專利名稱：雙柵極像素結(jié)構(gòu)陣列面板結(jié)構(gòu)及液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種Dual Gate (雙柵極)像素結(jié)構(gòu)陣列面板結(jié)構(gòu)及液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示面板由兩片玻璃基板之間充入液晶制作而成,其中在液晶顯示面板表面的為CF(Color Filter,彩色濾光膜)面板,該面板也可以稱為彩膜面板,在內(nèi)部的為TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)面板,該面板也稱為陣列面板。在陣列面板上設(shè)置有一基板、配置于該基板上的多條掃描線、數(shù)據(jù)線以及多個(gè)ITO(像素電極)。其中，用于驅(qū)動(dòng)信號(hào)的掃描線以及輸入信號(hào)的數(shù)據(jù)線在基板上劃分多個(gè)像素區(qū)，ITO配置與像素區(qū)內(nèi)，每一個(gè)ITO在所屬的像素區(qū)內(nèi)對(duì)應(yīng)一個(gè)TFT，在顯示的過程中，通過掃描線和數(shù)據(jù)線進(jìn)行驅(qū)動(dòng)和數(shù)據(jù)輸入。針對(duì)陣列面板的布局主要以下兩種方式:如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中的一種Dual Gate (雙柵極)像素結(jié)構(gòu)陣列基板結(jié)構(gòu)的布局圖。其中相鄰像素的透射區(qū)基本一致，且位于同一條直線上，在液晶顯示面板進(jìn)行顯示的過程中效果與正常的液晶顯示面板的顯示效果無差異，但是在每一個(gè)像素對(duì)應(yīng)的TFT占用空間較大，降低了 ITO的開口率，影響液晶顯示面板的顯示效果。如圖2所示，為現(xiàn)有技術(shù)中另一種Dual Gate (雙柵極)像素結(jié)構(gòu)陣列基板結(jié)構(gòu)的布局圖。其中，ITO和掃描線層之間存在交疊(與第一金屬層之間存在交疊)，并利用第一金屬層做像素短邊的遮光線；ΙΤ0的透射區(qū)交錯(cuò)排列。采用上述布局，雖然能夠解決圖1所示的像素開口率小的問題。但是，透射區(qū)的排列是交錯(cuò)進(jìn)行的，在分辨率不高的情況下會(huì)出現(xiàn)很強(qiáng)的格子感，造成液晶顯示效果下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)陣列面板及液晶顯示面板，以克服現(xiàn)有技術(shù)中陣列面板的布局，無法同時(shí)兼顧開口率和液晶顯示面板的顯示效果都處于正常狀態(tài)的問題。有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供如下技術(shù)方案:一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)陣列面板結(jié)構(gòu)，包括:—玻璃基板；設(shè)置于所述玻璃基板上的多條掃描線和數(shù)據(jù)線，所述掃描線按行配置，所述數(shù)據(jù)線按列配置；由所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線交叉劃分的多個(gè)像素區(qū)域；其中，一個(gè)所述像素區(qū)域內(nèi)包括兩個(gè)像素，一個(gè)所述像素的像素電極鏈接一個(gè)薄膜晶體管，位于兩條所述掃描線之間的像素其中心位于同一條直線上；橫向相鄰的兩個(gè)像素為一組鏈接同一條數(shù)據(jù)線；
縱向相鄰的兩個(gè)像素之間存在兩條折線布局的掃描線，使相鄰的所述像素之間的透射區(qū)平行對(duì)齊。優(yōu)選地，折線布局的所述掃描線上包括凹陷部分和凸起部分；所述凹陷部分由一水平段，及連接于所述水平段兩端的兩段傾斜段構(gòu)成；所述凸起部分由連接于相鄰所述水平段之間的兩段傾斜段構(gòu)成；所述薄膜晶體管的柵極與所述兩段傾斜段中設(shè)置連接端的一段傾斜段連接。優(yōu)選地，相鄰列的像素對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管所在的位置相對(duì)設(shè)置。優(yōu)選地，連接不同數(shù)據(jù)線的相鄰像素之間設(shè)置一公共電極線。優(yōu)選地，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素的像素電極鏈接；所述漏極鏈接后的部分，延伸至所述像素與其相鄰像素之間的公共電極線上，增加所述像素的存儲(chǔ)電容。優(yōu)選地，所述像素的像素電極與鏈接所述薄膜晶體管相反的一端與相鄰的掃描線交疊預(yù)設(shè)長(zhǎng)度。優(yōu)選地，相鄰的所述像素之間的透射區(qū)平行對(duì)齊。優(yōu)選地，位于縱向相鄰的像素之間的掃描線布局的折線狀態(tài)包括:鋸齒型。優(yōu)選地，位于縱向相鄰的像素之間的掃描線布局的折線狀態(tài)包括:波浪型.
—種液晶顯不面板，包括:彩膜面板和陣列 面板；所述陣列面板為上述所述的陣列面板。經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明公開了一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)陣列面板及液晶顯示面板。通過按行配置掃描線，按列配置數(shù)據(jù)線，并經(jīng)由掃描線和數(shù)據(jù)線交叉劃分像素，每個(gè)像素對(duì)應(yīng)鏈接一個(gè)TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)；通過上述劃分后使橫向相鄰的兩個(gè)像素為一組鏈接同一條數(shù)據(jù)線；縱向相鄰的兩個(gè)像素之間存在兩條折線布局的掃描線，使相鄰的所述像素之間的透射區(qū)平行對(duì)齊。本發(fā)明基于上述結(jié)構(gòu)使掃描線成折線狀態(tài)，使相鄰的所述像素之間的透射區(qū)平行對(duì)齊，在減少TFT占用空間面積，提升開口率的同時(shí)，還確保橫向相鄰的像素位于同一直線上，從而避免像素的透射區(qū)交錯(cuò)，提升了液晶顯示面板的顯示效果。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中公開的一種Dual Gate (雙柵極)像素結(jié)構(gòu)陣列基板結(jié)構(gòu)的布局圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中公開的另一種Dual Gate像素結(jié)構(gòu)陣列基板結(jié)構(gòu)的布局圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一公開的一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)陣列面板結(jié)構(gòu)的像素透射區(qū)排列意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例一公開的一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)陣列面板結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例一公開的一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)陣列面板結(jié)構(gòu)的布局圖6為本發(fā)明實(shí)施例一公開的一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)陣列面板結(jié)構(gòu)的第一金屬層G層圖形示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在現(xiàn)有技術(shù)中，針對(duì)Dual Gate(雙柵極)橫向像素陣列基板結(jié)構(gòu)的布局一般情況下采用兩種方式。如背景技術(shù)可知，其一，每一個(gè)像素對(duì)應(yīng)的TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)占用空間較大，降低了像素的開口率，影響液晶顯示面板的顯示效果。其二，ITO的透射區(qū)交錯(cuò)排列，雖然能夠解決ITO開口率不高的問題，但是，在分辨率不高的情況下容易出現(xiàn)格子感，從而造成液晶顯示效果下降。因此，本發(fā)明以下實(shí)施例公開了一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)陣列面板，以及具有該陣列面板的液晶顯示面板。通過使掃描線成折線狀態(tài)，且使相鄰的所述像素之間的透射區(qū)平行對(duì)齊，在減少TFT占用空間面積，提升開口率的同時(shí)，還確保橫向相鄰的像素位于同一直線上，從而避免像素的透射區(qū)交錯(cuò)，提升了液晶顯示面板的顯示效果。具體結(jié)構(gòu)通過以下實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。實(shí)施例一如圖3所示，為本發(fā)明實(shí)施例一公開的一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)陣列面板結(jié)構(gòu)的BM圖形示意圖，主要包括:玻璃基板(圖中未示出)、像素1、像素電極ITO(圖中未示出)、TFT (圖中未示出)、掃描線2、數(shù)據(jù)線3和公共電極線(圖中未示出)。玻璃基板， 設(shè)置于該玻璃基板上的多條掃描線2和數(shù)據(jù)線3，所述掃描線2按行配置，所述數(shù)據(jù)線3按列配置。由所述掃描線4和所述數(shù)據(jù)線3交叉劃分的多個(gè)像素區(qū)域4;其中，一個(gè)所述像素區(qū)域4內(nèi)包括兩個(gè)像素1，一個(gè)所述像素I的像素電極ITO鏈接一個(gè)TFT，位于兩條所述掃描線2之間的像素I其中心位于同一直線上。橫向相鄰的兩個(gè)像素I為一組鏈接同一條數(shù)據(jù)線3。縱向相鄰的兩個(gè)像素I之間存在兩條折線布局的掃描線2 (該分布在圖3中未體現(xiàn)，具體可參見下述說明)，使相鄰的所述像素I之間的透射區(qū)平行對(duì)齊。相鄰列的像素I對(duì)應(yīng)的TFT所在的位置相對(duì)設(shè)置。針對(duì)上述折線布局的掃描線2，以TFT的柵極連接當(dāng)前掃描線2的方向?yàn)閰⒖键c(diǎn)，該掃描線主要包括凹陷部分和凸起部分(可具體參見下述以第四掃描線為例進(jìn)行描述的部分)，該凹陷部分由一水平段，及連接于該水平段兩端的兩段傾斜段構(gòu)成；該凸起部分由連接于相鄰水平段之間的兩段傾斜段構(gòu)成；該1 1的柵極與該兩段傾斜段中的一段傾斜段連接。為方便下述說明，本發(fā)明給出的圖4示為上述雙柵極像素結(jié)構(gòu)陣列面板結(jié)構(gòu)的示意圖，具體對(duì)應(yīng)附圖4:玻璃基板(圖中未標(biāo)不);掃描線主要包括:第一掃描線11、第二掃描線12、第三掃描線13和第四掃描線14。數(shù)據(jù)線主要包括:第一數(shù)據(jù)線21和第二數(shù)據(jù)線22。公共電極線包括:第一公共電極線31和第二公共電極線32。像素主要包括:第一像素41，第二像素42，第三像素43，第四像素44，依次類推至第八像素48。對(duì)應(yīng)上述公開的像素，像素電極ITO依次包括:第一像素電極ITO至第八像素電極ITO (圖中未標(biāo)示)O同樣對(duì)應(yīng)上述公開的像素，與像素鏈接的TFT依次包括:TFT01至TFT08。針對(duì)上述結(jié)構(gòu)，如圖4和圖5所示(圖5為圖4內(nèi)部分陣列面板結(jié)構(gòu)的布局圖):第一掃描線11、第二掃描線12、第三掃描線13和第四掃描線14按照行，采用折線布局方式配置于玻璃基板上(該折線布局狀態(tài)可以參見附圖6);第一數(shù)據(jù)線21和第二數(shù)據(jù)線22按列配置于玻璃基板上。第一掃描線11、第二掃描線12、第三掃描線13和第四掃描線14分別與第一數(shù)據(jù)線21和第二數(shù)據(jù)線22交叉，劃分出多個(gè)像素區(qū)域.
在圖4中示出了四個(gè)像素區(qū)域，其中，第一像素41和第二像素42位于同一像素區(qū)域內(nèi)鏈接第一數(shù)據(jù)線21 ;第三像素43和第四像素44位于同一像素區(qū)域內(nèi)鏈接第二數(shù)據(jù)線
22;第五像素45和第六像素46位于同一像素區(qū)域內(nèi)鏈接第一數(shù)據(jù)線22 ;第七像素47和第八像素48位于同一像素區(qū)域內(nèi)鏈接第二數(shù)據(jù)線21。在圖4中，四個(gè)像素:第一像素41、第二像素42、第三像素43，第四像素44與另外四個(gè)像素:第五像素45、第六像素46、第七像素47、第八像素48之間布設(shè)有第一掃描線11和第二掃描線12。該第一掃描線11和第二掃描線12按照折線狀態(tài)進(jìn)行布局。上述橫向相鄰的第一像素41、第二像素42、第三像素43和第四像素44的橫向中心線位于同一直線上。需要說明的是，上述相鄰的像素之間的透射區(qū)平行對(duì)齊。各個(gè)對(duì)應(yīng)鏈接像素的TFT，具體的鏈接方式為:第一像素41對(duì)應(yīng)的像素電極ITO與TFTOl的漏極S鏈接，依次第二像素42對(duì)應(yīng)的像素電極ITO與TFT02的漏極S鏈接，直至第八像素48對(duì)應(yīng)的像素電極ITO與TFT08的漏極S鏈接。其中，相鄰列的像素對(duì)應(yīng)的TFT所在的位置相對(duì)設(shè)置?；谏鲜鲦溄?，各個(gè)與像素電極ITO鏈接后的、TFT的漏極延伸至對(duì)應(yīng)像素與相鄰像素之間的公共電極線(如圖4中的第一公共電極線31和第二公共電極線32)上，增加了對(duì)應(yīng)像素的存儲(chǔ)電容。針對(duì)鏈接各個(gè)像素的TFT與掃描線的具體關(guān)系為:TFTOl和TFT03的柵極鏈接于第二掃描線12上，TFT05和TFT07的柵極鏈接于該第一掃描線11上。鏈接其他像素的TFT與掃描線的具體關(guān)系與上述相同，這里不再進(jìn)行贅述。上述采用折線布局的掃描線主要包括凹陷部分和凸起部分，以TFT的柵極連接當(dāng)前掃描線的方向?yàn)閰⒖键c(diǎn)，確定連接TFT的柵極的部分為凸起部分，具體參見附圖6以第四掃描線14為例進(jìn)行說明:該第四掃描線14包括凹陷部分和凸起部分，該凹陷部分由一水平段15，及連接于該水平段15兩端的第一傾斜段16和第二傾斜段17構(gòu)成；該凸起部分由連接于相鄰水平段15和水平段18之間的第一傾斜段16和第二傾斜段17構(gòu)成；如圖6所示，在該第一傾斜段16上設(shè)置有柵極19。通過上述對(duì)掃描線進(jìn)行折線排布，使相鄰的所述像素之間的透射區(qū)平行對(duì)齊，在減少TFT占用空間面積，提升開口率的同時(shí)，還確保橫向相鄰的像素位于同一直線上，從而避免像素的透射區(qū)交錯(cuò)，提升了液晶顯示面板的顯示效果。另外，使TFT的漏極與對(duì)應(yīng)的像素電極ITO鏈接后延伸至TFT對(duì)應(yīng)像素與相鄰像素之間的公共電極線上，增加對(duì)應(yīng)像素的存儲(chǔ)電容，進(jìn)一步提升了開口率。實(shí)施例二在上述本發(fā)明公開的實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，在連接不同數(shù)據(jù)線的相鄰像素之間設(shè)置一公共電極線，也就是說兩個(gè)相鄰的像素公用一公共電極線，更進(jìn)一步的縮小了像素之間的面積，提高了開口率。同時(shí)，還可以使各個(gè)像素的像素電極未鏈接TFT的一端，即與鏈接TFT相反的一端與相鄰的掃描線交疊預(yù)設(shè)長(zhǎng)度，通過交疊一定長(zhǎng)度，增加對(duì)應(yīng)像素的存儲(chǔ)電容，并使交疊處的掃描線起到遮光線的作用，同時(shí)提高像素的開口率。該預(yù)設(shè)長(zhǎng)度可以具體根據(jù)像素寬度，或者掃描線折線的長(zhǎng)度進(jìn)行具體的設(shè)定。如圖4所示，使第一像素41未鏈接TFTOl的一端與第三掃描線13交疊；相鄰的第二像素42鏈接的TFT02的源極部分則位于該第三掃描線13的斜線上。其他像素的TFT與掃描線的具體關(guān)系與上述相同，這里不再進(jìn)行贅述。針對(duì)上述實(shí)施例一和實(shí)施例二公開的陣列面板上，位于縱向相鄰的像素之間的掃描線布局的折線狀態(tài)可以為鋸齒型，也可以為波浪型。此外，在上述本發(fā)明實(shí)施例一和實(shí)施例二公開的陣列面板結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還公開了一種液晶顯示面板，該液晶面板主要包括:彩膜面板和陣列面板；該陣列面板的結(jié)構(gòu)為上述實(shí)施例中公開的任意一種采用折線狀態(tài)布局掃描線的陣列基板。綜上所述:本發(fā)明公開的陣列面板的結(jié)構(gòu)，通過按行配置掃描線，按列配置數(shù)據(jù)線，并經(jīng)由掃描線和數(shù)據(jù)線交叉劃分像素，每個(gè)像素對(duì)應(yīng)鏈接一個(gè)TFT，并使掃描線布局為折線狀態(tài)，使相鄰的所述像素之間的透射區(qū)平行對(duì)齊。，在減少TFT占用空間面積，提升開口率的同時(shí)，還確保橫向相鄰的像素位于同一直線上，從而避免像素的透射區(qū)交錯(cuò)，提升了液晶顯示面板的顯示效果。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)陣列面板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一玻璃基板； 設(shè)置于所述玻璃基板上的多條掃描線和數(shù)據(jù)線，所述掃描線按行配置，所述數(shù)據(jù)線按列配置； 由所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線交叉劃分的多個(gè)像素區(qū)域；其中，一個(gè)所述像素區(qū)域內(nèi)包括兩個(gè)像素，一個(gè)所述像素的像素電極鏈接一個(gè)薄膜晶體管，位于兩條所述掃描線之間的像素其中心位于同一條直線上； 橫向相鄰的兩個(gè)像素為一組鏈接同一條數(shù)據(jù)線； 縱向相鄰的兩個(gè)像素之間存在兩條折線布局的掃描線，使相鄰的所述像素之間的透射區(qū)平行對(duì)齊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，以所述薄膜晶體管的柵極連接所述掃描線的方向?yàn)閰⒖键c(diǎn)，折線布局的所述掃描線上包括凹陷部分和凸起部分； 所述凹陷部分由一水平段，及連接于所述水平段兩端的兩段傾斜段構(gòu)成； 所述凸起部分由連接于相鄰所述水平段之間的兩段傾斜段構(gòu)成； 所述薄膜晶體管的柵極與所述兩段傾斜段中一段傾斜段連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰列的像素對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管所在的位置相對(duì)設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，連接不同數(shù)據(jù)線的相鄰像素之間設(shè)置一公共電極線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素的像素電極鏈接； 所述漏極鏈接后的部分，延伸至所述像素與其相鄰像素之間的公共電極線上，增加所述像素的存儲(chǔ)電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素的像素電極與相鄰的掃描線交疊預(yù)設(shè)長(zhǎng)度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰的所述像素之間的透射區(qū)平行對(duì)齊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中任意一項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于縱向相鄰的像素之間的掃描線布局的折線狀態(tài)包括:鋸齒型。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 7中任意一項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于縱向相鄰的像素之間的掃描線布局的折線狀態(tài)包括:波浪型.
10.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括:彩膜面板和陣列面板； 所述陣列面板為權(quán)利要求1 9中任意一項(xiàng)所述的陣列面板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙柵極像素結(jié)構(gòu)的陣列面板及液晶顯示面板。通過按行配置掃描線，按列配置數(shù)據(jù)線，并經(jīng)由掃描線和數(shù)據(jù)線交叉劃分像素，每個(gè)像素對(duì)應(yīng)鏈接一個(gè)薄膜晶體管；并按照上述劃分后使橫向相鄰的兩個(gè)像素為一組鏈接同一條數(shù)據(jù)線；縱向相鄰的兩個(gè)像素之間存在兩條折線布局的掃描線，使相鄰的所述像素之間的透射區(qū)平行對(duì)齊。在減少TFT占用空間面積，提升開口率的同時(shí)，還確保橫向相鄰的像素位于同一直線上，從而避免像素的透射區(qū)交錯(cuò)，提升了液晶顯示面板的顯示效果。
文檔編號(hào)H01L27/12GK103187422SQ20111045718
公開日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者夏志強(qiáng) 申請(qǐng)人:上海中航光電子有限公司