專利名稱：基板表面處理裝置及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種基板表面處理裝置及其方法，特別是針對(duì)基板的單一表面進(jìn)行處理的裝置及其方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代科技產(chǎn)品中半導(dǎo)體設(shè)備的應(yīng)用相當(dāng)廣泛，尤其是通訊、電腦、網(wǎng)絡(luò)、光電相關(guān)等電子設(shè)備中，半導(dǎo)體的硅基板存在是不可或缺的，而隨著市場(chǎng)對(duì)這些電子產(chǎn)品的需求日益增加，如何快速、有效率的改良半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝并提供足供應(yīng)付市場(chǎng)需求的半導(dǎo)體元件是各家廠商努力的目標(biāo)。在一般半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，會(huì)依硅基板應(yīng)用所需的設(shè)計(jì)條件不同而工藝各有差異，其中有濕法化學(xué)蝕刻工藝，此種濕工藝有多種工藝上的應(yīng)用，例如，光刻膠剝除、氮化硅及氧化硅的去除等。一般而言，濕法化學(xué)蝕刻的硬件設(shè)備包括用以進(jìn)行主蝕刻反應(yīng)(main etch process)、中介清洗(intermediary wash)、漂洗(rinse),及干燥(drying)等多個(gè)處理工藝。而濕法蝕刻工藝中有一種蝕刻方式是將娃基板浸入蝕刻液中，使蝕刻液同時(shí)將娃基板的上下兩個(gè)表面同時(shí)進(jìn)行蝕刻，另外一種蝕刻方式則是針對(duì)硅基板的單一個(gè)表面進(jìn)行蝕刻工藝，且不對(duì)基板上除了欲蝕刻表面以外的面進(jìn)行處理，為達(dá)成此目的，在工藝中蝕刻液只能觸及被指定蝕刻的表面，若非指定面的表面受蝕刻液沾染影響時(shí)，會(huì)影響到半導(dǎo)體元件的整體功能性，甚至可能會(huì)導(dǎo)致的部分范圍無(wú)法使用而必須放棄，所以硅基板進(jìn)行單一個(gè)面的蝕刻工藝時(shí)，如何有效避免蝕刻液沾染波及非指定蝕刻的表面，成為業(yè)界一直關(guān)注的議題。已知技術(shù)中，對(duì)硅基板單一個(gè)面進(jìn)行蝕刻時(shí)避免非指定蝕刻面沾染到蝕刻液的方法有多種，有的技術(shù)是另附加保護(hù)層(如光刻膠或粘膠)于硅基板非指定蝕刻的面上，以避免工藝中侵蝕液的沾染，然而此法于蝕刻完成后必須多一道清除保護(hù)層的工藝，不僅增加工藝上的繁瑣，同時(shí)若清除不完全時(shí)還可能有殘膠而造成硅基板表面的污染，或者是在清除保護(hù)層的過(guò)程中而使基板產(chǎn)生刮傷，十分不便。有鑒于此，如何針對(duì)上述已知針對(duì)基板單一個(gè)面的蝕刻方法及裝置所存在的缺點(diǎn)進(jìn)行研發(fā)改良，讓使用者能夠更方便使用且制作成本降到最低，實(shí)為相關(guān)業(yè)界所需努力研發(fā)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種基板表面處理裝置及其方法，藉由供液槽與傳送元件的位置設(shè)置使基板的下表面于傳送過(guò)程中可依序接觸由供液槽所涌出的處理液。本發(fā)明一實(shí)施例的基板表面處理裝置，包括:多個(gè)傳送元件，用以于一預(yù)定方向傳送至少一基板；以及至少一供液槽，其分別間隔設(shè)置于傳送元件之間，而一處理液自供液槽涌溢出，使得基板于傳送過(guò)程中，基板的下表面可依序接觸處理液。本發(fā)明另一實(shí)施例的基板表面處理方法，包括下列步驟:使用多個(gè)傳送元件于一預(yù)定方向傳送至少一基板；提供至少一供液槽，其間隔地設(shè)置于傳送元件間，其中供液槽的頂部為開(kāi)放狀態(tài)；以及注入一處理液于供液槽內(nèi)使處理液涌溢出，使得基板于傳送過(guò)程中，基板的下表面可依序接觸處理液。以下藉由具體實(shí)施例配合所附的附圖詳加說(shuō)明，當(dāng)更容易了解本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其所達(dá)成的功效。


圖1為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的示意圖。圖2A、圖2B、圖2C、圖2D、圖2E為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的示意圖。圖3為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的示意圖。圖4為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的流程圖。圖5為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的示意圖。圖6為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明:10傳送元件20供液槽201第一 槽壁202第二槽壁203供液槽的頂部22處理液30基板32下表面40供液裝置401加壓馬達(dá)402輸送管路403混合槽50承漏槽501輸送管路60廠務(wù)端A預(yù)定方向SlO步驟S20步驟S30步驟S40步驟
具體實(shí)施例方式其詳細(xì)說(shuō)明如下，所述較佳實(shí)施例僅做一說(shuō)明非用以限定本發(fā)明。請(qǐng)先參考圖1，圖1為本發(fā)明一實(shí)施例基板表面處理裝置的示意圖。如圖所示，于本實(shí)施例中，基板表面處理裝置包括:多個(gè)傳送元件10 ;以及至少一供液槽20。該等傳送元件10的設(shè)置用以于一預(yù)定方向(如箭頭A方向所示)傳送至少一基板30。于本實(shí)施例中，供液槽20間隔設(shè)置于傳送元件10間。一處理液22自該供液槽20涌溢出，因此，使得基板30于傳送過(guò)程中，基板30的下表面32可依序接觸該處理液22，進(jìn)而達(dá)到處理基板30的整個(gè)下表面32的目的。又，基板30于被傳送的預(yù)定方向A的長(zhǎng)度，亦即基板30縱向的長(zhǎng)度大于供液槽20。但是，基板30在橫向的寬度是小于供液槽20。如此，相較基板30縱向長(zhǎng)度而言，供液槽20涌溢的處理液22便以線接觸方式去接觸基板30，使得基板30的下表面32可依序接觸處理液22，進(jìn)而達(dá)到處理基板30的整個(gè)下表面32的目的。請(qǐng)參照?qǐng)D2A、圖2B、圖2C、圖2D與圖2E，由圖2A至圖2E為處理液涌溢出供液槽的示意圖。當(dāng)注入處理液22而填滿該供液槽20時(shí)，因?yàn)樘幚硪?2表面張力之故，致使處理液22的液面高度略高于供液槽20的槽壁，因此，處理液22將可直接接觸基板30的下表面32。又，因持續(xù)注入處理液，而使得供液槽20內(nèi)的處理液22將涌溢而出。又，于另一實(shí)施例中，如圖3所示，處理液22自供液槽20涌溢出后，處理液22將沾附于傳送元件10上，而傳送元件10在傳送基板30的過(guò)程中，基板30的下表面32將間接地接觸處理液22。于上述實(shí)施例中，處理液22不論是直接接觸或是間接接觸基板30的下表面32，本發(fā)明的裝置皆可有效對(duì)基板30的單一表面(下表面32)進(jìn)行所需要的處理。請(qǐng)參照?qǐng)D1，于一實(shí)施例中，基板表面處理裝置的供液槽20，其設(shè)有一第一槽壁201及一第二槽壁202，第一槽壁201與第二槽壁202 二者具有一高度差。于本實(shí)施例中，如圖1所示，于箭頭A所指方向可作為較低的槽壁設(shè)計(jì)的依據(jù)，亦即第二槽壁202的高度低于第一槽壁201，進(jìn)而使供液槽20內(nèi)處理液22可朝向高度較低的第二槽壁202涌溢而出。而涌溢出的處理液22便可沾附在臨近第二槽壁202的傳送元件10，使得處理液22間接接觸該傳送元件10所傳送的基板30的下表面32。亦即，處理液22可經(jīng)由傳送元件10的媒介而間接接觸基板30的下表面32，以達(dá)到處理基板30的整個(gè)下表面32的目的。由于第二槽壁202較低，因此大部分處理液會(huì)往第二槽壁202涌溢而出。然而，若注入的處理液22量大時(shí)，處理液22亦會(huì)往第一槽壁201涌溢，而沾附在臨近第一槽壁201的傳送元件10，亦可使處理液22經(jīng)由傳送元件10的媒介而間接接觸基板30的下表面32。于又一實(shí)施例中，如圖3所示，供液槽20的相對(duì)兩槽壁(第一槽壁201及第二槽壁202)并無(wú)高度差，工藝中不斷涌溢出的處理液22藉由傳送元件10沾附間接地接觸基板30的下表面32。請(qǐng)參考圖4，本發(fā)明一實(shí)施例基板表面處理裝置的示意圖。如圖所示，其主要與圖1所示的實(shí)施例相同，惟，于本實(shí)施例中，基板表面處理裝置更包括:一供液裝置40 ;以及一承漏槽50。供液裝置40用以供應(yīng)供液槽20所需的處理液22，而承漏槽50則用來(lái)承接該涌出的處理液22。供液裝置40可包括加壓馬達(dá)401、輸送管路402與混合槽403等設(shè)備，處理液22可存放于混合槽403中，并透過(guò)加壓馬達(dá)401及輸送管路402的連通，進(jìn)而令混合槽403中的處理液22可注入供液槽20。又，承漏槽50內(nèi)的處理液22亦透過(guò)輸送管路501而連通混合槽，如此循環(huán)回收處理液亦可有效降低生產(chǎn)成本。再者，混合槽403亦連通廠務(wù)端60，而可匯合來(lái)自廠務(wù)端60的處理液，進(jìn)而可調(diào)整處理液22的濃度。請(qǐng)參考圖5，本發(fā)明一實(shí)施例基板表面處理方法的流程示意圖。如圖所示，于本實(shí)施例中，基板表面處理方法包括下列步驟。使用多個(gè)傳送元件于一預(yù)定方向傳送一基板(步驟Sio)。提供至少一供液槽，間隔地設(shè)置于傳送元件間，其中供液槽的頂部為開(kāi)放狀態(tài)(步驟S20)。注入一處理液于供液槽內(nèi)使處理液涌溢出與基板的下表面接觸使基板的整個(gè)下表面于傳送時(shí)可依序接觸處理液(步驟S30)。于本實(shí)施例中，處理液與基板的下表面可直接接觸或是間接接觸。于一實(shí)施例中，處理液可自供液槽涌溢而直接與基板的下表面直接接觸。于另一實(shí)施例中，處理液自供液槽涌溢出后，使得傳送元件沾附處理液，而經(jīng)由傳送元件所傳送基板的下表面便間接地接觸處理液。于一實(shí)施例中，更包括一步驟S40，接收涌溢出的處理液后再供給至供液槽以重復(fù)步驟S30。根據(jù)上述說(shuō)明，于本發(fā)明中，傳送元件10用來(lái)朝一預(yù)定方向A傳送基板30，而供液槽20設(shè)置于傳送元件10間?；?0的傳送可依照需求做水平地或非水平地傳送。另外，如圖1、圖2A或圖4所示，由于基板30于傳送元件10與供液槽20的上方傳送，供液槽20的頂部203與基板30的下表面32保持有一間隙。于本發(fā)明中供液槽20分別間隔地設(shè)置于傳送元件10間。傳送元件10可為滾輪(!■oiler)、履帶或其他傳送裝置。但傳送元件10的數(shù)量與位置設(shè)置則可依照不同需求設(shè)計(jì)，如圖6所示，供液槽20設(shè)置于傳送元件10間，但傳送元件10可依設(shè)計(jì)間隔設(shè)置或并排設(shè)置。根據(jù)上述說(shuō)明，本發(fā)明的特征在于供應(yīng)處理液的供液槽設(shè)置排列于傳送元件間。本發(fā)明藉由供液槽內(nèi)涌溢出的處理液，如水或化學(xué)藥液，以線接觸方式直接或間接接觸部分基板的下表面。于基板傳送過(guò)程中，基板的整個(gè)下表面都會(huì)依序接觸處理液。處理液可于涌出處直接與基板下表面接觸或是涌出的處理液藉由傳送元件，如滾輪，作為媒介進(jìn)而間接沾附接觸于基板下表面。于本發(fā)明中，供液槽持續(xù)涌溢出新鮮的處理液，而涌出的處理液可回收調(diào)整濃度后再使用。因此，基板下表面是持續(xù)接觸新鮮的處理液，且使用過(guò)處理液與反應(yīng)過(guò)程中可能產(chǎn)生的熱能、氣泡或生成物即刻隨著供液槽所涌溢的處理液而帶離，并進(jìn)入承漏槽。亦即，供液槽持續(xù)對(duì)基板提供新鮮的處理液，以有效控制基板表面處理?xiàng)l件的穩(wěn)定性與一致性。本發(fā)明藉由傳送元件與供液槽的設(shè)置，于基板傳送過(guò)程中，新鮮的處理液與使用過(guò)處理液并不會(huì)被混合一起而影響供液槽中處理液的濃度。另外，本發(fā)明基板表面處理裝置的設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)可依維修需求輕易地進(jìn)行組件的更換。綜合上述，本發(fā)明提供一種基板表面處理裝置及其方法，藉由供液槽與傳送元件的位置設(shè)置使基板的下表面于傳送過(guò)程中可依序接觸由供液槽所涌出的處理液。

以上所述的實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在使熟習(xí)此項(xiàng)技藝的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，當(dāng)不能以的限定本發(fā)明的專利范圍，即大凡依本發(fā)明所揭示的精神所作的均等變化或修飾，仍應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基板表面處理裝置，包含: 多個(gè)傳送元件，用以于一預(yù)定方向傳送至少一基板；以及 至少一供液槽，其分別間隔設(shè)置于所述多個(gè)傳送元件之間，而一處理液自所述供液槽涌溢出，使得所述基板于傳送過(guò)程中，所述基板的下表面可依序接觸所述處理液。
2.如權(quán)利要求1所述的基板表面處理裝置，其特征在于，所述處理液直接接觸所述基板的下表面。
3.如權(quán)利要求1所述的基板表面處理裝置，其特征在于，所述傳送元件沾附涌溢出的所述處理液，使得所述處理液間接地接觸經(jīng)由所述傳送元件所傳送的所述基板的下表面。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的基板表面處理裝置，其特征在于，所述供液槽設(shè)有一第一槽壁及一第二槽壁，且所述第一槽壁與一第二槽壁具有一高度差，使得持續(xù)注入所述供液槽內(nèi)的所述處理液朝向較低的所述第二槽壁涌溢出。
5.如權(quán)利要求1所述的基板表面處理裝置，其特征在于，更包含: 一供液裝置，用以供給所述處理液予所述供液槽；以及 一承漏槽，用以承接所述供液槽涌溢出的所述處理液。
6.如權(quán)利要求5所述的基板表面處理裝置，其特征在于，所述供液裝置更包含一混合槽用以回收來(lái)自所述承漏槽的所述處理液，并匯合來(lái)自廠務(wù)端的處理液，以調(diào)整濃度后再供給至所述供液裝置。
7.一種基板表面處理方法，包含下列步驟: 使用多個(gè)傳送元件于一預(yù)定方向傳送至少一基板； 提供至少一供液槽，其間隔地設(shè)置于所述多個(gè)傳送元件間，其中所述供液槽的頂部為開(kāi)放狀態(tài)；以及 注入一處理液于所述供液槽內(nèi)使所述處理液涌溢出，使得所述基板于傳送過(guò)程中，所述基板的下表面可依序接觸所述處理液。
8.如權(quán)利要求7所述的基板表面處理方法，其特征在于，所述處理液于涌出處與所述基板的下表面直接接觸。
9.如權(quán)利要求7所述的基板表面處理方法，其特征在于，涌出的所述處理液沾附于所述傳送元件上并藉此經(jīng)由所述傳送元件所傳送所述基板的下表面可間接地接觸所述處理液。
10.如權(quán)利要求7所述的基板表面處理方法，其特征在于，更包含接收涌出的所述處理液經(jīng)調(diào)整后再供給至所述供液槽。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板表面處理裝置及其方法?；灞砻嫣幚硌b置包括多個(gè)傳送元件，用以于一預(yù)定方向傳送至少一基板；以及至少一供液槽，其分別間隔設(shè)置于傳送元件之間，而一處理液自供液槽涌溢出，使得基板于傳送過(guò)程中基板的下表面可依序接觸處理液。
文檔編號(hào)H01L21/67GK103187337SQ201110451448
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
發(fā)明者張書(shū)省, 蔡嘉雄, 劉仕偉, 茹振宗 申請(qǐng)人:均豪精密工業(yè)股份有限公司