厚度為40nm～80nm，所述金屬氟化物層的材料為氟化鋰、氟化銫或氟化鈉，所述金屬氟化物層的厚度為0.5nm～1nm，所述第二金屬層的材料為鋁、銀、鋁銀合金或鎂銀合金，所述第二金屬層的厚度為80nm～150nm。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的反射率較低。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
文檔編號(hào)H01L51/52GK103137880SQ20111037403
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2011年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月22日
發(fā)明者周明杰, 王平, 馮小明, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司