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一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件的制作方法

文檔序號(hào):7166062閱讀:431來源:國知局
專利名稱:一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能廣泛發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件。
背景技術(shù)
隨著太陽能廣泛應(yīng)用,太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)在世界范圍內(nèi)蓬勃發(fā)展,但是由于太陽能光伏組件光電轉(zhuǎn)換效率低,導(dǎo)致太陽能光伏發(fā)電成本要高于民用熱電、水電的發(fā)電成本,但是由于種種技術(shù)的問題,導(dǎo)致問題短時(shí)間內(nèi)很難解決,降低太陽能光伏發(fā)電的成本成為太陽能光伏發(fā)電廣泛推廣應(yīng)用的障礙。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件,其結(jié)構(gòu)簡單,設(shè)計(jì)合理,安裝實(shí)現(xiàn)方便,使用操作便捷,使用壽命長,能夠顯著地提高太陽能發(fā)電效率,降低光伏發(fā)電的成本,推廣應(yīng)用前景廣泛。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件,其特征在于:包括散熱板、安裝在散熱板頂端的絕緣層以及安裝在絕緣層頂端的導(dǎo)電板和微型砷化鎵太陽能電池芯片,所述導(dǎo)電板為多塊且均勻設(shè)置在微型砷化鎵太陽能電池芯片的周側(cè),多塊所述導(dǎo)電板均通過導(dǎo)線與微型砷化鎵太陽能電池芯片電連接。
上述的一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件,其特征在于:所述散熱板由銅鋁合金材料制成。
上述的一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件,其特征在于:所述絕緣層為導(dǎo)熱絕緣層。
上述的一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件,其特征在于:所述導(dǎo)電板為兩塊且分別設(shè)置在微型砷化鎵太陽能電池芯片的兩邊。
上述的一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件,其特征在于:所述導(dǎo)電板和微型砷化鎵太陽能電池芯片均通過散熱膠粘合安裝在絕緣層頂端。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn):
1、本發(fā)明包括散熱板、安裝在散熱板頂端的絕緣層以及安裝在絕緣層頂端的導(dǎo)電板和微型砷化鎵太陽能電池芯片,導(dǎo)電板為多塊且均勻設(shè)置在微型砷化鎵太陽能電池芯片的周側(cè),多塊導(dǎo)電板均通過導(dǎo)線與微型砷化鎵太陽能電池芯片電連接;本發(fā)明的結(jié)構(gòu)簡單,設(shè)計(jì)合理,安裝實(shí)現(xiàn)方便。
2、本發(fā)明在使用時(shí),外接太陽能聚光系統(tǒng)后,太陽能聚光系統(tǒng)將太陽光線聚集到微型砷化鎵太陽能電池芯片上,砷化鎵太陽能電池芯片將光能轉(zhuǎn)換成電能并通過與其通過導(dǎo)線電連接的導(dǎo)電板將電能傳輸出去,使用操作便捷。
3、本發(fā)明中,由于導(dǎo)電板和微型砷化鎵太陽能電池芯片均通過散熱膠粘合安裝在絕緣層頂端,絕緣層的下端安裝有散熱板,因此能夠?qū)?dǎo)電板和微型砷化鎵太陽能電池芯片所發(fā)出的熱量散發(fā)出去,所述散熱板由銅鋁合金材料制成,散熱效果好,能夠延長導(dǎo)電板和微型砷化鎵太陽能電池芯片的使用壽命,節(jié)約更換及維修成本。
4、本發(fā)明中采用了微型砷化鎵太陽能電池芯片,該芯片具備高倍聚光的特點(diǎn),通過外接的太陽能聚光系統(tǒng)把太陽光聚焦到幾倍、幾十倍,或幾百倍甚至上千倍,然后投射到該微型砷化鎵太陽能電池芯片上,能夠顯著地提高太陽能發(fā)電效率,從而降低光伏發(fā)電的成本。
綜上所述,本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單,設(shè)計(jì)合理,安裝實(shí)現(xiàn)方便,使用操作便捷,使用壽命長,能夠顯著地提高太陽能發(fā)電效率,降低光伏發(fā)電的成本,推廣應(yīng)用前景廣泛。
下面通過附圖和實(shí)施例,對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)記說明:
1-導(dǎo)線; 2-散熱板;3-導(dǎo)電板;
4-微型砷化鎵太陽能電池芯片; 5-絕緣層。
具體實(shí)施方式
如圖1所示,本發(fā)明包括散熱板2、安裝在散熱板2頂端的絕緣層5以及安裝在絕緣層5頂端的導(dǎo)電板3和微型砷化鎵太陽能電池芯片4,所述導(dǎo)電板3為多塊且均勻設(shè)置在微型砷化鎵太陽能電池芯片4的周側(cè),多塊所述導(dǎo)電板3均通過導(dǎo)線I與微型砷化鎵太陽能電池芯片4電連接。
如圖1所示,本實(shí)施例中,所述散熱板2由銅鋁合金材料制成。所述絕緣層5為導(dǎo)熱絕緣層。所述導(dǎo)電板3為兩塊且分別設(shè)置在微型砷化鎵太陽能電池芯片4的兩邊。所述導(dǎo)電板3和微型砷化鎵太陽能電池芯片4均通過散熱膠粘合安裝在絕緣層5頂端。
本發(fā)明中采用了微型砷化鎵太陽能電池芯片,微型砷化鎵太陽能光伏組件與現(xiàn)行市場上常用的硅電池太陽能組件相比具有如下優(yōu)點(diǎn):1、光電轉(zhuǎn)化率高:砷化鎵的禁帶較硅為寬,使得它的光譜響應(yīng)性和空間太陽光譜匹配能力較硅好,目前,硅電池的理論效率大概為23%,而單結(jié)的砷化鎵電池理論效率達(dá)到27%,而多結(jié)的砷化鎵電池理論效率更超過50 %。2、耐溫性好:常規(guī)上,砷化鎵電池的耐溫性要好于硅光電池,有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,砷化鎵電池在250°C的條件下仍可以正常工作`,但是硅光電池在200°C就已經(jīng)無法正常運(yùn)行。
本發(fā)明的工作原理及工作過程是:外接太陽能聚光系統(tǒng)后,太陽能聚光系統(tǒng)將太陽光線聚集到微型砷化鎵太陽能電池芯片4上,砷化鎵太陽能電池芯片4將光能轉(zhuǎn)換成電能并通過與其通過導(dǎo)線I電連接的導(dǎo)電板3將電能傳輸出去。由于導(dǎo)電板3和微型砷化鎵太陽能電池芯片4均通過散熱膠粘合安裝在絕緣層5頂端,絕緣層5的下端安裝有散熱板2,因此能夠?qū)?dǎo)電板3和微型砷化鎵太陽能電池芯片4所發(fā)出的熱量散發(fā)出去,所述散熱板2由銅鋁合金材料制成,散熱效果好,能夠延長導(dǎo)電板3和微型砷化鎵太陽能電池芯片4的使用壽命,節(jié)約更換及維修成本,提高太陽能發(fā)電效率。
綜上所述,本發(fā)明采用太陽能聚光系統(tǒng)配合砷化鎵太陽能電池芯片4,可以顯著得提高光電轉(zhuǎn)換效率。
以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并非對本發(fā)明作任何限制,凡是根據(jù)本發(fā)明技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、變更以及等效結(jié)構(gòu)變化,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件,其特征在于:包括散熱板(2)、安裝在散熱板(2)頂端的絕緣層(5)以及安裝在絕緣層(5)頂端的導(dǎo)電板(3)和微型砷化鎵太陽能電池芯片(4),所述導(dǎo)電板(3)為多塊且均勻設(shè)置在微型砷化鎵太陽能電池芯片(4)的周側(cè),多塊所述導(dǎo)電板(3)均通過導(dǎo)線(I)與微型砷化鎵太陽能電池芯片(4)電連接。
2.按照權(quán)利要求1所述的一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件,其特征在于:所述散熱板(2)由銅鋁合金材料制成。
3.按照權(quán)利要求1所述的一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件,其特征在于:所述絕緣層(5)為導(dǎo)熱絕緣層。
4.按照權(quán)利要求1、2或3所述的一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件,其特征在于:所述導(dǎo)電板(3)為兩塊且分別設(shè)置在微型砷化鎵太陽能電池芯片(4)的兩邊。
5.按照權(quán)利要求1、2或3所述的一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件,其特征在于:所述導(dǎo)電板(3)和微型砷化鎵太陽能電池芯片(4)均通過散熱膠粘合安裝在絕緣層(5)頂端。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種微型砷化鎵太陽能光伏發(fā)電組件,包括散熱板、安裝在散熱板頂端的絕緣層以及安裝在絕緣層頂端的導(dǎo)電板和微型砷化鎵太陽能電池芯片,所述導(dǎo)電板為多塊且均勻設(shè)置在微型砷化鎵太陽能電池芯片的周側(cè),多塊所述導(dǎo)電板均通過導(dǎo)線與微型砷化鎵太陽能電池芯片電連接。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單,設(shè)計(jì)合理,安裝實(shí)現(xiàn)方便,使用操作便捷,使用壽命長,采用太陽能聚光系統(tǒng)配合砷化鎵太陽能電池芯片,能夠顯著地提高太陽能發(fā)電效率,降低光伏發(fā)電的成本,推廣應(yīng)用前景廣泛。
文檔編號(hào)H01L31/052GK103137737SQ20111038442
公開日2013年6月5日 申請日期2011年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月27日
發(fā)明者周偉, 胡劍峰 申請人:西安大昱光電科技有限公司
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