專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管與其所組成的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種有機(jī)發(fā)光二極管，且特別是有關(guān)于一種避免壓降的有機(jī)發(fā)光二極管與其所組成的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(organic light-emitting diode)由于具有高亮度、輕、薄、不需背光源、低消耗功率等優(yōu)點(diǎn)，以廣泛地應(yīng)用于平面顯示器上。請(qǐng)參見圖1A，其顯示現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管10的俯視圖，其包括顯示區(qū)12a與位于顯示區(qū)12a外圍的周邊區(qū)12b,輔助電極導(dǎo)通孔(contact hole) 14位于周邊區(qū)12b,用以與位于顯示區(qū)12a的上電極(圖中未顯示)電連接。電源從周邊區(qū)12b的輔助電極導(dǎo)通孔14輸入，之后再傳送到顯示區(qū)12a中，然而，由于傳輸距離遠(yuǎn)近造成不均勻的電流，進(jìn)而產(chǎn)生壓降(voltage drop)與亮度不均的問題，且對(duì)于大尺寸顯示器而言，壓降問題會(huì)更加顯著。為了解決壓降與亮度不均的問題，請(qǐng)參見圖1B的現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管10的俯視圖，將輔助電極裸露區(qū)16設(shè)置于顯示區(qū)12a內(nèi)并位于相鄰的像素電極18之間。然而，為了避免有機(jī)層遮蔽輔助電極裸露區(qū)16的位置，需要設(shè)置精密的金屬遮罩17，此金屬遮罩17制作不易，成本高且對(duì)準(zhǔn)不易，且制作大尺寸顯示器，大尺寸的金屬遮罩容易會(huì)有彎曲(bending)的問題。因此，業(yè)界亟需提出一種有機(jī)發(fā)光二極管，此結(jié)構(gòu)能解決上述提及的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED),包括:一基板,其中該基板包括一像素電極區(qū)與一輔助電極區(qū)；以及一絕緣層，形成于該像素電極區(qū)與該輔助電極區(qū)之間；其中該像素電極區(qū)包括；一第一電極，形成于該基板之上；一有機(jī)層，形成于該第一電極之上；一第二電極，形成于該有機(jī)層之上；其中該輔助電極區(qū)包括:一輔助電極，形成于該基板之上；一遮蔽結(jié)構(gòu)，形成于該輔助電極之上或該絕緣層之上，其中該遮蔽結(jié)構(gòu)遮蓋部分的該輔助電極，且該第二電極與該輔助電極電連接。本發(fā)明另提供一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯不器,包括:一第一基板與一第二基板相對(duì)設(shè)置；以及一本發(fā)明所述的有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)置于該第一基板與該第二基板之間。本發(fā)明所提供的有機(jī)發(fā)光二極管及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，能有效避免壓降。


圖1A至圖1B為一系列俯視圖，用以說明現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)。圖2為一俯視圖，用以說明本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)。圖3A、圖3B、圖3C至圖3D為一系列剖面圖，用以說明本發(fā)明有機(jī)發(fā)光二極管的制法。
圖4A至圖4B為一系列剖面圖，用以說明本發(fā)明蒸發(fā)源(或?yàn)R射源)與基板之間的夾角。圖5為一剖面圖，用以說明本發(fā)明遮蔽結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例。圖6為一剖面圖，用以說明本發(fā)明遮蔽結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例。圖7為一剖面圖，用以說明本發(fā)明遮蔽結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例。圖8A為一俯視圖,用以說明本發(fā)明遮蔽結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例。圖8B為一剖面圖，用以說明本發(fā)明遮蔽結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例。圖9A、圖9B、圖9C、圖9D、圖9E至圖9F為一系列俯視圖，用以說明本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管。圖10A、圖1OB至圖1OC為一系列俯視圖，用以說明本發(fā)明的輔助電極的線路配置。圖11為一剖面圖，用以說明本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。附圖標(biāo)號(hào):10、20 有機(jī)發(fā)光二極管12a 顯示區(qū)12b 周邊區(qū)14 輔助電極導(dǎo)通孔16 輔助電極裸露區(qū)17 金屬遮罩18 像素電極101 基板102 平坦層102a 像素電極區(qū)102b 輔助電極裸露區(qū)104 第一電極104a 第一電極的第一層104b 第一電極的第二層104c 第一電極的第三層106 有機(jī)層108 第二電極108a 第二電極的第一層108b 第二電極的第二層120 絕緣層134 輔助電極134a 輔助電極的第一層134b 輔助電極的第二層134c 輔助電極的第三層136 遮蔽結(jié)構(gòu)136a 遮蔽結(jié)構(gòu)的上表面136b 遮蔽結(jié)構(gòu)的下表面
138 遮蔽結(jié)構(gòu)138a 第一層類梯形結(jié)構(gòu)138b 第二層類倒梯形結(jié)構(gòu)140 遮蔽結(jié)構(gòu)Wl 遮蔽結(jié)構(gòu)的上表面的長度W2 遮蔽結(jié)構(gòu)的下表面的長度300 有機(jī)發(fā)光二極管450 派射源452 蒸發(fā)源612a 主動(dòng)區(qū)612b 周邊區(qū)710 第一基板720 第二基板
具體實(shí)施例方式為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下:圖2為本發(fā)明的頂部發(fā)射(top emission)有機(jī)發(fā)光二極管20的俯視圖，圖3A、圖3B、圖3C至圖3D為一系列沿圖2中AA’線段的剖面圖，其顯示本發(fā)明頂部發(fā)射(topemission)的有機(jī)發(fā)光二極管的制法。首先，請(qǐng)參見圖3A，提供一基板101。于被動(dòng)陣列有機(jī)發(fā)光二極管顯不器中，基板101材質(zhì)為一般的玻璃基板,于另一實(shí)施例中亦可為塑膠基板。于主動(dòng)陣列有機(jī)發(fā)光二極管顯不器中，基板101為一薄膜晶體管(TFT)基板,其基板材質(zhì)可為玻璃基板，亦可為塑膠基板。接著，于基板101之上先形成平坦層102，之后于平坦層102之上形成導(dǎo)電層，再經(jīng)由圖案化制程，形成第一電極104與輔助電極134。于主動(dòng)陣列有機(jī)發(fā)光二極管顯示器中，第一電極104電連接至薄膜晶體管(TFT)(圖中未顯示)，其薄膜晶體管TFT用以控制各個(gè)像素。之后，涂布并圖案化光刻膠層于第一電極104與輔助電極134之上，圖案化后的光刻膠層形成一絕緣層120，此絕緣層120用以定義出像素電極區(qū)102a與輔助電極區(qū)，其中未被絕緣層120覆蓋的區(qū)域定義為輔助電極裸露區(qū)102b。于本發(fā)明的實(shí)施例中，光刻膠層由正型光刻膠(positive photoresist)所組成，因此,經(jīng)過圖案化步驟后,會(huì)得到類梯形形狀的絕緣層120，意即絕緣層120具有一上表面與一下表面，且自剖面圖來看，上表面的長度短于下表面的長度。須注意的是，于像素電極區(qū)102a中，第一電極104形成于基板101之上；于輔助電極裸露區(qū)102b中，輔助電極134形成于基板101之上。第一電極104可為單層或多層的結(jié)構(gòu)，其可包括金屬層、透明導(dǎo)電層或上述的組合。而輔助電極134可為單層或多層的結(jié)構(gòu)，同樣可包括金屬層、透明導(dǎo)電層或上述的組合。第一電極104與輔助電極134可通過相同步驟或不同步驟形成，另言之，兩者是由相同或不同材料所組成。于本發(fā)明的實(shí)施例中，第一電極104包括第一層104a、第二層104b與第三層104c，其中第一層104a與第三層104c由透明導(dǎo)電層所組成，而第二層104b由金屬層所組成。同樣的，輔助電極134包括第一層134a、第二層134b與第三層134c，其中第一層134a與第三層134c由透明導(dǎo)電層所組成，而第二層134b由金屬層所組成。上述的金屬層包括鋁(Al)、鈣(Ca)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎂(Mg)、鶴(W)、鑰(Mo)或上述的合金。上述的透明導(dǎo)電層包括氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋒(indium zinc oxide, IZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide, CTO)、氧化招鋒(aluminum zinc oxide, ΑΖ0)、氧化銦錫鋒(indium tin zinc oxide, ΙΤΖ0)、氧化鋒(zincoxide)、氧化鎘(cadmium oxide, CdO)、氧化給(hafnium oxide,HfO)、氧化銦嫁鋒(indiumgallium zinc oxide, InGaZnO)、氧化銦嫁鋒續(xù)(indium gallium zinc magnesium oxide,InGaZnMgO)、氧化銦嫁續(xù)(indium gallium magnesium oxide, InGaMgO)或氧化銦嫁招(indium gallium aluminum oxide, InGaAlO)。之后，請(qǐng)參見圖3B，形成遮蔽結(jié)構(gòu)136于輔助電極134之上，遮蔽結(jié)構(gòu)136具有上表面136a與下表面136b，且上表面136a的長度Wl大于下表面136b的長度W2，亦即，遮蔽結(jié)構(gòu)136具有類倒梯形形狀。此外，遮蔽結(jié)構(gòu)136與輔助電極134之間具有一夾角α小于90度。之后，請(qǐng)參見圖3C，形成有機(jī)層106于第一電極104之上，其中有機(jī)層106從像素電極區(qū)102a經(jīng)過絕緣層120延伸至輔助電極裸露區(qū)102b。形成有機(jī)層106的方式例如蒸發(fā)法。有機(jī)層106可能由下述部分或全部材料層所組成:空穴注入層(hole injectionlayer, HIL)、空穴傳輸層(hole transporting layer, HTL)、發(fā)光層(light emittinglayer)、電子傳輸層(electron transporting layer)與電子注入層(electron injectionlayer)。接著，形成第二電極108的第一層108a于有機(jī)層106之上，其中第二電極108的第一層108a從像素電極區(qū)102a經(jīng)過絕緣層120延伸至輔助電極裸露區(qū)102b。之后，請(qǐng)參見圖3D,形成第二電極108的第二層108b于第一層108a之上,于此,完成本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管300的結(jié)構(gòu)。于本發(fā)明的實(shí)施例中，第二電極108的第一層108a由金屬層所組成，可通過蒸發(fā)法形成；第二層108b由透明導(dǎo)電層所組成，可通過濺射法(sputter)形成。須注意的是，由于有機(jī)層106與第二電極108的第一層108a由蒸發(fā)法形成，而進(jìn)行蒸發(fā)時(shí)，腔體壓力為約10-3-10_5Pa,腔體中氣體的平均自由徑(Mean free path)為約600-7000cm，而基板101與蒸發(fā)源的距離為約10-20cm，遠(yuǎn)短于自由徑長度，因此在碰到蒸發(fā)標(biāo)的前，蒸發(fā)粒子碰撞的機(jī)率非常小，蒸發(fā)粒子幾乎是直線前進(jìn)，所以當(dāng)短于平均自由徑前即遇到遮蔽物時(shí)，此時(shí)仍直線前進(jìn)的蒸發(fā)粒子就會(huì)受到阻擋而不易形成于遮蔽物下方。故當(dāng)蒸發(fā)有機(jī)層106與第二電極108的第一層108a時(shí)，因平均自由徑原理(于本實(shí)施例圖示中，指接近平行于Z軸方向移動(dòng)；于其他實(shí)施例中，可能因蒸發(fā)源擺放的位置不同而沿不同座標(biāo)軸或其他方向移動(dòng))，會(huì)受到遮蔽結(jié)構(gòu)136上表面遮蔽，而不易形成于遮蔽結(jié)構(gòu)136垂直正下方(于本實(shí)施例中是指平行Z軸方向)的位置上，另言之，由于遮蔽結(jié)構(gòu)106的類倒梯形形狀，使得有機(jī)層106與第二電極108的第一層108a并未完全覆蓋輔助電極134。之后，形成第二電極108的第二層108b時(shí)，由于進(jìn)行濺射時(shí)，腔體壓力為約0.1-1Pa,腔體中氣體的平均自由徑為約0.5-7cm,而基板101與濺射源的距離為約10-20cm,遠(yuǎn)長于自由徑長度，因此，濺射粒子于到達(dá)濺射標(biāo)的前就已經(jīng)因相互碰撞而改變行進(jìn)方向，因此濺射粒子就可以繞過遮蔽物而仍可于遮蔽物的下方形成，故當(dāng)進(jìn)行濺射第二電極108的第二層108b時(shí)，第二層108b即可繞過遮蔽結(jié)構(gòu)106而仍形成于其下方的輔助電極134之上并與輔助電極134電連接。請(qǐng)參考圖4A，圖上省略了除基板101以外的其他遮蔽結(jié)構(gòu)或電極層結(jié)構(gòu)，僅繪示作為調(diào)整角度基準(zhǔn)的基板101。于另一實(shí)施例中，亦可于濺射第二電極108的第二層108b時(shí)，調(diào)整第二層108b的濺射源450與基板101之間的濺射角Θ 1，使第二電極108的第二層108b可容易形成于遮蔽結(jié)構(gòu)106下方，并使第二電極108與輔助電極134電連接，其中，Θ I 為銳角(O < Θ I < 90)。須注意的是，于另一實(shí)施例中，亦可通過濺射法形成單層的第二電極，由于有機(jī)層并未完全覆蓋輔助電極，因此，單層的第二電極可形成于部分的輔助電極之上并與輔助電極電連接。此外，于另一實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖4B，在蒸發(fā)第二電極的第一層108a時(shí)，可通過調(diào)整第一層108a的蒸發(fā)源452與基板101之間的蒸發(fā)角θ 2( Θ 2 < Θ I)，使第二電極108的第一層108a也易于沉積于輔助電極134之上，并使第二電極108與輔助電極134達(dá)成電連接。其中，Θ I與Θ 2的角度范圍為銳角(O < Θ I < 90,0 < Θ 2 < 90且Θ 2 < Θ I)。因此，可通過調(diào)整濺射源450或蒸發(fā)源452的角度，使第二電極的第一層108a與第二層108b與輔助電極134電連接機(jī)會(huì)加大，可大大提高降低壓降的效果。本發(fā)明圖3A、圖3B、圖3C至圖3D的實(shí)施例為頂部發(fā)射(top emission)的有機(jī)發(fā)光二極管，此實(shí)施例通過遮蔽結(jié)構(gòu)136的類倒梯形形狀的設(shè)計(jì)，使有機(jī)層106與第二電極108的第一層108a并未完全覆蓋輔助電極，因而可通過第二電極的第二層108b電連接至輔助電極134,以達(dá)到降低第二電極108壓降(voltage drop)的效果。然而，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管并不限于應(yīng)用在頂部發(fā)射(top emission)，亦可應(yīng)用于底部發(fā)射的有機(jī)發(fā)光二極管。于底部發(fā)射的有機(jī)發(fā)光二極管，可形成較厚的第二電極于有機(jī)層之上，且同樣可通過遮蔽結(jié)構(gòu)的特殊形狀的設(shè)計(jì)，使第二電極形成于部分的輔助電極之上并與輔助電極電連接，以達(dá)到降低第二電極壓降(voltage drop)的效果。不論有機(jī)發(fā)光二極管為頂部或底部發(fā)射式，第一電極與第二電極至少之一為透明電極，另一為透明或不透明電極，以幫助光線發(fā)出。須注意的是，于本發(fā)明第一實(shí)施例中，遮蔽結(jié)構(gòu)136的高度低于絕緣層120。于第二實(shí)施例中，請(qǐng)參見圖5，其中遮蔽結(jié)構(gòu)136的高度高于絕緣層120。因此，不論遮蔽結(jié)構(gòu)136的高度高于、等于或是低于絕緣層120，只要遮蔽結(jié)構(gòu)136之上表面長度大于下表面長度，且遮蔽結(jié)構(gòu)136遮蓋部分的輔助電極134，以避免有機(jī)層106完全覆蓋輔助電極134，并于后續(xù)形成第二電極108時(shí)，使第二電極108可與輔助電極134電連接以減低壓降，即可達(dá)成本發(fā)明的目的而屬本發(fā)明的范圍。請(qǐng)參見圖6，其顯示本發(fā)明遮蔽結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例，圖中標(biāo)號(hào)與圖3D相同者代表相同元件，其中遮蔽結(jié)構(gòu)138包括第一層類梯形結(jié)構(gòu)138a與第二層類倒梯形結(jié)構(gòu)138b，兩層構(gòu)成類雙梯形形狀，其同樣可避免后續(xù)有機(jī)層(圖中未顯示，可參考圖3D)完全遮蓋輔助電極134，以使后續(xù)第二電極(圖中未顯示，可參考圖3D)電連接至輔助電極134，以達(dá)到降低第二電極(圖中未顯示，可參考圖3D)壓降(voltage drop)的效果。
請(qǐng)參見圖7，其顯示本發(fā)明遮蔽結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例，圖中標(biāo)號(hào)與圖6相同者代表相同元件，其中遮蔽結(jié)構(gòu)138的高度高于絕緣層120。請(qǐng)參見圖8A至圖8B，其顯示本發(fā)明遮蔽結(jié)構(gòu)的第五實(shí)施例，其中圖8A為俯視圖，而圖8B為沿著圖8A的BB’線所得的剖面圖，圖中標(biāo)號(hào)與圖3D相同者代表相同元件。于第五實(shí)施例中，遮蔽結(jié)構(gòu)140形成于絕緣層120之上，且遮蔽結(jié)構(gòu)140同樣具有類倒梯形形狀，因此，可避免后續(xù)有機(jī)層(圖中未顯示，可參考圖3D)完全覆蓋輔助電極134，以使后續(xù)第二電極(圖中未顯示，可參考圖3D)電連接至輔助電極134，以達(dá)到降低第二電極(圖中未顯示，可參考圖3D)壓降(voltage drop)的效果。請(qǐng)參見圖9A、圖9B、圖9C、圖9D、圖9E至圖9F，其顯示本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管的輔助電極裸露區(qū)具有不同圖案的實(shí)施例的俯視圖，其包括主動(dòng)區(qū)612a與位于主動(dòng)區(qū)612a外圍的周邊區(qū)612b。請(qǐng)配合參見圖10A、圖1OB至圖10C，這些圖顯示本發(fā)明的輔助電極134的線路配置俯視圖。須注意的是，于圖10A、圖1OB至圖1OC中，輔助電極134位于顯示區(qū)12a，且輔助電極134會(huì)電連接到周邊區(qū)12b的輔助電極導(dǎo)通孔(圖上未示，類似于圖1A的輔助電極導(dǎo)通孔14)，以與外部驅(qū)動(dòng)電路或電源電連接(圖上未顯示)。于圖1OA中，輔助電極134沿著每一或是間隔數(shù)列行(column and row)而排列的一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的輔助電極線路圖。圖上僅例示繪出輔助電極裸露區(qū)102b為圓弧狀的實(shí)施例，且并非需于每個(gè)輔助電極134線路交叉處均設(shè)置輔助電極裸露區(qū)102b。于其他實(shí)施例中，輔助電極裸露區(qū)102b可以為塊狀、圓弧狀或是長條狀。于圖1OB中，輔助電極134沿著每一或是間隔數(shù)列(column)而排列的輔助電極線路圖。圖上僅例示繪出輔助電極裸露區(qū)102b為圓弧狀的實(shí)施例。于其他實(shí)施例中，輔助電極裸露區(qū)102b可以為塊狀、圓弧狀或是長條狀。于圖10C中，輔助電極134沿著每一或是間隔數(shù)行(row)而排列的輔助電極線路圖。圖上僅例示繪出輔助電極裸露區(qū)102b為圓弧狀的實(shí)施例。于其他實(shí)施例中，輔助電極裸露區(qū)102b可以為塊狀、圓弧狀或是長條狀。于圖9A中，輔助電極裸露區(qū)102b為圓弧形狀，且其并未形成于每個(gè)像素電極區(qū)102a，可間隔一個(gè)或數(shù)個(gè)像素電極區(qū)才設(shè)置一個(gè)輔助電極裸露區(qū)102b。于另一實(shí)施例中，輔助電極裸露區(qū)102b可形成于每個(gè)像素電極區(qū)102a旁。而輔助電極裸露區(qū)102b下方的輔助電極則可依配置選擇不同的輔助電極線路圖案。于一實(shí)施例中，當(dāng)輔助電極裸露區(qū)形成于每個(gè)像素電極區(qū)旁時(shí)，則可選擇圖10A的網(wǎng)狀圖案的輔助電極線路圖案，亦可選擇圖10B或圖10C的輔助電極圖案。于另一實(shí)施例中，當(dāng)輔助電極裸露區(qū)間隔一個(gè)或數(shù)個(gè)像素電極區(qū)才設(shè)置一個(gè)輔助電極裸露區(qū)102b時(shí)，可選擇圖10A的網(wǎng)狀圖案，亦可選擇圖10B或圖10C的輔助電極線路圖案。由此可知，輔助電極圖案的間隔可搭配輔助電極裸露區(qū)的規(guī)劃而設(shè)置，因此，輔助電極圖案并不一定需要于每個(gè)像素間均設(shè)置輔助電極線路，亦可間隔一至數(shù)個(gè)像素才設(shè)置走線，端視設(shè)計(jì)的需要而可任意選擇任一輔助電極裸露區(qū)搭配任一輔助電極線路圖。于圖9B中，輔助電極裸露區(qū)102b為長條溝槽結(jié)構(gòu)(rectangular-shaped trench)且位于每一排(row)像素電極區(qū)102a旁，而遮蔽結(jié)構(gòu)136亦具有長條結(jié)構(gòu)。
于圖9C中，每隔N排(row)像素電極區(qū)102a之間具有一長條溝槽的輔助電極裸露區(qū)102b，其中N大于或等于I。于圖9D中，每隔N排(row)像素電極區(qū)102a之間具有一長條溝槽的輔助電極裸露區(qū)102b，其中N大于或等于1，且遮蔽結(jié)構(gòu)136為不連續(xù)的塊狀結(jié)構(gòu)或圓弧狀結(jié)構(gòu)，圖上僅繪示塊狀結(jié)構(gòu)示意圖。于圖9E中，輔助電極裸露區(qū)102b為長條溝槽結(jié)構(gòu)且位于每一排(row)像素電極區(qū)102a旁，而遮蔽結(jié)構(gòu)136為不連續(xù)的塊狀結(jié)構(gòu)或圓弧狀結(jié)構(gòu)，圖上僅繪示塊狀結(jié)構(gòu)示意圖。于圖9F中，輔助電極裸露區(qū)102b為長條溝槽結(jié)構(gòu)且位于每一列(column)像素電極區(qū)102a旁,而遮蔽結(jié)構(gòu)136亦具有長條結(jié)構(gòu)。于另一實(shí)施例中，輔助電極裸露區(qū)102b可間隔一列或數(shù)列的像素電極區(qū)102a旁設(shè)置遮蔽結(jié)構(gòu)136，其遮蔽結(jié)構(gòu)136亦具有長條結(jié)構(gòu)。圖上僅繪出其中一種實(shí)施例，亦可參考圖9A、圖9B、圖9C、圖9D至圖9E的排(row)形式而對(duì)列(column)作相對(duì)應(yīng)的調(diào)整。由上述討論得知，圖9A、圖9B、圖9C至圖9D均可任意選擇圖10A或圖10C的輔助電極線路圖案。而圖9F或其他對(duì)列(column)作調(diào)整的實(shí)施例中，亦可任意選擇搭配圖10A或圖10B的輔助電極線路圖案。通過本發(fā)明遮蔽結(jié)構(gòu)的特述形狀與位置(形成于輔助電極之上或絕緣層之上)，使得有機(jī)層并未完全覆蓋輔助電極，而使得第二電極電連接至輔助電極，以達(dá)到降低第二電極壓降(voltage drop)的效果，進(jìn)而可提升發(fā)光二極管亮度的均勻性。此外，本發(fā)明另提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，請(qǐng)參見圖11，第一基板710與第二基板720相對(duì)設(shè)置；以及本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管(如圖3D的標(biāo)號(hào)300)設(shè)置于第一基板710與第二基板720之間，其中第一基板710與第二基板720其一為薄膜晶體管基板，另一為彩色濾光片基板、觸控面板(touch panel)或封裝基板。雖然本發(fā)明已以數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括: 一基板，其中所述基板包括一像素電極區(qū)與一輔助電極區(qū)；以及 一絕緣層，形成于所述像素電極區(qū)與所述輔助電極區(qū)之間； 其中所述像素電極區(qū)包括； 一第一電極，形成 于所述基板之上； 一有機(jī)層，形成于所述第一電極之上； 一第二電極，形成于所述有機(jī)層之上； 其中所述輔助電極區(qū)包括: 一輔助電極，形成于所述基板之上； 一遮蔽結(jié)構(gòu)，形成于所述輔助電極之上或所述絕緣層之上，其中所述遮蔽結(jié)構(gòu)遮蓋所述輔助電極，且所述第二電極與所述輔助電極電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述遮蔽結(jié)構(gòu)具有一上表面與一下表面，且所述上表面的長度大于所述下表面的長度。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二電極從所述像素電極區(qū)經(jīng)過所述絕緣層延伸至所述輔助電極區(qū)。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述遮蔽結(jié)構(gòu)包括類倒梯形或類雙梯形形狀。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述絕緣層包括類梯形形狀。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述遮蔽結(jié)構(gòu)與所述輔助電極之間具有一夾角小于90度。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述遮蔽結(jié)構(gòu)的高度大于、等于或小于所述絕緣層。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述輔助電極與所述第一電極是由相同或不同材料所組成。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一電極包括金屬層、透明導(dǎo)電層或上述的組合。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述金屬層包括鋁、鈣、銀、鎳、鉻、鈦、鎂、鎢、鑰或上述的合金。
11.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎘錫、氧化鋁鋅、氧化銦錫鋅、氧化鋅、氧化鎘、氧化鉿、氧化銦鎵鋅、氧化銦鎵鋅鎂、氧化銦鎵鎂或氧化銦鎵鋁。
12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一電極與所述第二電極至少之一為透明電極，另一為透明或不透明電極。
13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述有機(jī)層由下述全部或部分材料所組成:空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層與電子注入層。
14.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述有機(jī)層從所述像素電極區(qū)經(jīng)過所述絕緣層延伸至所述輔助電極區(qū)，且所述有機(jī)層并未完全覆蓋所述輔助電極。
15.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述輔助電極區(qū)為一導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)。
16.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述輔助電極區(qū)為一長條溝槽結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，每隔N排像素電極區(qū)之間具有所述長條溝槽結(jié)構(gòu)，其中N大于或等于I。
18.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括: 一第一基板與一第二基板相對(duì)設(shè)置；以及 一如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)置于所述第一基板與所述第二基板之間。
19.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，所述第一基板與所述第二基板其一為薄膜晶體管基板，另一為彩色濾光片基板、觸控面板或封裝基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管與其所組成的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。該有機(jī)發(fā)光二極管包括一基板，其中基板包括像素電極區(qū)與輔助電極區(qū)；以及一絕緣層，形成于像素電極區(qū)與輔助電極區(qū)之間；其中像素電極區(qū)包括；第一電極，形成于基板之上；有機(jī)層，形成于第一電極之上；第二電極，形成于有機(jī)層之上；其中輔助電極區(qū)包括輔助電極，形成于基板之上；遮蔽結(jié)構(gòu)，形成于輔助電極之上或絕緣層之上，其中遮蔽結(jié)構(gòu)遮蓋部分的輔助電極，且第二電極與輔助電極電連接。
文檔編號(hào)H01L27/32GK103137891SQ20111039270
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2011年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月1日
發(fā)明者吳昶慶, 蔡旻翰, 黃浩榕 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司