專利名稱：交流led結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及LED發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種交流LED結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的藍光發(fā)光二極管，因其節(jié)能環(huán)保效果顯著，已經(jīng)由量化工程向公用照明領(lǐng)域拓展?，F(xiàn)有的LED光源大多是通過在藍光芯片上涂YAG熒光粉而獲得，發(fā)光的核心部分是藍光芯片，這種藍光芯片采用直流供電，存在著光轉(zhuǎn)化效率低的問題，如果采用交流芯片，又有了電和氣如何隔離的問題。
實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種光轉(zhuǎn)化效率高、可靠性高、適合大批量生產(chǎn)的交流LED結(jié)構(gòu)。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型的技術(shù)方案是交流LED結(jié)構(gòu)，包括絕緣導熱金屬基板，所述絕緣導熱金屬基板上依次設(shè)置有導熱固晶膠層、交流LED芯片、硅膠層和熒光膠層。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述導熱固晶膠層是導熱系數(shù)為80W/M. K的固晶膠層。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述導熱固晶膠層的厚度為1 5um。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述導熱固晶膠層的厚度為2um。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述絕緣導熱金屬基板的厚度為1 2mm。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述絕緣導熱金屬基板的厚度為1. 5mm。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述硅膠層的厚度為1 5mm。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述硅膠層的厚度為1mm。作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述熒光膠層是由AB膠與紅色熒光粉、橙色熒光粉、綠色熒光粉和黃色熒光粉混合形成的熒光膠層。由于采用了上述技術(shù)方案，本實用新型的有益效果是由于所述的交流LED結(jié)構(gòu)， 包括絕緣導熱金屬基板，所述絕緣導熱金屬基板上面自下而上依次設(shè)有導熱固晶膠層、交流LED芯片、硅膠層和熒光膠層，采用絕緣導熱金屬基板和導熱固晶膠，徹底解決了傳熱與絕緣之間的矛盾，解決了電氣隔離的問題。本實用新型的交流LED結(jié)構(gòu)采用交流供電，可以明顯提高LED芯片的光轉(zhuǎn)化效率， 在提高亮度的同時，能夠具有很好的穩(wěn)定性，大大提高了其使用壽命。
以下結(jié)合附圖
和實施例對本實用新型進一步說明。附圖是本實用新型實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中1-絕緣導熱金屬基板；2-導熱固晶膠層；3-交流LED芯片；4_硅膠層；5_熒光膠層。
具體實施方式
如附圖所示，交流LED結(jié)構(gòu)，包括絕緣導熱金屬基板1，所述絕緣導熱金屬基板1的上面自下而上依次設(shè)有導熱固晶膠層2、交流LED芯片3、硅膠層4和熒光膠層5 ；所述交流 LED芯片3被所述硅膠層4包圍。其中，所述導熱固晶膠層2的導熱系數(shù)為80W/M. K，是高導熱的固晶膠。其中，所述導熱固晶膠層2的厚度為1 5um ’最好為2um。其中，所述絕緣導熱金屬基板1的厚度為1 2mm ’最好為1. 5mm。其中，所述硅膠層4的厚度為1 5mm ’最好為1mm。其中，所述熒光膠層5是由AB膠與紅色熒光粉、橙色熒光粉、綠色熒光粉和黃色熒光粉混合形成的。本實用新型的交流LED結(jié)構(gòu)的具體制作步驟如下首先，制作絕緣導熱金屬基板1。絕緣導熱金屬基板1的制作方法采用濺射鍍膜原理，共分五步，第一步，提供一種鋁合金基材；第二步，對鋁合金基材進行前處理，確保表面清潔；第三步，將該鋁合金基材置于真空腔抽真空；第四步，向真空腔中通入氬氣做保護， 啟動基板負偏壓，并啟動濺鍍靶材鋁，進行粒子沖擊并植入鋁；第五步，調(diào)整濺鍍靶電流密度與基板偏壓，之后通入氮氣，在鋁合金基材的表面生成氮化鋁薄膜，氮化鋁薄膜具有導熱性好，熱膨脹系數(shù)小的特點，是良好的耐熱沖擊材料洞時，氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好。由此制得的絕緣導熱金屬基板1因表面生成的氮化鋁薄膜而具有良好的絕緣導熱性能。濺射鍍膜的膜厚可控性好，整個絕緣導熱金屬基板1的厚度控制在1 2mm之間，最好是 1. 5mm ο然后，用自動點膠機在1. 5mm厚的絕緣導熱金屬基板1點上導熱系數(shù)為80W/M. K 的高導熱固晶膠，形成導熱固晶膠層2，再用自動貼片機將交流LED芯片3放在導熱固晶膠層2的正中心，并壓實；之后送入175°C的烘箱里，烘烤1小時后取出，用自動焊線機為交流 LED芯片3焊上Imil的金絲。之后，在焊完線的交流LED芯片3上，先涂上按比例配好的道康寧的6551硅膠， 形成硅膠層4，所述交流LED芯片3被所述硅膠層4包圍；硅膠層4的厚度Imm最佳，放入 180°C烘箱烘烤1小時取出。最后，將道康寧的6551AB膠水按A膠與B膠為1 1的比例混合好，依次放入紅色熒光粉、橙色熒光粉、綠色熒光粉、黃色熒光粉，混合均勻，送入真空脫泡機抽真空，脫完泡后取出，制得熒光膠；用自動點膠機將制得的熒光膠均勻地涂覆在硅膠層4上，之后，送入180°C烘箱烘烤1小時取出，形成熒光膠層5，交流LED結(jié)構(gòu)就做出來了。將現(xiàn)有技術(shù)的采用直流供電的藍光芯片封出的LED結(jié)構(gòu)的光效，與采用交流LED 芯片封出的本實用新型的交流LED結(jié)構(gòu)的光效進行對比，其對比情況如下表所示
權(quán)利要求1.交流LED結(jié)構(gòu)，其特征在于包括絕緣導熱金屬基板，所述絕緣導熱金屬基板上依次設(shè)置有導熱固晶膠層、交流LED芯片、硅膠層和熒光膠層。
2.如權(quán)利要求1所述的交流LED結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導熱固晶膠層的厚度為1 5um。
3.如權(quán)利要求2所述的交流LED結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導熱固晶膠層的厚度為2um。
4.如權(quán)利要求1所述的交流LED結(jié)構(gòu)，其特征在于所述絕緣導熱金屬基板的厚度為 1 2mm。
5.如權(quán)利要求4所述的交流LED結(jié)構(gòu)，其特征在于所述絕緣導熱金屬基板的厚度為 1. 5mm0
6.如權(quán)利要求1所述的交流LED結(jié)構(gòu)，其特征在于所述硅膠層的厚度為1 5mm。
7.如權(quán)利要求6所述的交流LED結(jié)構(gòu)，其特征在于所述硅膠層的厚度為1mm。
專利摘要本實用新型公開了一種交流LED結(jié)構(gòu)，包括絕緣導熱金屬基板，所述絕緣導熱金屬基板上面自下而上依次設(shè)有導熱固晶膠層、交流LED芯片、硅膠層和熒光膠層；所述交流LED芯片被所述硅膠層包圍。本實用新型采用絕緣導熱金屬基板和高導熱固晶膠，徹底解決了傳熱與絕緣之間的矛盾，解決了電氣隔離的問題；本實用新型的交流LED結(jié)構(gòu)采用交流供電，可以明顯提高LED芯片的光轉(zhuǎn)化效率，在提高亮度的同時，能夠具有很好的穩(wěn)定性，大大提高了其使用壽命，節(jié)省了成本，適于大批量生產(chǎn)。
文檔編號H01L33/56GK201985163SQ201120036810
公開日2011年9月21日 申請日期2011年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月30日
發(fā)明者吉慕璇, 吉愛華, 吉愛國, 吉磊, 張志偉, 李玉明 申請人:吉愛華