專利名稱：Tft-lcd陣列基板、制造方法及驅(qū)動方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器技術領域，特別涉及一種TFT-1XD陣列基板、制造方法及驅(qū)動方法。
背景技術：
TFT-1XD(薄膜晶體管液晶顯示器)具有低電壓、微功耗、顯示信息量大、易于彩色化等優(yōu)點，在當前的顯示器市場占據(jù)了主導地位。其已被廣泛應用于電子計算機、電子記事本、移動電話、攝像機、高清電視機等電子設備中。TFT-1XD最基本的構件之一是顯示屏，所述顯示屏包括對盒而成的陣列基板和彩膜基板，以及充滿在陣列基板和彩膜基板之間的間隙內(nèi)的液晶層。所述顯示屏顯示圖像的基本原理是:通過在所述陣列基板和彩膜基板上施加作用于液晶層上的電場，控制所述液晶層分子的取向，從而控制穿透過液晶層分子的照射光線的多少，即達到調(diào)制通過液晶層的光強的目的。具體的，請參考圖1，其為現(xiàn)有的TFT-LCD陣列基板的結構示意圖。如圖1所示，陣列基板包括:多條柵極線(G1、G2、G3);與所述柵極線(G1、G2、G3)平行設置的多條公共電極線(V1、V2);與所述柵極線(G1、G2、G3)交叉設置的多條數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4);所述柵極線(G1、G2、G3)與數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4)交叉位置設置有薄膜晶體管(Tl、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8);多個像素電極(D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8);所述薄膜晶體管的柵極與柵極線連接、源極與數(shù)據(jù)線連接，漏極與像素電極連接。彩膜基板上同樣設置有公共電極線，通常，彩膜基板上的公共電極線覆蓋整個彩膜基板的顯示區(qū)域，其與陣列基板上的公共電極線通過非顯示區(qū)域的公共電極總線連接，并通過該非顯示區(qū)域的公共電極總線提供公共電壓。請參考圖2,其為現(xiàn)有的TFT-1XD顯示屏的電路等效示意圖。如圖2所示,顯示屏上的每一個像素可等效成液晶電容Cu和存儲電容Cstg的并聯(lián)結構，液晶電容Cu和存儲電容Cstg的一側電極與像素電極連接，另一側與公共電極線連接。具體的，液晶電容Cu與彩膜基板上的公共電極線連接，存儲電容Cstg與陣列基板上的公共電極線連接。通過控制所述液晶電容Cm和存儲電容Cstg,便可控制TFT-LCD顯示屏的顯示亮度等，即通過控制像素電極與公共電極線的輸入電壓，便可控制TFT-LCD顯示屏的顯示亮度等，而所述像素電極的電壓通過數(shù)據(jù)線的輸入數(shù)據(jù)加以確定。為了防止液晶在直流電場下的老化，需要對液晶兩端的電荷的極性不斷地變化。請參考圖3a 3d，其為現(xiàn)有的TFT-1XD顯示屏的驅(qū)動方式示意圖。如圖3a 3d所示，現(xiàn)有的TFT-LCD顯示屏的驅(qū)動方式包括:巾貞反轉(zhuǎn)驅(qū)動(Frame Inversion)(如圖3a所示)、行反轉(zhuǎn)驅(qū)動(Line Inversion)(如圖3b所示)、列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(Column Inversion)(如圖3c所示)和點反轉(zhuǎn)驅(qū)動(Dot Inversion)(如圖3d所示)。其中”表示數(shù)據(jù)線通過薄膜晶體管對子像素的液晶電容和存儲電容Cstg充電，最后的電壓高于彩膜基板上公共電極線電壓，就相當于像素的像素電極端充了正電荷；反之，表示像素電極端充了負電荷。目前常用的驅(qū)動方式為點反轉(zhuǎn)方式，固定公共電極線電壓，即向公共電極線提供一固定的電壓值，改變像素電極端電壓實現(xiàn)。作為存儲電容Cstg —側公共電極線的電壓通過設置于非顯示區(qū)域的公共電極總線來提供，由于公共電極線具有一定的長度，由此遠離公共電極總線的部分公共電極線位置(通常處于顯示區(qū)域中間位置)往往由于比較明顯的RC Delay的問題，當外部信號對公共電極線發(fā)生干擾時，此處容易發(fā)生電壓偏差，從而影響顯示效果。TFT-1XD顯示屏的每個像素可以用RGB三個子像素表示，通過RGB三個子像素的顯示亮度可以表現(xiàn)像素的灰階等。假設TFT-1XD顯示屏的分辨率為mXn，一般m和η為偶數(shù)，則每一行總子像素數(shù)量為3m。請參考圖4，其為特殊灰階黑白畫面的點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式示意圖，圖中RGB子像素的重復單元簡圖，RGB 一個重復單元為6個RGB子像素，其中最左側的RGB子像素顯示為全電壓，而緊接著的RGB子像素顯示為半電壓，以下顯示以此類推。如圖4所示，在此種顯示方式下，每一行所有子像素對公共電極線的干擾的電荷總量為:
+Q-Q+Q-Q/2+Q/2-Q/2......= +mQ/4,即電荷總量不為零，由此，往往將使得公共電極線上
的電壓發(fā)生偏差，從而畫面產(chǎn)生偏綠現(xiàn)象，影響顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種TFT-1XD陣列基板、制造方法及驅(qū)動方法，以解決現(xiàn)有的TFT-1XD陣列基板的顯示區(qū)域中間位置RC Delay比較明顯的問題。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種TFT-LCD陣列基板，包括:基板，所述基板包括顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域；位于所述基板上的多條柵極線及與所述柵極線平行設置的多條公共電極線；位于所述柵極線之上的多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉設置；位于所述公共電極線之上的第一公共電極總線，所述第一公共電極總線與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第一公共電極總線位于顯示區(qū)域?？蛇x的，在所述的TFT-1XD陣列基板中，所述第一公共電極總線的數(shù)量為一根，且位于顯示區(qū)域的1/2處?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，所述第一公共電極總線的數(shù)量為多根?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，所述第一公共電極總線的數(shù)量為三根，分別位于顯示區(qū)域的1/4處、1/2處及3/4/處。可選的，在所述的TFT-1XD陣列基板中，還包括開關元件，所述開關元件位于所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉處，且關于1/2處的第一公共電極總線對稱設置。可選的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，所述第一公共電極總線通過接觸孔與所述公共電極線電連接。可選的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，所述數(shù)據(jù)線與第一公共電極總線位于同
一金屬層。可選的，在所述的TFT-1XD陣列基板中，還包括位于所述公共電極線之上的第二公共電極總線，所述第二公共電極總線與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第二公共電極總線位于非顯示區(qū)域。本發(fā)明還提供一種TFT-1XD陣列基板的制造方法，包括:提供基板，所述基板包括顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域；在所述基板上形成多條柵極線及與所述柵極線平行的多條公共電極線；在所述柵極線之上形成多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉設置；在所述公共電極線之上形成第一公共電極總線，所述第一公共電極總線與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第一公共電極總線位于顯示區(qū)域?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法中，所述第一公共電極總線的數(shù)量為一根，且位于顯示區(qū)域的1/2處。可選的，在所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法中，所述第一公共電極總線的數(shù)量為多根?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法中，所述第一公共電極總線的數(shù)量為三根，分別位于顯示區(qū)域的1/4處、1/2處及3/4/處。可選的，在所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法中，在形成柵極線的同時形成柵極，在形成數(shù)據(jù)線的同時形成源極及漏極，以在所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉處形成開關元件，所述開關元件關于1/2處的第一公共電極總線對稱設置?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法中，所述第一公共電極總線通過接觸孔與所述公共電極線電連接?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法中，所述數(shù)據(jù)線與第一公共電極總線通過同一金屬層同時形成?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法中，在形成第一公共電極總線的同時形成第二公共電極總線，所述第二公共電極總線與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第二公共電極總線位于非顯示區(qū)域。本發(fā)明還提供一種TFT-1XD陣列基板的驅(qū)動方法，所述陣列基板包括:基板，所述基板包括顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域；位于所述基板上的多條柵極線及與所述柵極線平行設置的多條公共電極線；位于所述柵極線之上的多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉設置；位于所述公共電極線之上的第一公共電極總線，所述第一公共電極總線與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第一公共電極總線數(shù)量為一根且位于顯示區(qū)域的1/2處；所述驅(qū)動方法包括:所述第一公共電極總線提供固定電壓；所述數(shù)據(jù)線提供顯示電壓，所述顯示電壓的正負極性關于所述第一公共電極總線對稱，且位于所述第一公共電極總線每一側的顯示電壓以點反轉(zhuǎn)方式提供。在本發(fā)明提供的TFT-1XD陣列基板、制造方法及驅(qū)動方法中，通過將第一公共電極總線設置于顯示區(qū)域，降低了此處公共電極線的RC Delay問題，從而提高了顯示屏的顯示效果。進一步的，在本發(fā)明提供的TFT-1XD陣列基板的驅(qū)動方法中，令顯示電壓的的正負極性關于第一公共電極總線對稱，且位于所述第一公共電極總線每一側的顯示電壓以點反轉(zhuǎn)方式提供。當外部信號對公共電極線發(fā)生干擾時，降低公共電極線上的電壓偏差量，提聞顯不效果。


圖1是現(xiàn)有的TFT-1XD陣列基板的結構示意圖；圖2是現(xiàn)有的TFT-1XD顯示屏的電路等效示意圖；圖3a 3d是現(xiàn)有的TFT-1XD顯示屏的驅(qū)動方式示意圖；圖4是特殊灰階黑白畫面的點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式示意圖5是本發(fā)明的TFT-1XD陣列基板的結構示意圖；圖6是圖5所示的TFT-1XD陣列基板中AA’的剖面示意圖；圖7是圖5所述的TFT-1XD陣列基板的特殊灰階黑白畫面的點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式示意圖。
具體實施例方式以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明提供的TFT-LCD陣列基板、制造方法及驅(qū)動方法作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。請參考圖5，其為本發(fā)明的TFT-LCD陣列基板的結構示意圖。如圖5所示，陣列基板I包括:基板100,所述基板100包括顯示區(qū)域10與非顯示區(qū)域11 ；位于所述基板100上的多條柵極線G1、G2、G3及與所述柵極線平行設置的多條公共電極線V1、V2 ；位于所述柵極線之上的多條數(shù)據(jù)線S1、S2、S3、S4，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉
設置；位于所述公共電極線之上的第一公共電極總線VBl，所述第一公共電極總線VBl與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第一公共電極總線VBl位于顯示區(qū)域10。通過將第一公共電極總線VBl設置于顯示區(qū)域10，從而減小了公共電壓至顯示區(qū)域中間位置(例如，圖5中數(shù)據(jù)線S2、S3之間的部分顯示區(qū)域)的公共電極線所經(jīng)過的距離，從而降低了此處公共電極線的RC Delay問題，從而提高了顯示屏的顯示效果。優(yōu)選的，所述第一公共電極總線VBl的數(shù)量為一根，且位于顯示區(qū)域10的1/2處。所述用語“1/2處”指顯示區(qū)域10正中間位置。當將向公共電極線V1、V2提供公共電壓的第一公共電極總線VBl設置于顯示區(qū)域10時，其相對于設置于非顯示區(qū)域11，距顯示區(qū)域10中間位置的公共電極線的距離更近，從而更能有效降低此處公共電極線的RC Delay問題，提高顯示屏的顯示效果。在本實施例中，所述陣列基板I還包括位于所述公共電極線之上的第二公共電極總線VB2，所述第二公共電極總線VB2與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第二公共電極總線VB2位于非顯示區(qū)域11。在降低顯示區(qū)域10中間位置處公共電極線V1、V2的RC Delay問題的同時，為了進一步提高顯示屏的顯示質(zhì)量，降低顯示區(qū)域10邊側位置處公共電極線V1、V2的RC Delay問題，在本實施例中，同時在非顯示區(qū)域11設置第二公共電極總線VB2。所述第二公共電極總線VB2的數(shù)量為兩根，分別位于平行于數(shù)據(jù)線的兩側非顯示區(qū)域11。需說明的是，所述第一公共電極總線VBl與第二公共電極總線VB2連接相同的公共電壓，在此，只是為了本申請文件描述的清楚與簡便而加以如此區(qū)分。在本實施例中，所述第一公共電極總線VBl與數(shù)據(jù)線S1、S2、S3、S4位于同一金屬層，即通過同一金屬層形成所述第一公共電極總線VBl與數(shù)據(jù)線S1、S2、S3、S4。由此，可在不增加工藝復雜度的情況下，降低顯示區(qū)域10中間位置處公共電極線V1、V2的RC Delay問題。當然，在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一公共電極總線VBl與數(shù)據(jù)線S1、S2、S3、S4也可位于不同金屬層。例如，在形成數(shù)據(jù)線S1、S2、S3、S4之前，先通過一金屬層形成所述第一公共電極總線VBl。在本實施例中，所述公共電極線V1、V2位于第一金屬層,所述第一公共電極總線VBl與數(shù)據(jù)線S1、S2、S3、S4位于第二金屬層，所述公共電極線V1、V2與第一公共電極總線VBl之間的電連接通過接觸孔C1、C2實現(xiàn)。此外，在本實施例中，所述公共電極線V1、V2也通過接觸孔(圖5中未示出)與第二公共電極總線VB2電連接。具體的，請參考圖6，其為圖5所示的TFT-1XD陣列基板中AA’的剖面示意圖。如圖6所示，公共電極線Vl位于基板100上，第一公共電極總線VBl位于公共電極線Vl之上，所述一公共電極總線VBl與公共電極線Vl之間還有絕緣層予以隔離，通常該絕緣層為柵絕緣層，通過接觸孔Cl，所述一公共電極總線VBl與公共電極線Vl連接。需說明的是，在本申請文件的用語中，“上”指兩器件或者膜層之間沒有其他器件或者膜層；而“之上”指兩器件或者膜層之間還有其他器件或者膜層。進一步的，所述陣列基板I還包括開關元件T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8，所述開關元件位于所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉處，且關于所述第一公共電極總線VBl對稱設置。具體的，所述開關元件為薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵極線連接，所述薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線連接。所述陣列基板I還包括像素電極Dl、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極連接。當所述開關元件關于所述第一公共電極總線VBl對稱設置時，所述像素電極也關于所述第一公共電極總線VBl對稱設置。通過將所述開關元件關于第一公共電極總線VBl對稱設置，避免了由于在數(shù)據(jù)線的同一金屬層引入了第一公共電極總線VBl而造成的像素設置的不平衡等問題，從而提高顯示質(zhì)量。當然，所述開關元件也可不關于所述第一公共電極總線VBl對稱設置。此外，若所述第一公共電極總線VBl與數(shù)據(jù)線S1、S2、S3、S4位于不同金屬層，所述開關元件也可不關于所述第一公共電極總線VBl對稱設置。綜上，在本實施例中，通過在顯示區(qū)域10的1/2處設置一第一公共電極總線VB1，以降低中間位置公共電極線的RC Delay問題，從而提高了顯示屏的顯示效果。在本發(fā)明的其他實施例中，為了進一步降低中間位置公共電極線的RCDelay問題，可在顯示區(qū)域10設置多根第一公共電極總線VB1。優(yōu)選的，可在顯示區(qū)域顯示區(qū)域10的1/2處、1/4處、及3/4處設置三根第一公共電極總線VB1。在這種情況下，數(shù)據(jù)線和柵極線交叉處的開關元件、及與開關元件連接的像素電極可關于1/2處的第一公共電極總線VBl對稱設置。相應的，本發(fā)明還提供一種TFT-1XD陣列基板的制造方法。所述TFT-1XD陣列基板的制造方法包括:SlO:提供基板，所述基板包括顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域。Sll:在所述基板上形成多條柵極線及與所述柵極線平行的多條公共電極線。具體的，可在所述基板上形成第一金屬層，刻蝕所述第一金屬層形成多條柵極線及與所述柵極線平行的多條公共電極線，同時，還可形成薄膜晶體管的柵極，所述柵極與所述柵極線連接。
S12:在所述柵極線之上形成多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉設置。具體的，可首先形成柵絕緣層，所述柵絕緣層覆蓋所述柵極線及公共電極線，用以將所述柵極線及公共電極線與后續(xù)形成的其他金屬層隔離，例如與數(shù)據(jù)線隔離；其次，形成非晶硅層，所述非晶硅層覆蓋所述柵絕緣層，通過所述非晶硅層以形成薄膜晶體管的功能元件；再接著，在所述非晶硅層上形成第二金屬層，刻蝕所述第二金屬層形成數(shù)據(jù)線，同時，還可形成薄膜晶體管的源極及漏極，所述源極與漏極跨接于所述非晶硅層上，并且，所述源極與所述數(shù)據(jù)線連接。S13:在所述公共電極線之上形成第一公共電極總線，所述第一公共電極總線與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第一公共電極總線位于顯示區(qū)域。在本實施例中，所述第一公共電極總線與所述數(shù)據(jù)線同時形成，即通過刻蝕第二金屬層形成，同時，在形成第二金屬層之前，可刻蝕第一公共電極總線與公共電極線交叉位置處的柵絕緣層和/或非晶硅層，以形成接觸孔，從而便于第一公共電極總線與公共電極線連接。在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一公共電極總線也通過其他金屬層形成，例如，在所述第二金屬層之后，形成第三金屬層，通過刻蝕該第三金屬層形成所述第一公共電極總線。此外，在本實施例中，通過刻蝕第二金屬層還可同時形成第二公共電極總線。相應的，本發(fā)明還提供一種TFT-1XD陣列基板的驅(qū)動方法。所述TFT-1XD陣列基板包括:基板，所述基板包括顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域；位于所述基板上的多條柵極線及與所述柵極線平行設置的多條公共電極線；位于所述柵極線之上的多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉設置；位于所述公共電極線之上的第一公共電極總線，所述第一公共電極總線與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第一公共電極總線數(shù)量為一根且位于顯示區(qū)域的1/2處；所述驅(qū)動方法包括:所述第一公共電極總線提供固定電壓；所述數(shù)據(jù)線提供顯示電壓，所述顯示電壓的正負極性關于所述第一公共電極總線對稱，且位于所述第一公共電極總線每一側的顯示電壓以點反轉(zhuǎn)方式提供。根據(jù)背景技術的描述可知，“ + ”表示數(shù)據(jù)線通過薄膜晶體管對像素的液晶電容Qc和存儲電容Cstg充電，最后的電壓高于彩膜基板上公共電極線電壓，就相當于像素的像素電極端充了正電荷，在此，就相當于所述數(shù)據(jù)線提供顯示電壓，所述顯示電壓的極性為正；反之，表示像素電極端充了負電荷，在此，就相當于所述數(shù)據(jù)線提供顯示電壓，所述顯示電壓的極性為負。請參考圖7，其為圖5所示的TFT-1XD陣列基板的特殊灰階黑白畫面的點反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式示意圖。圖中RGB子像素顯示中央?yún)^(qū)域的重復單元簡圖，其余部分顯示部分可以以此類推，RGB 一個重復單元為6個RGB子像素，其中最左側的RGB子像素顯示為全電壓，而緊接著的RGB子像素顯示為半電壓，右側顯示電壓以第一公共電極總線VBl與左側電壓對稱設置。對圖7所示的每一行所有子像素的電荷總量進行相加，將得到電荷總量為零，而且由于最中間的兩個子像素之間存在第一公共電極總線VB1，畫面中央的撕裂感會大大減輕。由此，可避免公共電極線上的電壓發(fā)生偏差，提高顯示效果。上述描述僅是對本發(fā)明較佳實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領域的普通技術人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權利要求書的保護范圍。
權利要求
1.一種TFT-1XD陣列基板，其特征在于，包括: 基板，所述基板包括顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域； 位于所述基板上的多條柵極線及與所述柵極線平行設置的多條公共電極線； 位于所述柵極線之上的多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉設置； 位于所述公共電極線之上的第一公共電極總線，所述第一公共電極總線與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第一公共電極總線位于顯示區(qū)域。
2.如權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極總線的數(shù)量為一根，且位于顯示區(qū)域的1/2處。
3.如權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極總線的數(shù)量為多根。
4.如權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極總線的數(shù)量為三根，分別位于顯示區(qū)域的1/4處、1/2處及3/4/處。
5.如權利要求2或4所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，還包括開關元件，所述開關元件位于所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉處，且關于1/2處的第一公共電極總線對稱設置。
6.如權利要求1至4中的任一項所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極總線通過接觸孔與所述公共電極線電連接。
7.如權利要求1至 4中的任一項所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與第一公共電極總線位于同一金屬層。
8.如權利要求1至4中的任一項所述的TFT-1XD陣列基板，其特征在于，還包括位于所述公共電極線之上的第二公共電極總線，所述第二公共電極總線與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第二公共電極總線位于非顯示區(qū)域。
9.一種TFT-1XD陣列基板的制造方法，其特征在于，包括: 提供基板，所述基板包括顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域； 在所述基板上形成多條柵極線及與所述柵極線平行的多條公共電極線； 在所述柵極線之上形成多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉設置； 在所述公共電極線之上形成第一公共電極總線，所述第一公共電極總線與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第一公共電極總線位于顯示區(qū)域。
10.如權利要求9所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一公共電極總線的數(shù)量為一根，且位于顯示區(qū)域的1/2處。
11.如權利要求9所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一公共電極總線的數(shù)量為多根。
12.如權利要求11所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一公共電極總線的數(shù)量為三根，分別位于顯示區(qū)域的1/4處、1/2處及3/4/處。
13.如權利要求9或12所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成柵極線的同時形成柵極，在形成數(shù)據(jù)線的同時形成源極及漏極，以在所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉處形成開關元件，所述開關元件關于1/2處的第一公共電極總線對稱設置。
14.如權利要求9至12中的任一項所述的TFT-1XD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一公共電極總線通過接觸孔與所述公共電極線電連接。
15.如權利要求9至12中的任一項所述的TFT-1XD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與第一公共電極總線通過同一金屬層同時形成。
16.如權利要求9至12中的任一項所述的TFT-1XD陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成第一公共電極總線的同時形成第二公共電極總線，所述第二公共電極總線與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第二公共電極總線位于非顯示區(qū)域。
17.—種TFT-LCD陣列基板的驅(qū)動方法，所述陣列基板包括:基板，所述基板包括顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域；位于所述基板上的多條柵極線及與所述柵極線平行設置的多條公共電極線；位于所述柵極線之上的多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉設置；位于所述公共電極線之上的第一公共電極總線，所述第一公共電極總線與所述公共電極線交叉設置，且與所述公共電極線電連接，所述第一公共電極總線數(shù)量為一根且位于顯示區(qū)域的1/2處； 所述驅(qū)動方法包括:所述第一公共電極總線提供固定電壓； 所述數(shù)據(jù)線提供顯示電壓，所述顯示電壓的正負極性關于所述第一公共電極總線對稱，且位于所述第一公共電極總線每一側的顯示電壓以點反轉(zhuǎn)方式提供。
全文摘要
本發(fā)明提供一種TFT-LCD陣列基板、制造方法及驅(qū)動方法，通過將第一公共電極總線設置于顯示區(qū)域，降低了此處公共電極線的RC Delay問題，從而提高了顯示屏的顯示效果。進一步的，在本發(fā)明提供的TFT-LCD陣列基板的驅(qū)動方法中，令顯示電壓的的正負極性關于第一公共電極總線對稱，且位于所述第一公共電極總線每一側的顯示電壓以點反轉(zhuǎn)方式提供。當外部信號對公共電極線發(fā)生干擾時，降低公共電極線上的電壓偏差量，提高顯示效果。
文檔編號H01L27/02GK103137617SQ201110392769
公開日2013年6月5日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權日2011年11月30日
發(fā)明者曹兆鏗 申請人:上海中航光電子有限公司