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一種led晶片的制作方法

文檔序號:7167231閱讀:240來源:國知局
專利名稱:一種led晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及LED照明領(lǐng)域,尤其涉及一種包括P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的LED晶片。
背景技術(shù)
LED發(fā)光照明目前已經(jīng)成為十分普及的照明設(shè)施,其依靠LED晶片作為光源,該晶片主體由發(fā)光PN結(jié)構(gòu)成,包括P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體,當(dāng)兩種半導(dǎo)體之間發(fā)生電子或空穴的遷移時,將發(fā)生電致發(fā)光效應(yīng),產(chǎn)生明亮的光芒,與其它照明燈相比,在等同功率下, LED晶片發(fā)光亮度高,顏色純,因此,為節(jié)能照明的首選部件。由于受到材料的限制,對于普通的LED晶片,構(gòu)成PN結(jié)的兩種半導(dǎo)體為非透明體, 而電致發(fā)光效應(yīng)則產(chǎn)生與兩種半導(dǎo)體的接觸面上,因此,只有接觸面外周的光能可以外泄照明,而接觸面中央的光芒卻無法導(dǎo)出照明,因此,其光能的浪費(fèi)仍然較大,LED晶片發(fā)光亮度仍然有所局限。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題,本發(fā)明的目的在于提供一種LED晶片,該LED晶片可以使PN 結(jié)上產(chǎn)生的光能絕大部分向外泄露,在較大程度上提高了同等功率LED晶片的發(fā)光亮度。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是該LED晶片包括P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體,兩者相互對置,且在所述P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體之間設(shè)置有透明體,該透明體由兩塊通過平整斜面拼合的透明塊構(gòu)成;所述P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的對置面由導(dǎo)體連接;所述P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體的端部均設(shè)有導(dǎo)電引腳。作為優(yōu)選,連接所述P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體之間的所述導(dǎo)體為導(dǎo)電銅線。作為優(yōu)選,所述P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體的對置面上分別鍍有一層透明導(dǎo)電層,從而使由所述導(dǎo)體傳遞的電子或空穴可通過該透明導(dǎo)電層均勻地進(jìn)入所述對置面。作為優(yōu)選,所述透明體由玻璃塊或?qū)針渲瑝K構(gòu)成,既具有良好的透光性,又具有良好的散熱性。作為優(yōu)選,拼合成所述透明體的所述兩塊透明塊所形成的平整斜面與所述P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體的連線呈45°,從而可對所述對置面之間的平行光進(jìn)行垂直反射,以達(dá)到最大的反射性能。本發(fā)明的有益效果在于該LED晶片通電后,所述P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的對置面通過所述導(dǎo)體交換空穴和電子,并在所述對置面上發(fā)生電致發(fā)光效應(yīng),所產(chǎn)生的光射向所述透明體中央的所述平整斜面上,經(jīng)由該平整斜面向外反射,從而使PN結(jié)中產(chǎn)生的大部分光能均提供有效照明,大大提高了 LED晶片照明亮度。


圖1是本發(fā)明一種LED晶片發(fā)光部位的結(jié)構(gòu)圖2是由本發(fā)明一種LED晶片所構(gòu)成的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、P型半導(dǎo)體;12、導(dǎo)電銅線;2、N型半導(dǎo)體;3、透明體;30、平整斜面;4、環(huán)氧樹脂;5、導(dǎo)電引腳;51、金線;6、電極。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明
在圖1所示的實(shí)施例中,該LED晶片包括P型半導(dǎo)體1、N型半導(dǎo)體2,兩者相互對置, 且在所述P型半導(dǎo)體1、N型半導(dǎo)體2之間設(shè)置有透明體3,該透明體3由兩塊通過平整斜面30拼合的透明塊構(gòu)成;所述P型半導(dǎo)體1和N型半導(dǎo)體2的對置面由導(dǎo)電銅線12連接; 所述P型半導(dǎo)體1、N型半導(dǎo)體2的端部均設(shè)有導(dǎo)電引腳5。上述的LED晶片,所述P型半導(dǎo)體1、N型半導(dǎo)體2的對置面上分別鍍有一層透明導(dǎo)電層,如氧化銦錫,從而使由所述導(dǎo)電銅線12傳遞的電子或空穴可通過該透明導(dǎo)電層均勻地進(jìn)入所述對置面,使PN結(jié)中產(chǎn)生面光源。上述的LED晶片,所述透明體3由玻璃塊或?qū)針渲瑝K構(gòu)成,既具有良好的透光性,又具有良好的散熱性。上述的LED晶片,拼合成所述透明體3的所述兩塊透明塊所形成的平整斜面30與所述P型半導(dǎo)體1、N型半導(dǎo)體2的連線呈45°,從而可對所述對置面之間的平行光進(jìn)行垂直反射,以達(dá)到最大的反射性能。上述LED晶片通電后,所述P型半導(dǎo)體1和N型半導(dǎo)體2的對置面通過導(dǎo)電銅線 12交換空穴和電子,并在所述對置面上發(fā)生電致發(fā)光效應(yīng),所產(chǎn)生的光射向所述透明體3 中央的所述平整斜面30上,經(jīng)由該平整斜面30向外反射,從而使PN結(jié)中產(chǎn)生的大部分光能均提供有效照明,大大提高了 LED晶片照明亮度。由圖1實(shí)施例所構(gòu)成的一個發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)如圖2所示,PN結(jié)周圍包裹環(huán)氧樹脂4,該環(huán)氧樹脂內(nèi)可摻入熒光粉,以改善光照的柔和度,設(shè)置于P型半導(dǎo)體1和N型半導(dǎo)體 2端部的所述導(dǎo)電引腳5分別通過金線51與設(shè)置于環(huán)氧樹脂4外部的電極6相接。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種LED晶片,包括P型半導(dǎo)體(1 )、N型半導(dǎo)體(2),兩者相互對置,其特征在于在所述P型半導(dǎo)體(1)、N型半導(dǎo)體(2)之間設(shè)置有透明體(3),該透明體(3)由兩塊通過平整斜面(30)拼合的透明塊構(gòu)成;所述P型半導(dǎo)體(1)和N型半導(dǎo)體(2)的對置面由導(dǎo)體連接; 所述P型半導(dǎo)體(1)、N型半導(dǎo)體(2)的端部均設(shè)有導(dǎo)電引腳(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED晶片,其特征在于連接所述P型半導(dǎo)體(1)、N型半導(dǎo)體(2 )之間的所述導(dǎo)體為導(dǎo)電銅線(12 )。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED晶片,其特征在于所述P型半導(dǎo)體(1)、N型半導(dǎo)體(2) 的對置面上分別鍍有一層透明導(dǎo)電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED晶片,其特征在于所述透明體(3)由玻璃塊或?qū)針渲瑝K構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求4所述的LED晶片,其特征在于拼合成所述透明體(3) 的所述兩塊透明塊所形成的平整斜面(30)與所述P型半導(dǎo)體(1)、N型半導(dǎo)體(2)的連線呈 45°。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種LED晶片,包括P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體,兩者相互對置,且在所述P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體之間設(shè)置有透明體,該透明體由兩塊通過平整斜面拼合的透明塊構(gòu)成;所述P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的對置面由導(dǎo)體連接;所述P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體的端部均設(shè)有導(dǎo)電引腳。該LED晶片可以使PN結(jié)上產(chǎn)生的光能絕大部分向外泄露,在較大程度上提高了同等功率LED晶片的發(fā)光亮度。
文檔編號H01L33/60GK102437277SQ201110403970
公開日2012年5月2日 申請日期2011年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月8日
發(fā)明者錢玉明 申請人:蘇州市世紀(jì)晶源電力科技有限公司
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