專利名稱:先鍍后刻四面無引腳封裝結構及其制造方法
技術領域:
本發(fā)明涉及一種先鍍后刻四面無引腳封裝結構及其制造方法,屬于半導體封裝技術領域。
背景技術:
傳統(tǒng)的引線框結構主要有兩種
第一種采用金屬基板進行化學蝕刻及電鍍后,在金屬基板的背面貼上一層耐高溫的膠膜形成可以進行封裝過程的引線框載體(如圖83所示);
第二種采用金屬基板首先在金屬基板的背面進行化學半蝕刻,再將前述已經過化學半蝕刻的區(qū)域進行塑封料包封,之后將金屬基板的正面進行內引腳的化學半蝕刻,完成后再進行引線框內引腳表面的電鍍工作,即完成引線框的制作(如圖85所示)。而上述兩種引線框在封裝過程中存在了以下不足點 第一種
1)、此種的引線框架因背面必須要貼上一層昂貴可抗高溫的膠膜,所以直接增加了高昂的成本;
2)、也因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜,所以在封裝過程中的裝片工藝只能使用導電或是不導電粘結物質,而完全不能采用共晶工藝以及軟焊料的工藝進行裝片,所以可選擇的產品種類就有較大的局限性;
3)、又因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜,而在封裝過程中的金屬線鍵合工藝中,因為此可抗高溫的膠膜是軟性材質,所以造成了金屬線鍵合參數的不穩(wěn)定,嚴重的影響了金屬線鍵合的質量及產品可靠度的穩(wěn)定性;
4)、再因為此種的引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜,而在封裝過程中的塑封工藝過程,因為塑封時的注膠壓力很容易造成引線框架與膠膜之間滲入塑封料,而將原本應屬金屬腳是導電的型態(tài)因為滲入了塑封料反而變成了絕緣腳(如圖84所示)。第二種
1)、因為分別進行了二次的蝕刻作業(yè),所以多增加了工序作業(yè)的成本;
2)、引線框的組成是金屬物質加環(huán)氧樹脂物質(塑封料)所以在高溫與低溫的工作環(huán)境下容易因為不同物質的膨脹與收縮應力的不相同,產生引線框翹曲問題;
3)、也因為引線框的翹曲直接影響到封裝工序中的裝置芯片的精準度與引線框傳送過程的順暢從而影響生產良率;
4)、也因為引線框的翹曲直接影響到封裝工序中的金屬線鍵合的對位精度與引線框傳送過程的順暢從而影響生產良率;
5)、因為引線框正面的內引腳是采用蝕刻的技術,所以蝕刻內引腳的腳寬必須要大于 lOOMffl,而內引腳與內引腳的間隙也必須大于lOOMffl,所以較難做到內引腳的高密度能力。為了解決上述問題,本申請人在先申請了一件名稱為《有基島引線框結構及其生產方法》的發(fā)明專利,其申請?zhí)枮?0101027029. 9,它具有以下有益效果1)、此種引線框的背面不需貼上一層昂貴的可抗高溫的膠膜,所以直接降低了高昂的成本;
2)、也因為此種引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜,所以在封裝過程中的工藝除了能使用導電或是不導電的樹脂工藝外,還能采用共晶工藝以及軟焊料的工藝進行裝片,所以可選擇的種類較廣;
3)、又因為此種的引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜,確保了球焊鍵合參數的穩(wěn)定性,保證了球焊的質量和產品的可靠度的穩(wěn)定性;
4)、再因為此種的引線框的背面不需要貼上一層可抗高溫的膠膜,因而在封裝的工藝過程中完全不會造成引線框與膠膜之間滲入塑封料;
5)、在所述金屬腳(引腳)與金屬腳(引腳)間的區(qū)域嵌置塑封料,該塑封料與塑封過程中塑封料一起包覆住整個金屬腳的高度,所以塑封體與金屬腳的束縛能力就變大了,不會再有產生掉腳的問題;
6)、由于應用了正面內引腳的電鍍方式與背面蝕刻技術,所以能夠將引線框正面的引腳盡可能的延伸到基島的旁邊,促使芯片與引腳距離大幅的縮短,如此金屬線的成本也可以大幅的降低(尤其是昂貴的純金質的金屬線);
7)、也因為金屬線的縮短使得芯片的信號輸出速度也大幅的增速(尤其存儲類的產品以及需要大量數據的計算更為突出),由于金屬線的長度變短了,所以在金屬線所存在的寄生電阻、寄生電容與寄生電感對信號的干擾也大幅度的降低;
8)、因運用了內引腳的電鍍延伸技術,所以可以容易的制作出高腳數與高密度的腳與腳之間的距離,使得封裝的體積與面積可以大幅度的縮小;
9)、因為將封裝后的體積大幅度的縮小,更直接的體現出材料成本大幅度的下降,由于材料用量的減少,也大幅度地減少了廢棄物等環(huán)保問題困擾。但是,還是存在有以下的不足
1)、金屬基板進行雙面蝕刻作業(yè)后,后續(xù)還要進行第二次蝕刻作業(yè),因此增加了工序作業(yè)的成本,對環(huán)境的污染也較嚴重;
2)、引線框正面的內引腳采用的是蝕刻技術,所以蝕刻內引腳的腳寬必須大于lOOMffl, 而內引腳與內引腳之間的間隙也大于lOOMffl,所以較難做到內引腳的高密度能力;
3)、引線框背面的外引腳也是采用蝕刻技術,所以蝕刻外引腳的腳寬必須大于lOOMffl, 而外引腳與外引腳之間的間隙也大于lOOMffl,所以較難做到外引腳的高密度能力。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足,提供一種先鍍后刻四面無引腳封裝結構及其制造方法,它省去了金屬基板雙面蝕刻的作業(yè)工序,降低了工序作業(yè)的成本,而且由于內引腳采用多層電鍍方式形成,外引腳采用先鍍后刻的方式形成,因此實現了內引腳和外引腳的高密度能力。本發(fā)明的目的是這樣實現的一種先鍍后刻四面無引腳封裝結構,其特點是它包括外引腳,所述外引腳正面通過多層電鍍方式形成內引腳,所述內引腳與內引腳之間通過導電或不導電粘結物質設置有一個芯片,所述內引腳正面延伸到芯片旁邊,所述芯片正面與內引腳正面之間用金屬線連接,所述內引腳、芯片和金屬線外包封有塑封料,所述外引腳外圍的區(qū)域以及外引腳與外引腳之間的區(qū)域嵌置有填縫劑,且外引腳的背面露出填縫劑外,在露出填縫劑外的外引腳的背面設置有第二金屬層。 本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構的制造方法,所述方法包括以下工藝步驟 步驟一、取金屬基板步驟二、貼膜作業(yè)
利用貼膜設備在金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光刻膠膜, 步驟三、金屬基板正面去除部分圖形的光刻膠膜
利用曝光顯影設備將步驟二完成貼膜作業(yè)的金屬基板正面進行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜,以露出金屬基板正面后續(xù)需要進行電鍍的區(qū)域圖形, 步驟四、電鍍第一金屬層
對步驟三中金屬基板正面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域內通過多層電鍍方式形成第一金屬層,
步驟五、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)
將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除,在金屬基板正面相對形成內引腳, 步驟六、裝片打線
在步驟五形成的內弓丨腳之間的金屬基板正面通過導電或不導電粘結物質進行芯片的植入,以及在芯片正面與內引腳正面之間進行鍵合金屬線作業(yè), 步驟七、包封
利用塑封料注入設備,將已完成芯片植入以及鍵合金屬線作業(yè)的金屬基板進行包封塑封料作業(yè),并進行塑封料包封后的固化作業(yè), 步驟八、貼膜作業(yè)
利用貼膜設備在完成包封以及固化作業(yè)的金屬基板在正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光刻膠膜,
步驟九、金屬基板背面去除部分圖形的光刻膠膜
利用曝光顯影設備將步驟八完成貼膜作業(yè)的金屬基板背面進行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜,以露出金屬基板背面后續(xù)需要進行電鍍的區(qū)域圖形, 步驟十、電鍍第二金屬層
在步驟九中金屬基板背面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域內電鍍第二金屬層9, 步驟十一、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除, 步驟十二 貼膜作業(yè)
利用貼膜設備在完成電鍍第二金屬層且去除余下光刻膠膜后的金屬基板的正面及背面再次貼上可進行曝光顯影的光刻膠膜,
步驟十三、金屬基板背面去除部分光刻膠膜
利用曝光顯影設備將步驟十二完成貼膜作業(yè)的金屬基板背面進行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形光刻膠膜,以露出金屬基板背面后續(xù)需要進行蝕刻的區(qū)域圖形, 步驟十四、金屬基板背面進行全蝕刻或半蝕刻作業(yè)
對步驟十三中金屬基板背面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域同時進行全蝕刻或半蝕刻, 在金屬基板背面形成凹陷的蝕刻區(qū)域,同時相對形成外引腳,步驟十五、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除, 步驟十六、金屬基板背面蝕刻區(qū)域填充填縫劑
在所述金屬基板背面的蝕刻區(qū)域內利用填充設備進行充填填縫劑,并進行填縫劑充填或包封后的后固化作業(yè), 步驟十七、切割成品
將步驟十六完成包封以及固化作業(yè)的半成品進行切割作業(yè),使原本以陣列式集合體方式集成在一起的含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來,制得先鍍后刻四面無引腳封裝結構成品。與現有技術相比,本發(fā)明的有益效果是
1、它省去了金屬基板雙面且分別二次的蝕刻作業(yè)工序,降低了工序作業(yè)的成本、時間、 人員、動力、材料,同時也減少了蝕刻工序中可能產生的有害物質對環(huán)境的污染;
2、由于引線框正面采用了細線電鍍的方法,所以正面的引腳寬度最小可以達到25Mm, 內引腳與內引腳之間的距離最小達到25Mm,充分地體現出引線框內引腳的高密度能力。3、由于引線框背面采用了先鍍后刻的方法,所以背面的引腳寬度最小可以達到 25Mm,外引腳與外引腳之間的距離最小達到25Mm,充分地體現出引線框外引腳的高密度能力。4、裝片打線時只有引線框一種材料,在使用超高溫380以及420攝氏度的制程過程中,因沒有多種材料膨脹系數的不同所帶來的膨脹與收縮沖擊,確保了引線框的耐超高溫(一般是200°C以下)性能,不會因高溫熱應變形而產生引線框的翹曲問題。
圖Γ圖18為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例1制造方法的各工序示意圖。
圖19(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例1的結構示意圖。
圖19(B)為圖19 (A)的俯視圖。
圖20(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例2的結構示意圖。
圖20(B)為圖20 (A)的俯視圖。
圖21(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例3的結構示意圖。
圖21(B)為圖21 (A)的俯視圖。
圖22(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例4的結構示意圖。
圖22(B)為圖22 (A)的俯視圖。
圖23(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例5的結構示意圖。
圖23(B)為圖23 (A)的俯視圖。
圖24(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例6的結構示意圖。
圖24(B)為圖M (A)的俯視圖。
圖25(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例7的結構示意圖。
圖25(B)為圖25 (A)的俯視圖。
圖26(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例8的結構示意圖。
圖26(B)為圖沈(A)的俯視圖。
圖27(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹9的結構示意圖。
圖27(B)為圖27 (A)的俯視圖。
圖28(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹10的結構示意圖。
圖28(B)為圖觀(A)的俯視圖。
圖29(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹11的結構示意圖。
圖29(B)為圖四(A)的俯視圖。
圖30(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹12的結構示意圖。
圖30(B)為圖30 (A)的俯視圖。
圖31(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹13的結構示意圖。
圖31(B)為圖31 (A)的俯視圖。
圖32(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹14的結構示意圖。
圖32(B)為圖32 (A)的俯視圖。
圖33(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹15的結構示意圖。
圖33(B)為圖33 (A)的俯視圖。
圖34(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹16的結構示意圖。
圖34(B)為圖34 (A)的俯視圖。
圖35(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹17的結構示意圖。
圖35(B)為圖35 (A)的俯視圖。
圖36(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹18的結構示意圖。
圖36(B)為圖36 (A)的俯視圖。
圖37(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹19的結構示意圖。
圖37(B)為圖37 (A)的俯視圖。
圖38(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹20的結構示意圖。
圖38(B)為圖38 (A)的俯視圖。
圖39(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹21的結構示意圖。
圖39(B)為圖39 (A)的俯視圖。
圖40(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹22的結構示意圖。
圖40(B)為圖40 (A)的俯視圖。
圖41(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹23的結構示意圖。
圖41(B)為圖41 (A)的俯視圖。
圖42(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹M的結構示意圖。
圖42(B)為圖42 (A)的俯視圖。
圖43(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹25的結構示意圖。
圖43(B)為圖43 (A)的俯視圖。
圖44(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹26的結構示意圖。
圖44(B)為圖44 (A)的俯視圖。
圖45(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹27的結構示意圖。
圖45(B)為圖45 (A)的俯視圖。
圖46(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹28的結構示意圖。
圖46(B)為圖46 (A)的俯視圖。
圖47(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹29的結構示意圖。
圖47(B)為圖47 (A)的俯視圖。
圖48(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹30的結構示意圖。
圖48(B)為圖48 (A)的俯視圖。
圖49(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹31的結構示意圖。
圖49(B)為圖49 (A)的俯視圖。
圖50(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹32的結構示意圖。
圖50(B)為圖50 (A)的俯視圖。
圖51(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹33的結構示意圖。
圖51(B)為圖51 (A)的俯視圖。
圖52(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹;34的結構示意圖。
圖52(B)為圖52 (A)的俯視圖。
圖53(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹35的結構示意圖。
圖53(B)為圖53 (A)的俯視圖。
圖54(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹36的結構示意圖。
圖54(B)為圖M (A)的俯視圖。
圖55(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹37的結構示意圖。
圖55(B)為圖55 (A)的俯視圖。
圖56(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹38的結構示意圖。
圖56(B)為圖56 (A)的俯視圖。
圖57(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹39的結構示意圖。
圖57(B)為圖57 (A)的俯視圖。
圖58(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹40的結構示意圖。
圖58(B)為圖58 (A)的俯視圖。
圖59(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹41的結構示意圖。
圖59(B)為圖59 (A)的俯視圖。
圖60(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹42的結構示意圖。
圖60(B)為圖60 (A)的俯視圖。
圖61(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹43的結構示意圖。
圖61(B)為圖61 (A)的俯視圖。
圖62(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹44的結構示意圖。
圖62(B)為圖62 (A)的俯視圖。
圖63(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹45的結構示意圖。
圖63(B)為圖63 (A)的俯視圖。
圖64(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹46的結構示意圖。
圖64(B)為圖64 (A)的俯視圖。
圖65(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施 歹47的結構示意圖。0107]圖65(B)為圖65 (A)的俯視圖。0108]圖66(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例48的結構示意圖。0109]圖66(B)為圖66 (A)的俯視圖。0110]圖67(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例49的結構示意圖。0111]圖67(B)為圖67 (A)的俯視圖。0112]圖68(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例50的結構示意圖。0113]圖68(B)為圖68 (A)的俯視圖。0114]圖69(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例51的結構示意圖。0115]圖69(B)為圖69 (A)的俯視圖。0116]圖70(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例52的結構示意圖。0117]圖70(B)為圖70 (A)的俯視圖。0118]圖71(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例53的結構示意圖。0119]圖71(B)為圖71 (A)的俯視圖。0120]圖72(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例54的結構示意圖。0121]圖72(B)為圖72 (A)的俯視圖。0122]圖73(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例55的結構示意圖。0123]圖73(B)為圖73 (A)的俯視圖。0124]圖74(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例56的結構示意圖。0125]圖74(B)為圖74 (A)的俯視圖。0126]圖75(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例57的結構示意圖。0127]圖75(B)為圖75 (A)的俯視圖。0128]圖76(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例58的結構示意圖。0129]圖76(B)為圖76 (A)的俯視圖。0130]圖77(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例59的結構示意圖。0131]圖77(B)為圖77 (A)的俯視圖。0132]圖78(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例60的結構示意圖。0133]圖78(B)為圖78 (A)的俯視圖。0134]圖79(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例61的結構示意圖。0135]圖79(B)為圖79 (A)的俯視圖。0136]圖80(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例62的結構示意圖。0137]圖80(B)為圖80 (A)的俯視圖。0138]圖81(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例63的結構示意圖。0139]圖81(B)為圖81 (A)的俯視圖。0140]圖82(A)為本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例64的結構示意圖。0141]圖82(B)為圖82 (A)的俯視圖。0142]圖83為以往四面無引腳引線框背面貼上耐高溫膠膜的示意圖。0143]圖84為以往背面貼上耐高溫膠膜的四面無引腳引線框封裝時溢料的示意圖0144]圖85為以往預包封雙面蝕刻引線框的結構示意圖。0145]其中外基島1、外引腳2、內基島3、內引腳4、芯片5、金屬線6、塑封料7、導電或不導電粘結物質8、第二金屬層9、填縫劑10、金屬基板11、光刻膠膜12或13、第一金屬層14、無源器件 15、外靜電釋放圈16、內靜電釋放圈17。
具體實施例方式本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構及其制造方法如下 實施例1 無基島單芯片單圈引腳(無內基島)
參見圖19 (A)和圖19 (B),圖19 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例1 的結構示意圖。圖19 (B)為圖19 (A)的俯視圖。由圖19 (A)和圖19 (B)可以看出,本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構,它包括外引腳2,所述外引腳2正面通過多層電鍍方式形成內引腳4,所述內引腳4統(tǒng)稱為第一金屬層14,所述內引腳4與內引腳4之間通過導電或不導電粘結物質8設置有一個芯片5,所述內引腳4正面延伸到芯片5旁邊,所述芯片5 正面與內引腳4正面之間用金屬線6連接,所述內引腳4、芯片5和金屬線6外包封有塑封料7,所述外引腳2外圍的區(qū)域以及外引腳2與外引腳2之間的區(qū)域嵌置有填縫劑10,且外引腳2的背面露出填縫劑10外,在露出填縫劑10外的外引腳2的背面設置有第二金屬層 9。其制造方法如下
步驟一、取金屬基板
參見圖1,取一片厚度合適的金屬基板11,金屬基板11的材質可以依據芯片的功能與特性進行變換,例如銅、鋁、鐵、銅合金、不銹鋼或鎳鐵合金等。步驟二、貼膜作業(yè)
參見圖2,利用貼膜設備在金屬基板11的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光刻膠膜12和13,以保護后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè),因此光刻膠膜可以是干式光刻膠膜也可以是濕式光刻膠膜。步驟三、金屬基板正面去除部分圖形的光刻膠膜
參見圖3,利用曝光顯影設備將步驟二完成貼膜作業(yè)的金屬基板11正面進行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜,以露出金屬基板11正面后續(xù)需要進行電鍍的區(qū)域圖形。步驟四、電鍍第一金屬層
參見圖4,在步驟三中金屬基板11正面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域內通過多層電鍍方式形成第一金屬層14,所述第一金屬層14可以采用自下而上依次為鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層或鎳、銅、銀三層金屬層,或者其他類似結構。以鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層為例, 其中第一層鎳層主要起到抗蝕刻阻擋層的作用,而中間的銅層、鎳層和鈀層主要起結合增高的作用,最外層的金層主要起到與金屬線鍵合的作用。步驟五、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)
參見圖5,將金屬基板11正面及背面余下的光刻膠膜去除,在金屬基板11正面相對形成內引腳4。步驟六、裝片打線
參見圖6 圖7,在步驟五形成的內引腳4之間的金屬基板11正面通過導電或不導電粘
1結物質8進行芯片5的植入,以及在芯片5正面與內引腳4正面之間進行鍵合金屬線6作業(yè)。步驟七、包封
參見圖8,利用塑封料注入設備,將已完成芯片植入以及鍵合金屬線作業(yè)的金屬基板 11進行包封塑封料作業(yè),并進行塑封料包封后固化作業(yè)。步驟八、貼膜作業(yè)
參見圖9,利用貼膜設備在完成包封以及固化作業(yè)后的金屬基板11在正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光刻膠膜12和13,以保護后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè),因此光刻膠膜可以是干式光刻膠膜也可以是濕式光刻膠膜。步驟九、金屬基板背面去除部分圖形的光刻膠膜
參見圖10,利用曝光顯影設備將步驟八完成貼膜作業(yè)的金屬基板11背面進行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜,以露出金屬基板11背面后續(xù)需要進行電鍍的區(qū)域圖形。步驟十、電鍍第二金屬層
參見圖11,在步驟九中金屬基板11背面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域內電鍍第二金屬層9,第二金屬層9的成分根據不同芯片的功能可以采用金鎳金、金鎳銅鎳金、鎳鈀金、金鎳鈀金、鎳金、銀或錫等。步驟十一、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)
參見圖12,將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除。步驟十二貼膜作業(yè)
參見圖13,利用貼膜設備在完成電鍍第二金屬層且去除余下光刻膠膜后的金屬基板 11在正面及背面再次貼上可進行曝光顯影的光刻膠膜12和13,以保護后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè),因此光刻膠膜可以是干式光刻膠膜也可以是濕式光刻膠膜。步驟十三、金屬基板背面去除部分圖形的光刻膠膜
參見圖14,利用曝光顯影設備將步驟十二完成貼膜作業(yè)的金屬基板11背面進行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜,以露出金屬基板11背面后續(xù)需要進行蝕刻的區(qū)域圖形。步驟十四、金屬基板背面進行全蝕刻或半蝕刻作業(yè)
參見圖15、對步驟十三中金屬基板背面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域同時進行全蝕刻或半蝕刻,在金屬基板背面形成凹陷的蝕刻區(qū)域,同時相對形成外引腳2。步驟十五、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)
參見圖16,將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除。步驟十六、金屬基板背面蝕刻區(qū)域填充填縫劑
參見圖17,在所述金屬基板背面的蝕刻區(qū)域內利用填充設備進行充填填縫劑10,并進行填縫劑10充填或包封后的固化作業(yè),所述填縫劑可以是有填料或無填料的填縫劑。步驟十七、切割成品
參見圖18,將步驟十六完成包封以及固化作業(yè)的半成品進行切割作業(yè),使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來,制得先鍍后刻四面無引腳封裝結構成品。
實施例2 無基島單芯片單圈引腳(有內基島)
參見圖20 (A)和圖20 (B),圖20 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例2 的結構示意圖。圖20 (B)為圖20 (A)的俯視圖。由圖20 (A)和圖20 (B)可以看出,實施例2與實施例1的不同之處僅在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例3 無基島單芯片單圈引腳無源器件(無內基島)
參見圖21 (A)和圖21 (B),圖21 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例3 的結構示意圖。圖21 (B)為圖21 (A)的俯視圖。由圖21 (A)和圖21 (B)可以看出,實施例3與實施例1的不同之處僅在于所述內引腳4與內引腳4之間通過導電或不導電粘結物質8跨接有無源器件15。實施例4 無基島單芯片單圈引腳無源器件(有內基島)
參見圖22 (A)和圖22 (B),圖22 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例4 的結構示意圖。圖22 (B)為圖22 (A)的俯視圖。由圖22 (A)和圖22 (B)可以看出,實施例4與實施例3的不同之處僅在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例5 無基島單芯片單圈引腳靜電釋放圈(無內基島)
參見圖23 (A)和圖23 (B),圖23 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例5 的結構示意圖。圖23 (B)為圖23 (A)的俯視圖。由圖23 (A)和圖23 (B)可以看出,實施例5與實施例1的不同之處僅在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外靜電釋放圈 16,所述外靜電釋放圈16正面通過多層電鍍方式形成內靜電釋放圈17,所述內靜電釋放圈 17正面與芯片5正面之間通過金屬線6連接。實施例6 無基島單芯片單圈引腳靜電釋放圈(有內基島)
參見圖M (A)和圖M (B),圖M (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例6 的結構示意圖。圖對(B)為圖M (A)的俯視圖。由圖M (A)和圖M (B)可以看出,實施例6與實施例1的不同之處僅在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例7 無基島單芯片單圈引腳靜電釋放圈無源器件(無內基島)
參見圖25 (A)和圖25 (B),圖25 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例7 的結構示意圖。圖25 (B)為圖25 (A)的俯視圖。由圖25 (A)和圖25 (B)可以看出,實施例7與實施例5的不同之處僅在于所述內引腳4與內引腳4之間通過導電或不導電粘結物質8跨接有無源器件15。實施例8 無基島單芯片單圈引腳靜電釋放圈無源器件(有內基島)
參見圖沈(A)和圖沈(B),圖沈(A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例8 的結構示意圖。圖26 (B)為圖沈(A)的俯視圖。由圖沈(A)和圖沈(B)可以看出,實施例8與實施例7的不同之處僅在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例9 無基島單芯片多圈引腳(無內基島)
參見圖27 (A)和圖27 (B),圖27 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例9 的結構示意圖。圖27 (B)為圖27 (A)的俯視圖。由圖27 (A)和圖27 (B)可以看出,實施例9與實施例1的不同之處僅在于所述外引腳2有多圈,所述多圈外引腳2正面通過多層電鍍方式形成內引腳4。實施例10 無基島單芯片多圈引腳(有內基島)
參見圖28 (A)和圖28 (B),圖28 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例10 的結構示意圖。圖觀(B)為圖觀(A)的俯視圖。由圖觀(A)和圖觀(B)可以看出,實施例10與實施例9的不同之處僅在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3, 此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例11 無基島單芯片多圈引腳無源器件(無內基島)
參見圖四(A)和圖四(B),圖四(A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例11 的結構示意圖。圖四(B)為圖四(A)的俯視圖。由圖四(A)和圖四(B)可以看出,實施例11與實施例9的不同之處僅在于所述內引腳4與內引腳4之間通過導電或不導電粘結物質8跨接有無源器件15。實施例12 無基島單芯片多圈引腳無源器件(有內基島)
參見圖30 (A)和圖30 (B),圖30 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例12 的結構示意圖。圖30 (B)為圖30 (A)的俯視圖。由圖30 (A)和圖30 (B)可以看出,實施例12與實施例11的不同之處僅在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3, 此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例13 無基島單芯片多圈引腳靜電釋放圈(無內基島)
參見圖31 (A)和圖31 (B),圖31 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例13 的結構示意圖。圖31 (B)為圖31 (A)的俯視圖。由圖31 (A)和圖31 (B)可以看出,實施例13與實施例9的不同之處僅在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外靜電釋放圈 16,所述外靜電釋放圈16正面通過多層電鍍方式形成內靜電釋放圈17,所述內靜電釋放圈 17正面與芯片5正面之間通過金屬線6連接。實施例14 無基島單芯片多圈引腳靜電釋放圈(有內基島)
參見圖32 (A)和圖32 (B),圖32 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例14 的結構示意圖。圖32 (B)為圖32 (A)的俯視圖。由圖32 (A)和圖32 (B)可以看出,實施例14與實施例13的不同之處僅在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3, 此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例15 無基島單芯片多圈引腳靜電釋放圈無源器件(無內基島)
參見圖33 (A)和圖33 (B),圖33 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例15 的結構示意圖。圖33 (B)為圖33 (A)的俯視圖。由圖33 (A)和圖33 (B)可以看出,實施例15與實施例13的不同之處僅在于所述內引腳4與內引腳4之間通過導電或不導電粘結物質8跨接有無源器件15。實施例16 無基島單芯片多圈引腳靜電釋放圈無源器件(有內基島)
參見圖34 (A)和圖34 (B),圖34 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例16 的結構示意圖。圖;34 (B)為圖34 (A)的俯視圖。由圖34 (A)和圖34 (B)可以看出,實施例16與實施例15的不同之處僅在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3, 此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例17 無基島多芯片單圈引腳(無內基島)參見圖35 (A)和圖35 (B),圖35 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例17 的結構示意圖。圖35 (B)為圖35 (A)的俯視圖。由圖35 (A)和圖35 (B)可以看出,實施例17與實施例1的不同之處僅在于所述芯片5有多個,所述芯片5正面與芯片5正面之間通過金屬線6相連接。實施例18 無基島多芯片單圈引腳(有內基島)
參見圖36 (A)和圖36 (B),圖36 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例18 的結構示意圖。圖36 (B)為圖36 (A)的俯視圖。由圖36 (A)和圖36 (B)可以看出,實施例18與實施例17的不同之處僅在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3, 此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例19 無基島多芯片單圈引腳無源器件(無內基島)
參見圖37 (A)和圖37 (B),圖37 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例19 的結構示意圖。圖37 (B)為圖37 (A)的俯視圖。由圖37 (A)和圖37 (B)可以看出,實施例19與實施例3的不同之處僅在于所述芯片5有多個,所述芯片5正面與芯片5正面之間通過金屬線6相連接。實施例20 無基島多芯片單圈引腳無源器件(有內基島)
參見圖38 (A)和圖38 (B),圖38 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例20 的結構示意圖。圖38 (B)為圖38 (A)的俯視圖。由圖38 (A)和圖38 (B)可以看出,實施例20與實施例19的不同之處僅在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3, 此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例21 無基島多芯片單圈引腳靜電釋放圈(無內基島)
參見圖39 (A)和圖39 (B),圖39 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例21 的結構示意圖。圖39 (B)為圖39 (A)的俯視圖。由圖39 (A)和圖39 (B)可以看出,實施例21與實施例5的不同之處僅在于所述芯片5有多個,所述芯片5正面與芯片5正面之間通過金屬線6相連接。實施例22 無基島多芯片單圈引腳靜電釋放圈(有內基島)
參見圖40 (A)和圖40 (B),圖40 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例22 的結構示意圖。圖40 (B)為圖40 (A)的俯視圖。由圖40 (A)和圖40 (B)可以看出,實施例22與實施例21的不同之處在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例23 無基島多芯片單圈引腳靜電釋放圈無源器件(無內基島)
參見圖41 (A)和圖41 (B),圖41 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例23 的結構示意圖。圖41 (B)為圖41 (A)的俯視圖。由圖41 (A)和圖41 (B)可以看出,實施例23與實施例7的不同之處僅在于所述芯片5有多個,所述芯片5正面與芯片5正面之間通過金屬線6相連接。實施例M 無基島多芯片單圈引腳靜電釋放圈無源器件(有內基島)
參見圖42 (A)和圖42 (B),圖42 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例M 的結構示意圖。圖42 (B)為圖42 (A)的俯視圖。由圖42 (A)和圖42 (B)可以看出,實施例M與實施例23的不同之處僅在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3, 此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。
實施例25 無基島多芯片多圈引腳(無內基島)
參見圖43 (A)和圖43 (B),圖43 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例25 的結構示意圖。圖43 (B)為圖43 (A)的俯視圖。由圖43 (A)和圖43 (B)可以看出,實施例25與實施例17的不同之處僅在于所述外引腳2有多圈,所述多圈外引腳2正面通過多層電鍍方式形成內引腳4。實施例沈無基島多芯片多圈引腳(有內基島)
參見圖44 (A)和圖44 (B),圖44 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例沈的結構示意圖。圖44 (B)為圖44 (A)的俯視圖。由圖44 (A)和圖44 (B)可以看出,實施例沈與實施例25的不同之處僅在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3, 此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例27 無基島多芯片多圈引腳無源器件(無內基島)
參見圖45 (A)和圖45 (B),圖45 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例27 的結構示意圖。圖45 (B)為圖45 (A)的俯視圖。由圖45 (A)和圖45 (B)可以看出,實施例27與實施例19的不同之處僅在于所述外引腳2有多圈,所述多圈外引腳2正面通過多層電鍍方式形成內引腳4。實施例28 無基島多芯片多圈引腳無源器件(有內基島)
參見圖46 (A)和圖46 (B),圖46 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例觀的結構示意圖。圖46 (B)為圖46 (A)的俯視圖。由圖46 (A)和圖46 (B)可以看出,實施例28與實施例27的不同之處僅在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3, 此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例四無基島多芯片多圈引腳靜電釋放圈(無內基島)
參見圖47 (A)和圖47 (B),圖47 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例四的結構示意圖。圖47 (B)為圖47 (A)的俯視圖。由圖47 (A)和圖47 (B)可以看出,實施例四與實施例21的不同之處在于所述外引腳2有多圈,所述多圈外引腳2正面通過多層電鍍方式形成內引腳4。實施例30 無基島多芯片多圈引腳靜電釋放圈(有內基島)
參見圖48 (A)和圖48 (B),圖48 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例30 的結構示意圖。圖48 (B)為圖48 (A)的俯視圖。由圖48 (A)和圖48 (B)可以看出,實施例30與實施例四的不同之處在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例31 無基島多芯片多圈引腳靜電釋放圈無源器件(無內基島)
參見圖49 (A)和圖49 (B),圖49 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例31 的結構示意圖。圖49 (B)為圖49 (A)的俯視圖。由圖49 (A)和圖49 (B)可以看出,實施例31與實施例23的不同之處在于所述外引腳2有多圈,所述多圈外引腳2正面通過多層電鍍方式形成內引腳4。實施例32 無基島多芯片多圈引腳靜電釋放圈無源器件(有內基島)
參見圖50 (A)和圖50 (B),圖50 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例32 的結構示意圖。圖50 (B)為圖50 (A)的俯視圖。由圖50 (A)和圖50 (B)可以看出,實施例32與實施例31的不同之處在于所述芯片5底部通過多層電鍍方式形成內基島3,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于內基島3正面。實施例33 單基島單圈引腳(無內基島)
參見圖51 (A)和圖51 (B),圖51 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例33 的結構示意圖。圖51 (B)為圖51 (A)的俯視圖。由圖51 (A)和圖51 (B)可以看出,實施例33與實施例1的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例34 單基島單圈引腳(有內基島)
參見圖52 (A)和圖52 (B),圖52 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例34 的結構示意圖。圖52 (B)為圖52 (A)的俯視圖。由圖52 (A)和圖52 (B)可以看出,實施例34與實施例2的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例35 單基島單圈引腳無源器件(無內基島)
參見圖53 (A)和圖53 (B),圖53 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例35 的結構示意圖。圖53 (B)為圖53 (A)的俯視圖。由圖53 (A)和圖53 (B)可以看出,實施例35與實施例3的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例36 單基島單圈引腳無源器件(有內基島)
參見圖M (A)和圖M化),圖討(A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例36 的結構示意圖。圖討(B)為圖M (A)的俯視圖。由圖M (A)和圖M (B)可以看出,實施例36與實施例4的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例37 單基島單圈引腳靜電釋放圈(無內基島)
參見圖55 (A)和圖55 (B),圖55 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例37 的結構示意圖。圖陽(B)為圖55 (A)的俯視圖。由圖55 (A)和圖55 (B)可以看出,實施例37與實施例5的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例38 單基島單圈引腳靜電釋放圈(有內基島)
參見圖56 (A)和圖56 (B),圖56 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例38 的結構示意圖。圖56 (B)為圖56 (A)的俯視圖。由圖56 (A)和圖56 (B)可以看出,實施例38與實施例6的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例39 單基島單圈引腳靜電釋放圈無源器件(無內基島)
參見圖57 (A)和圖57 (B),圖57 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例39 的結構示意圖。圖57 (B)為圖57 (A)的俯視圖。由圖57 (A)和圖57 (B)可以看出,實施例39與實施例7的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例40 單基島單圈引腳靜電釋放圈無源器件(有內基島)
參見圖58 (A)和圖58 (B),圖58 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例40 的結構示意圖。圖58 (B)為圖58 (A)的俯視圖。由圖58 (A)和圖58 (B)可以看出,實施例40與實施例8的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例41 單基島多圈引腳(無內基島)
參見圖59 (A)和圖59 (B),圖59 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例41 的結構示意圖。圖59 (B)為圖59 (A)的俯視圖。由圖59 (A)和圖59 (B)可以看出,實施例41與實施例9的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例42 單基島多圈引腳(有內基島)
參見圖60 (A)和圖60 (B),圖60 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例42 的結構示意圖。圖60 (B)為圖60 (A)的俯視圖。由圖60 (A)和圖60 (B)可以看出,實施例42與實施例10的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例43 單基島多圈引腳無源器件(無內基島)
參見圖61 (A)和圖61 (B),圖61 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例43 的結構示意圖。圖61 (B)為圖61 (A)的俯視圖。由圖61 (A)和圖61 (B)可以看出,實施例43與實施例11的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例44 單基島多圈引腳無源器件(有內基島)
參見圖62 (A)和圖62 (B),圖62 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例44 的結構示意圖。圖62 (B)為圖62 (A)的俯視圖。由圖62 (A)和圖62 (B)可以看出,實施例44與實施例12的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例45 單基島多圈引腳靜電釋放圈(無內基島)
參見圖63 (A)和圖63 (B),圖63 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例45 的結構示意圖。圖63 (B)為圖63 (A)的俯視圖。由圖63 (A)和圖63 (B)可以看出,實施例45與實施例13的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例46 單基島多圈引腳靜電釋放圈(有內基島)
參見圖64 (A)和圖64 (B),圖64 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例46 的結構示意圖。圖64 (B)為圖64 (A)的俯視圖。由圖64 (A)和圖64 (B)可以看出,實施例46與實施例14的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例47 單基島多圈引腳靜電釋放圈無源器件(無內基島)
參見圖65 (A)和圖65 (B),圖65 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例47 的結構示意圖。圖65 (B)為圖65 (A)的俯視圖。由圖65 (A)和圖65 (B)可以看出,實施例47與實施例15的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例48 單基島多圈引腳靜電釋放圈無源器件(有內基島)
參見圖66 (A)和圖66 (B),圖66 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例48的結構示意圖。圖66 (B)為圖66 (A)的俯視圖。由圖66 (A)和圖66 (B)可以看出,實施例48與實施例16的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有一個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例49 多基島單圈引腳(無內基島)
參見圖67 (A)和圖67 (B),圖67 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例49 的結構示意圖。圖67 (B)為圖67 (A)的俯視圖。由圖67 (A)和圖67 (B)可以看出,實施例49與實施例17的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例50 多基島單圈引腳(有內基島)
參見圖68 (A)和圖68 (B),圖68 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例50 的結構示意圖。圖68 (B)為圖68 (A)的俯視圖。由圖68 (A)和圖68 (B)可以看出,實施例50與實施例18的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例51 多基島單圈引腳無源器件(無內基島)
參見圖69 (A)和圖69 (B),圖69 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例51 的結構示意圖。圖69 (B)為圖69 (A)的俯視圖。由圖69 (A)和圖69 (B)可以看出,實施例51與實施例19的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例52 多基島單圈引腳無源器件(有內基島)
參見圖70 (A)和圖70 (B),圖70 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例52 的結構示意圖。圖70 (B)為圖70 (A)的俯視圖。由圖70 (A)和圖70 (B)可以看出,實施例52與實施例20的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例53 多基島單圈引腳靜電釋放圈(無內基島)
參見圖71 (A)和圖71 (B),圖71 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例53 的結構示意圖。圖71 (B)為圖71 (A)的俯視圖。由圖71 (A)和圖71 (B)可以看出,實施例53與實施例21的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例M 多基島單圈引腳靜電釋放圈(有內基島)
參見圖72 (A)和圖72 (B),圖72 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例M 的結構示意圖。圖72 (B)為圖72 (A)的俯視圖。由圖72 (A)和圖72 (B)可以看出,實施例M與實施例22的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例55 多基島單圈引腳靜電釋放圈無源器件(無內基島)
參見圖73 (A)和圖73 (B),圖73 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例55 的結構示意圖。圖73 (B)為圖73 (A)的俯視圖。由圖73 (A)和圖73 (B)可以看出,實施例55與實施例23的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例56 多基島單圈引腳靜電釋放圈無源器件(有內基島)參見圖74 (A)和圖74 (B),圖74 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例56 的結構示意圖。圖74 (B)為圖74 (A)的俯視圖。由圖74 (A)和圖74 (B)可以看出,實施例56與實施例M的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例57 多基島多圈引腳(無內基島)
參見圖75 (A)和圖75 (B),圖75 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例57 的結構示意圖。圖75 (B)為圖75 (A)的俯視圖。由圖75 (A)和圖75 (B)可以看出,實施例57與實施例25的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例58 多基島多圈引腳(有內基島)
參見圖76 (A)和圖76 (B),圖76 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例58 的結構示意圖。圖76 (B)為圖76 (A)的俯視圖。由圖76 (A)和圖76 (B)可以看出,實施例58與實施例沈的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例59 多基島多圈引腳無源器件(無內基島)
參見圖77 (A)和圖77 (B),圖77 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例59 的結構示意圖。圖77 (B)為圖77 (A)的俯視圖。由圖77 (A)和圖77 (B)可以看出,實施例59與實施例27的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例60 多基島多圈引腳無源器件(有內基島)
參見圖78 (A)和圖78 (B),圖78 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例60 的結構示意圖。圖78 (B)為圖78 (A)的俯視圖。由圖78 (A)和圖78 (B)可以看出,實施例60與實施例28的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例61 多基島多圈引腳靜電釋放圈(無內基島)
參見圖79 (A)和圖79 (B),圖79 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例61 的結構示意圖。圖79 (B)為圖79 (A)的俯視圖。由圖79 (A)和圖79 (B)可以看出,實施例61與實施例四的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。實施例62 多基島多圈引腳靜電釋放圈(有內基島)
參見圖80 (A)和圖80 (B),圖80 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例62 的結構示意圖。圖80 (B)為圖80 (A)的俯視圖。由圖80 (A)和圖80 (B)可以看出,實施例62與實施例30的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。實施例63 多基島多圈引腳靜電釋放圈無源器件(無內基島)
參見圖81 (A)和圖81 (B),圖81 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例63 的結構示意圖。圖81 (B)為圖81 (A)的俯視圖。由圖81 (A)和圖81 (B)可以看出,實施例63與實施例31的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,此時芯片5通過導電或不導電粘結物質8設置于外基島1正面。
實施例64 多基島多圈引腳靜電釋放圈無源器件(有內基島)
參見圖82 (A)和圖82 (B),圖82 (A)本發(fā)明先鍍后刻四面無引腳封裝結構實施例64 的結構示意圖。圖82 (B)為圖82 (A)的俯視圖。由圖82 (A)和圖82 (B)可以看出,實施例64與實施例32的不同之處在于所述外引腳2與外引腳2之間設置有外基島1,所述外基島1有多個,所述內基島3通過多層電鍍方式設置于外基島1正面。
權利要求
1.一種先鍍后刻四面無引腳封裝結構,其特征在于它包括外引腳(2),所述外引腳 (2)正面通過多層電鍍方式形成內引腳(4),所述內引腳(4)與內引腳(4)之間通過導電或不導電粘結物質(8)設置有一個芯片(5),所述內引腳(4)正面延伸到芯片(5)旁邊,所述芯片(5)正面與內引腳(4)正面之間用金屬線(6)連接,所述內引腳(4)、芯片(5)和金屬線 (6)外包封有塑封料(7),所述外引腳(2)外圍的區(qū)域以及外引腳(2)與外引腳(2)之間的區(qū)域嵌置有填縫劑(10),且外引腳(2)的背面露出填縫劑(10)外,在露出填縫劑(10)外的外引腳(2)的背面設置有第二金屬層(9)。
2.根據權利要求1所述的一種先鍍后刻四面無引腳封裝結構,其特征在于所述填縫劑(10)采用有填料填充物質和無填料填充物質。
3.—種如權利要求1所述的先鍍后刻四面無引腳封裝結構的制造方法,其特征在于所述方法包括以下工藝步驟步驟一、取金屬基板步驟二、貼膜作業(yè)利用貼膜設備在金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光刻膠膜, 步驟三、金屬基板正面去除部分圖形的光刻膠膜利用曝光顯影設備將步驟二完成貼膜作業(yè)的金屬基板正面進行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜,以露出金屬基板正面后續(xù)需要進行電鍍的區(qū)域圖形, 步驟四、電鍍第一金屬層對步驟三中金屬基板正面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域內通過多層電鍍方式形成第一金屬層,步驟五、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除,在金屬基板正面相對形成內引腳, 步驟六、裝片打線在步驟五形成的內弓丨腳之間的金屬基板正面通過導電或不導電粘結物質進行芯片的植入,以及在芯片正面與內引腳正面之間進行鍵合金屬線作業(yè), 步驟七、包封利用塑封料注入設備,將已完成芯片植入以及鍵合金屬線作業(yè)的金屬基板進行包封塑封料作業(yè),并進行塑封料包封后的固化作業(yè), 步驟八、貼膜作業(yè)利用貼膜設備在完成包封以及固化作業(yè)的金屬基板在正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光刻膠膜,步驟九、金屬基板背面去除部分圖形的光刻膠膜利用曝光顯影設備將步驟八完成貼膜作業(yè)的金屬基板背面進行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜,以露出金屬基板背面后續(xù)需要進行電鍍的區(qū)域圖形, 步驟十、電鍍第二金屬層在步驟九中金屬基板背面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域內電鍍第二金屬層9, 步驟十一、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除, 步驟十二 貼膜作業(yè)利用貼膜設備在完成電鍍第二金屬層且去除余下光刻膠膜后的金屬基板在正面及背面再次貼上可進行曝光顯影的光刻膠膜,步驟十三、金屬基板背面去除部分圖形的光刻膠膜利用曝光顯影設備將步驟十二完成貼膜作業(yè)的金屬基板背面進行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜,以露出金屬基板背面后續(xù)需要進行蝕刻的區(qū)域圖形,步驟十四、金屬基板背面進行全蝕刻或半蝕刻作業(yè)對步驟十三中金屬基板背面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域同時進行全蝕刻或半蝕刻, 在金屬基板背面形成凹陷的蝕刻區(qū)域,同時相對形成外引腳,步驟十五、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除,步驟十六、金屬基板背面蝕刻區(qū)域填充填縫劑在所述金屬基板背面的蝕刻區(qū)域內利用填充的設備進行充填填縫劑,并進行填縫劑充填或包封后的后固化作業(yè),步驟十七、切割成品將步驟十六完成包封以及固化作業(yè)的半成品進行切割作業(yè),使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨立開來,制得先鍍后刻四面無引腳封裝結構成品。
4.根據權利要求3所述的先鍍后刻四面無引腳封裝結構的制造方法,其特征在于所述芯片(5)底部通過多層電鍍方式形成內基島(3),此時芯片(5)通過導電或不導電粘結物質(8)設置于內基島(3)正面。
5.根據權利要求3所述的先鍍后刻四面無引腳封裝結構的制造方法,其特征在于所述內引腳(4)與內引腳(4)之間通過導電或不導電粘結物質(8)跨接有無源器件(15)。
6.根據權利要求3所述的先鍍后刻四面無引腳封裝結構的制造方法,其特征在于所述外引腳(2)與外引腳(2)之間設置有外靜電釋放圈(16),所述外靜電釋放圈(16)正面通過多層電鍍方式形成內靜電釋放圈(17),所述內靜電釋放圈(17)正面與芯片(5)正面之間通過金屬線(6)連接。
7.根據權利要求3飛其中之一所述的先鍍后刻四面無引腳封裝結構的制造方法,其特征在于所述芯片(5)有單個,所述外引腳(2)有多圈。
8.根據權利要求3飛其中之一所述的先鍍后刻四面無引腳封裝結構的制造方法,其特征在于所述芯片(5)有多個,所述外引腳(2)有單圈。
9.根據權利要求3飛其中之一所述的先鍍后刻四面無引腳封裝結構的制造方法,其特征在于所述芯片(5)有多個,所述外引腳(2)有多圈。
10.根據權利要求3飛所述的先鍍后刻四面無引腳封裝結構的制造方法,其特征在于 所述外引腳(2)與外引腳(2)之間設置有一個或多個外基島(1),所述芯片(5)通過導電或不導電粘結物質(8)設置于外基島(1)正面。
11.根據權利要求10所述的先鍍后刻四面無引腳封裝結構的制造方法,其特征在于 所述外基島(1)正面通過多層電鍍方式形成內基島(5),芯片(5)通過導電或不導電粘結物質(8)設置于內基島(5)正面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種先鍍后刻四面無引腳封裝結構及其制造方法,它包括外引腳(2),所述外引腳(2)正面通過多層電鍍方式形成內引腳(4),所述內引腳(4)與內引腳(4)之間設置有芯片(5),所述內引腳(4)正面延伸到芯片(5)旁邊,所述芯片(5)正面與內引腳(4)正面之間用金屬線(6)連接,所述內引腳(4)、芯片(5)和金屬線(6)外包封有塑封料(7),所述外引腳(2)的背面設置有第二金屬層(9)。本發(fā)明的有益效果是它省去了金屬基板雙面蝕刻的作業(yè)工序,降低了工序作業(yè)的成本,而且由于內引腳采用多層電鍍方式形成,外引腳采用先鍍后刻的方式形成,因此實現了內引腳和外引腳的高密度能力。
文檔編號H01L23/49GK102420206SQ201110389758
公開日2012年4月18日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權日2011年11月30日
發(fā)明者吳昊, 梁志忠, 王新潮, 謝潔人 申請人:江蘇長電科技股份有限公司