背鍍金屬led的切割方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種背鍍金屬LED的切割方法，該背鍍金屬LED包括基板、位于基板上方的N-GaN層、分別位于N-GaN層上方的負極、P-GaN層與正極，以及位于基板下方的金屬背板，該方法包括依次進行的如下步驟生長SiO2層、涂覆光刻膠、光刻、蝕刻SiO2溝槽、GaN刻蝕、去光刻膠、SiO2腐蝕、隱形切割。由于采用上述技術(shù)方案，利用SiO2和光刻膠做研磨材料，將MESA處的N-GaN全部刻蝕掉，如此可對其進行正面隱形切割，提高出光效率，由于避免了普通紫外切割所引起的側(cè)壁燒焦，減少了吸光，也就提升了亮度。此外，如果做了隱形切割就不用做側(cè)腐蝕SWE的洗邊工藝了，簡化了前制程的工藝。
【專利說明】背鍍金屬LED的切割方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種LED切割方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中針對背鍍金屬的LED，其切割通常采用正表面激光普通切割；這種切割方式帶來的缺點是，正表面激光普通切割對LED側(cè)壁出的光吸收較大，影響出光效率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的是提高背鍍金屬LED的出光效率，增加側(cè)壁出光，提高出光效率。
[0004]為了達到上述技術(shù)目的，本發(fā)明提供了一種背鍍金屬LED的切割方法，所述的背鍍金屬LED包括基板、位于所述的基板上方的N-GaN層、分別位于所述的N-GaN層上方的負極、P-GaN層與正極，以及位于所述的基板下方的金屬背板，該方法包括依次進行的如下步驟:
(a)生長5102層:生長一層覆蓋于所述的N-GaN層、負極、P-GaN層以及正極上方的SiO2
層；
(b)涂覆光刻膠:在所述的SiO2層上方涂覆一層光刻膠；
(c)光刻:通過曝光機蝕刻除去位于分割位置處的光刻膠；
Cd)蝕刻SiO2溝槽:蝕刻除去位于分割位置處的SiO2 ；
(e) GaN刻蝕:蝕刻除去位于分割位置處的GaN層；
Cf)去光刻膠:去除剩余的光刻膠；
(g)SiO2腐蝕:去除剩余的SiO2 ；
(h)隱形切割:通過隱形切割的方式于分割位置切割所述的基板與金屬背板。
[0005]優(yōu)選地，所述的基板為藍寶石基板。
[0006]優(yōu)選地，所述的金屬背板為鋁背板。
[0007]由于采用上述技術(shù)方案，利用SiO2和光刻膠做研磨材料，將MESA處的N-GaN全部刻蝕掉，如此可對其進行正面隱形切割，提高出光效率，由于避免了普通紫外切割所引起的側(cè)壁燒焦，減少了吸光，也就提升了亮度。此外，如果做了隱形切割就不用做側(cè)腐蝕SWE的洗邊工藝了，簡化了前制程的工藝。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]附圖1為背鍍金屬LED的結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖2為根據(jù)本發(fā)明的步驟(a)的示意圖；
附圖3為根據(jù)本發(fā)明的步驟(b)的示意圖；
附圖4為根據(jù)本發(fā)明的步驟(C)的示意圖；
附圖5為根據(jù)本發(fā)明的步驟(d)的示意圖；
附圖6為根據(jù)本發(fā)明的步驟(e)的示意圖； 附圖7為根據(jù)本發(fā)明的步驟(f)的示意圖；
附圖8為根據(jù)本發(fā)明的步驟(g)的示意圖；
附圖9為根據(jù)本發(fā)明的步驟(h)的示意圖。
【具體實施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
[0010]參見附圖1至附圖9，為根據(jù)本發(fā)明的背鍍金屬LED的切割方法的生產(chǎn)加工流程示意圖。如附圖1所示，該背鍍金屬LED包括基板、位于基板上方的N-GaN層、分別位于N-GaN層上方的負極、P-GaN層與正極，以及位于基板下方的金屬背板，其中，基板為藍寶石基板，金屬背板為鋁背板。
[0011]本實施例中的背鍍金屬LED的切割方法，包括如下步驟:
(a)生長SiO2層:如附圖2所不,生長一層覆蓋于N-GaN層、負極、P-GaN層以及正極上方的SiO2層；
(b)涂覆光刻膠:如附圖3所示，在SiO2層上方涂覆光刻膠；
(c)光刻:如附圖4所示，通過曝光機蝕刻除去位于分割位置處的光刻膠；
Cd)蝕刻SiO2溝槽:如附圖5所示，蝕刻除去位于分割位置處的SiO2 ；
(e) GaN刻蝕:如附圖6所示，蝕刻除去位于分割位置處的GaN ；
Cf)去光刻膠:如附圖7所示，去除剩余的光刻膠；
(g)SiO2腐蝕:如附圖8所示，去除剩余的SiO2 ；
(h)隱形切割:如附圖9所示，通過隱形切割的方式于分割位置切割基板與金屬背板。
[0012]由于采用上述技術(shù)方案，利用SiO2和光刻膠做研磨材料，將MESA處的N-GaN全部刻蝕掉，如此可對其進行正面隱形切割，提高出光效率。隱形切割系將激光聚光于工件內(nèi)部，在工件內(nèi)部形成變質(zhì)層，通過擴展膠膜分割晶粒，由于隱形切割可縮小切割道寬度(切害I]寬度)，因此，與一般的切割相比增加由芯片制造長形晶粒個數(shù)；由于避免了普通紫外切割所引起的側(cè)壁燒焦，減少了吸光，也就提升了亮度；因此可以抑制加工屑的產(chǎn)生，適用于抗污能力差的工件，適用于抗負荷能力差的工件，且采用不需清洗的干式加工制程，簡化了前制程的工藝。
[0013]以上實施方式只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所做的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種背鍍金屬LED的切割方法，所述的背鍍金屬LED包括基板、位于所述的基板上方的N-GaN層、分別位于所述的N-GaN層上方的負極、P-GaN層與正極，以及位于所述的基板下方的金屬背板，其特征在于:該方法包括依次進行的如下步驟: (a)生長5102層:生長一層覆蓋于所述的N-GaN層、負極、P-GaN層以及正極上方的SiO2層； (b)涂覆光刻膠:在所述的SiO2層上方涂覆一層光刻膠； (c)光刻:通過曝光機蝕刻除去位于分割位置處的光刻膠； Cd)蝕刻SiO2溝槽:蝕刻除去位于分割位置處的SiO2 ； (e) GaN刻蝕:蝕刻除去位于分割位置處的GaN層； Cf)去光刻膠:去除剩余的光刻膠； (g)SiO2腐蝕:去除剩余的SiO2 ； (h)隱形切割:通過隱形切割的方式于分割位置切割所述的基板與金屬背板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背鍍金屬LED的切割方法，其特征在于:所述的基板為藍寶石基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背鍍金屬LED的切割方法，其特征在于:所述的金屬背板為鋁背板。
【文檔編號】H01L33/00GK103956412SQ201110458142
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月31日
【發(fā)明者】李虹 申請人:聚燦光電科技(蘇州)有限公司