專利名稱：半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片(wafer)制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種在半導(dǎo)體晶片的制造過(guò)程中利用導(dǎo)片機(jī)流程實(shí)現(xiàn)的污染控制方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體晶片的制造過(guò)程中，防止交叉污染的重要性向來(lái)有目共睹。一旦存在帶有污染標(biāo)識(shí)的晶片進(jìn)入關(guān)鍵工藝設(shè)備后，將嚴(yán)重影響此關(guān)鍵工藝的設(shè)備氛圍，在不停頓的后續(xù)作業(yè)中，此氛圍將嚴(yán)重影響后續(xù)大批量的晶片，其會(huì)在器件中引入一些有害元素，從而直接導(dǎo)致器件可靠性變差、甚至不工作；更有甚者，關(guān)鍵工藝的設(shè)備受到上述污染后，可能直接導(dǎo)致設(shè)備不可再利用。所有這些將對(duì)工廠的運(yùn)作產(chǎn)生致命性的影響。另一方面，隨著制造工藝的不斷發(fā)展，銅制程由于其低阻、高抗電遷移等優(yōu)越性而開始應(yīng)用于0. 13μπι及以下的半導(dǎo)體制造工藝中。然而，基于生產(chǎn)線的產(chǎn)能以及成本的考慮，需要銅制程與鋁制程共用生產(chǎn)線，此時(shí)污染控制變得尤為重要，這是因?yàn)殂~的污染會(huì)嚴(yán)重影響器件性能，例如，致使短溝道效應(yīng)增強(qiáng)等。目前，針對(duì)類似上述這種共用生產(chǎn)線的不同流程段之間避免污染的需要，通常是用導(dǎo)片機(jī)(Sorter)流程進(jìn)行導(dǎo)片來(lái)實(shí)現(xiàn)，然而，導(dǎo)片機(jī)流程對(duì)于污染的控制僅限于FOUP (front-opening unified pod，前端開口晶片盒，本文中簡(jiǎn)稱為晶片盒)類型的確認(rèn)，而并不限制晶片批(Lot)的污染標(biāo)識(shí)；而且，在將Lot經(jīng)過(guò)導(dǎo)片后轉(zhuǎn)到新的FOUP時(shí)，也不會(huì)對(duì)當(dāng)前Lot的污染標(biāo)識(shí)進(jìn)行更改；由此可能造成如下兩個(gè)問(wèn)題。首先，如果Lot在本工藝段內(nèi)的污染標(biāo)識(shí)沒(méi)有去除，但被允許進(jìn)入其他工藝段，便可能會(huì)造成對(duì)后續(xù)工藝段所用i^up的污染和機(jī)臺(tái)的污染。例如，Lot從鎳工藝段(Ni)轉(zhuǎn)到標(biāo)準(zhǔn)前端工藝段(FE)時(shí)，假設(shè)一開始確認(rèn)的Rmp類型為Type Ni, Lot的污染標(biāo)識(shí)為NI ； 在Lot經(jīng)過(guò)導(dǎo)片機(jī)后，F(xiàn)oup實(shí)物會(huì)換成Type FE的類型，但Lot的污染標(biāo)識(shí)仍為Ni，而沒(méi)有通過(guò)例如清洗過(guò)程等加以去除；這樣，還帶著NI污染的Lot會(huì)直接經(jīng)過(guò)導(dǎo)片機(jī)，從而污染類型為Type FE的Rmp，同時(shí)還可能污染FE工藝段的機(jī)臺(tái)。其次，如果Lot在本流程段內(nèi)的污染指標(biāo)得以去除，該Lot在進(jìn)入下個(gè)流程段時(shí)， 由于下個(gè)流程段的i^oup已經(jīng)被使用過(guò)，從而該R)Up可能將其帶有的污染標(biāo)識(shí)傳染給Lot， 而此Lot卻還保持原來(lái)的污染標(biāo)識(shí)，由此造成Lot的實(shí)際污染與污染標(biāo)識(shí)不符，進(jìn)而有成為潛在污染源的隱患。例如，Lot從標(biāo)準(zhǔn)后端工藝段(BE)轉(zhuǎn)到銅工藝段(⑶)時(shí)，假設(shè)一開始確認(rèn)的i^up類型為Type BE, Lot的污染標(biāo)識(shí)為BE ；在Lot經(jīng)過(guò)導(dǎo)片機(jī)后，F(xiàn)oup實(shí)物會(huì)換成Type⑶的類型，但Lot的污染標(biāo)識(shí)仍為BE ；然而事實(shí)上，Lot已經(jīng)被帶有⑶的Rmp污染，從而造成Lot的實(shí)際污染與污染標(biāo)識(shí)不符，由此可能在后續(xù)工藝段中污染其他的Rnip， 同時(shí)也可能污染后續(xù)工藝段的機(jī)臺(tái)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例旨在提供一種半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制方法及裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中僅對(duì)晶片盒類型進(jìn)行確認(rèn)的污染控制手段所存在的上述問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制方法，應(yīng)用于包括多個(gè)工藝段的晶片生產(chǎn)線，各工藝段對(duì)應(yīng)不同類型的晶片盒，且相鄰的工藝段之間設(shè)有導(dǎo)片機(jī)，所述導(dǎo)片機(jī)用于將晶片批從前一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒交換至后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒，其中，該方法包括以下步驟Si.在晶片批經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)片機(jī)時(shí)，判斷所述晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與預(yù)設(shè)的允許所述導(dǎo)片機(jī)進(jìn)行晶片批交換的前一工藝段是否相符，判斷所述晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與所述晶片批所處的晶片盒的類型是否對(duì)應(yīng)，并判斷所述晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)與預(yù)設(shè)的所述導(dǎo)片機(jī)允許經(jīng)過(guò)的污染標(biāo)識(shí)是否相符；S2.在上述判斷結(jié)果均為是時(shí)，控制所述導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行所述晶片批的交換；S3.在所述導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行所述交換后，將所述晶片批的污染標(biāo)識(shí)變更為與所述導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行晶片批交換的后一工藝段對(duì)應(yīng)。本發(fā)明的實(shí)施例還相應(yīng)提供了一種半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制裝置，應(yīng)用于包括多個(gè)工藝段的晶片生產(chǎn)線，各工藝段對(duì)應(yīng)不同類型的晶片盒，且相鄰的工藝段之間設(shè)有導(dǎo)片機(jī)，所述導(dǎo)片機(jī)用于將晶片批從前一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒交換至后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒，其中，該裝置包括條件檢測(cè)單元，用于在晶片批經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)片機(jī)時(shí)，判斷所述晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與預(yù)設(shè)的允許所述導(dǎo)片機(jī)進(jìn)行晶片批交換的前一工藝段是否相符，判斷所述晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與所述晶片批所處的晶片盒的類型是否對(duì)應(yīng)，并判斷所述晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)與預(yù)設(shè)的所述導(dǎo)片機(jī)允許經(jīng)過(guò)的污染標(biāo)識(shí)是否相符；命令執(zhí)行單元，用于在所述條件檢測(cè)單元的上述判斷結(jié)果均為是時(shí)，控制所述導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行所述晶片批的交換；以及標(biāo)識(shí)變更單元，用于在所述導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行所述交換后，將所述晶片批的污染標(biāo)識(shí)變更為與所述導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行晶片批交換的后一工藝段對(duì)應(yīng)。由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制方法及裝置， 能夠控制導(dǎo)片機(jī)僅允許帶有符合交換要求的污染標(biāo)識(shí)的晶片批交換到后一工藝段，同時(shí)能夠使晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)與實(shí)際的污染情況相符，從而實(shí)現(xiàn)了污染的嚴(yán)格控制，消除了半導(dǎo)體晶片制造中潛在的污染隱患。


圖1為本發(fā)明半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制方法的實(shí)施例流程圖；圖2為本發(fā)明半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制裝置的實(shí)施例結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意，這里描述的實(shí)施例只用于舉例說(shuō)明，并不用于限制本發(fā)明。圖1為本發(fā)明半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制方法的實(shí)施例流程圖，如圖所示，本實(shí)施例的污染控制方法包括以下步驟S101-S108。S101、根據(jù)晶片盒的類型將晶片生產(chǎn)線劃分成多個(gè)工藝段；
在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明的污染控制方法應(yīng)用于晶片生產(chǎn)線，為便于污染控制，首先將該晶片生產(chǎn)線劃分成多個(gè)工藝段，例如，標(biāo)準(zhǔn)前端工藝段FE、標(biāo)準(zhǔn)后端工藝段BE、銅工藝段CU和鎳工藝段OT等等。并且，以上各工藝段分別對(duì)應(yīng)不同類型的晶片盒，例如，晶片盒的類型也包括FE、BE、CUJI等等。相應(yīng)地，晶片批在某個(gè)工藝段放入某一類型的晶片盒后，便會(huì)帶上相應(yīng)地污染標(biāo)識(shí)，例如，在NI工藝段放入類型OT的晶片盒后，相應(yīng)變會(huì)帶上OT 的污染標(biāo)識(shí)。進(jìn)一步，在某些具有污染控制需求的相鄰工藝段之間還設(shè)有導(dǎo)片機(jī)，其用于將晶片批從前一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒交換至后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒。如上所述，導(dǎo)片機(jī)設(shè)在兩個(gè)相鄰的工藝段之間，相應(yīng)地，導(dǎo)片機(jī)便可以視作將晶片批從前一工藝段對(duì)應(yīng)的晶片盒交換至后一工藝段對(duì)應(yīng)的晶片盒的中轉(zhuǎn)站點(diǎn)，該站點(diǎn)便可以用所述相鄰的兩個(gè)工藝段類型來(lái)表示，例如NI工藝段與FE之間的導(dǎo)片機(jī)可以用NI2FE (這里“2”代表英文的 “to”，即中文“至”的意思)來(lái)表示，依此類推，導(dǎo)片機(jī)的站點(diǎn)類型還包括FE2BE、BE2⑶等等。在一個(gè)實(shí)施例中，在晶片批經(jīng)過(guò)某個(gè)導(dǎo)片機(jī)時(shí)，本發(fā)明的方法開始執(zhí)行后續(xù)S102-S105 的判斷。另外，如上所述，導(dǎo)片機(jī)一般僅設(shè)在有污染控制需求的相鄰工藝段之間，相應(yīng)地， 在一個(gè)實(shí)施例中，針對(duì)某一晶片批而言，其在生產(chǎn)線上從前一工藝段進(jìn)入后一工藝段時(shí)，會(huì)判斷該晶片批是否要經(jīng)過(guò)導(dǎo)片機(jī)，如果經(jīng)過(guò)導(dǎo)片機(jī)則繼續(xù)后文所述的判斷步驟，否則表明此處工藝段的污染控制需求不高，僅需轉(zhuǎn)入常規(guī)的污染管控即可。也即，在一個(gè)實(shí)施例中， 步驟SlOl與步驟S102之間還包括一個(gè)判斷是否經(jīng)過(guò)導(dǎo)片機(jī)的步驟，如果是則繼續(xù)步驟 S102，否則如上文所述轉(zhuǎn)入常規(guī)的污染管控步驟。S102、判斷晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與預(yù)設(shè)的允許導(dǎo)片機(jī)進(jìn)行晶片批交換的前一工藝段是否相符，如果是則繼續(xù)步驟S103，否則轉(zhuǎn)步驟S108 ；本步驟用于判斷晶片批所經(jīng)過(guò)的工藝段的順序是否出現(xiàn)混亂，如果經(jīng)過(guò)判斷得出前一工藝段與導(dǎo)片機(jī)允許交換的前一工藝段相符，則表明工藝段的順序正確，因而得以繼續(xù)下一判斷；否則表明晶片批的工藝段順序存在錯(cuò)誤，也意味著晶片批的污染狀況不明，需要經(jīng)過(guò)特殊處理以通過(guò)本步驟的判斷之后才能繼續(xù)執(zhí)行本實(shí)施例的方法。以處于FE2BE站點(diǎn)的導(dǎo)片機(jī)為例，正常情況下，經(jīng)過(guò)該導(dǎo)片機(jī)的晶片批所經(jīng)的前一工藝段應(yīng)為FE工藝段，如果通過(guò)判斷得出導(dǎo)入的晶片批所經(jīng)的前一工藝段類型不為FE， 則表明該晶片批的工藝段順序有誤，因此不能允許通過(guò)該導(dǎo)片機(jī)；另外，在這種情況下，前一工藝段的機(jī)臺(tái)也可能受到來(lái)自該晶片批的交叉污染，這需要另外進(jìn)行處理，例如發(fā)出告警、通知維護(hù)人員檢查并更換晶片批、清洗機(jī)臺(tái)等等。S103、判斷晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與晶片批所處的晶片盒的類型是否對(duì)應(yīng)， 如果是則繼續(xù)步驟S104，否則轉(zhuǎn)步驟S108 ；本步驟用于判斷該晶片批在前一工藝段中是否出現(xiàn)晶片盒錯(cuò)放的現(xiàn)象，如果經(jīng)過(guò)判斷得出前一工藝段與晶片批所處晶片盒的類型相符，則表明沒(méi)有出現(xiàn)錯(cuò)放，因而得以繼續(xù)下一判斷；如果經(jīng)過(guò)判斷得出不符，則表明出現(xiàn)錯(cuò)放，由此意味晶片批的污染狀況不明， 需要經(jīng)過(guò)特殊處理以通過(guò)本步驟的判斷之后才能繼續(xù)執(zhí)行本實(shí)施例的方法。以處于BE2⑶站點(diǎn)的導(dǎo)片機(jī)為例，經(jīng)過(guò)該導(dǎo)片機(jī)的晶片批所經(jīng)的前一工藝段為BE 工藝段，那么正常情況下，經(jīng)過(guò)該導(dǎo)片機(jī)的晶片批也應(yīng)該從BE類型的晶片盒導(dǎo)入，如果通過(guò)判斷得出導(dǎo)入的晶片批所處的晶片盒類型不為BE，則表明該晶片批可能受到了不明類型的晶片盒的污染，因此不能允許通過(guò)該導(dǎo)片機(jī)；同時(shí)，在這種情況下，相應(yīng)地晶片盒也可能受到來(lái)自該晶片批的交叉污染，這需要另外進(jìn)行處理，例如發(fā)出告警、通知維護(hù)人員檢查并進(jìn)行更換晶片盒等操作等等。S104、判斷晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)與預(yù)設(shè)的導(dǎo)片機(jī)允許經(jīng)過(guò)的污染標(biāo)識(shí)是否相符，如果是則繼續(xù)步驟S105，否則轉(zhuǎn)步驟S108 ；本步驟用于判斷晶片批在進(jìn)入有嚴(yán)格污染控制需求的后一工藝段之前是否經(jīng)過(guò)了污染去除處理，如果經(jīng)過(guò)判斷得出晶片批的污染標(biāo)識(shí)與預(yù)設(shè)的該導(dǎo)片機(jī)允許經(jīng)過(guò)的污染標(biāo)識(shí)相符，則表明后一工藝段可能沒(méi)有污染控制需求或者該晶片批已經(jīng)進(jìn)行了污染去除處理，因而得以繼續(xù)后續(xù)步驟；否則表明后一工藝段存在污染控制需求而該晶片批未經(jīng)過(guò)污染去除處理，需要進(jìn)行相應(yīng)地處理以通過(guò)本步驟的判斷之后才能繼續(xù)執(zhí)行本實(shí)施例的方法。以處于NI2FE站點(diǎn)的導(dǎo)片機(jī)為例，由于晶片批經(jīng)過(guò)NI工藝段后會(huì)帶上NI的污染標(biāo)識(shí)，而FE工藝段對(duì)于污染控制的需求較高，因而，可以假設(shè)預(yù)設(shè)的NI2FE的導(dǎo)片機(jī)允許經(jīng)過(guò)的污染標(biāo)識(shí)為FO (Ni污染標(biāo)識(shí)經(jīng)過(guò)清洗處理后的標(biāo)識(shí))，如果經(jīng)過(guò)判斷得出進(jìn)入NI2FE導(dǎo)片機(jī)的晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)仍為Ni，則表明從OT工藝段出來(lái)的晶片批未經(jīng)過(guò)污染去除處理，因而需要經(jīng)過(guò)污染去除處理，例如轉(zhuǎn)入自動(dòng)清洗處理工藝段，或者發(fā)出告警、通知維護(hù)人員檢查并對(duì)該晶片批進(jìn)行清洗處理等等。S105、判斷導(dǎo)片機(jī)將要進(jìn)行晶片批交換的后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒是否存在，如果是則繼續(xù)步驟S106，否則轉(zhuǎn)步驟S108 ；本步驟用于判斷晶片批是否能正確導(dǎo)入后一工藝段的晶片盒中，如果經(jīng)過(guò)判斷得出后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒存在，則表明該晶片批可以正常進(jìn)行交換，因而得以繼續(xù)下一判斷；否則表明晶片批的交換暫時(shí)無(wú)法進(jìn)行，需要經(jīng)過(guò)特殊處理以通過(guò)本步驟的判斷之后才能繼續(xù)執(zhí)行本實(shí)施例的方法。仍以處于NI2FE站點(diǎn)的導(dǎo)片機(jī)為例，正常情況下，導(dǎo)片機(jī)應(yīng)將經(jīng)過(guò)的晶片批導(dǎo)入 FE工藝段所對(duì)應(yīng)的FE類型的晶片盒中，如果通過(guò)判斷得出FE類型的晶片盒不存在，則表明該晶片批無(wú)法進(jìn)行正常導(dǎo)入，此時(shí)便需要另外進(jìn)行處理，例如發(fā)出告警、通知維護(hù)人員檢查并補(bǔ)充晶片盒等等。S106、控制導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行晶片批的交換；在本實(shí)施例中，只有上述步驟S102-S105的判斷結(jié)果均為是時(shí)，才會(huì)轉(zhuǎn)入本步驟執(zhí)行晶片批的交換，將晶片批從前一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒正確導(dǎo)入后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒中。并且，在一個(gè)實(shí)施例中，上述S102-S105各步驟的順序并無(wú)特定要求，而是可以按任意次序進(jìn)行。S107、按導(dǎo)片機(jī)的標(biāo)識(shí)變更規(guī)則變更該晶片批的污染標(biāo)識(shí)。在導(dǎo)片機(jī)完成將經(jīng)過(guò)的晶片批從前一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒導(dǎo)入后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒后，需要對(duì)晶片批的污染標(biāo)識(shí)進(jìn)行更改，以準(zhǔn)確、及時(shí)地反映出晶片批的污染狀況，便于后續(xù)工藝段站點(diǎn)的導(dǎo)片機(jī)作出類似于步驟S104的判斷。在一個(gè)實(shí)施例中， 即用該導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行晶片批交換的后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的污染標(biāo)識(shí)來(lái)替換該晶片批原來(lái)的污染標(biāo)識(shí)。
以BE2CU站點(diǎn)的導(dǎo)片機(jī)為例，在導(dǎo)片機(jī)將所經(jīng)過(guò)的晶片批從BE類型的晶片盒導(dǎo)入 CU類型的晶片盒后，本實(shí)施例的方法便執(zhí)行晶片批的污染標(biāo)識(shí)變更操作，即，用CU的污染標(biāo)識(shí)來(lái)替換該晶片批原來(lái)的污染標(biāo)識(shí)，由此便能準(zhǔn)確反映出晶片批的污染狀況，避免出現(xiàn)實(shí)際污染與污染標(biāo)識(shí)不符的情況，進(jìn)而杜絕該晶片批在后續(xù)工藝段中污染其他的晶片盒或后續(xù)工藝段的機(jī)臺(tái)的可能性。S108、控制導(dǎo)片機(jī)暫停執(zhí)行晶片批的交換，并在進(jìn)行對(duì)應(yīng)處理后返回相應(yīng)地步驟繼續(xù)判斷。在步驟S102-S105的判斷結(jié)果不均為是，即，有任一步驟的判斷結(jié)果為否時(shí)，就表明該晶片批出現(xiàn)了污染狀況不明或其他不能允許通過(guò)導(dǎo)片機(jī)的情況(具體可參見上述各步驟的詳細(xì)說(shuō)明)，此時(shí)應(yīng)當(dāng)控制導(dǎo)片機(jī)暫停執(zhí)行晶片批的交換操作，需要進(jìn)行另外的特殊處理以通過(guò)相應(yīng)步驟的判斷之后才能繼續(xù)執(zhí)行后續(xù)步驟。例如以上步驟S104中具體所述， 針對(duì)經(jīng)過(guò)NI2FE站點(diǎn)導(dǎo)片機(jī)的晶片批而言，在該步驟S104的判斷結(jié)果為否時(shí)，需要對(duì)晶片批進(jìn)行例如清洗處理以去除NI污染標(biāo)識(shí)之后才能繼續(xù)交換操作。至于其他步驟判斷結(jié)果為否的具體情況也可以參照各步驟中的詳細(xì)說(shuō)明，此處不再贅述。綜上所述，本實(shí)施例提供的污染控制方法，在半導(dǎo)體晶片的制造中通過(guò)工藝段的劃分以及對(duì)晶片盒類型和晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)所進(jìn)行的雙重管控，能夠控制導(dǎo)片機(jī)僅允許帶有符合交換要求的污染標(biāo)識(shí)的晶片批交換到后一工藝段，同時(shí)能夠使晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)與實(shí)際的污染情況相符，從而實(shí)現(xiàn)了污染的嚴(yán)格控制，消除了半導(dǎo)體晶片制造中潛在的污染隱患。本發(fā)明相應(yīng)還提供一種半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制裝置，與上述方法類似，本發(fā)明的裝置應(yīng)用于包括多個(gè)工藝段的晶片生產(chǎn)線，各工藝段對(duì)應(yīng)不同類型的晶片盒，且相鄰的工藝段之間設(shè)有用于將晶片批從前一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒交換至后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒的導(dǎo)片機(jī)。進(jìn)一步，圖2為本發(fā)明半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制裝置的實(shí)施例結(jié)構(gòu)圖，如圖所示，本實(shí)施例的污染控制裝置包括條件檢測(cè)單元21、命令執(zhí)行單元22、標(biāo)識(shí)變更單元23 及污染去除單元M。其中，條件檢測(cè)單元21用于在晶片批經(jīng)過(guò)導(dǎo)片機(jī)時(shí)執(zhí)行包括以下內(nèi)容的判斷判斷晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與預(yù)設(shè)的允許導(dǎo)片機(jī)進(jìn)行晶片批交換的前一工藝段是否相符、判斷晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與晶片批所處的晶片盒的類型是否對(duì)應(yīng)、 判斷晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)與預(yù)設(shè)的導(dǎo)片機(jī)允許經(jīng)過(guò)的污染標(biāo)識(shí)是否相符、以及判斷導(dǎo)片機(jī)將要進(jìn)行晶片批交換的后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒是否存在。接續(xù)，命令執(zhí)行單元22 用于在條件檢測(cè)單元21的上述判斷結(jié)果均為是時(shí)，控制導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行晶片批的交換；并在條件檢測(cè)單元21的上述判斷結(jié)果不均為是時(shí)，控制導(dǎo)片機(jī)暫停執(zhí)行晶片批的交換。標(biāo)識(shí)變更單元23則用于導(dǎo)片機(jī)在命令執(zhí)行單元22的控制下完成晶片批的交換后，根據(jù)預(yù)設(shè)的與該導(dǎo)片機(jī)對(duì)應(yīng)的標(biāo)識(shí)更改規(guī)則對(duì)晶片批的污染標(biāo)識(shí)進(jìn)行變更；在一個(gè)實(shí)施例中，標(biāo)識(shí)變更單元23將晶片批的污染標(biāo)識(shí)變更為與導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行晶片批交換的后一工藝段對(duì)應(yīng)，即，用該導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行晶片批交換的后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的污染標(biāo)識(shí)來(lái)替換該晶片批原來(lái)的污染標(biāo)識(shí)。 最后，污染去除單元M用于在經(jīng)條件檢測(cè)單元21判斷得出晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)與預(yù)設(shè)的導(dǎo)片機(jī)允許經(jīng)過(guò)的污染標(biāo)識(shí)不相符時(shí)，對(duì)晶片批執(zhí)行污染去除處理。由于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通過(guò)結(jié)合圖1閱讀以上方法實(shí)施例的具體說(shuō)明，應(yīng)可輕易地了解本實(shí)施例污染控制裝置的相關(guān)運(yùn)作，因此進(jìn)一步的說(shuō)明在此便不再贅述。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制方法及裝置，能夠控制導(dǎo)片機(jī)僅允許帶有符合交換要求的污染標(biāo)識(shí)的晶片批交換到后一工藝段，同時(shí)能夠使晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)與實(shí)際的污染情況相符，從而實(shí)現(xiàn)了污染的嚴(yán)格控制，消除了半導(dǎo)體晶片制造中潛在的污染隱患。并且，由上述實(shí)施例可知，一方面，本發(fā)明的污染控制方法各個(gè)步驟及其整體，可以對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令及其組成的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序；而另一方面，本申請(qǐng)的污染控制裝置各個(gè)單元及其整體，則可以對(duì)應(yīng)于用以執(zhí)行該計(jì)算機(jī)可執(zhí)行程序或指令的各部分計(jì)算機(jī)硬件及其組成的硬件集合。雖然已參照幾個(gè)典型實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解，所用的術(shù)語(yǔ)是說(shuō)明和示例性、而非限制性的術(shù)語(yǔ)。由于本發(fā)明能夠以多種形式具體實(shí)施而不脫離發(fā)明的精神或?qū)嵸|(zhì)，所以應(yīng)當(dāng)理解，上述實(shí)施例不限于任何前述的細(xì)節(jié)，而應(yīng)在隨附權(quán)利要求所限定的精神和范圍內(nèi)廣泛地解釋，因此落入權(quán)利要求或其等效范圍內(nèi)的全部變化和改型都應(yīng)為隨附權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制方法，應(yīng)用于包括多個(gè)工藝段的晶片生產(chǎn)線，各工藝段對(duì)應(yīng)不同類型的晶片盒，且相鄰的工藝段之間設(shè)有導(dǎo)片機(jī)，所述導(dǎo)片機(jī)用于將晶片批從前一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒交換至后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒，其中，該方法包括以下步驟51.在晶片批經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)片機(jī)時(shí)，判斷所述晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與預(yù)設(shè)的允許所述導(dǎo)片機(jī)進(jìn)行晶片批交換的前一工藝段是否相符，判斷所述晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與所述晶片批所處的晶片盒的類型是否對(duì)應(yīng)，并判斷所述晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)與預(yù)設(shè)的所述導(dǎo)片機(jī)允許經(jīng)過(guò)的污染標(biāo)識(shí)是否相符；52.在上述判斷結(jié)果均為是時(shí)，控制所述導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行所述晶片批的交換；53.在所述導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行所述交換后，將所述晶片批的污染標(biāo)識(shí)變更為與所述導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行晶片批交換的后一工藝段對(duì)應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制方法，其中，所述步驟Sl中還包括在所述晶片批經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)片機(jī)時(shí)，判斷所述導(dǎo)片機(jī)將要進(jìn)行晶片批交換的后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒是否存在。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制方法，其中，所述步驟S2還包括在上述判斷結(jié)果不均為是時(shí)，控制所述導(dǎo)片機(jī)暫停執(zhí)行所述晶片批的交換。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制方法，其中，所述步驟S2還包括在經(jīng)所述步驟Sl判斷得出所述晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)與預(yù)設(shè)的所述導(dǎo)片機(jī)允許經(jīng)過(guò)的污染標(biāo)識(shí)不相符時(shí)，對(duì)所述晶片批執(zhí)行污染去除處理，之后再返回所述步驟Sl。
5.一種半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制裝置，應(yīng)用于包括多個(gè)工藝段的晶片生產(chǎn)線，各工藝段對(duì)應(yīng)不同類型的晶片盒，且相鄰的工藝段之間設(shè)有導(dǎo)片機(jī)，所述導(dǎo)片機(jī)用于將晶片批從前一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒交換至后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒，其中，該裝置包括條件檢測(cè)單元，用于在晶片批經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)片機(jī)時(shí)，判斷所述晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與預(yù)設(shè)的允許所述導(dǎo)片機(jī)進(jìn)行晶片批交換的前一工藝段是否相符，判斷所述晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與所述晶片批所處的晶片盒的類型是否對(duì)應(yīng)，并判斷所述晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)與預(yù)設(shè)的所述導(dǎo)片機(jī)允許經(jīng)過(guò)的污染標(biāo)識(shí)是否相符；命令執(zhí)行單元，用于在所述條件檢測(cè)單元的上述判斷結(jié)果均為是時(shí)，控制所述導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行所述晶片批的交換；以及標(biāo)識(shí)變更單元，用于在所述導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行所述交換后，將所述晶片批的污染標(biāo)識(shí)變更為與所述導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行晶片批交換的后一工藝段對(duì)應(yīng)。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制裝置，其中，所述條件檢測(cè)單元還用于在所述晶片批經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)片機(jī)時(shí)，判斷所述導(dǎo)片機(jī)將要進(jìn)行晶片批交換的后一工藝段對(duì)應(yīng)類型的晶片盒是否存在。
7.如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制裝置，其中，所述命令執(zhí)行單元還用于在所述條件檢測(cè)單元的上述判斷結(jié)果不均為是時(shí)，控制所述導(dǎo)片機(jī)暫停執(zhí)行所述晶片批的交換。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制裝置，其中，還包括污染去除單元，用于在經(jīng)所述條件檢測(cè)單元判斷得出所述晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)與預(yù)設(shè)的所述導(dǎo)片機(jī)允許經(jīng)過(guò)的污染標(biāo)識(shí)不相符時(shí)，對(duì)所述晶片批執(zhí)行污染去除處理，之后再返回所述條件檢測(cè)單元進(jìn)行判斷。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體晶片制造中的污染控制方法，包括以下步驟在晶片批經(jīng)過(guò)導(dǎo)片機(jī)時(shí)，判斷晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與預(yù)設(shè)的允許導(dǎo)片機(jī)進(jìn)行晶片批交換的前一工藝段是否相符、判斷晶片批所經(jīng)過(guò)的前一工藝段與晶片批所處的晶片盒的類型是否對(duì)應(yīng)、并判斷晶片批帶有的污染標(biāo)識(shí)與預(yù)設(shè)的導(dǎo)片機(jī)允許經(jīng)過(guò)的污染標(biāo)識(shí)是否相符；在上述判斷結(jié)果均為是時(shí)，控制導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行晶片批的交換；之后將晶片批的污染標(biāo)識(shí)變更為與導(dǎo)片機(jī)執(zhí)行晶片批交換的后一工藝段對(duì)應(yīng)。本發(fā)明還相應(yīng)公開一種污染控制裝置。本發(fā)明提供的污染控制方法及裝置，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體晶片制造中的嚴(yán)格污染控制，能夠消除晶片制造中潛在于晶片、晶片盒、工作臺(tái)及它們之間的污染和交叉污染隱患。
文檔編號(hào)H01L21/67GK102412174SQ201110386260
公開日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
發(fā)明者俞曉菁, 婁曉琪, 張海芳 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司