專利名稱：使用氧化物半導(dǎo)體的器件、顯示裝置、和電子設(shè)備的制作方法
使用氧化物半導(dǎo)體的器件、顯示裝置、和電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及使用氧化物半導(dǎo)體的設(shè)備、顯示裝置、和電子設(shè)備，更具體地涉及使用包括氧化物半導(dǎo)體作為其溝道材料的薄膜晶體管的器件、使用該薄膜晶體管的顯示裝置、 以及具有該顯示裝置的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，使用主要包括氧化物半導(dǎo)體(下文中稱為“氧化物半導(dǎo)體”)作為其溝道材料的薄膜晶體管(TFT)正在引起關(guān)注。已知了使用氧化物半導(dǎo)體作為其溝道材料的薄膜晶體管與在現(xiàn)有的液晶顯示裝置等中使用的、利用非晶硅作為其溝道材料的薄膜晶體管相比，具有更高的載流子遷移率并且展示更好的半導(dǎo)體特性。
另一方面，盡管非晶硅具有低載流子遷移率，但是其容易允許實(shí)現(xiàn)大尺寸屏幕的顯示面板。可以利用與非晶硅的工藝相同的工藝來制造氧化物半導(dǎo)體。因此，與非晶硅相似，氧化物半導(dǎo)體也容易允許實(shí)現(xiàn)大尺寸屏幕的顯示面板。另外，氧化物半導(dǎo)體的載流子遷移率相對(duì)較高。因此，可以在顯示面板上安裝使用包括氧化物半導(dǎo)體作為其溝道材料的薄膜晶體管的電路部分。
為此原因，促進(jìn)了發(fā)展并且關(guān)于這樣的顯示裝置已經(jīng)作出了各種建議，所述顯示裝置使用包括氧化物半導(dǎo)體作為其溝道材料的薄膜晶體管作為配置該顯示裝置中的像素電路和像素陣列部分周圍的電路部分(驅(qū)動(dòng)電路部分)的薄膜晶體管(參見例如日本專利特許公開 No. 2010-114413)發(fā)明內(nèi)容
在顯示裝置中，在像素陣列部分周圍的電路部分中出現(xiàn)以下情況互連線 (interconnect)不可避免地彼此交叉。因此，上部互連線跨過下部互連線的位置不可避免地存在。對(duì)于該情況，通常層間絕緣膜的膜厚度在互連線彼此交叉的部分(下文中稱為“互連線交叉部分”)被設(shè)置得大，以便在下部互連線和上部互連線彼此交叉的位置處避免層間短路。
在通過使用包括氧化物半導(dǎo)體作為其溝道材料的薄膜晶體管而配置電路部分的情況下，溝道保護(hù)膜和作為薄膜晶體管的溝道層的氧化物半導(dǎo)體層也以相同工藝被形成在互連線交叉部分處作為層間絕緣膜。
然而，氧化物半導(dǎo)體的電特性在氧化物半導(dǎo)體中的氧隨著時(shí)間釋放出來時(shí)變差。 具體地，電特性沿著導(dǎo)電性變得更高的方向(即，氧化物半導(dǎo)體變得更接近導(dǎo)體)改變。如果氧化物半導(dǎo)體變得接近導(dǎo)體，則氧化物半導(dǎo)體層與上部互連線電短路。從而，氧化物半導(dǎo)體層本身、以及氧化物半導(dǎo)體層與上部互連線之間的溝道保護(hù)膜變得不能起到層間絕緣膜的作用，并且僅僅氧化物半導(dǎo)體層和下部互連線之間的絕緣膜作用為層間絕緣膜。結(jié)果，在互連線交叉部分處，下部互連線和上部互連線之間的擊穿電壓被降低。
盡管上面采用顯示裝置作為示例描述了相關(guān)技術(shù)的問題，然而該問題不僅應(yīng)用于顯示裝置，而且還應(yīng)用于使用氧化物半導(dǎo)體的所有裝置。
需要一種提供使用氧化物半導(dǎo)體的器件、顯示裝置、和電子設(shè)備的技術(shù)，其中，使用包括氧化物半導(dǎo)體作為其溝道材料的薄膜晶體管，防止了在互連線交叉部分處、與氧化物半導(dǎo)體的特性隨著時(shí)間的改變相關(guān)聯(lián)的擊穿電壓的降低。
根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供了一種使用氧化物半導(dǎo)體的器件。該器件包括電路部分，其被配置為包括使用氧化物半導(dǎo)體作為溝道材料的薄膜晶體管。在該器件中，電路部分具有以與薄膜晶體管的柵極電極的工藝相同的工藝形成的下部互連線、與該下部互連線交叉的上部互連線、以及在下部互連線和上部互連線之間提供的層間絕緣膜。此外，該層間絕緣膜包括以與薄膜晶體管的溝道層和溝道保護(hù)層的工藝相同的工藝，在其間具有柵極絕緣膜的情況下在下部互連線上堆疊的氧化物半導(dǎo)體層和溝道保護(hù)層。此外，溝道保護(hù)層被插入在對(duì)應(yīng)于下部互連線的厚度的氧化物半導(dǎo)體層的上升部分的外圍表面和上部互連線之間。
在使用具有上述配置的氧化物半導(dǎo)體的器件中，在下部互連線與上部互連線交叉的位置(即，互連線交叉部分)處形成具有大的膜厚度的層間絕緣膜時(shí)，以與薄膜晶體管的溝道層和溝道保護(hù)層的工藝相同的工藝來堆疊氧化物半導(dǎo)體層和溝道保護(hù)層。此時(shí)，溝道保護(hù)層被插入在對(duì)應(yīng)于下部互連線的厚度的氧化物半導(dǎo)體層的上升部分的外圍表面和上部互連線之間。由于該特征，即使由于氧化物半導(dǎo)體的特性隨著時(shí)間改變(具體地，由于歸因于氧隨著時(shí)間的移除引起的電特性變差)而使得氧化物半導(dǎo)體變得接近導(dǎo)體，氧化物半導(dǎo)體層在其外圍表面處也不與上部互連線電短路。也就是說，在互連線交叉部分處的層間絕緣膜中，歸因于氧化物半導(dǎo)體特性隨著時(shí)間的改變引起的電特性變差問題不會(huì)出現(xiàn)。
根據(jù)本公開的實(shí)施例，在使用包括氧化物半導(dǎo)體作為其溝道材料的薄膜晶體管的器件中，在互連線交叉部分的層間絕緣膜中不出現(xiàn)氧化物半導(dǎo)體的特性隨著時(shí)間改變的問題，并且因此在互連線交叉部分處上部互連線和下部互連線之間的擊穿電壓不被降低。


圖1是示出應(yīng)用本公開實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的示意性配置的系統(tǒng)配置圖2是示出應(yīng)用本公開實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的像素的電路配置的一個(gè)示例的電路圖3是用于解釋應(yīng)用本公開實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的基本電路操作的時(shí)序波形圖4A-4H是應(yīng)用本公開實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的基本電路操作的操作解釋圖5A是用于解釋歸因于驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth的變化的問題的特性圖，圖5B 是用于解釋歸因于驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率μ的變化的問題的特性圖6Α和6Β是關(guān)于寫入掃描電路的解釋圖圖6Α示出了寫入掃描電路的配置的一個(gè)示例，圖6Β示出了在寫入掃描電路中包括的移位寄存器電路的電路示例；
圖7Α和7Β是關(guān)于由單溝道晶體管和電容性元件的組合形成的反相器電路的解釋圖圖7Α示出了電路配置的一個(gè)示例，圖7Β示出了輸入脈沖信號(hào)INVil^P輸出脈沖信號(hào) INVout的相應(yīng)波形；
圖8是示出信號(hào)輸出電路的配置的一個(gè)示例的電路圖9A-9C是關(guān)于根據(jù)相關(guān)技術(shù)示例的在互連線交叉部分處的問題的解釋圖圖9A 示出了具有互連線交叉部分的電路部分的互連線結(jié)構(gòu)，圖9B示出了互連線交叉部分的放大平面圖案，以及圖9C示出了沿著圖9B中的線X-X’的截面；
圖IOA和IOB是關(guān)于根據(jù)相關(guān)技術(shù)示例的在互連線交叉部分處互連線之間的層間絕緣膜的解釋圖圖IOA示出了移除氧之前的電狀態(tài)，圖IOB示出了移除氧之后的電狀態(tài)；
圖IlA和IlB是關(guān)于根據(jù)本公開第一實(shí)施例的形式示例1的在互連線交叉部分處互連線之間的層間絕緣膜的解釋圖圖IlA示出了互連線交叉部分的放大平面圖案，圖IlB 示出了沿著圖IlA中的線A-A’的截面；
圖12A和12B是關(guān)于根據(jù)第一實(shí)施例的形式示例2的在互連線交叉部分處互連線之間的層間絕緣膜的解釋圖圖12A示出了互連線交叉部分的放大平面圖案，圖12B示出了沿著圖12A中的線B-B’的截面；
圖13A和1 是關(guān)于根據(jù)本公開第二實(shí)施例的在互連線交叉部分處互連線之間的層間絕緣膜的解釋圖圖13A示出了互連線交叉部分的放大平面圖案，圖1 示出了沿著圖 13A中的線C-C’的截面；
圖14是示出關(guān)于根據(jù)第一實(shí)施例的形式示例1的層間絕緣膜的制造工藝的步驟流程的步驟圖15是示出關(guān)于根據(jù)第二實(shí)施例的層間絕緣膜的制造工藝的流程步驟的步驟圖16是示出應(yīng)用本公開實(shí)施例的電視機(jī)的外觀的透視圖17A和17B是示出應(yīng)用本公開實(shí)施例的數(shù)字照相機(jī)的外觀的透視圖；圖17A是正面的透視圖，圖17B是背面的透視圖18是示出應(yīng)用本公開實(shí)施例的筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀的透視圖19是示出應(yīng)用本公開實(shí)施例的攝像機(jī)的外觀的透視圖20A-20G是示出應(yīng)用本公開實(shí)施例的蜂窩電話的外觀圖圖20A是打開狀態(tài)的正視圖，圖20B是打開狀態(tài)的側(cè)視圖，圖20C是合上狀態(tài)的正視圖，圖20D是左側(cè)視圖，圖 20E是右側(cè)視圖，圖20F是俯視圖，而圖20G是仰視圖。
具體實(shí)施方式
下面將參考附圖描述用于實(shí)施本公開的模式(下文中稱為“實(shí)施例”)。描述的順序如下
1.應(yīng)用本公開實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置
1-1.系統(tǒng)配置
1-2.基本電路操作
1-3.驅(qū)動(dòng)電路部分的配置示例
2.第一實(shí)施例(包括氧化物半導(dǎo)體層的層間絕緣膜)
2-1.形式示例1
2-2.形式示例2
3.第二實(shí)施例(不包括氧化物半導(dǎo)體層的層間絕緣膜)
4.制造工藝
4-1.制造工藝1
4-2.制造工藝2
5.修改示例
6.電子設(shè)備
<1.應(yīng)用本公開實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置>
[1-1.系統(tǒng)配置]
圖1是示出應(yīng)用本公開實(shí)施例的有源矩陣顯示裝置的示意性配置的系統(tǒng)配置圖。
有源矩陣顯示裝置是通過在與光電元件的像素相同的像素中提供的有源元件 (例如絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管)來控制流過光電元件的電流的顯示裝置。通常使用薄膜晶體管(TFT)作為絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
通過采用使用電流驅(qū)動(dòng)光電元件(例如有機(jī)EL元件)作為像素(像素電路)的發(fā)光元件的有源矩陣有機(jī)EL顯示裝置作為示例來進(jìn)行以下描述，所述電流驅(qū)動(dòng)光電元件的發(fā)光亮度取決于流過該元件的電流值而改變。
如圖1所示，根據(jù)本應(yīng)用示例的有機(jī)EL顯示裝置10具有像素陣列部分30，其中包括有機(jī)EL元件的多個(gè)像素20被二維地布置為矩陣，并且驅(qū)動(dòng)電路部分布置在該像素陣列部分30周圍。驅(qū)動(dòng)電路部分包括寫入掃描電路40、電源掃描電路50、信號(hào)輸出電路60等， 并且驅(qū)動(dòng)像素陣列部分30的相應(yīng)像素20。
在有機(jī)EL顯示裝置10能夠進(jìn)行彩色顯示的情況下，一個(gè)像素(單位像素)包括多個(gè)子像素，并且每個(gè)子像素等效于圖1中的像素20。具體地，在能夠進(jìn)行彩色顯示的顯示裝置中，一個(gè)像素包括例如三個(gè)子像素發(fā)射紅光的子像素(R)、發(fā)射綠光的子像素(G)和發(fā)射藍(lán)光的子像素(B)。
然而，一個(gè)像素的配置不限于三基色RGB的子像素組合，并且還可以通過進(jìn)一步將一種顏色或多種顏色的子像素添加到三基色的子像素來配置一個(gè)像素。具體地，例如，還可以通過添加用于亮度增強(qiáng)的發(fā)射白光的子像素(W)來配置一個(gè)像素，以及通過添加用于擴(kuò)大色彩再現(xiàn)范圍的發(fā)射補(bǔ)色光的至少一個(gè)子像素來配置一個(gè)像素。
像素陣列部分30包括掃描線到31m、電源線32i到32m、和信號(hào)線33i到33n。為了在m行和η列上布置像素20，在每個(gè)像素行的基礎(chǔ)上，沿著行方向(像素行上的像素布置方向)布線掃描線到電源線3 到32m。在每個(gè)像素列的基礎(chǔ)上，沿著列方向 (像素列上的像素布置方向)布線信號(hào)線33i到33n。
掃描線到31m中的每一條與寫入掃描電路40用于對(duì)應(yīng)行的輸出端子連接。電源線3 到3 中的每一條與電源掃描電路50中用于對(duì)應(yīng)行的輸出端子連接。信號(hào)線33i 到3 中的每一條與信號(hào)輸出電路60中用于對(duì)應(yīng)列的輸出端子連接。
像素陣列部分30通常被形成在透明絕緣基板(諸如玻璃基板)上。因此，有機(jī)EL 顯示裝置10具有平面型(平坦型)面板結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^如后面所述地使用包括氧化物半導(dǎo)體作為其溝道材料的薄膜晶體管(氧化物半導(dǎo)體TFT)，來形成像素陣列部分30的相應(yīng)像素20的驅(qū)動(dòng)電路。此外，通過使用氧化物半導(dǎo)體TFT還形成寫入掃描電路40、電源掃描電路50、和信號(hào)輸出電路60，由此寫入掃描電路40、電源掃描電路50、和信號(hào)輸出電路60可以被安置在形成像素陣列部分30的顯示面板(基板)70上，如圖1所示。
利用移位寄存器電路來配置寫入掃描電路40，所述移位寄存器電路與時(shí)鐘脈沖 Ck同步地依序移位(傳輸)起始脈沖SP等等(后面將描述寫入掃描電路40的具體配置的細(xì)節(jié))。在將視頻信號(hào)寫入到像素陣列部分30的相應(yīng)像素20時(shí)，該寫入掃描電路40依序?qū)懭霋呙栊盘?hào)WS (WS1到WSm)提供給掃描線Gl1到31m)，由此繼而在逐行基礎(chǔ)上掃描 (線順序掃描)像素陣列部分30的相應(yīng)像素20。
利用移位寄存器電路來配置電源掃描電路50，所述移位寄存器電路與時(shí)鐘脈沖 Ck同步地依序移位起始脈沖SP等等。該電源掃描電路50與由寫入掃描電路40進(jìn)行的線順序掃描同步地將能夠在第一供電電勢(shì)V。。p和低于第一供電電勢(shì)V。。p的第二供電電勢(shì)Vini 之間切換的供電電勢(shì)05(051到05111)提供給電源線32(3 到32m)。如后面所述的，通過供電電勢(shì)DS的V。。p/Vini的切換，來控制像素20的發(fā)光/不發(fā)光。
信號(hào)輸出電路60選擇性地輸出參考電勢(shì)V。fs、和從信號(hào)提供源(未示出)提供的與亮度信息相對(duì)應(yīng)的視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig(下文中，經(jīng)常將其簡(jiǎn)稱為“信號(hào)電壓”)。參考電勢(shì)v。fs是充當(dāng)視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的基礎(chǔ)的電勢(shì)(例如，等效于視頻信號(hào)的黑色電平的電勢(shì))，并且在后面描述的閾值校正處理中使用。
在通過寫入掃描電路40進(jìn)行掃描而選擇的像素行的單元中，從信號(hào)輸出電路60 輸出的信號(hào)電壓Vsig/參考電勢(shì)V。fs經(jīng)由信號(hào)線33 (33!到33n)被寫入到像素陣列部分30的相應(yīng)像素20。也就是說，信號(hào)輸出電路60采用行順序?qū)懭氲尿?qū)動(dòng)形式，以便在每行(線) 的基礎(chǔ)上寫入信號(hào)電壓Vsig。
(像素電路)
圖2是示出像素(像素電路)20的具體電路配置的一個(gè)示例的電路圖。像素20 的發(fā)光部分由有機(jī)EL元件21形成，所述有機(jī)EL元件21是電流驅(qū)動(dòng)光電元件，其發(fā)光亮度取決于流過該元件的電流值而改變。
如圖2所示，利用有機(jī)EL元件21和驅(qū)動(dòng)電路來配置像素20，所述驅(qū)動(dòng)電路通過將電流施加到有機(jī)EL元件21來驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21。有機(jī)EL元件21的陰極電極與對(duì)于所有像素20共同地布線的公共電源線34(所謂的整體互連線(blanket interconnect)連接。
用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)電路具有驅(qū)動(dòng)晶體管22、寫入晶體管23、保持電容對(duì)、和輔助電容25?？梢允褂肗溝道TFT作為驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23。然而，驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23的導(dǎo)電類型的該組合僅僅是一個(gè)示例，并且該組合不限于此。
驅(qū)動(dòng)晶體管22的一個(gè)電極(源極/漏極電極)與有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電極連接，另一電極(漏極/源極電極)與電源線32(32i到32m)連接。
寫入晶體管23的一個(gè)電極(源極/漏極電極)與信號(hào)線33 (33jj 33n)連接，另一電極(漏極/源極電極)與驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極連接。寫入晶體管23的柵極電極與掃描線31(311到31111)連接。
在驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23中，一個(gè)電極指代與源極/漏極區(qū)電連接的金屬互連線，另一電極指代與漏極/源極區(qū)電連接的金屬互連線。取決于一個(gè)電極和另一電極之間的電勢(shì)關(guān)系，有可能一個(gè)電極充當(dāng)源極電極或漏極電極，而另一個(gè)電極充當(dāng)漏極電極或源極電極。
保持電容M的一個(gè)電極與驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極連接，另一電極與驅(qū)動(dòng)晶體管22的一個(gè)電極和有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電極連接。
輔助電容25的一個(gè)電極與有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電極連接，另一電極與公共電源線34連接。根據(jù)需要，為了補(bǔ)償有機(jī)EL元件21的電容的不足并增強(qiáng)將視頻信號(hào)寫入到保持電容M的增益而提供該輔助電容25。也就是說，輔助電容25不是必要的構(gòu)成元件，并且在有機(jī)EL元件21的等效電容足夠高的情況下可以被省略。
在該配置中，輔助電容25的另一電極與公共電源線34連接。然而，該另一電極的連接對(duì)象不限于公共電源線34，只要該連接對(duì)象是處于固定電勢(shì)的節(jié)點(diǎn)即可。將輔助電容 25的該另一電極與固定電勢(shì)的節(jié)點(diǎn)連接允許實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償有機(jī)EL元件21的電容不足并增強(qiáng)將視頻信號(hào)寫入到保持電容M的增益的期望目的。
在具有上述配置的像素20中，響應(yīng)于經(jīng)由掃描線31從寫入掃描電路40施加到柵極電極的高有效寫入掃描信號(hào)WS，寫入晶體管23變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。由此，寫入晶體管23執(zhí)行對(duì)經(jīng)由信號(hào)線33從信號(hào)輸出電路60供應(yīng)的與亮度信息相對(duì)應(yīng)的視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig 或參考電勢(shì)V。fs的采樣，并將其寫入像素20。該信號(hào)電壓Vsig或參考電勢(shì)V。fs被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極，并且被保持在保持電容M中。
在電源線32(3 到32m)的供電電勢(shì)DS是第一供電電勢(shì)V。。p時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的一個(gè)電極充當(dāng)漏極電極，而另一個(gè)電極充當(dāng)源極電極，并且驅(qū)動(dòng)晶體管22操作在飽和區(qū)。 由此，驅(qū)動(dòng)晶體管22接收來自電源線32供應(yīng)的電流，并且基于電流驅(qū)動(dòng)來驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21的發(fā)光。具體地，驅(qū)動(dòng)晶體管22操作在飽和區(qū)，以便由此向有機(jī)EL元件21供應(yīng)具有取決于在保持電容M中保持的信號(hào)電壓Vsig的電壓值的電流值的驅(qū)動(dòng)電流，并且通過其電流驅(qū)動(dòng)而使有機(jī)EL元件21發(fā)光。
在供電電勢(shì)DS從第一供電電勢(shì)V。。p切換到第二供電電勢(shì)Vini時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的一個(gè)電極充當(dāng)源極電極，另一電極充當(dāng)漏極電極，并且驅(qū)動(dòng)晶體管22操作為開關(guān)晶體管。 此外，驅(qū)動(dòng)晶體管22變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)，由此停止向有機(jī)EL元件21供應(yīng)驅(qū)動(dòng)電流并且將有機(jī)EL元件21轉(zhuǎn)為不發(fā)光狀態(tài)。也就是說，驅(qū)動(dòng)晶體管22還具有作為用于控制有機(jī)EL元件21的發(fā)光/不發(fā)光的晶體管的功能。
驅(qū)動(dòng)晶體管22的該開關(guān)操作可以設(shè)置有機(jī)EL元件21處于不發(fā)光狀態(tài)的時(shí)段(不發(fā)光時(shí)段)，并且控制有機(jī)EL元件21的發(fā)光時(shí)段和不發(fā)光時(shí)段之間的比率(占空比)。通過該占空比控制，可以減少與一個(gè)顯示幀時(shí)段上像素的發(fā)光相伴隨的殘留圖像模糊，由此尤其可以使得運(yùn)動(dòng)圖像的圖像質(zhì)量更好。
在經(jīng)由電源線32從電源掃描電路50選擇性地供應(yīng)的第一供電電勢(shì)Veel^P第二供電電勢(shì)Vini中，第一供電電勢(shì)V。。p是用于向驅(qū)動(dòng)晶體管22供應(yīng)用于有機(jī)EL元件21的發(fā)光驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流的供電電勢(shì)。第二供電電勢(shì)Vini是用于將反偏壓施加到有機(jī)EL元件21的供電電勢(shì)。該第二供電電勢(shì)Vini被設(shè)置為低于參考電勢(shì)V。fs的電勢(shì)，例如，低于V。fs-Vth的電勢(shì)，優(yōu)選地為顯著低于V。fs-Vth的電勢(shì)，其中驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓為Vth。
[1-2.基本電路操作]
下面將使用圖4A-4H的操作解釋圖、基于圖3的時(shí)序波形圖來描述具有上述配置的有機(jī)EL顯示裝置10的基本電路操作。在圖4A-4H的操作解釋圖中，寫入晶體管23通過開關(guān)符號(hào)被示出，以便簡(jiǎn)化附圖。
圖3的時(shí)序波形圖示出了掃描線31的電勢(shì)(寫入掃描信號(hào))WS、電源線32的電10勢(shì)(供電電勢(shì))DS、信號(hào)線33的電勢(shì)(Vsig/V。fs)、驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg和源極電勢(shì) Vs中的每一個(gè)的改變。驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg的波形通過單點(diǎn)畫線被示出，源極電勢(shì)Vs的波形通過虛線被示出，從而這兩個(gè)電勢(shì)可以被彼此區(qū)分開。
(前一顯示幀的發(fā)光時(shí)段)
在圖3的時(shí)序波形圖中，時(shí)刻tn之前的時(shí)段是前一顯示幀中有機(jī)EL元件21的發(fā)光時(shí)段。在前一顯示幀的該發(fā)光時(shí)段中，電源線32的電勢(shì)DS是第一供電電勢(shì)(下文中稱為“較高電勢(shì)” )Vccp,并且寫入晶體管23處于非導(dǎo)通狀態(tài)。
驅(qū)動(dòng)晶體管22被設(shè)計(jì)為使得在此時(shí)操作在飽和區(qū)中。因此，如圖4A所示，取決于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs的驅(qū)動(dòng)電流(漏極-源極電流)Ids經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管 22從電源線32供應(yīng)到有機(jī)EL元件21。由此，有機(jī)EL元件21發(fā)出具有取決于該驅(qū)動(dòng)電流 IdsW電流值的亮度的光。
(閾值校正準(zhǔn)備時(shí)段)
在時(shí)刻tn，線順序掃描的新顯示幀(當(dāng)前顯示幀)開始。此時(shí)，如圖4B所示，關(guān)于信號(hào)線33的參考電勢(shì)V。fs，電源線32的電勢(shì)DS從較高電勢(shì)V。。p切換到顯著低于V。fs-Vth 的第二供電電勢(shì)(下文中稱為“較低電勢(shì)”)Vini。
這里，有機(jī)EL元件21的閾值電壓被定義為Vthel，公共電源線34的電勢(shì)(陰極電勢(shì))被定義為v。ath。如果較低電勢(shì)Vini被設(shè)置為使得滿足以下關(guān)系Vini <vttel+v。ath，則有機(jī) EL元件21變?yōu)榉雌珘籂顟B(tài)并且停止其發(fā)光，這是由于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs變得幾乎等于較低電勢(shì)Vini。
接下來，掃描線31的電勢(shì)Ws在時(shí)刻t12從較低電勢(shì)側(cè)偏移至較高電勢(shì)側(cè)。由此， 寫入晶體管23如圖4C所示變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，參考電勢(shì)V。fs從信號(hào)輸出電路60供應(yīng)到信號(hào)線33，并且因此驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg變?yōu)閰⒖茧妱?shì)V。ft。驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs為顯著低于參考電勢(shì)V。fs的電勢(shì)Vini。
此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs為V。fs_Vini。除非V。fs_Vini高于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth，后面描述的閾值校正處理不會(huì)被運(yùn)行。因此，應(yīng)設(shè)置電勢(shì)關(guān)系V。fs-Vini >Vth。
通過以此方式將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg固定至參考電勢(shì)V。fs并將源極電勢(shì) Vs固定(安置)在較低電勢(shì)Vini而初始化電勢(shì)的該處理是后面描述的閾值校正處理(閾值校正操作)之前的準(zhǔn)備(閾值校正準(zhǔn)備)處理。因此，參考電勢(shì)Vtrfs較低電勢(shì)Vini分別充當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg和源極電勢(shì)Vs的初始化電勢(shì)。
(閾值校正時(shí)段)
接下來，在時(shí)刻t13，電源線32的電勢(shì)DS如圖4D所示地從較低電勢(shì)Vini切換至較高電勢(shì)V。。p。此后，在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)\保持在參考電勢(shì)V。fs的狀態(tài)下開始閾值校正處理。具體地，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs開始朝著通過從柵極電勢(shì)Vg減去驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth而獲得的電勢(shì)上升。
這里，為了便利，采用驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg的初始化電勢(shì)V。fs作為基礎(chǔ)并且朝著通過從該初始化電勢(shì)Vtrfs減去驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth而獲得的電勢(shì)改變?cè)礃O電勢(shì)Vs的處理被稱為閾值校正處理。與該閾值校正處理的過程一起，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs在適當(dāng)時(shí)間(in due course)收斂于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth。等效于該閾值電壓Vth的電壓被保持在保持電容M中。
為了在閾值校正處理的時(shí)段(閾值校正時(shí)段)中使電流排外性地流到保持電容M 并防止電流流到有機(jī)EL元件21，公共電源線34的電勢(shì)Veath被設(shè)置為使得有機(jī)EL元件21 在該時(shí)段中保持在截止?fàn)顟B(tài)。
接下來，掃描線31的電勢(shì)WS在時(shí)刻t14偏移到較低電勢(shì)側(cè)。由此，寫入晶體管23 如圖4E所示地變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，通過將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極與信號(hào)線33電隔離，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極變?yōu)楦≈脿顟B(tài)。然而，由于柵極-源極電壓Vgs等于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth，因此驅(qū)動(dòng)晶體管22處于截止?fàn)顟B(tài)。因此，漏極-源極電流Ids不流過驅(qū)動(dòng)晶體管22。
(信號(hào)寫入與遷移率校正時(shí)段)
接下來，在時(shí)刻t15，信號(hào)線33的電勢(shì)如圖4F所示地從參考電勢(shì)V。fs切換至視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig。隨后，在時(shí)刻t16，掃描線31的電勢(shì)WS偏移至較高電勢(shì)側(cè)。由此，如圖 4G所示，寫入晶體管23變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)以執(zhí)行視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的采樣并將其寫入像素20。
由于由寫入晶體管23進(jìn)行信號(hào)電壓Vsig的該寫入，因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg變?yōu)樾盘?hào)電壓Vsig。在驅(qū)動(dòng)晶體管22基于視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的驅(qū)動(dòng)中，驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth被等效于保持在保持電容M中的閾值電壓Vth的電壓消除(cancel)。 后面將描述該閾值消除原理的細(xì)節(jié)。
此時(shí)，有機(jī)EL元件21處于截止?fàn)顟B(tài)(高阻狀態(tài))。因此，取決于視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的、從電源線32流到驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流(漏極-源極電流Ids)流到有機(jī)EL元件21的等效電容和輔助電容25中，從而開始對(duì)這些電容充電。
由于有機(jī)EL元件21的等效電容和輔助電容25的充電，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs隨著時(shí)間上升。此時(shí)，已經(jīng)消除了從一個(gè)像素到一個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth中的差異，并且驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids取決于驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率 μ。驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ是充當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的溝道的半導(dǎo)體薄膜的遷移率。
這里，假設(shè)保持電容M的保持電壓Vgs與視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的比率(即寫入增益)為1(理想值)。在此情況下，由于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs上升到電勢(shì) Vofs-Vth+ Δ V,因此驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs變?yōu)関sig-v。fs+vth- Δ V。
具體地，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs的上升分量Δ V以使得從在保持電容M中保持的電壓(Vsig-V。fs+Vth)中減去該上升分量Δν的方式動(dòng)作，g卩，使得對(duì)保持電容M中積累的電荷進(jìn)行放電，對(duì)保持電容M施加負(fù)反饋。因此，源極電勢(shì)Vs的上升分量AV等于負(fù)反饋的反饋量。
通過以此方式利用取決于流過驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids的反饋量Δ V 來向柵極-源極電壓Vgs施加負(fù)反饋，可以消除驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids對(duì)遷移率μ的依賴性。該消除處理是遷移率校正處理，以便校正從一個(gè)像素到一個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ的差異。
具體地，在被寫入驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極的視頻信號(hào)的信號(hào)幅度Vin(= Vsig-Vofs)較大時(shí)，漏極-源極電流Ids較大，因此負(fù)反饋的反饋量Δν的絕對(duì)值也較大。因此，執(zhí)行了取決于發(fā)光亮度級(jí)別的遷移率校正處理。CN 102544064 A
如果視頻信號(hào)的信號(hào)幅度Vin被設(shè)置為恒定，在驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ較高時(shí)，負(fù)反饋的反饋量ΔΥ的絕對(duì)值也較大。因此，可以消除從一個(gè)像素到一個(gè)像素的遷移率 μ的差異。因此，也可以將負(fù)反饋的反饋量Δν看作遷移率校正處理的校正量。后面將描述遷移率校正原理的細(xì)節(jié)。
(發(fā)光時(shí)段)
接下來，在時(shí)刻t17，掃描線31的電勢(shì)WS偏移至較低電勢(shì)側(cè)。由此，寫入晶體管23 如圖4H所示地變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極與信號(hào)線33電隔離，并因此變?yōu)楦≈脿顟B(tài)。
在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極處于浮置狀態(tài)時(shí)，柵極電勢(shì)Vg也與驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs的改變相聯(lián)系地改變，這是因?yàn)楸３蛛娙軲連接在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和源極之間。驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg的該改變與源極電勢(shì)Vs的改變相聯(lián)系的操作是由保持電容M進(jìn)行的自舉操作。
驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極變?yōu)楦≈脿顟B(tài)，并且同時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids開始流到有機(jī)EL元件21。因此，有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電勢(shì)取決于該電流Ids而上升。
在有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電勢(shì)超過Vthel+V。ath時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流開始流到有機(jī)EL元件 21并且因此有機(jī)EL元件21開始發(fā)光。有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電勢(shì)的上升不多不少等于驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs的上升。在驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢(shì)Vs上升時(shí)，由于保持電容 24的自舉操作，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢(shì)Vg也與該源極電勢(shì)相聯(lián)系地上升。
此時(shí)，如果假設(shè)自舉增益為1 (理想值)，則柵極電勢(shì)Vg的上升量等于源極電勢(shì) Vs的上升量。因此，在發(fā)光時(shí)段期間，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs保持恒定為 Vsig-Vofs+Vth- Δ V。在時(shí)刻t18，信號(hào)線33的電勢(shì)從視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig切換至參考電勢(shì) Vofs0
在上述系列電路操作中，在一個(gè)水平掃描時(shí)段(IH)中實(shí)施閾值校正準(zhǔn)備、閾值校正、信號(hào)電壓Vsig的寫入(信號(hào)寫入)、以及遷移率校正的相應(yīng)處理操作。此外，在從時(shí)刻t16 到時(shí)刻t17的時(shí)段中并行地實(shí)施信號(hào)寫入和遷移率校正的相應(yīng)處理操作。
[分開的閾值校正]
通過將采用其中僅執(zhí)行一次閾值校正處理的驅(qū)動(dòng)方法的情況作為示例進(jìn)行了上面描述。然而，該驅(qū)動(dòng)方法僅僅是一個(gè)示例，并且配置不限于該驅(qū)動(dòng)方法。例如，還可以采用其中執(zhí)行所謂的分開的閾值校正的驅(qū)動(dòng)方法，即，在該IH時(shí)段之前的多個(gè)水平掃描時(shí)段上以分開的方式執(zhí)行閾值校正處理多次，其中除了該IH時(shí)段，閾值校正處理與遷移率校正和信號(hào)寫入處理一起執(zhí)行。
如果采用具有分開的閾值校正的該驅(qū)動(dòng)方法，即使被分配為一個(gè)水平掃描時(shí)段的時(shí)間由于與分辨率增強(qiáng)相關(guān)聯(lián)的像素?cái)?shù)目增加而變短，也可以在多個(gè)水平掃描時(shí)段上確保足夠時(shí)間作為閾值校正時(shí)段。因此，即使被分配為一個(gè)水平掃描時(shí)段的時(shí)間變短，也確保執(zhí)行閾值校正處理。
[閾值消除原理]
下面將描述驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值消除(即閾值校正)原理。驅(qū)動(dòng)晶體管22被設(shè)計(jì)為操作在飽和區(qū)，并且由此操作為恒流源。由于該特征，由以下公式(1)給出的恒定的漏極-源極電流(驅(qū)動(dòng)電流)Ids從驅(qū)動(dòng)晶體管22供應(yīng)到有機(jī)EL元件21。
Ids = (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vgs-Vth)2- (1)
在該公式中，W是驅(qū)動(dòng)晶體管22的溝道寬度，L是溝道長(zhǎng)度。C。x是每單位面積的柵極電容。
圖5A示出了驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids相對(duì)柵極-源極電壓Vgs的特性。如圖5A的特性圖所示，除非執(zhí)行了對(duì)于從一個(gè)像素到一個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的差異的消除處理(校正處理)，否則在閾值電壓Vth為Vthl時(shí)，與柵極-源極電壓Vgs相對(duì)應(yīng)的漏極-源極電流Ids為Idsl。
另一方面，在閾值電壓Vth為Vth2 (Vth2 > Vthl)時(shí)，與相同的柵極-源極電壓Vgs相對(duì)應(yīng)的漏極-源極電流Ids為Ids2 (Ids2 < Idsl)。也就是說，如果驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth 變化，即使柵極-源極電壓Vgs恒定，漏極-源極電流Ids也變化。
在具有上述配置的像素(像素電路)20中，發(fā)光時(shí)的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs為如上所述的Vsig-V。fs+Vth-AV。因此，如果在公式(1)中代入該電壓Vgs，則由以下公式(2)表示漏極-源極電流Ids。
權(quán)利要求
1.一種使用氧化物半導(dǎo)體的器件，該器件包括電路部分，其被配置為包括使用氧化物半導(dǎo)體作為溝道材料的薄膜晶體管，其中， 該電路部分具有以與薄膜晶體管的柵極電極的工藝相同的工藝形成的下部互連線，與該下部互連線交叉的上部互連線，以及在下部互連線和上部互連線之間提供的層間絕緣膜，該層間絕緣膜包括氧化物半導(dǎo)體層，以及溝道保護(hù)層，以與薄膜晶體管的溝道層和溝道保護(hù)層的工藝相同的工藝，在其間具有柵極絕緣膜的情況下在下部互連線上堆疊該氧化物半導(dǎo)體層和溝道保護(hù)層，以及所述溝道保護(hù)層被插入在與下部互連線的厚度相對(duì)應(yīng)的氧化物半導(dǎo)體層的上升部分的外圍表面和上部互連線之間。
2.如權(quán)利要求1所述的使用氧化物半導(dǎo)體的器件，其中， 氧化物半導(dǎo)體層的外端與上部互連線電短路。
3.如權(quán)利要求2所述的使用氧化物半導(dǎo)體的器件，其中，氧化物半導(dǎo)體層的外端存在于與溝道保護(hù)層的外端的外圍位置相同的外圍位置處。
4.如權(quán)利要求1所述的使用氧化物半導(dǎo)體的器件，其中， 氧化物半導(dǎo)體層的外端與上部互連線電絕緣。
5.一種使用氧化物半導(dǎo)體的器件，該器件包括電路部分，其被配置為包括使用氧化物半導(dǎo)體作為溝道材料的薄膜晶體管，其中， 該電路部分具有以與薄膜晶體管的柵極電極的工藝相同的工藝形成的下部互連線， 與該下部互連線交叉的上部互連線，以及在下部互連線和上部互連線之間提供的層間絕緣膜，該層間絕緣膜是這樣形成的以與薄膜晶體管的溝道層和溝道保護(hù)層的工藝相同的工藝，在其間具有柵極絕緣膜的情況下在下部互連線上堆疊氧化物半導(dǎo)體層和溝道保護(hù)層， 并且在堆疊之后移除氧化物半導(dǎo)體層。
6.一種使用氧化物半導(dǎo)體的器件，該器件包括 電路部分，其被配置為包括薄膜晶體管，其中， 該電路部分具有通過使用與薄膜晶體管的柵極電極的工藝相同的工藝形成的下部互連線，與該下部互連線交叉的上部互連線，以及在下部互連線和上部互連線之間提供的層間絕緣膜，該層間絕緣膜包括氧化物半導(dǎo)體層，以及保護(hù)層，通過使用與薄膜晶體管的溝道層和溝道保護(hù)層的工藝相同的工藝，在其間具有柵極絕緣膜的情況下在下部互連線上堆疊該氧化物半導(dǎo)體層和保護(hù)層，以及該保護(hù)層被插入在氧化物半導(dǎo)體層的上升部分的外圍表面和上部互連線之間。
7.一種顯示裝置，包括像素陣列部分，其被配置為通過布置每個(gè)包括電光元件的像素而形成；以及電路部分，其被配置為包括使用氧化物半導(dǎo)體作為溝道材料的薄膜晶體管，其中， 該電路部分具有以與薄膜晶體管的柵極電極的工藝相同的工藝形成的下部互連線，與該下部互連線交叉的上部互連線，以及在下部互連線和上部互連線之間提供的層間絕緣膜，該層間絕緣膜包括氧化物半導(dǎo)體層，以及溝道保護(hù)層，以與薄膜晶體管的溝道層和溝道保護(hù)層的工藝相同的工藝，在其間具有柵極絕緣膜的情況下在下部互連線上堆疊該氧化物半導(dǎo)體層和溝道保護(hù)層，以及溝道保護(hù)層被插入在與下部互連線的厚度相對(duì)應(yīng)的氧化物半導(dǎo)體層的上升部分的外圍表面和上部互連線之間。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，該電路部分被安裝在與像素陣列部分的基板相同的基板上。
9.一種顯示裝置，包括像素陣列部分，其被配置為通過布置每個(gè)包括電光元件的像素而形成；以及電路部分，其被配置為包括使用氧化物半導(dǎo)體作為溝道材料的薄膜晶體管，其中， 該電路部分具有以與薄膜晶體管的柵極電極的工藝相同的工藝形成的下部互連線， 與該下部互連線交叉的上部互連線，以及在下部互連線和上部互連線之間提供的層間絕緣膜，該層間絕緣膜是這樣形成的以與薄膜晶體管的溝道層和溝道保護(hù)層的工藝相同的工藝，在其間具有柵極絕緣膜的情況下在下部互連線上堆疊氧化物半導(dǎo)體層和溝道保護(hù)層， 并且在堆疊之后移除氧化物半導(dǎo)體層。
10.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，該電路部分被安裝在與像素陣列部分的基板相同的基板上。
11.一種具有顯示裝置的電子設(shè)備，包括像素陣列部分，其被配置為通過布置每個(gè)包括電光元件的像素而形成；以及電路部分，其被配置為包括使用氧化物半導(dǎo)體作為溝道材料的薄膜晶體管，其中， 該電路部分具有以與薄膜晶體管的柵極電極的工藝相同的工藝形成的下部互連線，與該下部互連線交叉的上部互連線，以及在下部互連線和上部互連線之間提供的層間絕緣膜，該層間絕緣膜包括氧化物半導(dǎo)體層，以及溝道保護(hù)層，以與薄膜晶體管的溝道層和溝道保護(hù)層的工藝相同的工藝，在其間具有柵極絕緣膜的情況下在下部互連線上堆疊該氧化物半導(dǎo)體層和保護(hù)層，以及溝道保護(hù)層被插入在與下部互連線的厚度相對(duì)應(yīng)的氧化物半導(dǎo)體層的上升部分的外圍表面和上部互連線之間。
12. —種具有顯示裝置的電子設(shè)備，包括像素陣列部分，其被配置為通過布置每個(gè)包括電光元件的像素而形成；以及電路部分，其被配置為包括使用氧化物半導(dǎo)體作為溝道材料的薄膜晶體管，其中， 該電路部分具有以與薄膜晶體管的柵極電極的工藝相同的工藝形成的下部互連線， 與該下部互連線交叉的上部互連線，以及在下部互連線和上部互連線之間提供的層間絕緣膜，以及該層間絕緣膜是這樣形成的以與薄膜晶體管的溝道層和溝道保護(hù)層的工藝相同的工藝，在其間具有柵極絕緣膜的情況下在下部互連線上堆疊氧化物半導(dǎo)體層和溝道保護(hù)層， 并且在堆疊之后移除氧化物半導(dǎo)體層。
全文摘要
這里公開了使用氧化物半導(dǎo)體的器件、顯示裝置、和電子設(shè)備，其中所述使用氧化物半導(dǎo)體的器件包括電路部分，其被配置為包括使用氧化物半導(dǎo)體作為溝道材料的薄膜晶體管，其中，該電路部分具有下部互連線、上部互連線、以及層間絕緣膜，該層間絕緣膜包括氧化物半導(dǎo)體層和溝道保護(hù)層，該溝道保護(hù)層被插入在對(duì)應(yīng)于下部互連線的厚度的氧化物半導(dǎo)體層的上升部分的外圍表面和上部互連線之間。
文檔編號(hào)H01L27/02GK102544064SQ20111041569
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月13日
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