專利名稱：四象限三端雙向可控硅開關的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及三端雙向可控硅開關(triac)，并且更具體地涉及在四觸發(fā)象限中具有類似的靈敏度的三端雙向可控硅開關。
背景技術：
這里考慮豎直的三端雙向可控硅開關，即包括在所謂的后表面上的第一主電極 (A2)以及在相反或前表面上的第二主電極(Al)以及柵極電極(G)的三端雙向可控硅開關。 通常，三端雙向可控硅開關包括形成兩個頭尾晶閘管的并排的PNPN結構和NPNP結構。前表面的一部分專用于觸發(fā)或柵極結構并且當在柵極電極和主前表面電極之間施加電壓時允許觸發(fā)該晶閘管，該晶閘管對于所施加的電壓適當?shù)仄?。當前，三端雙向可控硅開關形成于基本上為正方形的輪廓內，PNPN晶閘管和NPNP 晶閘管基本上占用一半的有用表面積，并且該表面積的一小部分專用于觸發(fā)結構，該觸發(fā)結構通常布置于該正方形的角處。根據(jù)存在于主電極和柵極電極上的電壓一般地區(qū)域分四個觸發(fā)象限。將A2稱為主后表面電極，而將Al稱為主前表面電極，并且考慮到用作柵極的參考的主電極Al處于零電壓，四個象限Ql、Q2、Q3和Q4如下來限定
權利要求
1.一種豎直四象限三端雙向可控硅開關，其中布置在前表面?zhèn)壬系臇艠O區(qū)域包括第一導電類型的U形區(qū)域(XT)，所述U形的底部抵靠該結構的一邊，第二導電類型的主前表面區(qū)域0 在所述柵極區(qū)域的前面延伸并且被第一導電類型的主前表面區(qū)域的部分(21，22) 包圍。
2.根據(jù)權利要求1所述的三端雙向可控硅開關，其中所述第一導電類型的兩個主前表面區(qū)域(21、2幻在第一導電類型的區(qū)域中相接，該第一導電類型的區(qū)域將第二導電類型的柵極區(qū)域與第二導電類型的主區(qū)域05)隔開。
3.根據(jù)權利要求1所述的三端雙向可控硅開關，其中第一導電類型的主后表面區(qū)域 (30)在第二導電類型的主前表面區(qū)域0 之下以及在第二導電類型的柵極區(qū)域09)的一部分之下延伸。
4.根據(jù)權利要求2所述的三端雙向可控硅開關，其中第二導電類型的輕摻雜區(qū)域08) 保持在第一導電類型的所述區(qū)域在柵極側上的鄰近區(qū)域中。
5.根據(jù)權利要求1所述的三端雙向可控硅開關，其中所述第一導電類型是N型，而所述第二導電類型是P型。
全文摘要
本發(fā)明涉及四象限三端雙向可控硅開關。提供一種豎直四象限三端雙向可控硅開關，其中布置在前表面?zhèn)壬系臇艠O區(qū)域包括第一導電類型的U形區(qū)域，該U形的底部抵靠該結構的一邊，第二導電類型的主前表面區(qū)域在所述柵極區(qū)域的前面延伸并且被第一導電類型的所述主前表面區(qū)域的部分包圍。
文檔編號H01L29/747GK102569375SQ20111041543
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月8日 優(yōu)先權日2010年12月9日
發(fā)明者D·阿利, S·梅納德 申請人:意法半導體(圖爾)公司