專利名稱：具有部分冗余通孔的集成電路制作方法及集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及銅互連冗余通孔填充及雙大馬士革制造工藝
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體集成電路特征尺寸的持續(xù)減小，后段互連電阻電容 (ResistorCapacitor,簡(jiǎn)稱RC)延遲呈現(xiàn)顯著增加的趨勢(shì)，而為了減少后段互連RC延遲，銅互連取代鋁互連成為主流工藝。由于銅互連線的制作方法不能像鋁互連線那樣通過刻蝕金屬層而形成，銅大馬士革鑲嵌工藝成為銅互連線的制作的標(biāo)準(zhǔn)方法。銅大馬士革工藝在平面基體上淀積一介電層；通過光刻和刻蝕工藝在介電層中形成鑲嵌的通孔和溝槽；淀積金屬阻擋層和銅籽晶層；電鍍金屬銅填滿介電層中通孔和溝槽；化學(xué)機(jī)械研磨平坦化去除介電層上多余金屬，形成平面銅互連。并且隨著通孔尺寸的減小，通孔刻蝕工藝對(duì)通孔密度均勻性要求越來越高，要求填充冗余通孔提高通孔密度均勻性以提高刻蝕通孔尺寸、深度及形狀的一致性，改善產(chǎn)品良率、電學(xué)性能和可靠性。然而，由于傳統(tǒng)雙大馬士革刻蝕工藝對(duì)冗余通孔填充限制很多， 傳統(tǒng)冗余通孔填充方式要求填充的冗余通孔必須在當(dāng)層冗余金屬區(qū)域內(nèi)并且其下層也是冗余金屬，即當(dāng)層互連線金屬內(nèi)及下層互連線金屬上無法填充冗余通孔。這限制了冗余通孔填充密度的提高，不利于刻蝕通孔密度均勻性的改善，現(xiàn)有技術(shù)的集成電路結(jié)構(gòu)參見圖 1。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種銅互連冗余通孔填充及雙大馬士革制造工藝，采用雙層硬掩?？涛g工藝制作含有部分刻蝕冗余通孔的雙大馬士革結(jié)構(gòu)，在部分傳統(tǒng)制造工藝無法填充冗余通孔的區(qū)域添加冗余通孔，特別是可以在以前很多無法填充冗余通孔的孤立通孔周圍添加冗余通孔，提高了刻蝕通孔的密度及密度均勻性，進(jìn)而能夠改善通孔刻蝕的均勻性，增加通孔刻蝕工藝窗口。本發(fā)明具體提供一種具有部分冗余通孔的集成電路制作方法，在于形成具有雙大馬士革工藝的集成電路，該方法具有以下步驟，首先第一步是在半導(dǎo)體基體上的第一金屬層上依次刻蝕阻擋層、介電層、介電硬掩模、金屬硬掩模。第二步為在所述的金屬硬掩模上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成互連全通孔圖形，然后蝕刻打開所述的金屬硬掩模和介電硬掩模，通過灰化去除剩余光阻材料，在上述雙層硬掩模上形成互連全通孔圖形；再在所述的金屬硬掩模上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成冗余通孔圖形，然后刻蝕打開上述金屬硬掩模，灰化去除剩余光阻，在所述的金屬硬掩模上形成冗余通孔圖形；或者先在所述的金屬硬掩模上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成冗余通孔圖形，然后刻蝕打開上述金屬硬掩模，灰化去除剩余光阻，在所述的金屬硬掩模上形成冗余通孔圖形；再在所述的金屬硬掩模上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成互連全通孔圖形，然后蝕刻打開所述的金屬硬掩模和介電硬掩模，通過灰化去除剩余光阻材料，在上述雙層硬掩模上形成互連全通孔圖形。第三步通過金屬硬掩模完全刻蝕互連全通孔和冗余通孔，其中的互連全通孔止于刻蝕阻擋層，冗余通孔底部高于刻蝕阻擋層。第四步為旋涂BARC填充通孔，再旋涂光阻， 光刻在光阻上形成互連線金屬和冗余金屬的溝槽圖形。第五步為刻蝕互連溝槽，在互連全通孔底部打開刻蝕阻擋層，在介電層上形成互連線金屬的溝槽、冗余金屬DM的溝槽以及互連全通孔，形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)。第六步沉積金屬阻擋層、銅籽晶層、電鍍填充金屬銅，以及化學(xué)/機(jī)械研磨平坦化去除多余金屬，研磨至介電層，最終形成第二金屬層的步驟。本發(fā)明具體還提供一種具有部分冗余通孔的集成電路制作方法，在于形成具有雙大馬士革工藝的集成電路，該方法具有以下步驟第一步在半導(dǎo)體基體上的第一金屬層上依次沉積刻蝕阻擋層、介電層、介電硬掩模、金屬硬掩模；第二步為先在金屬硬掩模上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成互連全通孔圖形，然后刻蝕打開金屬硬掩模和介電硬掩模， 通過灰化去除剩余光阻材料，在上述雙層硬掩模上形成互連全通孔圖形；再在金屬硬掩模上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成冗余通孔圖形，然后刻蝕打開金屬硬掩模，灰化去除剩余光阻，在金屬硬掩模上形成冗余通孔圖形?；蛘撸仍谒龅慕饘儆惭谀Ｉ闲抗庾鑼?，并在光阻層上光刻形成冗余通孔圖形，然后刻蝕打開上述金屬硬掩模，灰化去除剩余光阻，在所述的金屬硬掩模上形成冗余通孔圖形；再在所述的金屬硬掩模上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成互連全通孔圖形，然后蝕刻打開所述的金屬硬掩模和介電硬掩模，通過灰化去除剩余光阻材料，在上述雙層硬掩模上形成互連全通孔圖形；第三步刻蝕一定深度互連通孔和冗余通孔D，其中互連全通孔的深度為保證后續(xù)溝槽刻蝕對(duì)通孔不會(huì)造成刻蝕不足或過刻蝕；第四步旋涂光阻層，光刻在光阻層上形成互連線金屬和冗余金屬DM的溝槽圖形；第五步刻蝕上述溝槽圖形，在所述的互連全通孔底部打開刻蝕阻擋層，在所述的介電層上形成所述的互連線金屬和冗余金屬DM的溝槽，形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)；第六步沉積金屬阻擋層、銅籽晶層、電鍍填充金屬銅，以及化學(xué)/機(jī)械研磨平坦化去除多余金屬，研磨至介電層，最終形成第二金屬層的步驟。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的冗余通孔填充結(jié)構(gòu)；圖2至圖8為本發(fā)明的部分冗余通孔填充結(jié)構(gòu)的具體形成工藝。其中，附圖標(biāo)記說明如下1基板8BARC
2第一金屬層9光阻層
3刻蝕阻擋層10第二金屬層
4介電層11互連線金屬
5介電保護(hù)層12互連全通孔
6介電硬掩模DM冗余金屬
7金屬硬掩模D冗余通孔
具體實(shí)施例方式
結(jié)合圖8說明本發(fā)明的集成電路結(jié)構(gòu)，本專利實(shí)施例中與現(xiàn)有技術(shù)相同功能部件采用相同的附圖標(biāo)記。本專利的集成電路具有基板1，以及在基板上1上依次層疊的第一金屬層2、刻蝕阻擋層3、介電層4以及第二金屬層10，第一金屬層2和第二金屬層10通過互連全通孔12 相連接，冗余通孔D通過光刻和刻蝕均勻于集成電路上形成，冗余通孔D底部高于刻蝕阻擋層。以下結(jié)合附圖2至8說明本專利的集成電路制造工藝，本實(shí)施例中與現(xiàn)有技術(shù)相同功能部件采用相同的附圖標(biāo)記。本專利的集成電路制造工藝涉及冗余通孔填充和雙大馬士革制造工藝，其中的一實(shí)施工藝流程為首先第一步是在半導(dǎo)體基體1上的第一金屬層2上依次沉積刻蝕阻擋層 3、介電層4、介電保護(hù)層5、介電硬掩模6以及金屬硬掩模7，參見圖2。該步驟中，刻蝕阻擋層3可選擇CVD沉積法沉積SiCN、SiN, SiC、SiCO中的一種或多種材料形成，介電層4采用 CVD沉積法沉積SiOCH Low-K介電材料形成，介電保護(hù)層5可通過CVD沉積法沉積S^2材料形成，介電硬掩模6可采用CVD沉積法沉積SiCN、SiN, SiC、SiCO中的一種或多種材料形成，金屬硬掩模7可采用PVD沉積TiN、Ti、TaN, Ta、W、WN中的一種或多種材料來形成。第二步為先在金屬硬掩模7上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成互連全通孔圖形，然后蝕刻打開金屬硬掩模7和介電硬掩模6，通過灰化去除剩余光阻材料，在上述介電硬掩模6和金屬硬掩模7上形成互連全通孔12圖形，參見圖3A ；再在金屬硬掩模7上旋涂光阻層，在光阻層上光刻形成冗余通孔圖形，然后刻蝕打開上述金屬硬掩模7，灰化去除剩余光阻，在金屬硬掩模7上形成冗余通孔D圖形，參見圖4?；蛘呦仍谒龅慕饘儆惭谀?上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成冗余通孔D 圖形，然后刻蝕打開上述金屬硬掩模7，灰化去除剩余光阻，在所述的金屬硬掩模7上形成冗余通孔D圖形，參見圖;3B ；再在所述的金屬硬掩模7上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成互連全通孔12圖形，然后蝕刻打開所述的金屬硬掩模7和介電硬掩模6，通過灰化去除剩余光阻材料，在上述雙層硬掩模上形成互連全通孔12圖形，參見圖4。第三步為通過金屬硬掩模全刻蝕互連全通孔12和冗余通孔D，其中的互連全通孔 12止于刻蝕阻擋層3，冗余通孔D底部高于刻蝕阻擋層3，參見圖5A。第四步為用BARC填充通孔，旋涂形成BARC層8 (Bottom AntiReflective Coating)，再旋涂光阻層9，光刻光阻層9在光阻層9上形成互連線金屬11和冗余金屬DM 的溝槽圖形，參見圖6A;第五步為刻蝕上一步的溝槽圖形，灰化去除剩余光阻和BARC，在所述的互連全通孔12底部打開所述的刻蝕阻擋層3，在介電層4上形成互連線金屬11的溝槽、冗余金屬DM 的溝槽以及互連全通孔12，形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)，參見圖7 ；第六步為沉積金屬阻擋層、銅籽晶層、電鍍填充金屬銅，以及化學(xué)/機(jī)械研磨 (CMP)平坦化去除多余金屬，研磨至介電層4，最終形成第二金屬層10的步驟，參見圖8。該步驟中的金屬阻擋層可以通過PVD或ALD方法沉積TaN、Ta、TiN、Ti中的一種或多種形成， 銅籽晶層可采用PVD沉積工藝形成。由此完成集成電路板上改善冗余通孔的均勻分布以及在第一金屬層2的互連線金屬11以及第二金屬層10的互連線金屬11內(nèi)的冗余通孔的填充。本專利的另外一種實(shí)施方式的工藝流程可以是首先第一步是在半導(dǎo)體基體1上的第一金屬層2上依次沉積刻蝕阻擋層3，以作為互連全通孔刻蝕阻擋層；介電層4 ；介電保護(hù)層5 ；介電硬掩模6 ；金屬硬掩模7，參見圖2。該步驟中各層的形成同上一實(shí)施例。第二步為先在金屬硬掩模7上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成互連全通孔12 圖形，然后蝕刻打開金屬硬掩模7和介電硬掩模6，通過灰化去除剩余光阻材料，在上述介電硬掩模6和金屬硬掩模7上形成互連全通孔12圖形，參見圖3A。再在金屬硬掩模7上旋涂光阻層，在光阻層上光刻形成冗余通孔圖形，然后刻蝕打開上述金屬硬掩模7，灰化去除剩余光阻，在金屬硬掩模7上形成冗余通孔D圖形，參見圖4?；蛘呦仍诮饘儆惭谀?上旋涂光阻層，在光阻層上光刻形成冗余通孔圖形，然后刻蝕打開上述金屬硬掩模7，灰化去除剩余光阻，在金屬硬掩模7上形成冗余通孔D圖形，參見圖:3B。再在金屬硬掩模7上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成互連全通孔12圖形，然后蝕刻打開金屬硬掩模7和介電硬掩模6，通過灰化去除剩余光阻材料，在上述介電硬掩模 6和金屬硬掩模7上形成互連全通孔12圖形，參見圖4。第三步為刻蝕一定深度互連全通孔12和冗余通孔D，其中互連全通孔12的深度為保證后續(xù)溝槽刻蝕對(duì)通孔不會(huì)造成刻蝕不足或過刻蝕，參見圖5B。第四步旋涂光阻層9，光刻光阻層9在光阻層9上形成互連線金屬11和冗余金屬 DM的溝槽圖形，參見圖6B。第五步為刻蝕上述溝槽圖形，在互連全通孔12底部打開刻蝕阻擋層3，在介電層4 上形成互連線金屬11和冗余金屬DM的溝槽，形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)，參見圖7。第六步為沉積金屬阻擋層、銅籽晶層、電鍍填充金屬銅，以及化學(xué)/機(jī)械研磨 (CMP)平坦化去除多余金屬，研磨至介電層4，最終形成第二金屬層10的步驟，參見圖8。本發(fā)明提出一種銅互連冗余通孔填充及雙大馬士革制造工藝，采用雙層硬掩?？涛g工藝制作含有部分刻蝕冗余通孔的雙大馬士革結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)冗余通孔填充，而不影響電路功能。冗余通孔填充方式不僅可在當(dāng)層和下層同時(shí)帶有冗余金屬區(qū)域填充冗余通孔， 而且允許在當(dāng)層金屬互連線內(nèi)及下層金屬互連線上適當(dāng)添加冗余通孔，添加的冗余通孔利用一塊單獨(dú)掩膜板，以改善刻蝕通孔密度均勻性，增加通孔刻蝕工藝窗口。雙硬掩模工藝制作含有部分刻蝕冗余通孔的雙大馬士革結(jié)構(gòu)在下層金屬層基體上淀積介電層，介電層上沉積雙層硬掩模(介電硬掩模和金屬硬掩模)；在雙層硬掩模上分別制作冗余通孔(可通過添加一塊冗余通孔光掩模版實(shí)現(xiàn))和互連全通孔，冗余通孔穿過金屬硬掩模止于介電硬掩模，互連全通孔穿過金屬硬掩模和介電硬掩模止于介電層；通孔刻蝕介電層；溝槽刻蝕，互連全通孔刻穿介電層連接下層互連金屬，冗余通孔部分刻蝕介電層；沉積金屬阻擋層和銅籽晶層；電鍍填充金屬銅，化學(xué)機(jī)械研磨平坦化，研磨至介電層去除多余金屬，形成第二金屬層雙大馬士革結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可重復(fù)上述步驟制作更多層金屬層。其中，在雙層硬掩模上分別制作冗余通孔和互連全通孔時(shí)可以先制作互連全通孔后制作冗余通孔，或者也可以先制作冗余通孔后制作互連全通孔。本發(fā)明中通孔刻蝕介電層的步驟中，可以采用全通孔刻蝕或者部分通孔刻蝕。本發(fā)明提高刻蝕通孔的密度及密度均勻性，進(jìn)而能夠改善通孔刻蝕的均勻性，增加通孔刻蝕工藝窗口，從而達(dá)到改善產(chǎn)品良率、電學(xué)性能和可靠性的有益效果。
本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已公開如上，本領(lǐng)域技術(shù)人員在該基礎(chǔ)上的任意改動(dòng)或調(diào)整，皆不脫離本發(fā)明后附權(quán)利要求所欲保護(hù)的范圍。
權(quán)利要求
1.一種具有部分冗余通孔的集成電路制作方法，在于形成具有雙大馬士革工藝的集成電路，該方法具有以下步驟首先第一步是在半導(dǎo)體基體(1)上的第一金屬層( 上依次沉積刻蝕阻擋層C3)、介電層⑷、介電硬掩模(6)、金屬硬掩模(7)；第二步為先在所述的金屬硬掩模(7)上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成互連全通孔(12)圖形，然后蝕刻打開所述的金屬硬掩模(7)和介電硬掩模(6)，通過灰化去除剩余光阻材料，在上述金屬硬掩模(7)和介電硬掩模(6)上形成互連全通孔(1 圖形；再在所述的金屬硬掩模(7)上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成冗余通孔(D)圖形，然后刻蝕打開上述金屬硬掩模(7)，灰化去除剩余光阻，在所述的金屬硬掩模(7)上形成冗余通孔(D)圖形；或者先在所述的金屬硬掩模(7)上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成冗余通孔(D) 圖形，然后刻蝕打開上述金屬硬掩模(7)，灰化去除剩余光阻，在所述的金屬硬掩模(7)上形成冗余通孔(D)圖形；再在所述的金屬硬掩模(7)上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成互連全通孔(1 圖形，然后蝕刻打開所述的金屬硬掩模(7)和介電硬掩模(6)，通過灰化去除剩余光阻材料，在上述金屬硬掩模(7)和介電硬掩模(6)上形成互連全通孔(1 圖形；第三步為通過金屬硬掩模全刻蝕互連全通孔(1 和冗余通孔(D)，其中的所述的互連全通孔(12)止于所述的刻蝕阻擋層(3)，所述的冗余通孔(D)底部高于所述的刻蝕阻擋層 ⑶；第四步為旋涂BARC(S)填充通孔，形成BARC層(8)，再旋涂光阻層(9)，光刻在所述的光阻層(9)上形成互連線金屬(11)和冗余金屬(DM)的溝槽圖形；第五步為刻蝕上一步的溝槽圖形，在所述的互連全通孔(1 底部打開所述的刻蝕阻擋層(3)，在所述的介電層上(4)形成所述的互連線金屬(11)的溝槽、冗余金屬(DM)的溝槽以及互連全通孔(12)，形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)第六步沉積金屬阻擋層、銅籽晶層、電鍍填充金屬銅，以及化學(xué)/機(jī)械研磨平坦化去除多余金屬，研磨至介電層G)，最終形成第二金屬層(10)的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，第一步的形成所述的介電層(4)上還包括沉積介電保護(hù)層(5)的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，所述的沉積刻蝕阻擋層(3)的工藝為CVD沉積法沉積SiCN、SiN, SiC、SiCO中的一種或多種材料形成。
4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，所述的沉積介電硬掩模(6)的工藝為CVD沉積法沉積SiCN、SiN, SiC、SiCO中的一種或多種材料形成。
5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，所述的沉積金屬硬掩模(7)為PVD沉積TiN、 Ti、TaN, Ta、W、WN中的一種或多種材料來形成。
6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，所述的金屬阻擋層可以通過PVD或ALD方法沉積TaN、Ta、TiN、Ti中的一種或多種形成。
7.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中，所述的銅籽晶層采用PVD沉積形成。
8.一種具有部分冗余通孔的集成電路制作方法，在于形成具有雙大馬士革工藝的集成電路，該方法具有以下步驟第一步在半導(dǎo)體基體(1)上的第一金屬層( 上依次沉積刻蝕阻擋層(3)、介電層(4)、介電硬掩模(6)、金屬硬掩模(7)；第二步為先在所述的金屬硬掩模(7)上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成互連全通孔(12)圖形，然后蝕刻打開所述的金屬硬掩模(7)和介電硬掩模(6)，通過灰化去除剩余光阻材料，在上述金屬硬掩模(7)和介電硬掩模(6)上形成互連全通孔(1 圖形；再在所述的金屬硬掩模(7)上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成冗余通孔(D)圖形，然后刻蝕打開上述金屬硬掩模(7)，灰化去除剩余光阻，在所述的金屬硬掩模(7)上形成冗余通孔(D)圖形；或者在所述的金屬硬掩模(7)上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成冗余通孔(D)圖形，然后刻蝕打開上述金屬硬掩模(7)，灰化去除剩余光阻，在所述的金屬硬掩模(7)上形成冗余通孔(D)圖形；再在所述的金屬硬掩模(7)上旋涂光阻層，并在光阻層上光刻形成互連全通孔(1 圖形，然后蝕刻打開所述的金屬硬掩模(7)和介電硬掩模(6)，通過灰化去除剩余光阻材料，在上述金屬硬掩模(7)和介電硬掩模(6)上形成互連全通孔(12)圖形；第三步刻蝕一定深度互連全通孔(1 和冗余通孔(D)，其中互連全通孔(1 的深度為保證后續(xù)溝槽刻蝕對(duì)通孔不會(huì)造成刻蝕不足或過刻蝕；第四步旋涂光阻層(9)，光刻在光阻層(9)上形成互連線金屬(11)和冗余金屬(DM) 的溝槽圖形；第五步刻蝕上述溝槽圖形，在所述的互連全通孔(1 底部打開刻蝕阻擋層(3)，在所述的介電層(4)上形成所述的互連線金屬(11)和冗余金屬(DM)的溝槽，形成雙大馬士革結(jié)構(gòu)；第六步沉積金屬阻擋層、銅籽晶層、電鍍填充金屬銅，以及化學(xué)/機(jī)械研磨平坦化去除多余金屬，研磨至介電層G)，最終形成第二金屬層(10)的步驟。
9.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其中，所述的第一步中形成的所述的介電層(4)上還包括沉積介電保護(hù)層(5)的步驟；
10.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其中，所述的沉積刻蝕阻擋層的工藝為CVD沉積法沉積SiCN、SiN, SiC、SiCO中的一種或多種材料形成。
11.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其中，所述的沉積介電硬掩模的工藝為CVD沉積法沉積SiCN、SiN, SiC、SiCO中的一種或多種材料形成。
12.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其中，所述的沉積金屬硬掩模為PVD沉積TiN、Ti、 TaN、Ta、W、WN中的一種或多種材料來形成。
13.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其中，所述的金屬阻擋層可以通過PVD或ALD方法沉積TaN、Ta、TiN、Ti中的一種或多種形成。
14.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其中，所述的銅籽晶層可采用PVD沉積形成。
15.如權(quán)利要求1-14中任一項(xiàng)所述的制作方法，其中，可以通過重復(fù)上述步驟制作多層金屬層。
16.一種具有部分冗余通孔填充的雙大馬士革制造工藝的集成電路，其特征在于使用權(quán)利要求1-14中任一項(xiàng)所述的制作方法制作。
全文摘要
本發(fā)明提出一種銅互連冗余通孔填充及雙大馬士革制造工藝，采用雙層硬掩?？涛g工藝制作含有部分刻蝕冗余通孔的雙大馬士革結(jié)構(gòu)，在部分傳統(tǒng)制造工藝無法填充冗余通孔的區(qū)域添加冗余通孔，特別是可以在以前很多無法填充冗余通孔的孤立通孔周圍添加冗余通孔，提高了刻蝕通孔的密度及密度均勻性，進(jìn)而能夠改善通孔刻蝕的均勻性，增加通孔刻蝕工藝窗口。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102437104SQ20111038629
公開日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月28日
發(fā)明者姬峰, 張亮, 李磊, 胡友存, 陳玉文 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司