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有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備方法

文檔序號(hào):7165352閱讀:152來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備方法
有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng)域,特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備方法。背景技術(shù)
有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode),以下簡(jiǎn)稱0LED,具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性,同時(shí)擁有高清晰、廣視角,以及響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì),是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源,符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨勢(shì),以及綠色照明技術(shù)的要求,是目前國(guó)內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
有機(jī)電致發(fā)光二極管具有一種類似三明治的結(jié)構(gòu),其上下分別是陰極和陽(yáng)極,二個(gè)電極之間夾著單層或多層不同材料種類和不同結(jié)構(gòu)的有機(jī)材料功能層。有機(jī)電致發(fā)光器件是載流子注入型發(fā)光器件,在陽(yáng)極和陰極加上工作電壓后,空穴從陽(yáng)極,電子從陰極分別注入到工作器件的有機(jī)材料層中,兩種載流子在有機(jī)發(fā)光材料中形成空穴-電子對(duì)發(fā)光, 然后光從電極一側(cè)發(fā)出。大部分的OLED使用透明的銦摻雜氧化錫(ITO)薄膜作為陽(yáng)極,光從陽(yáng)極的一側(cè)發(fā)出,制得底發(fā)射或頂發(fā)射OLED裝置。
當(dāng)把陰極也做成透明的時(shí)候,也可以制作成穿透式的照明裝置,實(shí)現(xiàn)360度的全方位照明,還可以擴(kuò)大有機(jī)電致發(fā)光二極管的應(yīng)用領(lǐng)域。但是通常采用陰極材料的可見(jiàn)光透過(guò)率要明顯低于陽(yáng)極ITO的透過(guò)率,雖然ITO導(dǎo)電薄膜具有高透過(guò)率,但是由于其制備工藝復(fù)雜,并且一般不能直接在有機(jī)層基底上制備,因此采用普通工藝難以制作成高透光率的陰極。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要提供一種高出光率的雙面出光有機(jī)電致發(fā)光裝置。
進(jìn)一步,提供上述有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法。
—種有機(jī)電致發(fā)光裝置,包括依次層疊的透明基板、陰極、有機(jī)電致發(fā)光層和透明陽(yáng)極,所述陰極包括依次層疊在所述透明基板上的透明導(dǎo)電氧化物薄膜和金屬修飾層,所述金屬修飾層的材料選自銀、鋁、鎂、釹、釤和鐿中的一種,且所述金屬修飾層的厚度為4 10納米。
優(yōu)選的,所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜的材料選自銦摻雜氧化錫、氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、招摻雜氧化鋅和鎵摻雜氧化鋅中的一種。
優(yōu)選的,所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜的厚度為80 120納米。
優(yōu)選的,所述透明陽(yáng)極包括依次層疊在所述有機(jī)電致發(fā)光層上的氧化物層、金屬層和硫化鋅層,所述氧化物層的厚度為5 10納米,所述金屬層的厚度為18 25納米,所述硫化鋅層的厚度為40 70納米。
優(yōu)選的,所述氧 化物的層的材料為氧化鑰、氧化鎢、五氧化二釩或一氧化硅,所述金屬層的材料為銀、鋁或金。
優(yōu)選的,所述有機(jī)電致發(fā)光層包括依次層疊在所述陰極上的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層。
優(yōu)選的,所述電子注入層的材料為氟化鋰,所述電子傳輸層的材料為(8-羥基喹啉)_鋁,所述發(fā)光層的材料為二(4,6-二氟苯基-N,C2)吡啶甲酰合銥和4,4' -N, N-二咔唑基-聯(lián)苯的混合材料,所述空穴傳輸層的材料為N,N' - 二苯基-N,N' - 二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4' -二胺,所述空穴注入層的材料為4,4',4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)二苯胺。
一種有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法,包括以下步驟:
步驟一:提供透明基板;
步驟二:在所述透明基板的表面濺射制備透明導(dǎo)電氧化物薄膜;
步驟三:在所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜的表面蒸鍍金屬修飾層制得陰極,所述金屬修飾層的材料選自的材料選自銀、鋁、鎂、釹、釤和鐿中的一種,且所述金屬修飾層的厚度為 4 10納米;
步驟四:在所述陰極上蒸鍍有機(jī)電致發(fā)光層;及
步驟五:在所述有 機(jī)電致發(fā)光層上蒸鍍透明陽(yáng)極,得到所述有機(jī)電致發(fā)光裝置。
優(yōu)選的,步驟一還包括透明基板的洗滌,首先將基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗,清洗干凈后依次在異丙醇,丙酮中用超聲波處理20分鐘,然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> 優(yōu)選的,步驟五中,所述透明陽(yáng)極的蒸鍍方法為:先蒸鍍氧化物層,然后蒸鍍金屬層,最后蒸鍍硫化鋅層。
上述有機(jī)電致發(fā)光裝置的陽(yáng)極為透明陽(yáng)極,陰極包括依次層疊在透明基板上的透明導(dǎo)電氧化物薄膜和金屬修飾層,金屬修飾層的材料選自銀、鋁、鎂、釹、釤和鐿中的一種, 且金屬修飾層的厚度為4 10納米。透明導(dǎo)電氧化物薄膜具有像玻璃一樣高的透明性,且金屬修飾層為透光好的薄層金屬層,使得陰極具有較高的透光性,有機(jī)電致發(fā)光層發(fā)出的光線可以同時(shí)通過(guò)陰極的一側(cè)和陽(yáng)極的一側(cè)發(fā)出,從而獲得具有高出光率的雙面出光有機(jī)電致發(fā)光裝置。

圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法流程圖。
具體實(shí)施方式
以下通過(guò)具體實(shí)施方式
對(duì)上述有機(jī)電致裝置及其制備方法進(jìn)一步闡述。
請(qǐng)參閱圖1,一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置100,包括依次層疊的透明基板120、 陰極140、有機(jī)電致發(fā)光層160和透明陽(yáng)極180。這種倒置結(jié)構(gòu)具有較好的電子注入特性, 使得透明基板120與器件結(jié)構(gòu)更加匹配,從而能改善有機(jī)電致發(fā)光裝置100的整體性能。
透明基板120可以為玻璃基板、聚碳酸酯板基板等。玻璃基板具有較好的光透過(guò)率,為保證提高透光度,透明基板120優(yōu)選采用透明玻璃制成。
陰極140包括依次層疊在透明基板120上的透明導(dǎo)電氧化物薄膜141及金屬修飾層 142。
透明導(dǎo)電氧化物薄膜141的材料選自銦摻雜氧化錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、銦摻雜 氧化鋅(IZO)、鋁摻雜氧化鋅(AZO)和鎵摻雜氧化鋅(GZO)中的一種。一般情況下,透明導(dǎo)電 氧化物的導(dǎo)電性提高,則透光度下降,反之亦然。綜合導(dǎo)電性和透光度,選擇銦摻雜的氧化 錫(IZO)、氧化鋅(AZO)、銦摻雜氧化鋅(IZO)、鋁摻雜氧化鋅(AZO)和鎵摻雜氧化鋅(GZO) 作為透明導(dǎo)電氧化物制備透明導(dǎo)電氧化物薄膜141,使得陰極140具有高透光度的同時(shí)具 有良好的導(dǎo)電性。
為保證透光度,透明導(dǎo)電氧化物薄膜141的厚度不宜過(guò)厚。優(yōu)選的,透明導(dǎo)電氧化 物薄膜141的厚度為80 120納米。
金屬修飾層142的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鎂(Mg)、釹(Nd)、釤(Sm)和鐿(Yb) 中的一種。為提高電子的注入效率,一般選用功函數(shù)盡可能低的材料做陰極。上述幾種金 屬具有較低的功函數(shù),能夠降低陰極140與有機(jī)電致發(fā)光層160的注入勢(shì)壘,因而能夠提高 電子注入效率,從而降低有機(jī)電致發(fā)光裝置100的啟動(dòng)電壓。
為保證金屬層修飾層142的透光性,金屬修飾層142不易過(guò)厚。在本實(shí)施方式中, 金屬修飾層142的厚度為4 10納米。
有機(jī)電致發(fā)光層160包括依次位于陰極140上的電子注入層161、電子傳輸層 162、發(fā)光層163、空穴傳輸層164和空穴注入層165。在本實(shí)施方式中,采用氟化鋰(LiF)作 為電子注入層161的材料,電子注入層161的厚度為I納米;采用(8-羥基喹啉)_鋁(Alq3) 作為電子傳輸層162的材料,電子傳輸層162的厚度為30納米;采用二(4,6-二氟苯基-N, C2)吡啶甲酰合銥(FIrPic)和4,V -N,N-二咔唑基-聯(lián)苯(CBP)的混合物作為發(fā)光層163 的材料,其中4,4' -N,N-二咔唑基-聯(lián)苯的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為8%,發(fā)光層163的厚度為20納 米;采用N,N' - 二苯基-N,N' -二(1-萘基)_1,1'-聯(lián)苯-4,4' -二胺(NPB)作為的 空穴傳輸層164的材料,空穴傳輸層164的厚度為40納米;采用4,4',4"-三(N-3-甲 基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)作為空穴注入層165的材料,空穴注入層165的 厚度為30納米。
可以理解,有機(jī)電致發(fā)光層160可以為單層結(jié)構(gòu)、雙層結(jié)構(gòu)和多層結(jié)構(gòu)。采用多層 結(jié)構(gòu)可以降低驅(qū)動(dòng)電壓、增加量子效率和提高發(fā)光度。多層結(jié)構(gòu)不但保證了有機(jī)電致發(fā)光 裝置的功能層與基板的良好附著性,而且還使得來(lái)自陽(yáng)極180和陰極140的載流子更容易 注入到有機(jī)功能薄膜中,以改善有機(jī)電致發(fā)光裝置100的發(fā)光性能。
透明陽(yáng)極180包括依次層疊在有機(jī)電致發(fā)光層160上的氧化物層181、金屬層182 和硫化鋅(ZnS)層183。氧化物層181的材料為氧化鑰(MoO3)、氧化鎢(WO3)、五氧化二釩 (V2O5)或一氧化硅(SiO),金屬層182的材料為銀(Ag)、鋁(Al)或金(Au)。氧化物層181 可以降低金屬層182與空穴注入層165之間較大的空穴注入勢(shì)壘,改善空穴注入能力。硫 化鋅(ZnS)層183的設(shè)置提高了透明陽(yáng)極180的光提取效率,從而可以提高透明陽(yáng)極180 的出光率。
陽(yáng)極的厚度過(guò)厚會(huì)降低透光率。在本實(shí)施方式中,氧化物層181的厚度為5 10 納米,金屬層182的厚度為18 25層,硫化鋅層183的厚度為40 70納米,以保證透明 陽(yáng)極180的透明度。
可以理解,透明陽(yáng)極180也可以是常規(guī)的銦摻雜氧化錫(ITO)陽(yáng)極。銦摻雜氧化錫陽(yáng)極也具有較高的光透過(guò)率。但上述多層結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極與常規(guī)的ITO陽(yáng)極相比,具有電導(dǎo) 率高、電能損耗小,空穴注入能力高的優(yōu)點(diǎn),且由于金屬銦屬于稀缺資源,使得ITO陽(yáng)極的 成本較高,本實(shí)施方式的透明陽(yáng)極180可有效降低有機(jī)電致發(fā)光裝置100的成本。
上述有機(jī)電致發(fā)光裝置100的透明陽(yáng)極180為透明陽(yáng)極,陰極140包括依次層疊 在透明基板120上的透明導(dǎo)電氧化物薄膜141和金屬修飾層142,金屬修飾層142的材料 選自銀(Ag)、鋁(Al)、鎂(Mg)、釹(Nd)、釤(Sm)和鐿(Yb)中的一種,且金屬修飾層142的 厚度為4 10納米。透明導(dǎo)電氧化物薄膜141具有像玻璃一樣高的透明性,且金屬修飾層 142為透光好的薄層金屬層,使得陰極140具有較高的透光性,有機(jī)電致發(fā)光層160發(fā)出的 光線可以同時(shí)通過(guò)陰極140的一側(cè)和透明陽(yáng)極180的一側(cè)發(fā)出,高出光率的陰極140和透 明陽(yáng)極180使得有機(jī)電致發(fā)光裝置100為具有高出光率的雙面出光有機(jī)電致發(fā)光裝置。
當(dāng)把陰極140做成透明時(shí),可以把有機(jī)電致發(fā)光裝置100制成穿透式的照明裝置, 實(shí)現(xiàn)360度的全方位均勻照明,可擴(kuò)大有機(jī)電致發(fā)光裝置100的應(yīng)用領(lǐng)域。
請(qǐng)參閱圖2,一種有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法,包括以下步驟:
步驟SllO:提供透明基板。
本實(shí)施方式中,透明基板為透明玻璃?;褰?jīng)過(guò)洗滌,首先將基板放在含有洗滌劑 的去離子水中進(jìn)行超聲清洗,清洗干凈后依次用異丙醇,丙酮在超聲波中處理20分鐘,然 后再用氮?dú)獯蹈桑玫綕崈舻幕濉?br> 步驟S120:在步驟SllO的透明基板的表面濺射制備透明導(dǎo)電氧化物薄膜。
在真空鍍膜系統(tǒng)中濺射透明導(dǎo)電氧化物,以在透明基板表面上形成透明導(dǎo)電氧化 物薄膜。透明導(dǎo)電氧化物選自銦摻雜氧化錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、銦摻雜氧化鋅(IZO)、 鋁摻雜氧化鋅(AZO)和鎵摻雜氧化鋅(GZO)中的一種,且透明導(dǎo)電氧化物物薄膜的厚度為 80 120納米。
步驟S130:在步驟S120的透明導(dǎo)電氧化物薄膜表面蒸鍍金屬修飾層制得陰極。
在熱蒸鍍系統(tǒng)中蒸鍍金屬,以在步驟120得到的透明導(dǎo)電氧化物薄膜表面上形成 金屬修飾層,從而得到陰極。
所蒸鍍的金屬選自銀(Ag)、鋁(Al)、鎂(Mg)、釹(Nd)、釤(Sm)和鐿(Yb)中的一種, 且金屬修飾層的厚度為4 10納米。
步驟S140:在步驟130的陰極上蒸鍍有機(jī)電致發(fā)光層。
在本實(shí)施方式中,有機(jī)電致發(fā)光層包括依次位于陰極上的電子注入層、電子傳輸 層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層。制備過(guò)程中,依次蒸鍍形成電子注入層、電子傳輸 層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層,從而得到有機(jī)電致發(fā)光層。
步驟S150:在步驟140的有機(jī)電致發(fā)光層上蒸鍍透明陽(yáng)極,得到有機(jī)電致發(fā)光裝置。
蒸鍍過(guò)程中,先蒸鍍氧化物層,然后蒸鍍金屬層,最后蒸鍍硫化鋅層,氧化物層、金 屬層和硫化鋅層依次疊合。氧化物層的材料為氧化鑰(MoO3)、氧化鎢(WO3)、五氧化二釩 (V2O5)或一氧化硅(SiO),金屬層的材料為銀(Ag)、鋁(Al)或金(Au)。
陽(yáng)極的三個(gè)組成結(jié)構(gòu)層都采用蒸鍍工藝制備,在制備過(guò)程中不會(huì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光 層產(chǎn)生破壞作用,不會(huì)影響有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光性能。
上述有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法,將陰極制備在基板上,克服了一般不能直接在有機(jī)層基底上制備透明導(dǎo)電氧化物薄膜的工藝?yán)щy,制作過(guò)程簡(jiǎn)單,制備得到的有機(jī)電 致發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)緊湊,且制備過(guò)程中不會(huì)影響有機(jī)器件的發(fā)光性能,能得到高發(fā)光性能的 有機(jī)電致發(fā)光裝置,并且制備成本低,易于工業(yè)化。
以下為具體實(shí)施例。
實(shí)施例1
將透明玻璃基板清洗干凈后,在真空濺射系統(tǒng)中,在透明玻璃的表面上濺射制備 厚度為100納米的銦摻雜氧化錫(ITO)薄膜,然后轉(zhuǎn)移至真空熱蒸鍍系統(tǒng)中,在ITO薄膜表 面蒸鍍厚度為8納米的銀(Ag)層作為金屬修飾層,然后依次在其表面蒸鍍有機(jī)電致發(fā)光層 以及透明陽(yáng)極,得到有機(jī)電致發(fā)光裝置。透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)為Mo03/Ag/ZnS,三層的厚度分別為 6納米、20納米、45納米。
所得的有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為:
透明玻璃基板/ITO/Ag/LiF/Alq3/FIrPic:CBP8 % /NPB/m_MTDATA/Mo03/Ag/ZnS。 即該有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為依次層疊的透明玻璃基板,由ITO和層疊在ITO上的Ag金 屬修飾層組成的陰極,有機(jī)電致發(fā)光層,依次層疊的MoO3層、Ag層和ZnS層組成的陽(yáng)極。其 中有機(jī)電致發(fā)光層的結(jié)構(gòu)為依次層疊在陰極上的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳 輸層和空穴注入層。電子注入層的材料為L(zhǎng)iF ;電子傳輸層的材料為Alq3 ;發(fā)光層的材料為 FIrPic和CBP摻雜形成的混合物,其中CBP的摻雜質(zhì)量百分比為8%;空穴傳輸層的材料為 NPB ;空穴注入層的材料為m-MTDATA。
實(shí)施例2
將透明玻璃基底清洗干凈后,在真空濺射系統(tǒng)中,在透明玻璃的表面上濺射制備 厚度為80納米的鋁摻雜氧化鋅(AZO)薄膜,然后轉(zhuǎn)移至真空熱蒸鍍系統(tǒng)中,在AZO薄膜表 面蒸鍍厚度為10納米的釤(Sm)層作為金屬修飾層,然后依次在其表面蒸鍍有機(jī)電致發(fā)光 層以及透明陽(yáng)極,得到有機(jī)電致發(fā)光裝置。透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)為W03/Al/ZnS,三層的厚度分別為 5納米、18納米、70納米。
所得的有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為:
透明玻璃基板/AZ0/Sm/LiF/Alq3/FIrPic:CBP8%/NPB/m_MTDATA/TO3/Al/ZnS。即 該有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為依次層疊的透明玻璃基板,由AZO和層疊在AZO上的Sm金屬 修飾層組成的陰極,有機(jī)電致發(fā)光層,依次層疊的WO3層、Al層和ZnS層組成的陽(yáng)極。其中 有機(jī)電致發(fā)光層的結(jié)構(gòu)為依次層疊在陰極上的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸 層和空穴注入層。電子注入層的材料為L(zhǎng)iF ;電子傳輸層的材料為Alq3 ;發(fā)光層的材料為 FIrPic和CBP摻雜形成的混合物,CBP的摻雜質(zhì)量百分比為8%;空穴傳輸層的材料為NPB ; 空穴注入層的材料為m-MTDATA。
實(shí)施例3
將透明玻璃基板清洗干凈后,在真空濺射系統(tǒng)中,在透明玻璃的表面上濺射制備 厚度為120納米的銦摻雜氧化鋅(IZO)薄膜,然后轉(zhuǎn)移至真空熱蒸鍍系統(tǒng)中,在IZO薄膜表 面蒸鍍厚度為4納米的鋁(Al)層作為金屬修飾層,然后依次在其表面蒸鍍有機(jī)電致發(fā)光層 以及透明陽(yáng)極,得到有機(jī)電致發(fā)光裝置。透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)為V205/Au/ZnS,三層的厚度分別為 10納米,25納米,40納米。
所得的有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為:
透明玻璃基板/IZ0/Al/LiF/Alq3/FIrPic:CBP8%/NPB/m-MTDATA/V205/Au/ZnS。即 該有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為依次層疊的透明玻璃基板,由IZO和層疊在IZO上的Al金屬 修飾層組成的陰極,有機(jī)電致發(fā)光層,依次層疊的V2O5層、Au層和ZnS層組成的陽(yáng)極。其中 有機(jī)電致發(fā)光層的結(jié)構(gòu)為依次層疊在陰極上的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸 層和空穴注入層。電子注入層的材料為L(zhǎng)iF ;電子傳輸層的材料為Alq3 ;發(fā)光層的材料為 FIrPic和CBP摻雜形成的混合物,CBP的摻雜質(zhì)量百分比為8%;空穴傳輸層的材料為NPB ; 空穴注入層的材料為m-MTDATA。
實(shí)施例4
將透明玻璃基板清洗干凈后,在真空濺射系統(tǒng)中,在透明玻璃的表面上濺射制備 厚度為100納米的鎵摻雜氧化鋅(GZO)薄膜,然后轉(zhuǎn)移至真空熱蒸鍍系統(tǒng)中,在GZO薄膜表 面蒸鍍厚度為6納米的鎂(Mg)層作為金屬修飾層,然后依次在其表面蒸鍍有機(jī)電致發(fā)光層 以及透明陽(yáng)極,得到有機(jī)電致發(fā)光裝置。透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)為SiO/Ag/ZnS,三層的厚度分別為8 納米,20納米,60納米。
所得的有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為:
透明玻璃基板/GZ0/Mg/LiF/Alq3/FIrPic:CBP8%/NPB/m-MTDATA/SiO/Ag/ZnS。即 該有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為依次層疊的透明玻璃基板,由GZO和層疊在GZO上的Mg金屬 修飾層組成的陰極,有機(jī)電致發(fā)光層,依次層疊的SiO層、Ag層和ZnS層組成的陽(yáng)極。其中 有機(jī)電致發(fā)光層的結(jié)構(gòu)為依次層疊在陰極上的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸 層和空穴注入層。電子注入層的材料為L(zhǎng)iF ;電子傳輸層的材料為Alq3 ;發(fā)光層的材料為 FIrPic和CBP摻雜形成的混合物,CBP的摻雜質(zhì)量百分比為8%;空穴傳輸層的材料為NPB ; 空穴注入層的材料為m-MTDATA。
實(shí)施例5
將透明玻璃基板清洗干凈后,在真空濺射系統(tǒng)中,在透明玻璃基板的表面上濺射 制備厚度為120納米的氧化鋅(ZnO)薄膜,然后轉(zhuǎn)移至真空熱蒸鍍系統(tǒng)中,在ZnO薄膜表面 蒸鍍厚度為10納米的釹(Nd)層作為金屬修飾層,然后依次在其表面蒸鍍有機(jī)電致發(fā)光層 以及透明陽(yáng)極,得到有機(jī)電致發(fā)光裝置。透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)為V205/Au/ZnS,三層的厚度分別為 10納米,18納米,40納米。
所得的有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為:
透明玻璃基板/IZ0/Nd/LiF/Alq3/FIrPic:CBP8%/NPB/m-MTDATA/V205/Au/ZnS。即 該有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為依次層疊的透明玻璃基板,由IZO和層疊在IZO上的Nd金屬 修飾層組成的陰極,有機(jī)電致發(fā)光層,依次層疊的V2O5層、Au層和ZnS層組成的陽(yáng)極。其中 有機(jī)電致發(fā)光層的結(jié)構(gòu)為依次層疊在陰極上的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸 層和空穴注入層。電子注入層的材料為L(zhǎng)iF ;電子傳輸層的材料為Alq3 ;發(fā)光層的材料為 FIrPic和CBP摻雜形成的混合物,CBP的摻雜質(zhì)量百分比為8%;空穴傳輸層的材料為NPB ; 空穴注入層的材料為m-MTDATA。
實(shí)施例6
將透明玻璃基板清洗干凈后,在真空濺射系統(tǒng)中,在透明玻璃的表面上濺射制備 厚度為80納米的銦摻雜氧化鋅(IZO)薄膜,然后轉(zhuǎn)移至真空熱蒸鍍系統(tǒng)中,在IZO薄膜表 面蒸鍍厚度為6納米的鐿(Yb)層作為金屬修飾層,然后依次在其表面蒸鍍有機(jī)電致發(fā)光層以及透明陽(yáng)極,得到有機(jī)電致發(fā)光裝置。透明陽(yáng)極結(jié)構(gòu)為Mo03/Ag/ZnS,三層的厚度分別為 6納米,20納米,45納米。
所得的有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為:
透明玻璃基板/IZO/Yb/LiF/Alq3/FIrPic:CBP8 % /NPB/m_MTDATA/Mo03/Au/ZnS。 即該有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)為依次層疊的透明玻璃基板,由IZO和層疊在IZO上的Yb金屬修飾層組成的陰極,有機(jī)電致發(fā)光層,依次層疊的MoO3層、Au層和ZnS層組成的陽(yáng)極。其中有機(jī)電致發(fā)光層的結(jié)構(gòu)為依次層疊在陰極上的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層。電子注入層的材料為L(zhǎng)iF ;電子傳輸層的材料為Alq3 ;發(fā)光層的材料為 FIrPic和CBP摻雜形成的混合物,CBP的摻雜質(zhì)量百分比為8%;空穴傳輸層的材料為NPB ; 空穴注入層的材料為m-MTDATA。
請(qǐng)參閱表1,實(shí)施例1 6的有機(jī)電致發(fā)光裝置的陰極和陽(yáng)極都屬于高透過(guò)率的電極,因此在兩個(gè)發(fā)光面的出光亮度基本一致,使該有機(jī)電致發(fā)光裝置的發(fā)光比較均勻。此夕卜,加入了金屬修飾層后,器件的啟動(dòng)電壓較低,因此有利于該器件的推廣應(yīng)用。
表I實(shí)施例1 6制備的器件的啟動(dòng)電壓以及在10伏的驅(qū)動(dòng)電壓下上出光和下出光的亮度對(duì)比數(shù)據(jù)
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置,包括依次層疊的透明基板、陰極、有機(jī)電致發(fā)光層和透明陽(yáng) 極,其特征在于,所述陰極包括依次層疊在所述透明基板上的透明導(dǎo)電氧化物薄膜和金屬 修飾層,所述金屬修飾層的材料選自銀、鋁、鎂、釹、釤和鐿中的一種,且所述金屬修飾層的 厚度為4 10納米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置,其特征在于,所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜 的材料選自銦摻雜氧化錫、氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鋁摻雜氧化鋅和鎵摻雜氧化鋅中的一 種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置,其特征在于,所述透明導(dǎo)電氧化物薄 膜的厚度為80 120納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置,其特征在于,所述透明陽(yáng)極包括依次層 疊在所述有機(jī)電致發(fā)光層上的氧化物層、金屬層和硫化鋅層,所述氧化物層的厚度為5 10納米,所述金屬層的厚度為18 25納米,所述硫化鋅層的厚度為40 70納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置,其特征在于,所述氧化物的層的材料為 氧化鑰、氧化鎢、五氧化二釩或一氧化硅,所述金屬層的材料為銀、鋁或金。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置,其特征在于,所述有機(jī)電致發(fā)光層包括 依次層疊在所述陰極上的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層或空穴注入層中至 少一層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置,其特征在于,所述電子注入層的材料為 氟化鋰,所述電子傳輸層的材料為(8-羥基喹啉)-鋁,所述發(fā)光層的材料為二(4,6_ 二氟 苯基-N,C2)吡啶甲酰合銥和4,V -N,N- 二咔唑基-聯(lián)苯的混合材料,所述空穴傳輸層的 材料為N,N' - 二苯基-N,N' -二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯_4,4' - 二胺,所述空穴注入 層的材料為4,4',4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺。
8.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:步驟一:提供透明基板;步驟二:在所述透明基板的表面濺射制備透明導(dǎo)電氧化物薄膜;步驟三:在所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜的表面蒸鍍金屬修飾層制得陰極,所述金屬修飾 層的材料選自的材料選自銀、鋁、鎂、釹、釤和鐿中的一種,且所述金屬修飾層的厚度為4 10納米;步驟四:在所述陰極上蒸鍍有機(jī)電致發(fā)光層;及步驟五:在所述有機(jī)電致發(fā)光層上蒸鍍透明陽(yáng)極,得到所述有機(jī)電致發(fā)光裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法,其特征在于,步驟一還包括 透明基板的洗滌,首先將基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗,清洗干凈后依 次在異丙醇,丙酮中用超聲波處理20分鐘,然后再用氮?dú)獯涤凇?br> 10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法,其特征在于,步驟五中,所 述透明陽(yáng)極的蒸鍍方法為:先蒸鍍氧化物層,然后蒸鍍金屬層,最后蒸鍍硫化鋅層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光裝置,包括依次層疊的透明基板、陰極、有機(jī)電致發(fā)光層和透明陽(yáng)極,所述陰極包括依次層疊在透明基板上的透明導(dǎo)電氧化物薄膜和金屬修飾層,金屬修飾層的材料選自銀、鋁、鎂、釹、釤和鐿中的一種,且金屬修飾層的厚度為4~10納米。透明導(dǎo)電氧化物薄膜具有像玻璃一樣高的透明性,且金屬修飾層為透光性好的薄層金屬層,使得陰極具有較高的透光性,有機(jī)電致發(fā)光層發(fā)出的光線可以同時(shí)通過(guò)陰極的一側(cè)和陽(yáng)極的一側(cè)發(fā)出,從而獲得具有高出光率的雙面出光的有機(jī)電致發(fā)光裝置。此外,還提供了上述有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法。
文檔編號(hào)H01L51/50GK103137881SQ20111037404
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2011年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月22日
發(fā)明者周明杰, 王平, 馮小明, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
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