專利名稱：襯底、襯底的制作方法和使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路或LED器件制造工藝領(lǐng)域，特別涉及用于制作集成電路器件或LED器件的襯底、襯底的制作方法和使用方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED，Light Emitting Diode)是能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)換為可見光的光電器件。現(xiàn)有的利用氮化鎵為代表的II1-V族化合物半導體由于具有帶隙寬、發(fā)光效率高、電子飽和漂移速度高、化學性質(zhì)穩(wěn)定等特點在高亮度藍、綠光發(fā)光二極管等光電器件領(lǐng)域具有巨大的應用潛力，引起了人們的廣泛關(guān)注。現(xiàn)有技術(shù)通常是在襯底(材質(zhì)可以為藍寶石等)上采用氣相沉積的方法形成發(fā)光層，然后通過減薄、切割、裂片等多個工藝步驟，將藍寶石襯底分為多個LED器件(也稱為芯片單元，die)。在申請?zhí)枮?01010620248.X的中國專利申請中可以發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于現(xiàn)有的LED芯片及其制作方法的信息。在實際中，發(fā)現(xiàn)形成有發(fā)光層的襯底經(jīng)過減薄、切割和裂片后獲得的LED器件的成品率(yield)較低，高質(zhì)量LED器件的產(chǎn)量較少，成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例解決的問題是提供了一種襯底、襯底的制作方法和使用方法，所述襯底的被動面形成有預切割通道，在形成LED器件或集成電路器件的過程中，所述預切割通道可以將襯底上的應力釋放，從而減小或消除襯底上的應力，有利于提高LED器件的良率。并且上述形成有預切割通道的襯底在LED器件或集成電路器件形成后，可以直接進行裂片，無需進行減薄、切割步驟，從而減少工藝步驟，簡化工藝流程，提高LED器件的成品率、提高LED器件的產(chǎn)量，降低LED器件的成本。為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了一種襯底，所述襯底具有相對設(shè)置的主動面和被動面，所述主動面用于形成LED器件或集成電路器件，所述被動面具有多條預切割通道，所述預切割通道用于在形成所述LED器件或集成電路器件的工藝過程中釋放所述襯底上的應力，所述預切割通道的位置與即將形成的LED器件或集成電路器件的位置對應?？蛇x地，所述預切割通道的深度范圍為所述襯底厚度1/4 7/8?？蛇x地，所述襯底的材質(zhì)為藍寶石、ZnO、SiC、硅、玻璃中的一種或者其中的組合。相應地，本發(fā)明還提供一種襯底的制作方法，包括:提供初始襯底，所述初始襯底具有相對設(shè)置的主動面和被動面，所述主動面用于形成LED器件或集成電路器件，所述被動面用于形成預切割通道；在形成所述LED器件或集成電路器件之前，在所述初始襯底的被動面形成預切割通道。可選地，所述預切割通道的深度范圍為所述初始襯底的厚度的1/4 7/8?？蛇x地，所述預切割通道的制作方法包括:刻蝕、機械劃片、激光切割中的一種或多種。可選地，在所述預切割通道形成之后、形成所述LED器件或集成電路器件之前，還包括:對所述襯底的被動面和預切割通道進行清潔的步驟。相應地，本發(fā)明還提供一種襯底的使用方法，在所述主動面形成LED器件或集成電路器件后，沿所述預切割通道進行裂片步驟，將所述襯底分為多個LED器件或集成電路器件。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例具有以下優(yōu)點:本發(fā)明實施例所述襯底具有相對設(shè)置的主動面和被動面，所述主動面用于形成LED器件或集成電路器件，所述被動面具有多條預切割通道，所述預切割通道用于在形成所述LED器件或集成電路器件的工藝過程中釋放所述襯底上的應力，所述預切割通道的位置與即將形成的LED器件或集成電路器件的位置對應，在LED器件或集成電路器件形成后，無需進行減薄、切割步驟，而可以直接沿所述預切割通道進行裂片即可以將襯底分為多個LED器件或半導體器件，從而減小對LED器件或集成電路器件的損傷，提高LED芯片切割后的成品率、提高LED器件或集成電路器件的產(chǎn)量，降低LED器件或集成電路器件的成本；進一步優(yōu)化地，在預切割通道形成后，對襯底的被動面和預切割通道進行清洗，以減少預切割通道形成過程中在襯底的被動面和預切割通道中造成的污染，提高LED器件或集成電路器件的良率。


圖1是本發(fā)明的襯底的被動面的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式現(xiàn)有的襯底在氣相沉積工藝后的減薄切割過程切割會對LED器件或集成電路器件造成損傷，使得LED器件或集成電路器件的良率較低。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，由于襯底本身材質(zhì)硬度較大(通常為藍寶石、碳化硅等材質(zhì))，在減薄切割的過程中，襯底容易破裂，LED器件容易受到損傷。并且由于襯底在形成LED器件或集成電路器件的過程中沉積薄膜的工藝(比如形成GaN薄膜的MOCVD工藝)等在襯底上形成了應力，該應力使得襯底在形成切割溝槽的過程中更加容易破裂，不僅會造成大量的LED器件報廢，降低了 LED器件或集成電路器件的良率，也提高了 LED器件或集成電路器件的成本。為了解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了一種襯底，所述襯底具有相對設(shè)置的主動面和被動面，所述主動面用于形成LED器件或集成電路器件，所述被動面具有多條沿二維方向排布的預切割通道，所述預切割通道用于在形成所述LED器件或集成電路器件的工藝過程中釋放所述襯底上的應力，所述預切割通道的位置與即將形成的LED器件或集成電路器件的位置對應。具體地，請參考圖1所示的本發(fā)明一個實施例的襯底的被動面的結(jié)構(gòu)示意圖。襯底10的被動面上形成多條預切割通道101。作為一個實施例，一部分預切割通道沿圖中X方向平行排布，另一部分預切割通道沿圖中Y方向(所述Y方向垂直于X方向)平行排布。所述預切割通道將襯底10的被動面分為多個區(qū)域，每個區(qū)域?qū)囊r底用于形成LED器件或集成電路器件。所述預切割通道101的深度范圍為所述襯底10的厚度的1/4 7/8，例如，所述預切割通道101的厚度范圍可以為襯底10的厚度的1/4、1/2、2/3、7/8等，具體的數(shù)值本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)襯底10的尺寸、以及LED器件或集成電路器件的尺寸進行具體的設(shè)置。所述預切割通道101的位置應與要形成的LED器件或集成電路器件的位置對應。所述襯底10的材質(zhì)可以為藍寶石、ZnO、SiC、Si或玻璃中的一種或多種。上述襯底形成后，可以用于LED器件或集成電路器件的制作工藝，由于襯底上形成了預切割通道，對于LED器件或集成電路器件制造廠而言，只要購買上述襯底，進行LED器件或集成電路的制造，然后直接進行裂片工藝，無需購買減薄、切割等工藝設(shè)備，不僅節(jié)約了工藝步驟，也減少了設(shè)備投資，降低了 LED器件的成本。由于預切割通道可以釋放LED器件或集成電路器件制作過程中在襯底上形成應力，從而提高了 LED器件的良率。相應地，本發(fā)明還提供一種襯底的制作方法，包括:提供初始襯底，所述初始襯底具有相對設(shè)置的主動面和被動面，所述主動面用于形成LED器件或集成電路器件，所述被動面用于形成預切割通道；在形成所述LED器件或集成電路器件之前，在所述初始襯底的被動面形成預切割通道。本發(fā)明實施例所述的初始襯底的材質(zhì)可以為藍寶石、氮化硅或ZnO等材質(zhì)，也可以為硅、鍺等材質(zhì)。所述初始襯底的尺寸與現(xiàn)有技術(shù)相同。作為一個實施例，所述預切割通道的深度范圍為所述初始襯底的厚度的1/4 7/8。所述預切割通道的制作方法包括:刻蝕、機械劃片、激光切割中的一種或多種。作為一個實施例，所述預切割通道的制作方法為干法刻蝕方法，所述干法刻蝕可以為ICP或RIE工藝，采用的刻蝕氣體可以為氯氣、CHCl2, CHCl3中的一種或其混合，當然，采用的氣體也可以為其他的含氯等離子體的氣體。所述機械劃片或激光切割的方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，作為本來能夠與技術(shù)人員的公知技術(shù)，在此不作詳細的說明。作為本發(fā)明的又一實施例，在所述預切割通道形成之后、形成所述LED器件或集成電路器件之前，還包括:對所述襯底的被動面和預切割通道進行清潔的步驟。所述清潔主要是為了將形成所述預切割通道過程中在襯底的被動面和預切割通道中形成的顆粒等污染物去除，防止上述污染物對后續(xù)的工藝造成污染，影響LED器件或集成電路器件的良率。相應地，本發(fā)明還提供一種襯底的使用方法，所述襯底為被動面上形成有預切割通道的襯底。首先提供所述被動面上形成有預切割通道的襯底，然后在所述襯底上形成LED器件或集成電路器件，接著沿所述預切割通道進行裂片步驟，將所述襯底分為多個LED器件或集成電路器件，由于在LED器件或集成電路器件芯片形成后無需進行傳統(tǒng)的減薄、切割等步驟，而是直接進行裂片步驟，因而減少了對LED器件或集成電路器件芯片的損傷，提高了 LED器件或集成電路器件的良率。對于LED器件或集成電路器件的制造廠商，只需要采購上述形成有預切割通道的襯底，進行相應的LED器件或集成電路器件芯片的制作工藝，在LED器件或集成電路器件芯片形成后，直接進行裂片，減少了 LED器件或集成電路器件制造廠商的工藝步驟和成本，并且，由于上述預切割通道具有減少襯底上的應力的作用，也進一步提高了 LED器件或集成電路器件的良率。綜上，本發(fā)明實施例所述襯底具有相對設(shè)置的主動面和被動面，所述主動面用于形成LED器件或集成電路器件，所述被動面具有多條預切割通道，所述預切割通道用于在形成所述LED器件或集成電路器件的工藝過程中釋放所述襯底上的應力，所述預切割通道的位置與即將形成的LED器件或集成電路器件的位置對應，在LED器件或集成電路器件形成后，無需進行減薄、切割步驟，而可以直接沿所述預切割通道進行裂片即可以將襯底分為多個LED器件或半導體器件，從而減小對LED器件或集成電路器件的損傷，提高LED芯片切割后的成品率、提高LED器件或集成電路器件的產(chǎn)量，降低LED器件或集成電路器件的成本；進一步優(yōu)化地，在預切割通道形成后，對襯底的被動面和預切割通道進行清洗，以減少預切割通道形成過程中在襯底的被動面和預切割通道中造成的污染，提高LED器件或集成電路器件的良率。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種襯底，其特征在于，所述襯底具有相對設(shè)置的主動面和被動面，所述主動面用于形成LED器件或集成電路器件，所述被動面具有多條預切割通道，所述預切割通道用于在形成所述LED器件或集成電路器件的工藝過程中釋放所述襯底上的應力，所述預切割通道的位置與即將形成的LED器件或集成電路器件的位置對應。
2.如權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于，所述預切割通道的深度范圍為所述襯底厚度 1/4 7/8。
3.如權(quán)利要求1所述的襯底，其特征在于，所述襯底的材質(zhì)為藍寶石、ZnO,SiC、硅、玻璃中的一種或者其中的組合。
4.如權(quán)利要求1所述的襯底的制作方法，其特征在于，包括:提供初始襯底，所述初始襯底具有相對設(shè)置的主動面和被動面，所述主動面用于形成LED器件或集成電路器件，所述被動面用于形成預切割通道； 在形成所述LED器件或集成電路器件之前，在所述初始襯底的被動面形成預切割通道。
5.如權(quán)利要求4所述的襯底的制作方法，其特征在于，所述預切割通道的深度范圍為所述初始襯底的厚度的1/4 7/8。
6.如權(quán)利要求4所述的襯底的制作方法，其特征在于，所述預切割通道的制作方法包括:刻蝕、機械劃片、激光切割中的一種或多種。
7.如權(quán)利要求4所述的襯底的制作方法，其特征在于，在所述預切割通道形成之后、形成所述LED器件或集成電路器件之前，還包括:對所述襯底的被動面和預切割通道進行清潔的步驟。
8.如權(quán)利要求1所述的襯底的使用方法，其特征在于，在所述主動面形成LED器件或集成電路器件后，沿所述預切割通道進行裂片步驟，將所述襯底分為多個LED器件或集成電路器件。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供一種襯底、襯底的制作方法和使用方法，所述襯底的被動面形成有預切割通道，在形成LED器件或集成電路器件的過程中，所述預切割通道可以將襯底上的應力釋放，從而減小或消除襯底上的應力，有利于提高LED器件的良率。并且上述形成有預切割通道的襯底在LED器件或集成電路器件形成后，可以直接進行裂片，無需進行減薄、切割步驟，從而減少工藝步驟，簡化工藝流程，提高LED器件的成品率、提高LED器件的產(chǎn)量，降低LED器件的成本。
文檔編號H01L33/20GK103078028SQ20111041005
公開日2013年5月1日 申請日期2011年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月9日
發(fā)明者梁秉文 申請人:光達光電設(shè)備科技(嘉興)有限公司