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硅基板、太陽能電池基板的制造方法及太陽能電池的制作方法

文檔序號:7166112閱讀:131來源:國知局
專利名稱:硅基板、太陽能電池基板的制造方法及太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種基板、其制造方法及太陽能電池,特別涉及一種類單晶 (mono-like)的娃基板、其制造方法以及具有該娃基板的太陽能電池。
背景技術(shù)
娃晶太陽能電池包含有單晶娃(single crystal silicon)電池及多晶娃 (poly-crystal silicon)電池。其中,單晶娃電池的基板是通過拉晶方式形成單晶娃錠,再 將硅錠切割成多個片狀的單晶晶片;多晶硅電池的基板則是將硅原料置于熔煉爐中,經(jīng)過 高溫加熱并冷卻凝固以形成多晶硅錠,再切割出片狀的多晶晶片。單晶硅電池相對于多晶 硅電池具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率,但因為單晶硅錠必需通過拉晶方式形成及價格較昂貴等 因素,使單晶硅電池的制造成本較高。
為了能以較低的成本制作出高效率的電池,目前發(fā)展出一種類單晶(mono-like) 晶片技術(shù),其是通過多晶長晶爐并改良多晶晶錠(ingot)的制造方法,從中使晶錠中央與 中央附近的區(qū)域形成純度甚高的單晶區(qū)域,并于晶錠較外圍處形成多晶成分較高的區(qū)域, 而于內(nèi)、外區(qū)域兩者之間則形成單、多晶并存的區(qū)域。一般而言,通常是將通過多晶長晶爐 制得的晶片稱為類單晶晶片,其中純度較高的類單晶晶片的品質(zhì)及效能與傳統(tǒng)由單晶拉晶 法所制得的單晶晶片相差無幾,甚至為佳。且因多晶長晶爐于長晶上的成本較單晶爐的拉 晶法為低,因此以類單晶晶片作為電池的基板,能使電池制造成本低于單晶硅電池,但還能 保有良好的光電轉(zhuǎn)換效率。
也就是說,對于同時具有單晶結(jié)構(gòu)及多晶結(jié)構(gòu)的類單晶晶片,當單晶結(jié)構(gòu)所占的 面積越大時,表示此類單晶晶片的品質(zhì)越好。但由于單晶結(jié)構(gòu)對于低波長(約為300納米 至600納米)光線的反射率小于多晶結(jié)構(gòu)的反射率,使晶片上的單晶區(qū)域的顏色深且暗,多 晶區(qū)域的顏色較淺且較亮,導(dǎo)致晶片在不同區(qū)塊上呈現(xiàn)不同的色彩及亮度,影響電池外觀 顏色的一致性,此問題也會影響電池本身的賣相,造成業(yè)者銷售上的困擾。當然,因單、多晶 結(jié)構(gòu)間雜的電池片本身,于單、多晶區(qū)域的發(fā)電效率亦不同,而若能進一步改善此問題,將 有助于太陽能電池整體光電轉(zhuǎn)換效率的提升。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的主要在于解決單、多晶間雜型態(tài)的類單晶晶片的問題,并提供一種 表面顏色均勻的類單晶的硅基板、太陽能電池基板的制造方法及太陽能電池,從而使電池 整體外觀顏色具有一致性。進一步地,并可提高類單晶電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
本發(fā)明硅基板,包含:一個第一區(qū)域以及一個第二區(qū)域,該第一區(qū)域的表面具有多 個第一突出結(jié)構(gòu),該第二區(qū)域的表面具有多個第二突出結(jié)構(gòu),所述第一突出結(jié)構(gòu)的平均厚 度大于所述第二突出結(jié)構(gòu)的平均厚度,各該第一突出結(jié)構(gòu)表面具有多個凸塊。
本發(fā)明所述的硅基板,各該第一突出結(jié)構(gòu)與各該凸塊為單晶結(jié)構(gòu),各該第二突出 結(jié)構(gòu)為多晶結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所述的硅基板,各該第一突出結(jié)構(gòu)的厚度為I至20μπι,各該凸塊的厚度為 200至600nm,各該第二突出結(jié)構(gòu)的厚度為300至700nm。
本發(fā)明所述的硅基板,各該第一突出結(jié)構(gòu)的型態(tài)包含有金字塔結(jié)構(gòu)的型態(tài),各該 第二突出結(jié)構(gòu)的型態(tài)包含有突出弧形結(jié)構(gòu)的型態(tài)。
本發(fā)明太陽能電池基板的制造方法,包含:提供一個半成品基板,該半成品基板具 有一個第一區(qū)域以及一個第二區(qū)域,該第一區(qū)域表面具有多個第一突出結(jié)構(gòu);蝕刻該半成 品基板,在各該第一突出結(jié)構(gòu)的表面形成多個凸塊,并在該第二區(qū)域的表面形成多個第二 突出結(jié)構(gòu),所述第一突出結(jié)構(gòu)的平均厚度大于所述第二突出結(jié)構(gòu)的平均厚度。
本發(fā)明所述的太陽能電池基板的制造方法,各該第一突出結(jié)構(gòu)與各該凸塊為單晶 結(jié)構(gòu),各該第二突出結(jié)構(gòu)為多晶結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所述的太陽能電池基板的制造方法,在蝕刻該半成品基板前,先分別在該第一區(qū)域與該第二區(qū)域表面形成一第一表層與一第二表層,且該第一表層的厚度大于該第 二表層的厚度。
本發(fā)明所述的太陽能電池基板的制造方法,該第一表層與該第二表層為氧化層, 并且是通過將該半成品基板進行熱氧化處理而形成。
本發(fā)明所述的太陽能電池基板的制造方法,蝕刻該半成品基板是利用反應(yīng)式離子 蝕刻方式來進行。
本發(fā)明太陽能電池,包含:一個硅基板以及一個位于該硅基板的表面并用于傳輸 該太陽能電池的電能的電極單兀;該娃基板包括一個第一區(qū)域與一個第二區(qū)域,該第一區(qū) 域的表面具有多個第一突出結(jié)構(gòu),該第二區(qū)域的表面具有多個第二突出結(jié)構(gòu),所述第一突 出結(jié)構(gòu)的平均厚度大于所述第二突出結(jié)構(gòu)的平均厚度,各該第一突出結(jié)構(gòu)表面具有多個凸 塊。
本發(fā)明所述的太陽能電池,各該第一突出結(jié)構(gòu)與各該凸塊為單晶結(jié)構(gòu),各該第二 關(guān)出結(jié)構(gòu)為多晶結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所述的太陽能電池,各該第一突出結(jié)構(gòu)的厚度為I至20μπι,各該凸塊的厚 度為200至600nm,各該第二突出結(jié)構(gòu)的厚度為300至700nm。
本發(fā)明所述的太陽能電池,各該第一突出結(jié)構(gòu)的型態(tài)包含有金字塔結(jié)構(gòu)的型態(tài), 各該第二突出結(jié)構(gòu)的型態(tài)包含有突出弧形結(jié)構(gòu)的型態(tài)。
本發(fā)明的有益效果在于:通過在第二區(qū)域形成第二突出結(jié)構(gòu),提升第二區(qū)域的表 面粗糙度并降低光反射率,以縮小該第二區(qū)域及該第一區(qū)域之間的反射率差異,使該硅基 板及具有該基板的電池的表面顏色較均勻,具有較佳的顏色一致性。


圖1是本發(fā)明太陽能電池的一個第一較佳實施例的示意圖2是該第一較佳實施例的一個娃基板的不意圖3是一流程示意圖,顯示本發(fā)明太陽能電池基板的制造方法的一個第一較佳實 施例的各個步驟;
圖4是該制造方法的步驟流程方塊圖5是一流程示意圖,顯示本發(fā)明太陽能電池基板的制造方法的一第二較佳實施例;
圖6是一比較例的電池與本發(fā)明第二較佳實施例的電池的正面照片,圖6中的(a) 為比較例(使用傳統(tǒng)基板)的電池,圖6中的(b)為本發(fā)明的電池;
圖7是電池的光反射率對應(yīng)于入射光波長的關(guān)系圖,顯示本發(fā)明第二較佳實施例 及比較例的第一區(qū)域與第二區(qū)域在不同波長下的反射率。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明進行詳細說明,要注意的是,在以下的說明內(nèi)容 中,類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1與圖2,本發(fā)明太陽能電池的第一較佳實施例,包含:一個用于將光能轉(zhuǎn) 換成電能的光電轉(zhuǎn)換單兀I以及一個位于該光電轉(zhuǎn)換單兀I表面的電極單兀2。其中,該光 電轉(zhuǎn)換單元I包括一個類單晶的硅基板3、一個射極層11以及一個抗反射層12。需要說明 的是,圖1主要用于示意各層體的相對位置關(guān)系,因此并未明確繪出各層的具體結(jié)構(gòu)。其中 該硅基板3的具體結(jié)構(gòu)是示意于圖2。
該硅基板3包括相鄰的一第一區(qū)域31與一第二區(qū)域32,該第一區(qū)域31及該第二 區(qū)域32配合形成一個表面粗糙且朝上的入光面33以及一個相反于該入光面33的背面34。
所述第一區(qū)域31主要為單晶區(qū)域并包含(111)晶面,該第一區(qū)域31位于該入光 面33上的表面為粗糙表面,該第一區(qū)域31表面具有多個相鄰且為單晶結(jié)構(gòu)的第一突出結(jié) 構(gòu)311。各該第一突出結(jié)構(gòu)311的型態(tài)包含有金字塔結(jié)構(gòu)的型態(tài),也就是說,在所述第一突 出結(jié)構(gòu)311中的其中至少幾個可以為金字塔結(jié)構(gòu)。
每一第一突出結(jié)構(gòu)311本身的表面也是粗糙表面,各該第一突出結(jié)構(gòu)311表面具 有多個相鄰且為單晶結(jié)構(gòu)的凸塊312,各該凸塊312呈金字塔結(jié)構(gòu)型態(tài)。所述第一突出結(jié)構(gòu) 311的厚度a為I至20 μπκ較佳地是I至10 μ m,更佳地是4至5 μ m ;所述凸塊312的厚度 b為200至600nm,較佳地是200至500nm。需要說明的是,本發(fā)明所述的第一突出結(jié)構(gòu)311 的厚度與凸塊312的厚度,是指第一突出結(jié)構(gòu)311與凸塊312其本身最高點與最低點間的 垂直距離。
該第二區(qū)域32主要為多晶區(qū)域,并包含(111)、(110)及(100)晶面。該第二區(qū)域 32的表面為粗糙表面,并具有多個相鄰且為多晶結(jié)構(gòu)的第二突出結(jié)構(gòu)321。各該第二突出 結(jié)構(gòu)321的型態(tài)包含有突出弧形結(jié)構(gòu)的型態(tài),也就是說,在所述第二突出結(jié)構(gòu)321中的其中 至少幾個可以為突出弧形結(jié)構(gòu)。第二突出結(jié)構(gòu)321的突出弧形結(jié)構(gòu)可以是指其外觀結(jié)構(gòu), 也可以是指其剖面結(jié)構(gòu)。
所述第二突出結(jié)構(gòu)321的厚度c為300至700nm,較佳地是300至600nm,第二突 出結(jié)構(gòu)321的厚度c通常大于凸塊312的厚度b,但小于第一突出結(jié)構(gòu)311的厚度a。換句 話說,本發(fā)明所述第一突出結(jié)構(gòu)311的平均厚度大于所述第二突出結(jié)構(gòu)321的平均厚度;由 于每個第一突出結(jié)構(gòu)311的厚度可能不同,而每個第二突出結(jié)構(gòu)321的厚度也可能不同,所 以使用“平均厚度”的概念來表示。此外,本發(fā)明所述的第二突出結(jié)構(gòu)321的厚度,是指該 結(jié)構(gòu)本身最聞點與最低點間的垂直距尚。
該射極層11位于該硅基板3的入光面33,該射極層11為半導(dǎo)體材料,其主要載流 子(carrier)的導(dǎo)電形式不限,只要該射極層11能與該基板形成p_n接面即可,因此當該基板為P型半導(dǎo)體時,該射極層11為η型半導(dǎo)體;當該基板為η型半導(dǎo)體時,該射極層11 為P型半導(dǎo)體。
該抗反射層12位于該射極層11的表面,其材料例如氮化硅(SiNx),用于降低 太陽光的反射、提升光線入射率并可降低電池的表面復(fù)合速率(surface recombination velocity,簡稱SRV),但本發(fā)明不以設(shè)置該抗反射層12為必要。
所述電極單元2包括一個電連接該射極層11的第一電極21以及一個電連接該硅 基板3的第二電極22。該第一電極21及該第二電極22的結(jié)構(gòu)型態(tài)不須限制,只要能互相 配合地將該光電轉(zhuǎn)換單元I產(chǎn)生的電能傳輸?shù)诫姵赝獠考纯伞?br> 參閱圖2、圖3、圖4,本發(fā)明太陽能電池基板的制造方法,也就是該硅基板的制造 方法的第一較佳實施例,包含:
(I)進行步驟41:提供一個半成品基板3’,該半成品基板3’具有相鄰的一第一區(qū) 域31以及一第二區(qū)域32。在此說明:該半成品基板3’的具體結(jié)構(gòu)當然與最后形成的硅基 板3有所不同,但為了方便敘述,將該半成品基板3’的第一區(qū)域及第二區(qū)域同樣以31、32 作為標號。
該半成品基板3’的第一區(qū)域31是以(111)晶面為主,并具有多個相鄰且呈金字 塔狀的第一突出結(jié)構(gòu)311。該半成品基板3’的第二區(qū)域32包含(111)、(110)及(100)晶 面,雖然此三種晶面的排列方向各有不同,而且該第二區(qū)域32實際上也并非完全平整的表 面,但由于該第二區(qū)域32的表面高低起伏程度小于該第一區(qū)域31,并且包含有許多呈平面 狀的(100)晶面,加上為了方便與該第一區(qū)域31有所區(qū)分,因此圖3的半成品基板3’的第 二區(qū)域32表面是以平面示意。
該半成品基板3’是改良傳統(tǒng)的多晶硅晶片的制造方法而制得,并且經(jīng)過初步的清 洗步驟(例如使用堿性溶液)來蝕刻去除晶圓切晶時所遺留的傷痕等瑕疵,當然通過此步 驟會同時于第一區(qū)域31上產(chǎn)生表面粗糙的效果,也就是使該第一區(qū)域31形成所述第一突 出結(jié)構(gòu)311,但由于其制造方法非本發(fā)明的改良重點,在此不詳細說明,而且實際上該半成 品基板3’就是本說明書“背景技術(shù)”所述的傳統(tǒng)基板。
(2)進行步驟42:對該半成品基板3’進行表面處理,以在該第一區(qū)域31的表面形 成一第一表層51,在該第二區(qū)域32的表面形成一個厚度小于該第一表層51的厚度的第二 表層52。較佳地,該第一表層51的厚度d約為10至70nm,該第二表層52的厚度e約為5 至20nm,厚度d與厚度e的差值較佳地為5至50nm。
本發(fā)明的半成品基板3’的表面處理方式不須限制,可以為熱氧化、碳化、氮化或 硫化等方式,例如在爐管設(shè)備中通入C2H2進行碳化的表面處理,進而在基板3’上形成SiC 薄膜,簡單來說,只要能形成該第一表層51及該厚度較小的第二表層52就可以。在本實 施例中,是以熱氧化處理為例,因此該第一表層51及該第二表層52皆為氧化層,其材料皆 為SiOx。本步驟的具體方式是將該半成品基板3’置入一高溫爐中,并通入氧氣以氧化該 半成品基板3’,由于(111)晶面上排列有較多的硅原子,而(100)晶面上的硅原子較少,使(111)晶面的表面氧化速率大于(100)晶面,也就是說,以(111)晶面為主的第一區(qū)域31的 表面氧化速率將大于以(100)晶面為主的第二區(qū)域32的表面氧化速率,因此在相同氧化條 件下所形成的該第一表層51的厚度會大于該第二表層52的厚度。
本步驟的熱氧化方式不須限制,例如也可以在一反應(yīng)式離子蝕刻(Reactive 1nEtching,簡稱RIE)設(shè)備中進行,若使用RIE設(shè)備來氧化,其優(yōu)點是后續(xù)的蝕刻制程可以直 接在RIE設(shè)備中進行。
(3)進行步驟43:蝕刻該氧化后的半成品基板3’,本實施例是使用RIE的蝕刻方 式,在RIE設(shè)備的真空腔體中通入SF6Xl2及O2混合氣體作為反應(yīng)氣體,以將所述第一表層 51及第二表層52蝕刻移除,并且進而將該第一區(qū)域31的各該第一突出結(jié)構(gòu)311的表面粗 糙化而形成所述凸塊312以及將第二區(qū)域32的表面粗糙化而形成所述第二突出結(jié)構(gòu)321, 如此就完成該硅基板3的制作。
接著說明該蝕刻步驟的反應(yīng)過程:在蝕刻過程的前段,反應(yīng)氣體與該第一表層51 及該第二表層52反應(yīng),由于第二表層52的厚度較薄,所以會先被蝕刻移除,使該第二區(qū)域 32的表面露出,該第一區(qū)域31仍被剩余厚度的第一表層51覆蓋住(如圖3的第3道流 程)。
在蝕刻過程的中段,由于該第二區(qū)域32表面已露出,反應(yīng)氣體中的O2作為nature mask,將該第二區(qū)域32表面的不特定區(qū)塊氧化成SiOx,使該第二區(qū)域32表面同時存在著Si 及SiOx,而反應(yīng)氣體中的SF6、C12對于Si及SiOx的蝕刻速率不同,因此可將該第二區(qū)域32 蝕刻成粗糙表面;此時該第一區(qū)域31上的第一表層51才被完全蝕刻移除,使該第一區(qū)域 31的表面露出(如圖3的第4道流程)。
在后續(xù)的蝕刻過程,該第一區(qū)域31的第一突出結(jié)構(gòu)311才開始與反應(yīng)氣體反應(yīng)而 使表面粗糙化,而該第二區(qū)域32則繼續(xù)形成高低起伏更大的粗糙表面。因此,該第二區(qū)域 32的表面受到較長時間的蝕刻,使成型出的第二突出結(jié)構(gòu)321的厚度通常大于該第一區(qū)域 31的凸塊312的厚度。當然,上述的蝕刻反應(yīng)是一連串的連續(xù)反應(yīng),但為了方便理解,將其 過程分步驟說明。
在此說明本發(fā)明的功效:在“背景技術(shù)”中提到的傳統(tǒng)類單晶基板即為本發(fā)明的半 成品基板3’,會造成該半成品基板3’的第一區(qū)域31及第二區(qū)域32的反射率差異大的原 因,主要在于該第一區(qū)域31相對于該第二區(qū)域32而言,具有尺寸較大的第一突出結(jié)構(gòu)311 并因此形成較明顯的粗糙表面,所以第一區(qū)域31的反射率較低、顏色較深。而本發(fā)明將該 半成品基板3’進行后續(xù)的粗糙化制程,主要通過該表面處理步驟并配合單晶硅及多晶硅的 特性,使第一區(qū)域31表面形成的氧化層較厚,因此后續(xù)的蝕刻過程中,該第二區(qū)域32比該 第一區(qū)域31能更早受到蝕刻,因而使成型出的第二突出結(jié)構(gòu)321的厚度大于該凸塊312的 厚度。所述凸塊312及第二突出結(jié)構(gòu)321分別有助于降低該第一區(qū)域31及該第二區(qū)域32 的反射率,而且厚度大的第二突出結(jié)構(gòu)321使該第二區(qū)域32的反射率降幅較大,進而能縮 小兩區(qū)域之間的反射率差異,使該硅基板3的整體表面顏色較均勻,具有較佳的顏色一致 性。
需注意的是:本發(fā)明不以第二突出結(jié)構(gòu)321的厚度大于該凸塊312的厚度為必要 限制。以下通過另一實施例詳細說明。
參閱圖5,本發(fā)明太陽能電池基板的制造方法的第二較佳實施例,與該第一較佳實 施例不同的地方在于:本實施例省略該表面處理步驟,并且直接對該半成品基板3’進行蝕 刻(例如RIE蝕刻),使第一區(qū)域31的各該第一突出結(jié)構(gòu)311的表面形成凸塊312,第二區(qū) 域32的表面形成第二突出結(jié)構(gòu)321。通過該蝕刻步驟,使該第二區(qū)域32的表面由原本較為 平坦的狀態(tài)轉(zhuǎn)換成粗糙表面,相對于第一區(qū)域31是由原本就粗糙的表面轉(zhuǎn)變?yōu)楦植诘谋砻娑?,第二區(qū)域32的表面狀態(tài)變化較大,因此反射率降幅較大,進而能降低兩區(qū)域間 的反射率差異及降低基板表面色差。需要說明的是,由于該第一區(qū)域31及該第二區(qū)域32 的表面型態(tài)、原子排列方式不同,所以兩區(qū)域的蝕刻速率可能有所不同,但是本實施例的凸 塊312與第二突出結(jié)構(gòu)321的厚度大小關(guān)系沒有一定,也不須限制。本發(fā)明各圖式中的各 個微結(jié)構(gòu)的大小與形狀也只是示意,并非用于限制。
參閱圖6,為本發(fā)明第二較佳實施例的電池與一比較例的電池的正面照片。圖6中 的(a)為比較例的電池,其基板為傳統(tǒng)基板,未進行本發(fā)明的蝕刻步驟,其第一區(qū)域31及第 二區(qū)域32呈現(xiàn)明顯色差。反觀圖6中的(b)呈現(xiàn)的本發(fā)明電池,由于已經(jīng)通過蝕刻步驟改 良該基板的表面結(jié)構(gòu),進而降低不同區(qū)域的反射率差異,使該第二區(qū)域32的外觀顏色接近 該第一區(qū)域31,因此本發(fā)明的整體表面顏色較均勻。
參閱圖7,為本發(fā)明第二較佳實施例與比較例的反射率對應(yīng)于入射光波長的關(guān)系 圖,顯示在380nm至600nm左右的低波長范圍內(nèi),比較例的第一區(qū)域及第二區(qū)域的反射率差 異值較大,因此產(chǎn)生較大的表面色差。反觀本發(fā)明,在低波長范圍內(nèi),無論是第一區(qū)域或第 二區(qū)域的反射率相對于比較例都有明顯下降,而且就本發(fā)明本身而言,該第一區(qū)域與第二 區(qū)域的反射率變得相當接近,并且都在5%以下,因此本發(fā)明確實能縮小不同區(qū)域的反射率 差異,使基板整體顏色均勻,并且因為反射率有效地降低,能提升入射光的利用率及光電轉(zhuǎn) 換效率。
綜上所述,本發(fā)明的主要精神在于:在該第二區(qū)域32形成第二突出結(jié)構(gòu)321,進而 提升第二區(qū)域32的表面粗糙度及降低反射率,所以在本發(fā)明的制造方法中,只進行蝕刻步 驟也能達到上述目的,該第一較佳實施例的表面處理步驟因此為非必要。而且該蝕刻步驟 的方式也不須限制,除了 RIE蝕刻以外,例如也可以為激光紋理(Laser texturing)。
權(quán)利要求
1.一種硅基板,包含:一個第一區(qū)域以及一個第二區(qū)域,該第一區(qū)域的表面具有多個 第一突出結(jié)構(gòu),該第二區(qū)域的表面具有多個第二突出結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一突出結(jié)構(gòu) 的平均厚度大于所述第二突出結(jié)構(gòu)的平均厚度,各該第一突出結(jié)構(gòu)的表面具有多個凸塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板,其特征在于,各該第一突出結(jié)構(gòu)與各該凸塊為單晶 結(jié)構(gòu),各該第二突出結(jié)構(gòu)為多晶結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅基板,其特征在于,各該第一突出結(jié)構(gòu)的厚度為I至 20 μ m,各該凸塊的厚度為200至600nm,各該第二突出結(jié)構(gòu)的厚度為300至700nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅基板,其特征在于,各該第一突出結(jié)構(gòu)的型態(tài)包含金字塔 結(jié)構(gòu)的型態(tài),各該第二突出結(jié)構(gòu)的型態(tài)包含突出弧形結(jié)構(gòu)的型態(tài)。
5.一種太陽能電池基板的制造方法,包含:提供一個半成品基板,該半成品基板具有 一個第一區(qū)域以及一個第二區(qū)域,該第一區(qū)域的表面具有多個第一突出結(jié)構(gòu);其特征在于, 該太陽能電池基板的制造方法還包含以下步驟:蝕刻該半成品基板,在各該第一突出結(jié)構(gòu) 的表面形成多個凸塊,并在該第二區(qū)域的表面形成多個第二突出結(jié)構(gòu),所述第一突出結(jié)構(gòu) 的平均厚度大于所述第二突出結(jié)構(gòu)的平均厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池基板的制造方法,其特征在于,各該第一突出結(jié) 構(gòu)與各該凸塊為單晶結(jié)構(gòu),各該第二突出結(jié)構(gòu)為多晶結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池基板的制造方法,其特征在于,在蝕刻該半成品 基板前,先分別在該第一區(qū)域與該第二區(qū)域表面形成一第一表層與一第二表層,且該第一 表層的厚度大于該第二表層的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池基板的制造方法,其特征在于,該第一表層與該 第二表層為氧化層,并且是通過將該半成品基板進行熱氧化處理而形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求5至8中任一項所述的太陽能電池基板的制造方法,其特征在于,蝕刻 該半成品基板是利用反應(yīng)式離子蝕刻方式來進行。
10.一種太陽能電池,包含:一個硅基板以及一個位于該硅基板的表面并用于傳輸該 太陽能電池的電能的電極單兀;該娃基板包括一個第一區(qū)域與一個第二區(qū)域,該第一區(qū)域 的表面具有多個第一突出結(jié)構(gòu),該第二區(qū)域的表面具有多個第二突出結(jié)構(gòu),其特征在于,所 述第一突出結(jié)構(gòu)的平均厚度大于所述第二突出結(jié)構(gòu)的平均厚度,各該第一突出結(jié)構(gòu)表面具 有多個凸塊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池,其特征在于,各該第一突出結(jié)構(gòu)與各該凸塊 為單晶結(jié)構(gòu),各該第二突出結(jié)構(gòu)為多晶結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的太陽能電池,其特征在于,各該第一突出結(jié)構(gòu)的厚度 為I至20 μ m,各該凸塊的厚度為200至600nm,各該第二突出結(jié)構(gòu)的厚度為300至700nm。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽能電池,其特征在于,各該第一突出結(jié)構(gòu)的型態(tài)包含 金字塔結(jié)構(gòu)的型態(tài),各該第二突出結(jié)構(gòu)的型態(tài)包含突出弧形結(jié)構(gòu)的型態(tài)。
全文摘要
一種硅基板、太陽能電池基板的制造方法及太陽能電池,所述硅基板包含一第一區(qū)域以及一第二區(qū)域。該第一區(qū)域的表面具有多個第一突出結(jié)構(gòu),各該第一突出結(jié)構(gòu)的表面具有多個凸塊。該第二區(qū)域的表面具有多個第二突出結(jié)構(gòu),所述第一突出結(jié)構(gòu)的平均厚度大于所述第二突出結(jié)構(gòu)的平均厚度。本發(fā)明的方法是利用例如RIE或激光等方式,蝕刻一塊半成品基板,以形成所述凸塊與第二突出結(jié)構(gòu),并通過第二突出結(jié)構(gòu)提升第二區(qū)域的表面粗糙度、降低光反射率,以縮小該第二區(qū)域及該第一區(qū)域之間的反射率差異,使該硅基板及電池的表面顏色較均勻。
文檔編號H01L31/0352GK103137721SQ20111038571
公開日2013年6月5日 申請日期2011年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
發(fā)明者陳文華 申請人:茂迪股份有限公司
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