專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置，更具體地涉及包含源極、漏極和接線的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中源極、漏極和接線全部由石墨烯形成。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示裝置由于其卓越的性能和特點(diǎn)(如寬視角、高對比度、快速響應(yīng)、以及低功耗等)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于個(gè)人移動設(shè)備，如MP3播放器、移動電話和電視。已經(jīng)嘗試制造透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置。特別地，當(dāng)接線由不透明金屬形成時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的透光度降低。此外，隨著有機(jī)發(fā)光顯示裝置的分辨率增加，有機(jī)發(fā)光顯示裝置中接線所占用的面積比也隨之增加，因此，當(dāng)接線由不透明金屬形成時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的透光度明顯降低。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決以上和/或其他問題，本發(fā)明提供了對外部光具有高透光率的有機(jī)發(fā)光
顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括襯底；第一接線，沿著第一方向形成在所述襯底上；第二接線和第三接線，沿著第二方向形成在所述襯底上；第一薄膜晶體管，連接至所述第一接線和所述第二接線；第二薄膜晶體管，連接至所述第一薄膜晶體管和所述第三接線；以及有機(jī)發(fā)光二極管，連接至所述第二薄膜晶體管，其中所述第二接線和所述第三接線由石墨烯形成。所述第一薄膜晶體管可包括活性層，形成在所述襯底上；柵極，形成在所述襯底與所述活性層相對應(yīng)的位置上，并且與所述活性層絕緣；絕緣層，覆蓋所述柵極，并且具有連接至所述活性層的開口 ；以及源極和漏極，形成在所述絕緣層上，并且通過所述開口連接至所述活性層，其中所述源極和所述漏極包括埋置在所述開口中的第一部和形成在所述絕緣層上的第二部，而且所述第一部和所述第二部由彼此不同的材料形成。所述第一部可由選自Ti、Mo、Al和Cu構(gòu)成的組中的至少一種金屬形成，而且所述第二部可由石墨烯形成。所述第一部可由選自ΙΤ0、IZO、ZnO, ln203、SnO2和AlSiOx構(gòu)成的組中的至少一種金屬氧化物形成，而且所述第二部可由石墨烯形成。 所述第二部可連接至所述第二接線，而且可由與所述第二接線相同的材料形成。
所述第二薄膜晶體管可包括活性層，形成在所述襯底上；柵極，形成在所述襯底與所述活性層相對應(yīng)的位置上，并且與所述活性層電絕緣；絕緣層，覆蓋所述柵極，并且具有連接至所述活性層的開口 ；以及源極和漏極，形成在所述絕緣層上，并且通過所述開口連接至所述活性層，其中所述源極和所述漏極包括埋置在所述開口中的第一部和形成在所述絕緣層上的第二部，而且所述第一部和所述第二部由彼此不同的材料形成。所述第一部可由選自Ti、Mo、Al和Cu構(gòu)成的組中的至少一種金屬形成，而且所述第二部可由石墨烯形成。所述第一部可由選自ΙΤ0、IZO、ZnO, ln203、SnO2和AlSiOx構(gòu)成的組中的至少一種金屬氧化物形成，而且所述第二部可由石墨烯形成。所述第二部可連接至所述第三接線，而且可由與所述第二接線相同的材料形成。所述有機(jī)發(fā)光二極管可包括像素電極，連接至所述漏極；相對電極，面對所述像素電極形成；以及發(fā)光元件，插入在所述像素電極與所述相對電極之間，并且產(chǎn)生可見光。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括襯底，具有透射區(qū)和像素區(qū)，外部光穿過所述透射區(qū)，所述像素區(qū)位于鄰近所述透射區(qū)的位置；第一接線，沿著第一方向形成在所述襯底上，以穿過所述像素區(qū)；第二接線和第三接線，沿著第二方向形成在所述襯底上，以穿過所述像素區(qū)和所述透射區(qū)；第一薄膜晶體管，位于所述像素區(qū)中并且連接至所述第一接線和所述第二接線；第二薄膜晶體管，位于所述像素區(qū)中并且連接至所述第一薄膜晶體管和所述第三接線；像素電極，連接至所述第二薄膜晶體管，所述像素電極位于所述像素區(qū)中，并且被設(shè)置為覆蓋所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管；相對電極，面對所述像素電極，并且允許光穿過所述相對電極，所述相對電極位于跨過所述透射區(qū)和所述像素區(qū)的位置；以及發(fā)光元件，插入在所述像素電極與所述相對電極之間，并且產(chǎn)生光，其中所述第二接線和所述第三接線由石墨烯形成。所述第一薄膜晶體管可包括活性層，形成在所述襯底上；柵極，形成在所述襯底與所述活性層相對應(yīng)的位置上，并且與所述活性層絕緣；絕緣層，覆蓋所述柵極，并且具有連接至所述活性層的開口 ；以及源極和漏極，形成在所述絕緣層上，并且通過所述開口連接至所述活性層，其中所述源極和所述漏極包括埋置在所述開口中的第一部和形成在所述絕緣層上的第二部，而且所述第一部和所述第二部由彼此不同的材料形成。所述第一部可由選自Ti、Mo、Al和Cu構(gòu)成的組中的至少一種金屬形成，而且所述第二部可由石墨烯形成。所述第一部可由選自ΙΤ0、IZO、ZnO, ln203> SnO2和AlSiOx構(gòu)成的組中的至少一種金屬氧化物形成，而且所述第二部可由石墨烯形成。 所述第二部可連接至所述第二接線，而且可由與所述第二接線相同的材料形成。所述第二薄膜晶體管可包括活性層，形成在所述襯底上；柵極，與所述活性層電絕緣地形成在所述襯底與所述活性層相對應(yīng)的位置上；絕緣層，覆蓋所述柵極，并且具有連接至所述活性層的開口 ；以及源極和漏極，形成在所述絕緣層上，并且通過所述開口連接至所述活性層，其中所述源極和所述漏極包括埋置在所述開口中的第一部和形成在所述絕緣層上的第二部，而且所述第一部和所述第二部由彼此不同的材料形成。所述第一部可由選自Ti、Mo、Al和Cu構(gòu)成的組中的至少一種金屬形成，而且所述第二部可由石墨烯形成。所述第一部可由選自ΙΤ0、IZO、ZnO, ln203> SnO2和AlSiOx構(gòu)成的組中的至少一種金屬氧化物形成，而且所述第二部可由石墨烯形成。所述第二部可連接至所述第三接線，而且可由與所述第二接線相同的材料形成。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于源極、漏極和接線由對外部光具有高透光率的石墨烯形成，因此可以獲得對外部光具有高透光率的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。具體地，由于石墨烯的物理性質(zhì)，因此石墨烯難以用在埋置有源極和漏極的開口中。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，所有接線都不能由石墨烯形成。然而，根據(jù)本發(fā)明，在形成源極和漏極時(shí)，由于開口是由金屬或金屬氧化物同石墨烯一起形成的，因此所有接線都可以由石墨烯形成。


通過下面詳細(xì)描述并結(jié)合附圖，本發(fā)明將被更好地理解，而且對本發(fā)明更全面的理解及其許多隨之而來的優(yōu)勢將更加顯而易見，其中相同的參考標(biāo)記表示相同或類似的部件，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的等效電路；圖2是圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖的一部分；圖3是沿著圖2的線1-1’獲得的剖視圖；圖4是沿著圖2的線11-11’獲得的剖視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的概念圖；圖6是圖5的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖的一部分；圖7是沿著圖6的線III-III’獲得的剖視圖；以及圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明可以進(jìn)行各種修改并且以很多不同形式實(shí)施，而且將參照示出本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的附圖更加全面地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為受本文所闡明的實(shí)施方式的限制；相反，應(yīng)該理解的是，這些實(shí)施方式包括可包含在本發(fā)明的精神和技術(shù)范圍內(nèi)的所有改變、等同和替代。在描述本發(fā)明的過程中，當(dāng)有關(guān)已知功能和配置的實(shí)際描述不會導(dǎo)致本發(fā)明的范圍不清楚時(shí)，其描述將被省略。應(yīng)該理解，雖然本文中可以使用術(shù)語第一、第二、第三等描述不同元件，但是這些元件不應(yīng)該受到這些術(shù)語的限制。因此，這些術(shù)語只是用來彼此區(qū)分組成元件。本文使用的術(shù)語僅用于描述具體實(shí)施方式
，而非旨在限制本發(fā)明。單數(shù)形式包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文中另有明確說明。還應(yīng)該理解，當(dāng)在本說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包括 (comprise) ”和/或“包括(comprising) ”表示存在所述的特征、整體、步驟、操作、元件和 /或部件，但是并不排除存在或附加有一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和 /或其組合。下面，將參照示出本發(fā)明的實(shí)施例實(shí)施方式的附圖更加全面地描述本發(fā)明的總體發(fā)明構(gòu)思。圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的等效電路。參照圖1，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的等效電路包括多個(gè)像素P，該多個(gè)像素P通過多個(gè)第一接線W1、第二接線W2和第三接線W3以陣列形式排列。第一接線Wl形成為沿著水平方向排列的掃描線S，用于傳遞掃描信號；第二接線 W2和第三接線W3形成為沿著豎直方向排列的數(shù)據(jù)線D，用于傳遞數(shù)據(jù)信號；以及驅(qū)動電壓線V，沿著豎直方向排列，用于傳遞驅(qū)動電壓。圖1中的像素P包括開關(guān)晶體管TR1、驅(qū)動晶體管TR2、電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)。在示出本發(fā)明的實(shí)施方式的圖1中，像素P包括兩個(gè)晶體管(TRl和TR2)、一個(gè)OLED和一個(gè)電容器(Cst)。然而，根據(jù)本發(fā)明的像素P不限于此，即，像素P可以包括更多晶體管和更多電容器。開關(guān)晶體管TRl包括柵極端子、源極端子和漏極端子。柵極端子連接至掃描線S， 源極端子連接至數(shù)據(jù)線D，而且漏極端子連接至驅(qū)動晶體管TR2。開關(guān)晶體管TRl響應(yīng)于施加到開關(guān)晶體管TRl的柵極端子的掃描信號，將數(shù)據(jù)信號傳輸至驅(qū)動晶體管TR2。驅(qū)動晶體管TR2包括柵極端子、源極端子和漏極端子。柵極端子連接至開關(guān)晶體管TRl，源極端子連接至驅(qū)動電壓線V，而且漏極端子連接至0LED。驅(qū)動晶體管TR2輸出了輸出電流，輸出電流的強(qiáng)度根據(jù)施加在驅(qū)動晶體管TR2的柵極端子與漏極端子之間的電壓而改變。電容器Cst連接在驅(qū)動晶體管TR2的柵極端子與源極端子之間。電容器Cst對施加至驅(qū)動晶體管TR2的柵極端子的數(shù)據(jù)信號進(jìn)行存儲，并且在開關(guān)晶體管TRl關(guān)斷后，電容器Cst保持?jǐn)?shù)據(jù)信號。OLED包括與驅(qū)動晶體管TR2的漏極端子連接的陽極和與公共電壓Vss連接的陰極。OLED響應(yīng)于從驅(qū)動晶體管TR2輸出的電流而產(chǎn)生具有不同強(qiáng)度的光。圖2是圖1的OLED裝置的平面圖的一部分。圖3是沿著圖2的線1_1’獲得的剖視圖，而且圖4是沿著圖2的線11-11’獲得的剖視圖。在圖2至圖4中，為了便于說明而省略了密封襯底和密封薄膜層。在圖2至圖4 中，利用頂柵型晶體管描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于此。開關(guān)晶體管TRl和驅(qū)動晶體管 TR2可以是薄膜晶體管(TFT)。參照圖2，在襯底1上沿著水平方向形成掃描線S。另外，在襯底1上沿著豎直方向形成數(shù)據(jù)線D和驅(qū)動電壓線V。開關(guān)晶體管TRl連接至掃描線S和數(shù)據(jù)線D。開關(guān)晶體管TRl的第一柵極11 延伸自柵極線S。另外，第一源極116a延伸自數(shù)據(jù)線D。根據(jù)當(dāng)前實(shí)施方式，數(shù)據(jù)線D由石墨烯形成。因此，開關(guān)晶體管TRl的第一源極 116a也由石墨烯形成。而且，開關(guān)晶體管TRl的第一源極116a和第一漏極117a連接至第一活性層112a。因此，當(dāng)掃描信號施加至掃描線S時(shí)，通過數(shù)據(jù)線D輸入的數(shù)據(jù)信號經(jīng)由開關(guān)晶體管TRl的第一源極116a和第一活性層11 被傳遞至開關(guān)晶體管TRl的第一漏極 117a。根據(jù)當(dāng)前實(shí)施方式，開關(guān)晶體管TRl的第一源極116a的一部分埋置在開口 H中從而連接數(shù)據(jù)線D和第一活性層11 ，開關(guān)晶體管TRl的第一源極116a的該部分由金屬或金屬氧化物形成。而且，由于第一漏極117a與第一源極116a共同形成，因此第一漏極117a具有與第一源極116a相同的結(jié)構(gòu)。參照圖2和圖3，開關(guān)晶體管TRl的第一漏極117a的延伸部117c通過開口 H連接至電容器Cst的第一電極120a的一端。埋置在開口 H中的第一漏極117a的一部分由金屬或金屬氧化物形成，而且沒有埋置在開口 H中的第一漏極117a的其他部分由石墨烯形成。
參照圖2，電容器Cst的第一電極120a的另一端延伸，以形成驅(qū)動晶體管TR2的第二柵極114b。通過延伸驅(qū)動電壓線V而形成電容器Cst的第二電極120b。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式，驅(qū)動電壓線V由石墨烯形成。因此，與驅(qū)動電壓線V連接的電容器Cst的第二電極120b也由石墨烯形成。驅(qū)動晶體管TR2將參照圖4進(jìn)行描述?，F(xiàn)在將參照圖3描述開關(guān)晶體管TRl。緩沖層211可以使用無機(jī)材料(例如，硅氧化物或硅氮化物)形成在襯底1上，以提高襯底1的平坦性。第一活性層11 形成在襯底1上。第一活性層11 可以是非晶硅層、多晶硅層或半導(dǎo)體氧化物層，如(In2O3) a (Ga2O3) b (ZnO) c (G-I-Z-O)層(其中a，b，c分別滿足a彡0、 b彡0和c > 0)。當(dāng)?shù)谝换钚詫?1 由半導(dǎo)體氧化物形成時(shí)，結(jié)晶過程是不必要的，而且由于第一活性層11 處于非晶態(tài)，因此第一活性層11 的均勻性得到提高。第一柵極11 形成在第一活性層11 上。第一柵極IHa可以使用傳導(dǎo)金屬形成為單層或多層。在考慮與相鄰層的緊密度、層疊表面的平坦性和處理能力的情況下，第一柵極11 可以由以下材料形成，例如MoW或Al/Co，但是本發(fā)明不限于此。柵絕緣層213形成在第一活性層11 與第一柵極IHa之間，用于使第一活性層 11 與第一柵極11 彼此絕緣。用作為絕緣層的夾層215形成在第一柵極11 和柵絕緣層213上。夾層215可以是單層或多層，并且可以由硅氧化物、鉭氧化物或鋁氧化物形成， 但是本發(fā)明不限于此。柵絕緣層213和夾層215包括連接至第一活性層11 的開口 H。第一源極116a和第一漏極117a形成在夾層215上。根據(jù)本實(shí)施方式，第一源極 116a和第一漏極117a中的每一個(gè)都包括第一部A和第二部B。第一部A埋置在開口 H中，而且位于第二部B與第一活性層11 之間，從而電連接第二部B與第一活性層112a。第一部A由傳導(dǎo)金屬或傳導(dǎo)性金屬氧化物形成。例如，第一部A可以由選自Ti、Mo、Al和Cu構(gòu)成的組中的至少一種金屬形成。此外，第一部A可以由選自ITO、IZO、ZnO, ln203、SnO2和AlSiOx構(gòu)成的組中的至少一種金屬氧化物形成。第二部B形成在夾層215上。開關(guān)晶體管TRl的第一源極116a的第二部B是通過延伸數(shù)據(jù)線D形成的，因此該第二部B與數(shù)據(jù)線D —樣由石墨烯形成。開關(guān)晶體管TRl 的第一漏極117a與第一源極116a共同形成，因此第一漏極117a具有與第一源極116a相同的結(jié)構(gòu)，并且由與第一源極116a相同的材料形成。石墨烯是多環(huán)芳香族分子，其中多個(gè)碳原子通過共價(jià)鍵連接。通過共價(jià)鍵連接的碳原子形成作為基本重復(fù)單元的六元環(huán)。然而，碳原子還形成五元環(huán)或七元環(huán)。本發(fā)明中涉及的石墨烯是片狀石墨烯，其中碳原子以共價(jià)方式彼此鍵合(典型為SP2雜化)以形成單層。然而，石墨烯可以具有不同結(jié)構(gòu)，并且結(jié)構(gòu)可以根據(jù)可包含在石墨烯中的五元環(huán)或七元環(huán)的數(shù)量而改變。石墨烯可以是如上所述的共價(jià)鍵合的碳原子的單層。然而，本發(fā)明不限于此，即，通過對共價(jià)鍵合的碳原子的多個(gè)單層進(jìn)行層疊，共價(jià)鍵合的碳原子的單層可以形成多層。通常，石墨烯的末端被氫飽和。石墨烯具有若干特點(diǎn)，例如與諸如銦錫氧化物(ITO)的金屬氧化物相比，具有更高的耐沖擊性和柔性、更高的透明度以及更高的導(dǎo)電率。與約數(shù)百ohm/sq(例如，約270至約500ohm/sq)的ITO的表面電阻(area surface resistance)相比，迄今為止開發(fā)的石墨烯具有明顯低至約30ohm/Sq的表面電阻，因而具有較高的導(dǎo)電率。石墨烯不太可能分散，也不太可能受運(yùn)動電子的干擾，從而具有比銅低約35%或更多的電阻。因此，當(dāng)接線和源極 /漏極由石墨烯形成時(shí)，可以獲得具有高透明度和高導(dǎo)電率的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。然而，由于石墨烯是共價(jià)鍵合的碳原子的單層或多層，因此當(dāng)石墨烯埋置在開口 H 中時(shí)，難以維持石墨烯的形狀。也就是說，由于石墨烯形成為片型，因此石墨烯片不能埋置在開口 H中。即使埋置了石墨烯片，石墨烯片也可能會損壞。由于石墨烯的物理性質(zhì)，石墨烯難以用于埋置在開口 H中的第一源極116a和第一漏極117a的第一部A中。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，為了解決上述問題并利用石墨烯特性的優(yōu)勢，驅(qū)動晶體管TRl的第一源極 116a和第一漏極117a的第一部A由金屬或金屬氧化物形成，并且與數(shù)據(jù)線D連接的第一源極116a的第二部B和第一漏極117a的第二部B由石墨烯形成。以這種方式，用于形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置中所包含的接線的材料可以是石墨烯。通過在開口 H中沉積金屬或金屬氧化物可以形成第一部A。而且，在被填埋的開口 H和夾層215上沉積石墨烯片之后，根據(jù)接線D和V、第一源極116a以及第一漏極117a的形狀，通過對石墨烯片進(jìn)行構(gòu)圖，可以形成第二部B以及接線D和V。至少一個(gè)絕緣層形成在第一源極116a和第一漏極117a上。例如，鈍化層216和平坦化層217形成在第一源極116a和第一漏極117a上，其中鈍化層216用于保護(hù)開關(guān)晶體管TR1，平坦化層217用于使產(chǎn)生的產(chǎn)品的表面平坦化，該產(chǎn)品由于開關(guān)晶體管TRl的結(jié)構(gòu)而具有不均勻的表面。例如，鈍化層216可以由諸如硅氮化物或硅氧化物的無機(jī)材料形成。 平坦化層217可以由諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)或亞克力(acryl)的有機(jī)材料形成。然而，鈍化層216和平坦化層217不限于此。再次參照圖2，驅(qū)動晶體管TR2的第二柵極114b連接至電容器Cst的第一電極 120a的另一端。此外，驅(qū)動晶體管TR2的第二源極116b是通過延伸驅(qū)動電壓線V形成的。 根據(jù)本實(shí)施方式，驅(qū)動電壓線V由石墨烯形成。因此，驅(qū)動晶體管TR2的第二源極116b也由石墨烯形成。驅(qū)動晶體管TR2的第二源極116b和第二漏極117b通過開口 H連接至第二活性層112b。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式，驅(qū)動晶體管TR2的第二源極116b的一部分埋置在開口 H中，從而連接驅(qū)動電壓線V。第二活性層112b不是由石墨烯形成的，而是由金屬或金屬氧化物形成。現(xiàn)在將參照圖4描述驅(qū)動晶體管TR2。首先，與開關(guān)晶體管TRl相同，使用無機(jī)材料(例如，硅氧化物或硅氮化物)在襯底1上形成緩沖層211，以提高襯底1的平坦性。第二活性層11 形成在襯底1上。第二活性層11 可以是非晶硅層、多晶硅層或半導(dǎo)體氧化物層，例如G-I-Z-O層(其中a，b，c分別滿足a彡0、b彡0和c > 0)。第二柵極114b形成在第二活性層11 上。第二柵極114b可以使用傳導(dǎo)金屬形成為單層或多層。柵絕緣層213形成在第二活性層112b與第二柵極114b之間，以使第二活性層 112b與第二柵極114b彼此絕緣。用作為絕緣層的夾層215形成在第二柵極114b和柵絕緣層213上。夾層215可以是單層或多層。柵絕緣層213和夾層215包括連接至第二活性層 112b 的開口 H。第二源極116b和第二漏極117b形成在夾層215上。根據(jù)本實(shí)施方式，第二源極 116b和第二漏極117b中的每一個(gè)都包括第一部A和第二部B。
第一部A埋置在開口 H中，而且位于第二部B與第二活性層112b之間，從而電連接第二部B與第二活性層112b。第一部A由傳導(dǎo)金屬或傳導(dǎo)性金屬氧化物形成。例如，第一部A可以由選自Ti、Mo、Al和Cu構(gòu)成的組中的至少一種金屬形成。此外，第一部A可以由選自ITO、IZO、ZnO, ln203、SnO2和AlSiOx構(gòu)成的組中的至少一種金屬氧化物形成。第二部B形成在夾層215上。驅(qū)動晶體管TR2的第二源極11 的第二部B是通過延伸驅(qū)動電壓線V形成的，因此該第二部B與驅(qū)動電壓線V —樣由石墨烯形成。驅(qū)動晶體管TR2的第二漏極117b與第二源極116b共同形成，因此第二漏極117b具有與第二源極 116b相同的結(jié)構(gòu)，并且由與第二源極116b相同的材料形成。如上所述，當(dāng)接線、第二源極116b和第二漏極117b由石墨烯形成時(shí)，可以制造具有高透明度和高導(dǎo)電率的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。然而，由于在石墨烯的結(jié)構(gòu)中，疊置薄碳結(jié)構(gòu)，因此當(dāng)石墨烯埋置在開口 H中時(shí)， 難以維持石墨烯的形狀。由于石墨烯的物理性質(zhì)，石墨烯難以用于埋置在開口 H中的第二源極116b和第二漏極117b的第一部A中。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，為了解決上述問題并利用石墨烯特性的優(yōu)勢，驅(qū)動晶體管TR2的第二源極116b和第二漏極117b的第一部A由金屬或金屬氧化物形成，并且與驅(qū)動電源線V連接的第二源極116b的第二部B和第二漏極 117b的第二部B由石墨烯形成。以這種方式，用于形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置中所包含的接線的材料可以是石墨烯。至少一個(gè)絕緣層形成在第二源極116b和第二漏極117b上。例如，鈍化層216和平坦化層217形成在第二源極116b和第二漏極117b上，其中鈍化層216用于保護(hù)驅(qū)動晶體管TR2，平坦化層217用于使產(chǎn)生的產(chǎn)品的表面平坦化，該產(chǎn)品由于驅(qū)動晶體管TR2的結(jié)構(gòu)而具有不均勻的表面。例如，鈍化層216可以由諸如硅氮化物或硅氧化物的無機(jī)材料形成。 平坦化層217可以由諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)或亞克力(acryl)的有機(jī)材料形成。然而，鈍化層216和平坦化層217不限于此。在形成鈍化層216和平坦化層217之后，在鈍化層216和平坦化層217中、與第二漏極117b相對應(yīng)的位置上形成通孔VH，從而電連接像素電極221與驅(qū)動晶體管TR2的第二漏極117b。像素電極221將在隨后的處理中形成。接下來，參照圖4，在平坦化層217上形成OLED。OLED包括像素電極221、發(fā)光元件223和相對電極222。OLED的像素電極221通過通孔VH連接至驅(qū)動晶體管TR2的第二漏極117b。像素電極221形成在平坦化層217上。在形成像素電極221之后，在像素電極221 的至少一部分上形成像素限定層219，該像素限定層219通過像素開口暴露像素電極221的至少一部分。在通過像素開口暴露的像素電極221上形成發(fā)光元件223。發(fā)光元件223包括有機(jī)發(fā)光層。在發(fā)光元件223和像素限定層219上形成相對電極222。因此，當(dāng)響應(yīng)于施加至像素電極221的電壓，在像素電極221與相對電極222之間實(shí)現(xiàn)適當(dāng)條件時(shí)，光從OLED 發(fā)出O在朝向相對電極的方向上顯現(xiàn)圖像的頂部發(fā)射型結(jié)構(gòu)的情況下，像素電極221可以是反射電極。此外，相對電極222可以是光透射電極。在這種情況下，相對電極222可以包括半透明反射膜，該半透明反射膜具有由六8、1%31、？仏？(^11、慰、而、11~、0、1^、01或光學(xué)透明金屬氧化物(如ΙΤ0、銦鋅氧化物(IZO)或SiO)形成的薄膜。在底部發(fā)射型結(jié)構(gòu)的情況下，通過沉積如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca金屬，相對電極222可以具有反射功能。當(dāng)像素電極221用作陽極時(shí)，像素電極221被形成為包括由具有較高功函數(shù)(絕對值)的金屬氧化物(如ΙΤ0、ΙΖ0或SiO)形成的層。當(dāng)像素電極221用作陰極時(shí)，像素電極221由具有較低功函數(shù)(絕對值)的金屬(如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li 或Ca)形成。當(dāng)像素電極221用作陽極時(shí)，相對電極222可以用作陰極，當(dāng)像素電極221用作陰極時(shí)，相對電極222可以用作陽極。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，與數(shù)據(jù)線D、驅(qū)動電壓線V以及晶體管的漏極的第二部B連接的數(shù)據(jù)線D、驅(qū)動電壓線V以及晶體管的源極的第二部B由對外部光具有高透光率且具有高導(dǎo)電率的石墨烯形成。因此，可以獲得具有高導(dǎo)電率和高透明度的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的概念圖。參照圖5，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括位于襯底1的第一表面上的顯示單元2。在圖5 的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，外部光穿過襯底1和顯示單元2。顯示單元2包括外部光能夠穿過的透射區(qū)TA，透射區(qū)TA將隨后描述。也就是說，透射區(qū)TA被包含，使得如圖6所示，位于顯示圖像一側(cè)的使用者能夠看到在有機(jī)發(fā)光顯示裝置的下外側(cè)上顯示的圖像。也就是說，根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括外部光能夠穿過的透射區(qū)TA、鄰近該透射區(qū)TA設(shè)置的像素區(qū)PA、圖1的等效電路以及0LED。圖6是圖5的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖的一部分。圖7是沿著圖6的線III-III’ 獲得的剖視圖。參照圖6和圖7，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光顯示裝置不同于參照圖2和圖 4描述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，這是因?yàn)閰⒄請D6和圖7描述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括透射區(qū) TA,以透射外部光。此外，像素區(qū)PA接近透射區(qū)TA設(shè)置，而且像素電極221位于像素區(qū)PA 中。在圖6和圖7中，為了便于說明而省略了密封襯底和密封薄膜層。此外，在圖6和圖7中，描述了頂柵型晶體管。然而，這是用于解釋本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式的實(shí)施例，而本發(fā)明不限于此。此外，開關(guān)晶體管TR1、電容器Cst和驅(qū)動晶體管TR2包含在像素區(qū)PA中。 然而，開關(guān)晶體管TR1、電容器Cst和驅(qū)動晶體管TR2的結(jié)構(gòu)和操作與參照圖2至圖4進(jìn)行的描述基本相同，因此，其描述不再重復(fù)。參照圖6，在襯底1上沿著水平方向形成掃描線S。掃描線S被形成為穿過像素區(qū) PA。沿著豎直方向形成數(shù)據(jù)線D和驅(qū)動電壓線V。數(shù)據(jù)線D和驅(qū)動電壓線V被形成為穿過像素區(qū)PA和透射區(qū)TA。開關(guān)晶體管TR1、電容器Cst和驅(qū)動晶體管TR2位于像素區(qū)PA中開關(guān)晶體管TRl連接至掃描線S和數(shù)據(jù)線D。參照圖6，開關(guān)晶體管TRl的第一柵極IHa延伸自掃描線S。另外，開關(guān)晶體管TRl的第一源極116a延伸自數(shù)據(jù)線D。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式，數(shù)據(jù)線D由石墨烯形成。因此，開關(guān)晶體管TRl的第一源極116a由石墨烯形成。而且，開關(guān)晶體管TRl的第一源極116a和第一漏極117a通過開口 H連接至第一活性層112a。根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施方式，第一源極116a的一部分埋置在開口 H中，從而連接數(shù)據(jù)線D。第一活性層11 由金屬或金屬氧化物形成。然而，由于第一漏極117a與第一源極116a共同形成，因此第一漏極117a具有與第一源極116a相同的結(jié)構(gòu)。也就是說，第一漏極117a由石墨烯形成。參照圖7，開關(guān)晶體管TRl的第一漏極117a的延伸部117c通過開口 H連接至電容器Cst的第一電極120a。對此，埋置在開口 H中的第一漏極117a的一部分由金屬或金屬氧化物形成，而沒有埋置在開口 H中的第一漏極117a的其他部分由石墨烯形成。通過延伸電容器Cst的第一電極120a的另一端形成驅(qū)動晶體管TR2的第二柵極 114b。通過延伸驅(qū)動電壓線V形成電容器Cst的第二電極120b。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式，驅(qū)動電壓線V由石墨烯形成。因此，與驅(qū)動電壓線V連接的電容器Cst的第二電極120b 也由石墨烯形成。驅(qū)動晶體管TR2的第二柵極114b連接至電容器Cst的第一電極120a的另一端。 通過延伸驅(qū)動電壓線V形成驅(qū)動晶體管TR2的第二源極116b。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式，驅(qū)動電壓線V由石墨烯形成。因此，第二源極116b也由石墨烯形成。驅(qū)動晶體管TR2 的第二源極116b和第二漏極117b通過開口 H連接至第二活性層112b。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式，一方面是，驅(qū)動晶體管TR2的第二源極11 的一部分埋置在開口 H中，從而連接驅(qū)動電壓線V和第二活性層112，埋置在開口 H中的該部分由金屬或金屬氧化物形成。由于第二漏極117b與第二源極116b共同形成，因此第二漏極117b具有與第二源極116b相同的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式，被設(shè)置為穿過透射區(qū)TA的數(shù)據(jù)線D和驅(qū)動電壓線V 由透明石墨烯形成。因此，即使數(shù)據(jù)線D和驅(qū)動電壓線V穿過透射區(qū)TA，透射區(qū)TA對外部光的透光率也不會降低。不是由石墨烯形成的掃描線S被設(shè)置為不穿過透射區(qū)TA，而是穿過像素區(qū)PA。以這種方式，在根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，圖像顯示在其上的區(qū)域被劃分為像素區(qū)PA和透射區(qū)TA，而且穿過透射區(qū)TA的接線由透明的石墨烯形成。因此，與傳統(tǒng)透明顯示裝置相比，通過提高有機(jī)發(fā)光顯示裝置的透射區(qū)TA的透光率， 可以提高顯示圖像的整個(gè)區(qū)域的透光率。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式，像素區(qū)PA包括與驅(qū)動晶體管TR2連接的像素電極 221，并且諸如驅(qū)動晶體管TR2、開關(guān)晶體管TRl和電容器Cst的電子器件與像素電極221交疊，以被像素電極221覆蓋。如圖6所示，當(dāng)使用者觀看時(shí)，上述電子器件被像素電極221 覆蓋，而且掃描線S的較大部分也被像素電極221覆蓋。另外，由于穿過透射區(qū)TA的全部接線的一部分由透明的石墨烯形成，因此增加了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的總體透光率，從而使用者可以通過透射區(qū)TA看見外部圖像。圖7是沿著圖6的線III-III’獲得的剖視圖。不再重復(fù)與參照圖3和圖4描述的元件基本相同的元件的描述。參照圖7，緩沖層211形成在襯底1上，而且開關(guān)晶體管TRl、電容器Cst和驅(qū)動晶體管TR2形成在緩沖層211上。緩沖層211提高了襯底1的表面的平坦性，并且防止外來物質(zhì)穿透襯底1。第一活性層11 和第二活性層11 形成在緩沖層211上。第一柵極11 和第二柵極114b分別形成在第一活性層11 和第二活性層112b上。第一柵極11 和第二柵極114b可以使用傳導(dǎo)金屬形成為單層或多層。用于使第一活性層11 和第二活性層11 與第一柵極11 和第二柵極114b絕緣的柵絕緣層213形成在第一活性層11 和第二活性層112b與第一柵極11 和第二柵極114b之間。用作為絕緣層的夾層215形成在第一柵極11 和第二柵極114b上，而且柵絕緣層213可以形成為單層或多層。柵絕緣層213和夾層215分別包括連接至第一活性層 11 和第二活性層112b的開口 H。第一源極116a、第一漏極117a、第二源極116b和第二漏極117b形成在夾層215 上。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施方式，第一源極116a、第一漏極117a、第二源極116b和第二漏極117b中的每一個(gè)分別包括第一部A和第二部B。第一部A埋置在開口 H中，而且第一部A分別將第一活性層11 和第二活性層 112b電連接至第二部B。第一部A可由傳導(dǎo)金屬或傳導(dǎo)性金屬氧化物形成。例如，第一部 A可以由選自Ti、Mo、Al和Cu組成的組中的至少一種金屬形成。此外，第一部A可以由選自ΙΤ0、IZO、ZnO, ln203、SnO2和AlSiOx組成的組中的至少一種金屬氧化物形成。第二部B形成在夾層215上。通過延伸數(shù)據(jù)線D形成開關(guān)晶體管TRl的第一源極 116a的第二部B，并且該第二部B與數(shù)據(jù)線D —樣由石墨烯形成。另外，通過延伸驅(qū)動電壓線V形成驅(qū)動晶體管TR2的第二源極116b的第二部B，因此該第二部B與驅(qū)動電壓線V — 樣由石墨烯形成。而且，由于開關(guān)晶體管TRl的第一漏極117a與第一源極116a共同形成， 因此第一漏極117a具有與第一源極116a相同的結(jié)構(gòu)。此外，由于驅(qū)動晶體管TR2的第二漏極117b與第二源極116b共同形成，因此第二漏極117b具有與第二源極116b相同的結(jié)構(gòu)。鈍化層216和平坦化層217可以形成在源極116a、116b和漏極117a、117b上。在形成鈍化層216和平坦化層217之后，可以在鈍化層216和平坦化層217中與第二漏極117b 相對應(yīng)的位置處形成通孔VH，使得像素電極221能夠電連接至第二漏極117b，其中像素電極221將在之后形成。接下來，OLED形成在平坦化層217上。OLED包括像素電極221、發(fā)光裝置223和相對電極222。OLED的像素電極221通過通孔VH連接至第二漏極117b。像素電極221位于像素區(qū)PA中，并且形成在平坦化層217上。在形成像素電極 221之后，在像素電極221的至少一部分上形成像素限定層219，該像素限定層219通過像素開口暴露像素電極221的至少一部分。雖然未示出，但是可以對位于透射區(qū)TA中的鈍化層216和平坦化層217進(jìn)行蝕刻。以這種方式，可以制造對外部光具有提高的透光率的透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置。發(fā)光裝置223形成在通過像素開口暴露的像素電極221上。發(fā)光裝置223包括有機(jī)發(fā)光層。相對電極222形成在發(fā)光裝置223和像素限定層219上。相對電極222可以形成在像素區(qū)PA和透射區(qū)TA中。在圖6和圖7中，鈍化層216、柵絕緣層213、夾層215、平坦化層217和像素限定層 219可以由透明材料形成。此外，襯底1可以具有高透光率。以這種方式，可以制造具有高透光率的透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置。圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意圖。參照圖8，關(guān)于多個(gè)子像素形成透射區(qū)TA。也就是說，與第一像素電極221a、第二像素電極221b、第三像素電極221c相對應(yīng)地形成單個(gè)透射區(qū)TA。第一至第三數(shù)據(jù)線D1、 D2和D3分別電連接至第一至第三像素電極221a、221b和221c。第一驅(qū)動電壓線Vl電連接至第一像素電極221a和第二像素電極221b，而且第二驅(qū)動電壓線V2電連接至第三像素電極221c。第一至第三數(shù)據(jù)線D 1、D2和D3以及第一驅(qū)動電壓線Vl和第二驅(qū)動電壓線V2由石墨烯形成。因此，可以減少圖像失真，并且可以增加有機(jī)發(fā)光顯示裝置的透光率。在圖8所示的以上結(jié)構(gòu)中，由于關(guān)于三個(gè)子像素(例如，紅R子像素、綠G子像素、 藍(lán)B子像素)形成單個(gè)透射區(qū)TA，因此可以進(jìn)一步增加有機(jī)發(fā)光顯示裝置的透光率，并且也可以降低由于光散射所引起的圖像失真。表1示出了圖6的透明有機(jī)發(fā)光顯示裝置的整體透光率相對于接線透光率的模擬結(jié)果的比較。石墨烯具有高達(dá)約85%的高透光率。因此，如果包含石墨烯接線，那么OLED 可以具有至少約46. 9%的總體透光率，這明顯高于使用具有非常低透光率的金屬接線或者使用具有約80%透光率的金屬氧化物接線時(shí)的總體透光率。在假設(shè)OLED包括透明絕緣層且其相對的電極具有約70%的透光率的情況下，得到表1中的模擬數(shù)據(jù)。[表1]
權(quán)利要求
1.有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括 襯底；第一接線，沿著第一方向形成在所述襯底上；第二接線和第三接線，沿著第二方向形成在所述襯底上；第一薄膜晶體管，連接至所述第一接線和所述第二接線；第二薄膜晶體管，連接至所述第一薄膜晶體管和所述第三接線；以及有機(jī)發(fā)光二極管，連接至所述第二薄膜晶體管，其中所述第二接線和所述第三接線由石墨烯形成。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一薄膜晶體管包括 活性層，形成在所述襯底上；柵極，形成在所述襯底與所述活性層相對應(yīng)的位置上，并且與所述活性層絕緣； 絕緣層，覆蓋所述柵極，并且具有連接至所述活性層的開口 ；以及源極和漏極，形成在所述絕緣層上，并且通過所述開口連接至所述活性層，其中所述源極和所述漏極包括埋置在所述開口中的第一部和形成在所述絕緣層上的第二部，而且所述第一部和所述第二部由彼此不同的材料形成。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一部由選自Ti、Mo、Al和Cu構(gòu)成的組中的至少一種金屬形成，而且所述第二部由石墨烯形成。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一部由選自ITO、IZO、ZnO, ln203、SnO2和AlSiOx構(gòu)成的組中的至少一種金屬氧化物形成，而且所述第二部由石墨烯形成。
5.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二部連接至所述第二接線，而且由與所述第二接線相同的材料形成。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二薄膜晶體管包括 活性層，形成在所述襯底上；柵極，形成在所述襯底與所述活性層相對應(yīng)的位置上，并且與所述活性層電絕緣； 絕緣層，覆蓋所述柵極，并且具有連接至所述活性層的開口 ；以及源極和漏極，形成在所述絕緣層上，并且通過所述開口連接至所述活性層，其中所述源極和所述漏極包括埋置在所述開口中的第一部和形成在所述絕緣層上的第二部，而且所述第一部和所述第二部由彼此不同的材料形成。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一部由選自Ti、Mo、Al和Cu構(gòu)成的組中的至少一種金屬形成，而且所述第二部由石墨烯形成。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一部由選自ITO、IZO、ZnO, ln203、SnO2和AlSiOx構(gòu)成的組中的至少一種金屬氧化物形成，而且所述第二部由石墨烯形成。
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二部連接至所述第三接線，而且由與所述第二接線相同的材料形成。
10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述有機(jī)發(fā)光二極管包括 像素電極，連接至所述漏極；相對電極，面對所述像素電極形成；以及發(fā)光元件，插入在所述像素電極與所述相對電極之間，并且產(chǎn)生可見光。
11.有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括襯底，具有透射區(qū)和像素區(qū)，外部光穿過所述透射區(qū)，所述像素區(qū)位于鄰近所述透射區(qū)的位置；第一接線，沿著第一方向形成在所述襯底上，以穿過所述像素區(qū)； 第二接線和第三接線，沿著第二方向形成在所述襯底上，以穿過所述像素區(qū)和所述透射區(qū)；第一薄膜晶體管，位于所述像素區(qū)中并且連接至所述第一接線和所述第二接線； 第二薄膜晶體管，位于所述像素區(qū)中并且連接至所述第一薄膜晶體管和所述第三接線. ，像素電極，連接至所述第二薄膜晶體管，所述像素電極位于所述像素區(qū)中，并且被設(shè)置為覆蓋所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管；相對電極，面對所述像素電極，并且允許光穿過所述相對電極，所述相對電極位于跨過所述透射區(qū)和所述像素區(qū)的位置；以及發(fā)光元件，插入在所述像素電極與所述相對電極之間，并且產(chǎn)生光，其中所述第二接線和所述第三接線由石墨烯形成。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一薄膜晶體管包括 活性層，形成在所述襯底上；柵極，形成在所述襯底與所述活性層相對應(yīng)的位置上，并且與所述活性層絕緣； 絕緣層，覆蓋所述柵極，并且具有連接至所述活性層的開口 ；以及源極和漏極，形成在所述絕緣層上，并且通過所述開口連接至所述活性層，其中所述源極和所述漏極包括埋置在所述開口中的第一部和形成在所述絕緣層上的第二部，而且所述第一部和所述第二部由彼此不同的材料形成。
13.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一部由選自Ti、Mo、Al和Cu構(gòu)成的組中的至少一種金屬形成，而且所述第二部由石墨烯形成。
14.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一部由選自ITO、IZO、ZnO, ln203、SnO2和AlSiOx構(gòu)成的組中的至少一種金屬氧化物形成，而且所述第二部由石墨烯形成。
15.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二部連接至所述第二接線，而且由與所述第二接線相同的材料形成。
16.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二薄膜晶體管包括 活性層，形成在所述襯底上；柵極，與所述活性層電絕緣地形成在所述襯底與所述活性層相對應(yīng)的位置上； 絕緣層，覆蓋所述柵極，并且具有連接至所述活性層的開口 ；以及源極和漏極，形成在所述絕緣層上，并且通過所述開口連接至所述活性層，其中所述源極和所述漏極包括埋置在所述開口中的第一部和形成在所述絕緣層上的第二部，而且所述第一部和所述第二部由彼此不同的材料形成。
17.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一部由選自Ti、Mo、Al和Cu構(gòu)成的組中的至少一種金屬形成，而且所述第二部由石墨烯形成。
18.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一部由選自ITO、IZO、ZnO, ln203、SnO2和AlSiOx構(gòu)成的組中的至少一種金屬氧化物形成，而且所述第二部由石墨烯形成。
19.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二部連接至所述第三接線，而且由與所述第二接線相同的材料形成。
全文摘要
有機(jī)發(fā)光顯示裝置對外部光具有高透光率。該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括襯底；沿著第一方向形成在襯底上的第一接線；沿著第二方向形成在襯底上的第二接線和第三接線；連接至第一接線和第二接線的第一薄膜晶體管；連接至第一薄膜晶體管和第三接線的第二薄膜晶體管；以及連接至第二薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，其中第二接線和第三接線由石墨烯形成。
文檔編號H01L29/45GK102569344SQ20111043881
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月20日
發(fā)明者宋英宇, 尹錫奎, 李鍾赫, 河載興, 金圣哲, 黃圭煥 申請人:三星移動顯示器株式會社