專(zhuān)利名稱(chēng)：具金剛石導(dǎo)熱厚膜的發(fā)熱組件導(dǎo)熱基座結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及導(dǎo)熱應(yīng)用之領(lǐng)域，具體涉及一種具金剛石導(dǎo)熱厚膜之發(fā)熱組件的導(dǎo)熱基座結(jié)構(gòu)，屬于國(guó)際專(zhuān)利分類(lèi)HOlL技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著各種電子組件功率的不斷提高，電子組件的熱排放量也相對(duì)增加，而形成嚴(yán)重的問(wèn)題。縱觀目前的導(dǎo)熱方式，方式一將電子組件黏貼于高分子絕緣層。方式二 將電子組件黏貼于陶瓷絕緣層，如使用氮化鋁陶瓷基板的方式。方式三將電子組件通過(guò)導(dǎo)熱膏與散熱基座連結(jié)導(dǎo)熱。上述幾種使用方式仍存在著如下缺點(diǎn)高分子絕緣層、陶瓷基板絕緣層或?qū)岣嘟詾楦邿嶙杞Y(jié)構(gòu)材料，使電子組件的發(fā)熱傳導(dǎo)阻塞，電子組件的工作溫度上升， 造成設(shè)備的不穩(wěn)定，甚至于損壞設(shè)備。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的，在于提供一種具金剛石導(dǎo)熱厚膜發(fā)熱組件的導(dǎo)熱基座結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下。一種具金剛石導(dǎo)熱厚膜的發(fā)熱組件導(dǎo)熱基座結(jié)構(gòu)，它包括一導(dǎo)熱基座；一個(gè)以上厚度為40-800微米的金剛石導(dǎo)熱厚膜，該金剛石導(dǎo)熱厚膜的下部貼合于所述導(dǎo)熱基座的平面上；在金剛石導(dǎo)熱厚膜上貼合有發(fā)熱電子組件；在導(dǎo)熱基座的表面排置有一層以上的電路絕緣層；所述的電路絕緣層避開(kāi)了金剛石導(dǎo)熱厚膜在導(dǎo)熱基座上所貼覆的區(qū)域、覆蓋在導(dǎo)熱基座的上表面。所述的導(dǎo)熱基座，其原料選自硅、陶瓷、石墨或金屬中的一種。所述的發(fā)熱電子組件，是由ρ型與η型半導(dǎo)體組成的發(fā)光二極管。所述的金剛石導(dǎo)熱厚膜還可采取鑲?cè)朐谒龅膶?dǎo)熱基座上。本實(shí)用新型發(fā)光二極管的導(dǎo)熱基座結(jié)構(gòu)，可透過(guò)金剛石導(dǎo)熱厚膜迅速傳導(dǎo)熱量， 以維持發(fā)熱組件的正常工作溫度，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中的難題。

圖1為本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型之另一種實(shí)施方式的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1.導(dǎo)熱基座，2.金剛石導(dǎo)熱厚膜，3.發(fā)光二極管，4.電路絕緣層，5.電路， 6.導(dǎo)線，7.石墨層。
具體實(shí)施方式
參見(jiàn)圖1，本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)包括以銅為結(jié)構(gòu)體的導(dǎo)熱基座1，在導(dǎo)熱基座1的平面上貼合一片厚度為300微米的金剛石導(dǎo)熱厚膜2，金剛石導(dǎo)熱厚膜2上部貼合有兩個(gè)發(fā)光二極管3，在避開(kāi)金剛石導(dǎo)熱厚膜2上表面的區(qū)域，制作一層覆蓋導(dǎo)熱基座上表面的電路絕緣層4，該電路絕緣層4上部表面排置電路5，該電路5以金屬導(dǎo)線6連接半導(dǎo)體的各電極供電。因此，發(fā)光二極管3的導(dǎo)熱基座結(jié)構(gòu)，可透過(guò)金剛石導(dǎo)熱厚膜2迅速傳導(dǎo)熱量，以維持發(fā)光二極管3的正常工作溫度。 參見(jiàn)圖2，本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)包括以石墨及銅為復(fù)合結(jié)構(gòu)體的導(dǎo)熱基座1，在石墨層7的上表面，制作一片厚度為60微米的金剛石導(dǎo)熱厚膜2，金剛石導(dǎo)熱厚膜2上部貼合兩個(gè)發(fā)光二極管3結(jié)構(gòu)；在避開(kāi)金剛石導(dǎo)熱厚膜2上表面的區(qū)域，制作一層覆蓋導(dǎo)熱基座上表面的電路絕緣層4，該電路絕緣層4上部表面排置電路5，該電路5以金屬導(dǎo)線6連接半導(dǎo)體的各電極供電。因此，發(fā)光二極管3的導(dǎo)熱基座結(jié)構(gòu)，可透過(guò)金剛石導(dǎo)熱厚膜2迅速傳導(dǎo)熱量，以維持發(fā)光二極管3的正常工作溫度。
權(quán)利要求1.一種具金剛石導(dǎo)熱厚膜的發(fā)熱組件導(dǎo)熱基座結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括一導(dǎo)熱基座；一個(gè)以上厚度為40-800微米的金剛石導(dǎo)熱厚膜，該金剛石導(dǎo)熱厚膜的下部貼合于所述導(dǎo)熱基座的平面上；在金剛石導(dǎo)熱厚膜上貼合有發(fā)熱電子組件；在導(dǎo)熱基座的表面排置有一層以上的電路絕緣層；所述的電路絕緣層避開(kāi)了金剛石導(dǎo)熱厚膜在導(dǎo)熱基座上所貼覆的區(qū)域、覆蓋在導(dǎo)熱基座的上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具金剛石導(dǎo)熱厚膜的發(fā)熱組件導(dǎo)熱基座結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的導(dǎo)熱基座，其原料選自硅、陶瓷、石墨或金屬中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具金剛石導(dǎo)熱厚膜的發(fā)熱組件導(dǎo)熱基座結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的發(fā)熱電子組件，是由P型與η型半導(dǎo)體組成的發(fā)光二極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具金剛石導(dǎo)熱厚膜的發(fā)熱組件導(dǎo)熱基座結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述的金剛石導(dǎo)熱厚膜鑲?cè)朐谒龅膶?dǎo)熱基座上。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種具有金剛石導(dǎo)熱厚膜發(fā)熱組件的導(dǎo)熱基座結(jié)構(gòu)。它包括一導(dǎo)熱基座，在導(dǎo)熱基座平面上貼合一片40-800微米厚度的金剛石導(dǎo)熱厚膜，金剛石導(dǎo)熱厚膜上部貼合有發(fā)熱組件。并且在避開(kāi)金剛石導(dǎo)熱厚膜上表面的區(qū)域，制作一層覆蓋導(dǎo)熱基座上表面的電路絕緣層。該電路絕緣層上部表面可排置電路，該電路通過(guò)金屬導(dǎo)線連接發(fā)熱組件的各電極供電。本實(shí)用新型發(fā)光二極管的導(dǎo)熱基座結(jié)構(gòu)，可透過(guò)金剛石導(dǎo)熱厚膜迅速傳導(dǎo)熱量，以維持發(fā)熱組件的正常工作溫度。
文檔編號(hào)H01L23/12GK202003978SQ201120020569
公開(kāi)日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2011年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月24日
發(fā)明者陳鴻文 申請(qǐng)人:陳鴻文