專利名稱：嵌埋電容組件的封裝基板及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種封裝基板及其制法，尤指一種嵌埋電容組件的封裝基板及其制法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)的演進,半導(dǎo)體裝置(Semiconductor device)已開發(fā)出不同的封裝型態(tài)，而為降低封裝高度以滿足產(chǎn)品微小化(或薄化)的需求，于是提供一具有開口的封裝基板中，再將半導(dǎo)體組件嵌埋于該開口中，而此種封裝件不僅能縮減整體半導(dǎo)體裝置的體積，且能提升電性功能，因此成為一種封裝的趨勢。請參閱圖1A至圖1D，其為現(xiàn)有嵌埋電容組件的封裝基板I的制法。如圖1A所示，提供一本體la，該本體Ia包含具有相對的第一表面IOa與第二表面IOb的芯層10、連通該第一及第二表面10a, IOb的開口 100、及形成于該第一及第二表面10a, IOb上的線路層101，且該芯層10中還具有導(dǎo)電通孔102，以電性連接該第一及第二表面10a，IOb上的線路層 101。接著，將一電容組件11置于該開口 100中，且該電容組件11的左、右兩端具有電極墊 110a, IlObo如圖1B所示，于芯層10的第一表面10a、該電容組件11上側(cè)及開口 100的部分壁面上形成第一介電材14a。如圖1C所不,壓合第二介電材(圖未不)于該芯層10的第二表面10b、該電容組件11下側(cè)及該開口 100上，以令該第二介電材與該第一介電材14a合成為介電層14,以固定該電容組件11。如圖1D所示，于該介電層14上形成電性連通該電容組件11的線路增層結(jié)構(gòu)16，且該線路增層結(jié)構(gòu)16具有增層介電層160、設(shè)于該增層介電層160上的增層線路層161、及形成于該增層介電層160中的導(dǎo)電盲孔162，以借由該導(dǎo)電盲孔162電性連接各該增層線路層161、該線路層101及電容組件11的電極墊110a，110b。接著，于該線路增層結(jié)構(gòu)16上形成絕緣保護層17，該絕緣保護層17具有多個開孔170，以外露該線路增層結(jié)構(gòu)16的部分表面。然而，現(xiàn)有嵌埋電容組件的封裝基板I的制法中，嵌埋電容組件11的數(shù)量與密度受限于芯層10面積與線路層101及增層線路層161的設(shè)計，所以一層芯層10內(nèi)僅能嵌埋一層的電容組件11，導(dǎo)致封裝基板I的功能受限，難以達到多功能的需求。此外，若為達到多功能的需求，往往需堆棧另一嵌埋電容組件的封裝基板，因而增加整體結(jié)構(gòu)的高度，導(dǎo)致無法滿足產(chǎn)品微小化(或薄化)的需求。因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺陷，本發(fā)明提供一種嵌埋電容組件的封裝基板及其制法，使單一層的芯層中嵌埋兩層的電容組件，以達到多功能的需求。本發(fā)明所揭示的嵌埋電容組件的封裝基板包括:本體，其包含芯層、貫穿該芯層的開口及形成于該芯層表面上的線路層；第一電容組件，其置于該開口中，且該第一電容組件的相對兩端具有第一電極墊；結(jié)合層，其形成于該開口中的第一電容組件上；第二電容組件，其置于該結(jié)合層上，與該第一電容組件收納于該開口中，且該第二電容組件的相對兩端具有第二電極墊；以及介電層，其設(shè)于該本體及該開口上，以覆蓋該第一電容組件及第二電容組件。本發(fā)明還提供一種嵌埋電容組件的封裝基板的制法，其包括:提供一本體，該本體包含芯層、設(shè)于該芯層上的開口及形成于該芯層表面上的線路層；將第一電容組件置于該開口中；于該第一電容組件上形成結(jié)合層；將第二電容組件置于該結(jié)合層上，使該第一及第二電容組件收納于該開口中；以及于該本體及該開口上形成介電層，以覆蓋該第一電容組件及第二電容組件。由上可知，本發(fā)明的嵌埋電容組件的封裝基板及其制法，借由結(jié)合層將第一及第二電容組件堆棧于一本體的開口中，使單一層的芯層中嵌埋兩層的電容組件，以增加封裝基板對嵌埋電容組件的組合性與選擇性的功能，以可達到多功能的需求。此外，相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明因無需再堆棧另一嵌埋電容組件的封裝基板，即可達到多功能的需求，所以本發(fā)明可降低整體結(jié)構(gòu)的高度，因而有效滿足產(chǎn)品微小化(或薄化)的需求。


圖1A至圖1D為現(xiàn)有嵌埋電容組件的封裝基板的制法的剖視示意圖；以及圖2A至圖2G為本發(fā)明嵌埋電容組件的封裝基板的制法的剖視示意圖；其中，圖2F’為圖2F的另一實施例。

主要組件符號說明1,2封裝基板la, 2a本體10,20芯層10a, 20a第一表面10b, 20b第二表面100,200開口101,201a,201b線路層102,202導(dǎo)電通孔11電容組件110a, IlOb電極墊14，24，24’介電層14a, 24a第一介電材16，26a，26b線路增層結(jié)構(gòu)160,260增層介電層161，261增層線路層
162,262導(dǎo)電盲孔17，27絕緣保護層170,270開孔21第一電容組件21a, 23a上側(cè)21b, 23b下側(cè)210a, 210b第一電極墊22結(jié)合層23第二電容組件230a, 230b第二電極墊25粘著材261a, 261b表面29承載件。
具體實施例方式以下借由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，所以不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”及“一”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，也當(dāng)視為本發(fā)明可實施的范疇。請參閱圖2A至圖2G，其為本發(fā)明嵌埋電容組件的封裝基板2的制法的剖視示意圖。如圖2A所不,提供一本體2a,該本體2a包含具有相對的第一表面20a與第二表面20b的芯層20、連通該第一及第二表面20a, 20b的開200、及形成于該第一及第二表面20a,20b上的線路層201a，201b, 且該芯層20中還具有導(dǎo)電通孔202，以電性連接該第一及第二表面20a，20b上的線路層201a，201b。接著，于該芯層20的第二表面20b上結(jié)合一承載件29，以封蓋該開口 200的一側(cè)，再將一具有上、下側(cè)21a，21b的第一電容組件21置于該開口 200中，使該第一電容組件21的下側(cè)21b結(jié)合于該承載件29上。于本實施例中，該第一電容組件21的左、右兩端具有第一電極墊210a，210b,且該第一電極墊210a，210b由上側(cè)21a延伸至下側(cè)21b，但有關(guān)第一電容組件的結(jié)構(gòu)并無特別限制，特此述明。如圖2B所示，于該第一電容組件21的全部上側(cè)21a上形成結(jié)合層22。于本實施例中，該結(jié)合層22為介電材或絕緣材。如圖2C所示，將一具有上、下側(cè)23a，23b的第二電容組件23以其下側(cè)23b置于該結(jié)合層22上，使該第一及第二電容組件21，23收納于該開口 200中。于本實施例中，該第二電容組件23的左、右兩端具有第二電極墊230a，230b,且該第二電極墊230a，230b由上側(cè)23a延伸至下側(cè)23b，但有關(guān)第二電容組件的結(jié)構(gòu)并無特別限制，特此述明。如圖2D所示，于該第二電容組件23位于該開口 200端的一側(cè)形成第一介電材24a。于本實施例中，該第一介電材24a覆蓋該芯層20的第一表面20a、線路層201a及第二電容組件23的上側(cè)23a，且該第一介電材24a延伸于該開口 200的部分壁面與該第二電容組件23的左、右側(cè)面之間、及該開口 200的部分壁面與該結(jié)合層22的左、右部分側(cè)面之間。如圖2E所示，移除該承載件29，以令該芯層20的第二表面20b、該第一電容組件21的下側(cè)21b及其上的第一電極墊210a，210b外露出該開口 200。如圖2F所不,壓合第二介電材(圖未不)于該芯層20的第二表面20b、該第一電容組件21位于該開口 200端的一側(cè)(如圖所示的下側(cè)21b)及該開口 200上，使該第二介電材與該第一介電材24a合成為介電層24,以固定該第一及第二電容組件21, 23。所述的介電層24形成于該芯層20的第一及第二表面20a, 20b上，以覆蓋該第一電容組件21及第二電容組件23，且延伸于該開口 200壁面與該第一電容組件21之間、該開口 200壁面與該第二電容組件23之間、及該開口 200壁面與該結(jié)合層22之間。于另一實施例中，如圖2F’所示，也可先形成粘著材25于該第一電容組件21與該開口 200壁面之間、該結(jié)合層22與該開口 200壁面之間、及該第二電容組件23與該開口200壁面之間，以固定該第一及第二電容組件21, 23,再于該芯層20的第一及第二表面20a,20b、該第一電容組件21的下側(cè)2lb、及該第二電容組件23的上側(cè)23a上形成該介電層24’。于該封裝基板2的后續(xù)工藝中，可如圖2G所示，其為接續(xù)圖2F工藝，于該介電層24上(如圖所示的芯層20的第一及第二表面20a，20b上方)形成線路增層結(jié)構(gòu)26a，26b，且該第一電容組件21及第二電容組件23均與該線路增層結(jié)構(gòu)26a，26b電性連通。于本實施例中，該線路增層結(jié)構(gòu)26a，26b具有增層介電層260、設(shè)于該增層介電層260上的增層線路層261、及形成于該增層介電層260中的導(dǎo)電盲孔262，以借由該導(dǎo)電盲孔262電性連接各該增層線路層261，且部分的導(dǎo)電盲孔262電性連接該線路層201a，201b、該第一電容組件21的第一電極墊210a，210b及第二電容組件23的第二電極墊230a，230b。接著，于該線路增層結(jié)構(gòu)26a，26b上形成絕緣保護層27，該絕緣保護層27具有多個開孔270，以外露該線路增層結(jié)構(gòu)26a，26b的最外層的增層線路層261的部分表面261a，261b。本發(fā)明通過將第一及第二電容組件21，23借由結(jié)合層22以相堆棧收納于該開口200中，使單一層的芯層20中可嵌埋兩層的電容組件，不僅可增加嵌埋電容組件的組合性與選擇性的功能，且可避免嵌埋電容組件的數(shù)量與密度受限于芯層20面積與線路層及增層線路層的設(shè)計。此外，本發(fā)明的制法因可于該開口 200中堆棧收納多個電容組件，而無需再堆棧另一嵌埋電容組件的封裝基板，即可達到多功能的需求，所以有效降低整體結(jié)構(gòu)的高度。再者，若該結(jié)合層22為介電材，可與該介電層24合成為一體，以具有較佳的結(jié)合力，而可更佳地固定該第一及第二電容組件21，23，進而提升產(chǎn)品的可靠度本發(fā)明還提供一種嵌埋電容組件的封裝基板2，其包括:具有芯層20、開口 200及線路層201a，201b的本體2a、置于該開口 200中的第一電容組件21、形成于該第一電容組件21上的結(jié)合層22、置于該結(jié)合層22上的第二電容組件23、以及設(shè)于該本體2a及該開口200上的介電層24，24’。所述的本體2a中，該芯層20具有相對的第一表面20a與第二表面20b,且該開口200連通該第一及第二表面20a，20b，此外該芯層20中還具有導(dǎo)電通孔202，以電性連接該線路層 201a, 201b。所述的第一電容組件21收納于該開口 200中，且其左、右兩端具有第一電極墊210a，210b。所述的結(jié)合層22僅位于該開口 200中，且形成該結(jié)合層22的材料為介電材或絕緣材。所述的第二電容組件23收納于該開口 200中，且其左、右兩端具有第二電極墊230a,230b。所述的介電層24,24’設(shè)于該芯層20的第一及第二表面20a, 20b與線路層201a,201b上，以覆蓋該第一電容組件21及第二電容組件23。于一實施例中，該介電層24還設(shè)于該第一電容組件21與該開口 200壁面之間、及該第二電容組件23與該開口 200壁面之間，以固定該第一及第二電容組件21, 23。于另一實施例中，以粘著材25形成于該第一電容組件21與該開口 200壁面之間、及該第二電容組件23與該開口 200壁面之間，以固定該第一及第二電容組件21，23。所述的封裝基板2還包括設(shè)于該介電層24上的線路增層結(jié)構(gòu)26a，26b、及設(shè)于該線路增層結(jié)構(gòu)26a，26b上的絕緣保護層27，該第一及第二電容組件21，23均與該線路增層結(jié)構(gòu)26電性連通，且該絕緣保護層27具有多個開孔270，以外露該線路增層結(jié)構(gòu)26a，26b的部分表面261a, 261b。綜上所述，本發(fā)明的嵌埋電容組件的封裝基板及其制法，借由結(jié)合層將兩個電容組件收納于一本體的開口中，使單一層的芯層中嵌埋兩層的電容組件，以達到多功能的需求。此外，本發(fā)明因無需再堆棧另一嵌埋電容組件的封裝基板，即可達到多功能的需求，所以有效降低整體結(jié)構(gòu)的高度，以滿足產(chǎn)品微小化(或薄化)的需求。上述實施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求
1.一種嵌埋電容組件的封裝基板，其包括: 本體，其包含芯層、貫穿該芯層的開口及形成于該芯層表面上的線路層； 第一電容組件，其置于該開口中，且該第一電容組件的相對兩端具有第一電極墊； 結(jié)合層，其形成于該開口中的第一電容組件上； 第二電容組件，其置于該結(jié)合層上，與該第一電容組件收納于該開口中，且該第二電容組件的相對兩端具有第二電極墊；以及 介電層，其設(shè)于該本體及該開口上，以覆蓋該第一電容組件及第二電容組件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌埋電容組件的封裝基板，其特征在于，該芯層中還形成有導(dǎo)電通孔，以電性連接該線路層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌埋電容組件的封裝基板，其特征在于，該芯層還具有相對的第一表面與第二表面，且該開口連通該第一及第二表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的嵌埋電容組件的封裝基板，其特征在于，該介電層設(shè)于該芯層的第一及第二表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌埋電容組件的封裝基板，其特征在于，該結(jié)合層的材料為介電材或絕緣材。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌埋電容組件的封裝基板，其特征在于，該介電層還設(shè)于該第一電容組件與該開口壁面之間、及該第二電容組件與該開口壁面之間，以固定該第一及第二電容組件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌埋電容組件的封裝基板，其特征在于，該封裝基板還包括粘著材，其形成于該第一電容組件與該開口壁面之間、及該第二電容組件與該開口壁面之間，以固定該第一及第二電容組件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌埋電容組件的封裝基板，其特征在于，該封裝基板還包括設(shè)于該介電層上的線路增層結(jié)構(gòu)，且該第一電容組件及第二電容組件均與該線路增層結(jié)構(gòu)電性連通。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的嵌埋電容組件的封裝基板，其特征在于，該封裝基板還包括設(shè)于該線路增層結(jié)構(gòu)上的絕緣保護層，該絕緣保護層具有多個開孔，以外露該線路增層結(jié)構(gòu)的部分表面。
10.一種嵌埋電容組件的封裝基板的制法，其包括: 提供一本體，該本體包含芯層、貫穿該芯層的開口及形成于該芯層表面上的線路層； 將第一電容組件置于該開口中； 于該第一電容組件上形成結(jié)合層； 將第二電容組件置于該結(jié)合層上，使該第一及第二電容組件收納于該開口中；以及 于該本體及該開口上形成介電層，以覆蓋該第一電容組件及第二電容組件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的嵌埋電容組件的封裝基板的制法，其特征在于，該芯層中還形成有導(dǎo)電通孔，以電性連接該線路層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的嵌埋電容組件的封裝基板的制法，其特征在于，該芯層還具有相對的第一表面與第二表面，且該開口連通該第一及第二表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的嵌埋電容組件的封裝基板的制法，其特征在于，該介電層壓合于該芯層的第一及第二表面上。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的嵌埋電容組件的封裝基板的制法，其特征在于，形成該結(jié)合層的材料為介電材或絕緣材。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的嵌埋電容組件的封裝基板的制法，其特征在于，該介電層還形成于該第一電容組件與該開口壁面之間、及第二電容組件與該開口壁面之間，以固定該第一及第二電容組件。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的嵌埋電容組件的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括于形成該介電層之前，形成粘著材于該第一電容組件與該開口壁面之間、及第二電容組件與該開口壁面之間，以固定該第一及第二電容組件。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的嵌埋電容組件的封裝基板的制法，其特征在于還包括于該介電層上形成線路增層結(jié)構(gòu)，且該第一電容組件及第二電容組件均與該線路增層結(jié)構(gòu)電性連通。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的嵌埋電容組件的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括于該線路增層結(jié)構(gòu)上形成絕緣保護層，該絕緣保護層具有多個開孔，以外露該線路增層結(jié)構(gòu)的部分表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的嵌埋電容組件的封裝基板的制法，其特征在于，形成該介電層的工藝包括: 于該第一電容組件位于該開口端的一側(cè)結(jié)合承載件； 于該第二電容組件位于該開口端的一側(cè)形成第一介電材； 移除該承載件；以及 于該本體、該第一電容組件位于該開口端的一側(cè)、及該開口上形成第二介電材，以與該第一介電材形成該介電層。
全文摘要
一種嵌埋電容組件的封裝基板及其制法，該封裝基板包括具有芯層、開口及線路層的本體、置于該開口中的第一電容組件；形成于該第一電容組件上的結(jié)合層、置于該結(jié)合層上的第二電容組件、以及設(shè)于該本體及該開口上以覆蓋該第一及第二電容組件的介電層。借由結(jié)合層將第一及第二電容組件堆棧于本體的開口中，使單一層的芯層中嵌埋兩層的電容組件，以達到多功能的需求。
文檔編號H01L21/48GK103094242SQ20111037548
公開日2013年5月8日 申請日期2011年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月1日
發(fā)明者賴建光, 黃俊智 申請人:欣興電子股份有限公司