專利名稱：一種并列型光電探測器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光電探測器，特別是涉及一種并列型光電探測器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的光電探測器的種類較多，最常用的是PIN型和APD型，其常見光電探測器的光敏面的直徑在4微米至500微米，但這些光電探測器的光敏面都是一體的，也就是只適于探測一個(gè)光信號(hào)；另一方面，現(xiàn)有的雙包層或多包層光纖的出現(xiàn)，需要分別監(jiān)測纖芯以及包層的光信號(hào)時(shí)，現(xiàn)有的光電探測器是無能為力的，需要通過特殊的耦合器分離光信號(hào)才能監(jiān)測，這樣導(dǎo)致成本的上升。中國專利申請(qǐng)?zhí)?00710015228.8文中揭示了一種采用雙包層光纖傳感裝置，其中提到了需要檢測內(nèi)包層的光信號(hào)的強(qiáng)度，而不得不使用雙包層光纖耦合器將雙包層光纖的內(nèi)包層光信號(hào)提取出來，導(dǎo)致了成本的增加。隨著雙包層光纖以及多包層光纖在通信、傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用，需要可同時(shí)監(jiān)測纖芯和包層內(nèi)傳輸?shù)墓庑盘?hào)的光電探測器，市場上還未發(fā)現(xiàn)有這樣的產(chǎn)品。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種并列型光電探測器。該并列型光電探測器可以將雙包層或多包層光纖中纖芯和包層中傳輸?shù)墓庑盘?hào)同時(shí)檢測，其結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、生產(chǎn)成本低，便于推廣使用。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種并列型光電探測器，包括半導(dǎo)體材料構(gòu)成的P區(qū)、輕摻雜的本征的i區(qū)和η區(qū)，其特征在于:所述的P區(qū)、i區(qū)和η區(qū)被絕緣層分割成獨(dú)立的兩個(gè)部分，P區(qū)一、I區(qū)一和η區(qū)一以及電極一和電極二構(gòu)成一個(gè)光電探測元件一 ；Ρ區(qū)二、i區(qū)二和η區(qū)二以及電極三和電極四構(gòu)成另一個(gè)光電探測元件二，光電探測元件一和光電探測元件二為圓環(huán)形，且光電探測元件一在光電探測元件二外側(cè)，在P區(qū)一和P區(qū)二分別還有鍍覆有防反射層一和防反射層二。

上述的一種并列型光電探測器，其特征在于，所述的絕緣層是二氧化硅層。上述的一種并列型光電探測器，其特征在于，所述的防反射層一和防反射層二是
由二氧化硅構(gòu)成。上述的一種并列型光電探測器，其特征在于，所述的電極一、電極二、電極三和電極四是由金、銀、銅或鋁材料構(gòu)成。上述的一種并列型光電探測器，其特征在于，所述的防反射層二的外徑為4微米至75微米，所述的防反射層一的內(nèi)徑在10微米至100微米，防反射層一的外徑在30微米至500微米。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn):1、本發(fā)明的并列型光電探測器可同時(shí)檢測雙包層或多包層光纖的纖芯和包層內(nèi)傳輸?shù)墓庑盘?hào)的強(qiáng)度，避免使用特殊的雙包層光纖耦合裝置，可以大幅度的降低成本、減小體積，并且使用方便高效，具有良好的市場前景。
2、本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)成本低，使用效果好，便于推廣使用。綜上所述，本發(fā)明的并聯(lián)型光電探測器結(jié)構(gòu)簡單、成本低、用途廣，具有較好的市場前景。下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說明:1-電極一；2-電極二； 3-電極三；4-電極四；5_防反射層一 ；6_防反射層二 ；7-p 區(qū)一 ；8-1 區(qū)一 ；9-n 區(qū)一；10-p 區(qū)二 ；ll_i 區(qū)二 ； 12-n 區(qū)二 ；

15-絕緣層。
具體實(shí)施例方式如圖1和圖2所示的一種并列型光電探測器，包括半導(dǎo)體材料構(gòu)成的P區(qū)、輕摻雜的本征的i區(qū)和η區(qū)，所述的P區(qū)、i區(qū)和η區(qū)被絕緣層15分割成獨(dú)立的兩個(gè)部分，其中，P區(qū)一 7、I區(qū)一 8和η區(qū)一 9以及電極一 I和電極二 2構(gòu)成一個(gè)光電探測兀件一 ；ρ區(qū)二10、i區(qū)二 11和η區(qū)二 12以及電極三3和電極四4構(gòu)成另一個(gè)光電探測元件二，光電探測元件一和光電探測元件二為圓環(huán)形，且光電探測元件一在光電探測元件二外側(cè)，在P區(qū)一 7和P區(qū)二 10分別還有鍍覆有防反射層一 5和防反射層二 6。將雙包層光纖的端面處理后將端面與并列型光電探測器探測面固定在一起，其中纖芯對(duì)準(zhǔn)防反射層二 6,內(nèi)包層對(duì)準(zhǔn)防反射層一 5,就可以同時(shí)檢測纖芯和內(nèi)包層中傳輸?shù)墓庑盘?hào)的強(qiáng)度。優(yōu)選的，所述的絕緣層15是二氧化硅層。優(yōu)選的，所述的防反射層一 5和防反射層二 6是由二氧化硅構(gòu)成。優(yōu)選的，所述的電極一 1、電極二 2、電極三3和電極四4是由金、銀、銅或鋁材料構(gòu)成。優(yōu)選的，所述的防反射層二 6的外徑為4微米至75微米，所述的防反射層一 5的內(nèi)徑在10微米至100微米，防反射層一 5的外徑在30微米至500微米。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本發(fā)明作任何限制，凡是根據(jù)本發(fā)明技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、變更以及等效結(jié)構(gòu)變換，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種并列型光電探測器，包括半導(dǎo)體材料構(gòu)成的P區(qū)、輕摻雜的本征的i區(qū)和η區(qū)，其特征在于:所述的P區(qū)、i區(qū)和η區(qū)被絕緣層(15)分割成獨(dú)立的兩個(gè)部分，P區(qū)一(7)、i區(qū)一⑶和η區(qū)一(9)以及電極一⑴和電極二⑵構(gòu)成一個(gè)光電探測兀件一 ；ρ區(qū)二(10)、i區(qū)二(11)和η區(qū)二(12)以及電極三(3)和電極四⑷構(gòu)成另一個(gè)光電探測元件二，光電探測元件一和光電探測元件二為圓環(huán)形，且光電探測元件一在光電探測元件二外偵牝在P區(qū)一(7)和P區(qū)二(10)分別還有鍍覆有防反射層一(5)和防反射層二(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種并列型光電探測器，其特征在于，所述的絕緣層(15)是二氧化硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種并列型光電探測器，其特征在于，所述的防反射層一(5)和防反射層二(6)是由二氧化硅構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種并列型光電探測器，其特征在于，所述的電極一(I)、電極二(2)、電極三(3)和電極四⑷是由金、銀、銅或鋁材料構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種并列型光電探測器，其特征在于，所述的防反射層二(6)的外徑為4微米至75微米，所述的防反射層一(5)的內(nèi)徑在10微米至100微米，防反射層一 (5)的外徑在30微米至500微米。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種并列型光電探測器，包括半導(dǎo)體材料構(gòu)成的p區(qū)、輕摻雜的本征的i區(qū)和n區(qū)，所述的p區(qū)、i區(qū)和n區(qū)被絕緣層分割成獨(dú)立的兩個(gè)部分，p區(qū)一、i區(qū)一和n區(qū)一以及電極一和電極二構(gòu)成一個(gè)光電探測元件一；p區(qū)二、i區(qū)二和n區(qū)二以及電極三和電極四構(gòu)成另一個(gè)光電探測元件二，光電探測元件一和光電探測元件二為圓環(huán)形，且光電探測元件一在光電探測元件二外側(cè)，在p區(qū)一和p區(qū)二分別還有鍍覆有防反射層一和防反射層二。該并列型光電探測器可以將雙包層或多包層光纖中纖芯和包層中傳輸?shù)墓庑盘?hào)同時(shí)檢測，其結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、生產(chǎn)成本低，便于推廣使用。
文檔編號(hào)H01L27/144GK103165627SQ201110415890
公開日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2011年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月11日
發(fā)明者杜兵 申請(qǐng)人:西安金和光學(xué)科技有限公司