專利名稱：自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，金屬硅化物由于具有較低的電阻率且和其他材料具有很好 的粘合性而被廣泛應(yīng)用于源/漏接觸和柵極接觸來降低接觸電阻。高熔點(diǎn)的金屬與硅發(fā)生 反應(yīng)生成金屬硅化物，通過一步或者多步退火工藝可以形成低電阻率的金屬硅化物。隨著 半導(dǎo)體工藝水平的提高，特別是在90nm及其以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)，為了獲得更低的接觸電阻，鎳 及鎳的合金成為形成金屬硅化物的主要材料。
在已經(jīng)公開的公開號為US2009309228A1的美國專利申請中公開了一種自對準(zhǔn)金 屬硅化物的形成方法，該方法選擇鎳合金作為形成金屬硅化物的材料。圖1至圖3給出了 該方法形成自對準(zhǔn)硅化物各階段的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖1所示，首先提供半導(dǎo)體基底100，所述半導(dǎo)體基底100形成有隔離區(qū)110，所 述隔離區(qū)110內(nèi)填充有絕緣材料；在半導(dǎo)體基底100上形成有柵介質(zhì)層104 ;在所述柵介質(zhì) 層104上形成有柵電極103，在所述柵電極103及柵介質(zhì)層104的兩側(cè)形成有側(cè)墻105，所 述柵電極103兩側(cè)半導(dǎo)體基底100內(nèi)形成有源極101和漏極102。
如圖2所不,在所述半導(dǎo)體基底100的表面形成金屬層106,所述金屬層106覆蓋 所述源極101、漏極102、柵極103和側(cè)墻105，所述金屬層106的材料為鎳。進(jìn)一步地，可以 在金屬層106上形成保護(hù)層107，所述保護(hù)層107的材料為氮化鈦(TiN)，用來防止金屬層 106被氧化，保護(hù)層107的形成是可選的。
如圖3所示，對所述半導(dǎo)體基底100進(jìn)行退火工藝，通過退火，所述源極101、漏極 102、柵極103表面上的金屬層106材料與所述源極101、漏極102和柵極103中的硅材料發(fā) 生反應(yīng)生成金屬硅化物層，分別為101a、102a、103a。之后通過選擇性刻蝕將沒有發(fā)生反應(yīng) 的金屬層106去除，使得形成的金屬硅化物層101a、102a、103a暴露在所述半導(dǎo)體基底100 的表面。
但是，現(xiàn)有技術(shù)形成的金屬硅化物電學(xué)性能差。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種形成的金屬硅化物電學(xué)性能好且穩(wěn)定的自對準(zhǔn)金 屬硅化物的形成方法。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，包括:提供半導(dǎo) 體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面至少有一硅區(qū)域；在所述硅區(qū)域形成離子注入?yún)^(qū)；形成覆蓋 所述離子注入?yún)^(qū)表面的硅外延層；形成覆蓋所述硅外延層的鎳金屬層；采用第一退火工藝 在硅區(qū)域表面和所述硅外延層內(nèi)形成第一金屬硅化物層；去除未反應(yīng)的鎳金屬層；采用第 二退火工藝對第一金屬硅化物層進(jìn)行退火，形成第二金屬硅化物層。
可選的，所述離子注入?yún)^(qū)注入的離子類型為:H、N、F或Pt ;或者為含H、N、F或Pt的兩種或兩種以上混合離子。
可選的，所述離子注入?yún)^(qū)的形成工藝為離子注入或等離子體處理。
可選的，所述離子注入形成離子注入?yún)^(qū)的工藝參數(shù)為:離子注入能量范圍為IOKeV 至 32KeV，離子注入的濃度為 1.0EHcnT2 至 3.2E14cnT2。
可選的，所述離子注入?yún)^(qū)的厚度為10埃至20埃。
可選的，所述硅外延層的厚度為50埃至200埃。
可選的，所述硅區(qū)域?yàn)樵礃O區(qū)或/和漏極區(qū)。
可選的，所述硅區(qū)域?yàn)闁哦嗑Ч鑼印?br> 可選的，所述鎳金屬層材料為純鎳或者鎳鉬合金。
可選的，當(dāng)所述鎳金屬層材料為鎳鉬合金時，鎳鉬合金中鉬的質(zhì)量百分比含量為1% 至 10%。
可選的，所述第一退火工藝為采用快速熱退火爐，退火溫度為200°C至350°C，退火時間為0.1分鐘至2分鐘。
可選的，所述第二退火工藝為采用快速熱退火爐，退火溫度為300°C至600°C，時間為0.1分鐘至2分鐘。
可選的，所述第二金屬硅化物層材料為含Pt的NiSi。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明實(shí)施例的自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，先在半導(dǎo)體襯底表面的硅區(qū)域形成離子注入?yún)^(qū)，然后在離子注入?yún)^(qū)表面形成硅外延層，再在硅外延層表面形成含Ni的金屬層，退火后，在所述硅外延層內(nèi)和硅區(qū)域表面形成鉬鎳的金屬硅化物層，由于具有離子注入層阻擋，且金屬硅化物層形成在所述硅外延層內(nèi)和硅區(qū)域表面，因此，金屬離子不會擴(kuò)散至溝道區(qū)域，形成的器件質(zhì)量高。
進(jìn)一步的，所述離子注入?yún)^(qū)含Pt離子，能夠與擴(kuò)散至離子注入?yún)^(qū)的Ni形成穩(wěn)定的[NixPt(1_x)]Si，阻擋Ni向溝道區(qū)域擴(kuò)散。


圖1至圖3是現(xiàn)有技術(shù)形成自對準(zhǔn)硅化物各階段的剖面結(jié)構(gòu)示意圖4是本發(fā)明實(shí)施例的自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法流程示意圖5至圖11是本發(fā)明一實(shí)施例的自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法的過程剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有技術(shù)形成的金屬硅化物電學(xué)性能差，為此，本發(fā)明的發(fā)明人對現(xiàn)有技術(shù)的金屬硅化物形成方法進(jìn)行了深入的研究，發(fā)現(xiàn):現(xiàn)有直接采用鎳金屬層與硅反應(yīng)形成金屬硅化物層，金屬硅化物層中的金屬元素不穩(wěn)定，金屬元素容易擴(kuò)散至襯底中，使得源極區(qū)和漏極區(qū)的硅原子晶格結(jié)構(gòu)被打亂，更為惡劣地，金屬元素會擴(kuò)散至溝道底下，造成源極、漏極和襯底接觸面的漏電流。
針對上述缺陷，發(fā)明人進(jìn)行進(jìn)一步研究，發(fā)現(xiàn):采用物理氣相沉積工藝對鎳鉬合金的靶材進(jìn)行濺射，從而在所述源極101、漏極102、柵極103表面上形成鎳鉬合金金屬層，然后采用退火工藝使得鎳鉬合金金屬層與硅反應(yīng)形成[NixPt(1_x)]Si的金屬硅化物層，能夠抑 制鎳元素擴(kuò)散至襯底，從而形成穩(wěn)定的金屬硅化物層。
但是，發(fā)明人經(jīng)過對采用鎳鉬合金金屬層形成金屬硅化物層的工藝進(jìn)行深入研究 發(fā)現(xiàn):金屬硅化物層與襯底的界面是一個富硅的環(huán)境，而直接形成的[NixPt(1_x)]Si的金屬 硅化物依然會出現(xiàn)金屬元素擴(kuò)散現(xiàn)象，且Ni和Pt的擴(kuò)散速度并不相同，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)， Pt由于金屬原子半徑比較大，擴(kuò)散速度比較慢，而相對Pt，Ni的擴(kuò)散速度比較快。
直接采用鎳鉬合金金屬層的金屬硅化物層，金屬硅化物層與襯底界面的Ni擴(kuò)散 至襯底內(nèi)形成NiSi2,而金屬硅化物層由于Ni的擴(kuò)散，從而使得Pt的含量上升，發(fā)明人又對 上述現(xiàn)象做進(jìn)一步分析，發(fā)現(xiàn)Pt含量高的金屬硅化物層電阻率較高，相比與電阻率為15歐 姆/厘米的NiSi，質(zhì)量百分比含量為5%至10%的Pt的金屬硅化物層(NiSi)，電阻率會從 15歐姆/厘米上升至19-25歐姆/厘米，另外，NiSi2的電阻率也高于NiSi，Ni的擴(kuò)散也會 導(dǎo)致成分為NiSi的金屬硅化物層向NiSi2轉(zhuǎn)變，再加上金屬硅化物層與襯底界面的Ni擴(kuò) 散至襯底內(nèi)形成NiSi2，從而使得原先設(shè)定的[NixPt(1_x)] Si的金屬硅化物的元素配比失衡， 造成器件電阻上升，性能下降。
為此，本發(fā)明的發(fā)明人提供一種自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，請參考圖4，包括 如下步驟:
步驟S101，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面至少有一硅區(qū)域；
步驟S102，在所述硅區(qū)域形成離子注入?yún)^(qū)；
步驟S103,形成覆蓋所述離子注入?yún)^(qū)表面的娃外延層；
步驟S104，形成覆蓋所述硅外延層的鎳金屬層；
步驟S105，采用第一退火工藝在硅區(qū)域表面和所述硅外延層內(nèi)形成第一金屬硅化 物層；
步驟S106，去除未反應(yīng)的鎳金屬層；
步驟S107，采用第二退火工藝對第一金屬硅化物層進(jìn)行退火，形成第二金屬硅化物層。
下面結(jié)合一具體實(shí)施例對本發(fā)明的自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法做詳細(xì)描述，圖 5至圖11為本發(fā)明一實(shí)施例的自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法的過程剖面示意圖。
請參考圖5，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100表面至少有一硅區(qū)域。
提供半導(dǎo)體襯底100，在所述半導(dǎo)體襯底100表面至少有一硅區(qū)域。所述半導(dǎo)體襯 底100的材質(zhì)可以是單晶硅、非晶硅中的一種，所述半導(dǎo)體襯底100的材質(zhì)也可以是硅鍺化 合物，所述半導(dǎo)體襯底100還可以是絕緣體上娃(SOI, Silicon On Insulator)結(jié)構(gòu)或娃上 外延層結(jié)構(gòu)。
所述半導(dǎo)體襯底100表面形成有柵極結(jié)構(gòu)110，所述柵極結(jié)構(gòu)110包括柵介質(zhì)層 111、形成在柵介質(zhì)表面的柵多晶硅層112、形成在所述柵介質(zhì)層111和柵多晶硅層112側(cè)壁 的側(cè)墻113 ;所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成有源極區(qū)120和漏極區(qū)130。
所述硅區(qū)域可以是所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)的源極區(qū)120或/和漏極區(qū)130 ;所述 硅區(qū)域也可以是所述半導(dǎo)體襯底100表面的柵多晶硅層112。
在本實(shí)施例中，以所述硅區(qū)域?yàn)樵礃O區(qū)120、漏極區(qū)130和柵多晶硅層112為例做 示范性說明。
請參考圖6，在所述硅區(qū)域形成離子注入?yún)^(qū)140。
在本實(shí)施例中，在所述源極區(qū)120、漏極區(qū)130和柵多晶硅層112形成離子注入?yún)^(qū)140。需要說明的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員也可以根據(jù)實(shí)際產(chǎn)品的需要，選擇在所述源極區(qū)120、漏極區(qū)130和柵多晶硅層112任一區(qū)域或者其中兩個區(qū)域內(nèi)形成離子注入?yún)^(qū)140。在本實(shí)施例中，在所述源極區(qū)120、漏極區(qū)130和柵多晶硅層112形成離子注入?yún)^(qū)140能夠節(jié)約工藝步驟，且提高形成的器件的電學(xué)性能。
所述離子注入?yún)^(qū)140為含H、N、F或Pt的離子注入?yún)^(qū)，或者為含H、N、F或Pt的兩種或兩種以上混合離子的離子注入?yún)^(qū)。
較佳地，所述離子注入?yún)^(qū)140為Pt離子注入?yún)^(qū)或者包含Pt的混合離子注入?yún)^(qū)。
所述離子注入?yún)^(qū)140的形成工藝為離子注入(Implant)或等離子體處理(PlasmaTreat)。
以離子注入形成所述離子注入?yún)^(qū)140為例，對所述離子注入?yún)^(qū)140的形成步驟做詳細(xì)描述:
在所述半導(dǎo)體襯底100表面形成光刻膠圖形(未圖示)，所述光刻膠圖形暴露出所述源極區(qū)120、漏極區(qū)130和柵多晶硅層112 ；
采用離子注入對所述源極區(qū)120、漏極區(qū)130和柵多晶硅層112進(jìn)行離子注入，所述注入離子的類型為H、N、F或Pt，所述注入離子的類型或者為H、N、F或Pt的兩種或兩種以上混合離子注入。
采用離子注入形成所述離子注入?yún)^(qū)140的工藝參數(shù)為:離子注入能量范圍為IOKeV 至 32KeV，離子注入的濃度為 1.0EHcnT2 至 3.2E14cnT2。
形成離子注入?yún)^(qū)140用于阻擋后續(xù)金屬硅化物中的金屬元素的擴(kuò)散，特別是Ni的擴(kuò)散，所述離子注入?yún)^(qū)140的厚度為10埃至20埃。
較佳的，所述注入離子的類型為Pt或者包含Pt的混合離子，注入的工藝參數(shù)為:離子注入能量范圍為20KeV至32KeV，離子注入的濃度為1.0EHcnT2至3.2E14cnT2。
在一實(shí)施例中，所述注入離子的類型為Pt時，Pt不但具有阻擋后續(xù)金屬硅化物中的金屬元素的擴(kuò)散，特別是Ni的擴(kuò)散的作用，且Pt的離子注入?yún)^(qū)還能夠與Ni形成穩(wěn)定的[NixPt(1_x)] Si金屬娃化物,從而使得器件電學(xué)性能穩(wěn)定。
在另一實(shí)施例中，注入的離子為包含Pt的混合離子，比如為:H與Pt的混合離子、N與Pt的混合離子或F與Pt的混合離子，其中，Pt的離子注入?yún)^(qū)還能夠與Ni形成穩(wěn)定的[NixPt(1_x)] Si金屬硅化物，阻止Ni向器件的溝道區(qū)擴(kuò)散，且H、N或F具有更佳的阻止作用，從而使得器件穩(wěn)定性更佳。
請參考圖7，形成覆蓋所述離子注入?yún)^(qū)140表面的硅外延層150。
所述硅外延層150形成工藝為外延，所述硅外延層150的厚度為50埃至200埃。
所述硅外延層150用于與后續(xù)的形成的鎳金屬層完全反應(yīng)，形成鎳(鎳與硅的比例接近1:1)的金屬硅化物，從而降低硅區(qū)域的電阻。
需要說明的是，在一實(shí)施例中，在后續(xù)退火工藝中，注入硅區(qū)域的Pt也會擴(kuò)散至所述硅外延層150，使得所述硅外延層150完全反應(yīng)形成的金屬硅化物層穩(wěn)定且電阻率低。
請參考圖8,形成覆蓋所述娃外延層150的鎳金屬層160。
所述鎳金屬層160用于與娃區(qū)域的表面娃和所述娃外延層150反應(yīng),形成富鎳的金屬娃化物層。
具體地，所述鎳金屬層160材料為純鎳或者鎳鉬合金。
當(dāng)鎳金屬層160材料為純鎳時，在后續(xù)退火工藝中，鎳原子擴(kuò)散比較快，能夠充分 與所述娃外延層150完全反應(yīng)，以及與娃區(qū)域的表面娃反應(yīng),形成鎳的[NixPt(1_x)]Si金屬 硅化物。
當(dāng)鎳金屬層160材料為鎳鉬合金，其中鎳鉬合金中鉬的質(zhì)量百分比含量為1% 至10%，采用上述的質(zhì)量百分比含量的鎳鉬合金形成的金屬硅化物中鎳與硅的比例接近 I: I且金屬硅化物([NixPt(1_x)]Si)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性更佳。
請參考圖9,米用第一退火工藝在娃區(qū)域表面和所述娃外延層150內(nèi)形成第一金 屬硅化物層170。
所述第一退火工藝參數(shù)為采用快速熱退火爐，退火溫度為200°C至350°C，退火時 間為0.1分鐘至2分鐘，采用上述的退火工藝參數(shù)能夠保證所述外延層150充分反應(yīng)形成 鉬鎳的金屬硅化物層，需要說明的是，在實(shí)際工藝過程中，硅區(qū)域?yàn)樵礃O區(qū)120或/和漏極 區(qū)130，或者硅區(qū)域?yàn)闁哦嗑Ч鑼?12，且通常半導(dǎo)體體制造工藝中需要對多個源極區(qū)120、 漏極區(qū)130、和/或柵多晶硅層112形成金屬硅化物，上述源極區(qū)120、漏極區(qū)130和/或柵 多晶硅層112的寬度可以相同也可以不同，當(dāng)上述硅區(qū)域的寬度為不同時，如果采用一步 退火工藝無法形成厚度一致的金屬硅化物層，為此，本發(fā)明的實(shí)施例采用第一退火工藝，選 擇上述的工藝參數(shù)，來控制Ni的擴(kuò)散深度，從而使得不同寬度的硅區(qū)域后續(xù)形成的金屬硅 化物層厚度一致，還需要說明的是，由于第一退火工藝參數(shù)較佳的為控制Ni的擴(kuò)散深度， 因此采用第一退火工藝形成的第一金屬硅化物層170材料為Ni2Si，Ni2Si不太穩(wěn)定，后續(xù)工 藝會采用第二退火工藝形成穩(wěn)定且電阻率低的NiSi。
需要說明的是，在退火工藝中，之前步驟中形成的離子注入?yún)^(qū)140會阻擋Ni和/ 或鉬擴(kuò)散至溝道區(qū)域，此外，當(dāng)離子注入?yún)^(qū)140為含鉬的離子注入?yún)^(qū)時，離子注入?yún)^(qū)140會 與擴(kuò)散過來的Ni反應(yīng)，形成穩(wěn)定的鉬鎳的金屬硅化物層。
此外，發(fā)明人注意到，由于離子注入?yún)^(qū)140厚度較薄，且離子注入?yún)^(qū)140的離子比 較穩(wěn)定，在阻擋擴(kuò)散到金屬元素與擴(kuò)散金屬元素形成金屬硅化物的同時離子注入?yún)^(qū)140的 離子不會出現(xiàn)擴(kuò)散現(xiàn)象。
請參考圖10，去除未反應(yīng)的鎳金屬層160。
所述去除工藝為濕法或干法去除工藝，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以參考現(xiàn)有技術(shù)，在 這里不再贅述。
請參考圖11，在去除未反應(yīng)的鎳金屬層160后，還需要執(zhí)行第二退火工藝，所述第 二退火工藝為采用快速熱退火爐，退火溫度為300°C至600°C，時間為0.1分鐘至2分鐘；采 用上述第二退火工藝，對第一金屬硅化物層170進(jìn)行退火，使得Ni2Si的第一金屬硅化物層 170轉(zhuǎn)換為含Pt的NiSi的第二金屬硅化物層180。
NiSi的電阻率低，且由于離子注入?yún)^(qū)140內(nèi)的Pt在第二退火工藝的參數(shù)下，與 NiSi反應(yīng)形成含Pt的NiSi的第二金屬硅化物層180，含Pt的NiSi的第二金屬硅化物層 180不但具有電阻率低的優(yōu)點(diǎn)且熱穩(wěn)定性較好。
本發(fā)明實(shí)施例的自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，先在半導(dǎo)體襯底表面的硅區(qū)域形 成離子注入?yún)^(qū)，然后在離子注入?yún)^(qū)表面形成硅外延層，再在硅外延層表面形成含Ni的金屬層，退火后，在所述硅外延層內(nèi)和硅區(qū)域表面形成鉬鎳的金屬硅化物層，由于具有離子注入層阻擋，且金屬硅化物層形成在所述硅外延層內(nèi)和硅區(qū)域表面，因此，金屬離子不會擴(kuò)散至溝道區(qū)域，形成的器件質(zhì)量高。
進(jìn)一步的，所述離子注入?yún)^(qū)含Pt離子，能夠與擴(kuò)散至離子注入?yún)^(qū)的Ni形成穩(wěn)定的[NixPt(1_x)]Si，阻擋Ni向溝道區(qū)域擴(kuò)散。
本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，其特征在于，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面至少有一硅區(qū)域； 在所述硅區(qū)域形成離子注入?yún)^(qū)； 形成覆蓋所述離子注入?yún)^(qū)表面的硅外延層； 形成覆蓋所述硅外延層的鎳金屬層； 米用第一退火工藝在娃區(qū)域表面和所述娃外延層內(nèi)形成第一金屬娃化物層； 去除未反應(yīng)的鎳金屬層； 采用第二退火工藝對第一金屬硅化物層進(jìn)行退火，形成第二金屬硅化物層。
2.如權(quán)利要求1所述自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，其特征在于，所述離子注入?yún)^(qū)注入的離子類型為:H、N、F或Pt ;或者為含H、N、F或Pt的兩種或兩種以上混合離子。
3.如權(quán)利要求1所述自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，其特征在于，所述離子注入?yún)^(qū)的形成工藝為離子注入或等離子體處理。
4.如權(quán)利要求3所述自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，其特征在于，所述離子注入形成離子注入?yún)^(qū)的工藝參數(shù)為:離子注入能量范圍為IOKeV至32KeV，離子注入的濃度為1.0E14cm 2 至 3.2E14cm 2。
5.如權(quán)利要求1所述自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，其特征在于，所述離子注入?yún)^(qū)的厚度為10埃至20埃。
6.如權(quán)利要求1所述自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，其特征在于，所述硅外延層的厚度為50埃至200埃。
7.如權(quán)利要求1所述自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，其特征在于，所述硅區(qū)域?yàn)樵礃O區(qū)或/和漏極區(qū)。
8.如權(quán)利要求1所述自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，其特征在于，所述硅區(qū)域?yàn)闁哦嗑迣印?br> 9.如權(quán)利要求1所述自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，其特征在于，所述鎳金屬層材料為純鎳或者鎳鉬合金。
10.如權(quán)利要求9所述自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，其特征在于，當(dāng)所述鎳金屬層材料為鎳鉬合金時，鎳鉬合金中鉬的質(zhì)量百分比含量為1%至10%。
11.如權(quán)利要求1所述自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，其特征在于，所述第一退火工藝為采用快速熱退火爐，退火溫度為200°C至350°C，退火時間為0.1分鐘至2分鐘。
12.如權(quán)利要求1所述自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，其特征在于，所述第二退火工藝為采用快速熱退火爐，退火溫度為300°C至600°C，時間為0.1分鐘至2分鐘。
13.如權(quán)利要求1所述自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，其特征在于，所述第二金屬硅化物層材料為含Pt的NiSi。
全文摘要
一種自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面至少有一硅區(qū)域；在所述硅區(qū)域形成離子注入?yún)^(qū)；形成覆蓋所述離子注入?yún)^(qū)表面的硅外延層；形成覆蓋所述硅外延層的鎳金屬層；采用第一退火工藝在硅區(qū)域表面和所述硅外延層內(nèi)形成第一金屬硅化物層；去除未反應(yīng)的鎳金屬層；采用第二退火工藝對第一金屬硅化物層進(jìn)行退火，形成第二金屬硅化物層。本發(fā)明實(shí)施例形成的金屬硅化物層質(zhì)量高，器件電學(xué)性能好。
文檔編號H01L21/285GK103137462SQ201110383149
公開日2013年6月5日 申請日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月25日
發(fā)明者鮑宇 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司