專利名稱：低應(yīng)力澆灌整流方橋的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種低應(yīng)力澆灌整流方橋。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的澆灌方橋，因澆灌環(huán)氧的應(yīng)力較大，導(dǎo)致工作中抗溫度沖擊的能力較低，僅能夠滿足-40 +125°C的溫度循環(huán)試驗(yàn)。應(yīng)用的局限性較大。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于針對上述存在的問題，提供一種低應(yīng)力澆灌整流方橋。低應(yīng)力澆灌整流方橋，交流輸入一與框架一相連，框架一連接芯片一，芯片一連接跳線一，跳線一與框架四相連后在連接到直流輸出負(fù)端；框架一連接跳線二，跳線二連接芯片二，芯片二連接框架二，框架二連接到直流輸出正端；交流輸入二與框架三相連，框架三連接芯片四，芯片四連接跳線四，跳線四與框架四相連后在連接到直流輸出負(fù)端；框架三連接跳線三，跳線三連接芯片三，芯片三連接框架二，框架二連接到直流輸出正端。1、調(diào)整內(nèi)部框架厚度原設(shè)計(jì)厚度為0. 3mm,更新設(shè)計(jì)到0. 5mm改進(jìn)了內(nèi)部框架厚度，提高內(nèi)部框架的抗應(yīng)力能力，減少變形。2、更改內(nèi)部框架結(jié)構(gòu)，使?jié)补喹h(huán)氧在產(chǎn)生應(yīng)力時，由內(nèi)部框架來抵御該應(yīng)力。改變了原設(shè)計(jì)內(nèi)部在澆灌環(huán)氧產(chǎn)生應(yīng)力后，原設(shè)計(jì)的內(nèi)部框架增加該應(yīng)力導(dǎo)致芯片損壞的現(xiàn)象。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是采用低應(yīng)力設(shè)計(jì)，幫助芯片抵擋澆灌環(huán)氧在溫度沖擊時形成的應(yīng)力，提高產(chǎn)品的抗溫度沖擊能力到-55 150°C，提高產(chǎn)品可靠性。

圖1是本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)連接示意圖。圖中標(biāo)記DC1---直流輸出“ + ”端，DC2-—直流輸出“_”端，ACl一一交流輸入一，AC2-—交流輸入二 ；Kl——框架一，K2——框架二，K3-—框架三，K4-—框架四， Xl-—芯片一，X2—芯片二，X3-—芯片三，X4—芯片四，Tl-—跳線一，T2-—跳線二，T3-—跳線三，T4——跳線四。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型作詳細(xì)的說明。為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。[0014]如圖1所示，1、調(diào)整內(nèi)部框架厚度原設(shè)計(jì)厚度為0. 3mm,更新設(shè)計(jì)到0. 5mm改進(jìn)了內(nèi)部框架厚度，提高內(nèi)部框架的抗應(yīng)力能力，減少變形。2、更改內(nèi)部框架結(jié)構(gòu)，使?jié)补喹h(huán)氧在產(chǎn)生應(yīng)力時，由內(nèi)部框架來抵御該應(yīng)力。改變了原設(shè)計(jì)內(nèi)部在澆灌環(huán)氧產(chǎn)生應(yīng)力后，原設(shè)計(jì)的內(nèi)部框架增加該應(yīng)力導(dǎo)致芯片損壞的現(xiàn)象。效果請見下表。 以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種低應(yīng)力澆灌整流方橋，其特征在于交流輸入一與框架一相連，框架一連接芯片一，芯片一連接跳線一，跳線一與框架四相連后在連接到直流輸出負(fù)端；框架一連接跳線二，跳線二連接芯片二，芯片二連接框架二，框架二連接到直流輸出正端；交流輸入二與框架三相連，框架三連接芯片四，芯片四連接跳線四，跳線四與框架四相連后在連接到直流輸出負(fù)端；框架三連接跳線三，跳線三連接芯片三，芯片三連接框架二，框架二連接到直流輸出正端。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種低應(yīng)力澆灌整流方橋，其特征在于交流輸入一與框架一相連，框架一連接芯片一，芯片一連接跳線一，跳線一與框架四相連后在連接到直流輸出負(fù)端；框架一連接跳線二，跳線二連接芯片二，芯片二連接框架二，框架二連接到直流輸出正端；交流輸入二與框架三相連，框架三連接芯片四，芯片四連接跳線四，跳線四與框架四相連后在連接到直流輸出負(fù)端；框架三連接跳線三，跳線三連接芯片三，芯片三連接框架二，框架二連接到直流輸出正端。采用低應(yīng)力設(shè)計(jì)，幫助芯片抵擋澆灌環(huán)氧在溫度沖擊時形成的應(yīng)力，提高產(chǎn)品的抗溫度沖擊能力到-55～150℃，提高產(chǎn)品可靠性。
文檔編號H01L23/495GK202018959SQ20112004301
公開日2011年10月26日 申請日期2011年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月21日
發(fā)明者梁魯川, 邱志述 申請人:樂山無線電股份有限公司