專利名稱：四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造及其導(dǎo)線架條的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種四方扁平無(wú)外引腳(QFN)封裝構(gòu)造及其導(dǎo)線架條，特別是有關(guān)于一種在預(yù)設(shè)切割道位置具有連接橋設(shè)計(jì)的四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造及其導(dǎo)線架條。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發(fā)展出各種不同型式的封裝構(gòu)造，而這些封裝構(gòu)造通常是選用導(dǎo)線架(Ieadframe)或封裝基板(substrate) 來(lái)做為承載芯片的載板(carrier)，其中常見(jiàn)使用導(dǎo)線架的封裝構(gòu)造例如為小外型封裝構(gòu)造(small outline package，SOP)、四方扁平封裝構(gòu)造(quadflat package, QFP)或四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造(quad flat no-lead package, QFN)等。請(qǐng)參照?qǐng)D1A、1B、1C、1D、2A及2B所示，其揭示一種現(xiàn)有四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造(QFN)的制造流程示意圖，其中一無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造100主要包含由一金屬板11 形成的一導(dǎo)線架條110、一芯片12、數(shù)條導(dǎo)線13及一封裝膠體14。在制造流程上，如圖IA 所示，首先準(zhǔn)備一金屬板11，其是一平坦且未加工過(guò)的金屬板體，接著，對(duì)所述金屬板11的一第一表面進(jìn)行第一次半蝕刻(half-etching)作業(yè)，因而形成一芯片承座111及數(shù)個(gè)內(nèi)延伸腳112的預(yù)設(shè)凸島狀構(gòu)形，其中所述數(shù)個(gè)內(nèi)延伸腳112以單組或多組方式環(huán)繞排列在所述芯片承座111的周圍。在第一次半蝕刻作業(yè)后，如圖IB及2A所示，對(duì)所述金屬板11的第二表面進(jìn)行第二次半蝕刻(half-etching)作業(yè)，因而使所述芯片承座111及所述內(nèi)延伸腳112的凸島狀構(gòu)形彼此分離，因而形成一四方扁平無(wú)外引腳型的導(dǎo)線架條(leadframe strip) 110，其中每一內(nèi)延伸腳112的底部對(duì)應(yīng)蝕刻出一外接點(diǎn)113，同時(shí)各二相鄰導(dǎo)線架的相鄰內(nèi)延伸腳112暫時(shí)以一切割道連接框條114連接在一起(如圖2A的下視圖所示)。在完成二次半蝕刻作業(yè)后，如圖IC所示，將所述芯片12固定在所述芯片承座111 上，且利用所述數(shù)條導(dǎo)線13進(jìn)行打線作業(yè)，以將所述芯片12上的數(shù)個(gè)接墊分別電性連接到所述數(shù)個(gè)內(nèi)延伸腳112上。在打線作業(yè)后，另利用所述封裝膠體14進(jìn)行封膠作業(yè)，以包埋保護(hù)所述芯片12、導(dǎo)線13及所述金屬板11的第一表面?zhèn)?，所述封裝膠體14將裸露出突出狀的所述外接點(diǎn)113(及芯片承座111)。在封膠作業(yè)后，如圖ID及2B所示，利用切割刀具(未繪示)至少切除大部份的所述切割道連接框條114，如此使各二相鄰封裝構(gòu)造彼此分離，以完成數(shù)個(gè)無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造100的制造過(guò)程，其中所述封裝膠體14的下表面裸露出所述外接點(diǎn)113的下表面， 其可做為輸入/輸出端子。另外，一小部分的內(nèi)延伸腳112會(huì)對(duì)應(yīng)所述外接點(diǎn)113而裸露在所述封裝膠體14的各側(cè)表面上(如圖2B的立體下視圖所示)。在上述無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造100中，由于各外接點(diǎn)113利用對(duì)應(yīng)的內(nèi)延伸腳 112向內(nèi)延伸(即朝向所述芯片承座111延伸)，因此可相對(duì)縮短所述導(dǎo)線13的打線長(zhǎng)度， 進(jìn)而減少打線的材料成本。然而，在實(shí)際上仍具有下述問(wèn)題，例如在進(jìn)行第二次半蝕刻作業(yè)形成所述導(dǎo)線架條110后，各二相鄰導(dǎo)線架的相鄰內(nèi)延伸腳112暫時(shí)以所述切割道連接框條114連接在一起。但是，考量所述切割道連接框條114能提供的支撐結(jié)構(gòu)強(qiáng)度有限，因此所述內(nèi)延伸腳112向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度Dl將受到限制(如圖2A所示)。一般而言，所述向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度Dl需控制在小于350 μ m(微米)，否則所述導(dǎo)線架條110上的各內(nèi)延伸腳 112將容易因未得到足夠支撐，進(jìn)而受重力影響造成向下彎曲的問(wèn)題，此問(wèn)題將會(huì)導(dǎo)致后續(xù)進(jìn)行打線時(shí)的良品率(yield)大幅降低。另一方面，由于所述內(nèi)延伸腳112向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度Dl需小于350 μ m，因此所述內(nèi)延伸腳112向內(nèi)延伸的程度有限，因此也限制了進(jìn)一步縮短所述導(dǎo)線13打線長(zhǎng)度的可能性，使得打線的材料成本難以再進(jìn)一步減少。再者，如圖2B所示，所述封裝膠體14的下表面具有所述外接點(diǎn)113做為輸入/輸出端子，但所述外接點(diǎn)113至所述封裝膠體14的下表面邊緣之間有一小部分不具有金屬表面，因此在后續(xù)進(jìn)行表面固定(SMT)焊接到電路板上時(shí)，所述外接點(diǎn)113的有效沾錫金屬面積受限，且焊錫無(wú)法延伸沾到所述封裝膠體14的側(cè)表面裸露出的內(nèi)延伸腳112處。因此， 使得所述無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造100的SMT側(cè)面沾錫效果不佳及SMT焊接強(qiáng)度低落。故，有必要提供一種四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造及其導(dǎo)線架條，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造及其導(dǎo)線架條， 其中在導(dǎo)線架條上除了利用一切割道連接框條連接任二相鄰導(dǎo)線架的引腳部的內(nèi)延伸腳外，更進(jìn)一步在所述切割道連接框條上凸設(shè)有數(shù)個(gè)輔助橋接部，每一輔助橋接部用來(lái)輔助連接各二相鄰導(dǎo)線架的相鄰引腳部的外接點(diǎn)，如此使得各二相鄰引腳部之間同時(shí)具備有縱向延伸及橫向橋接的十字形雙重立體支撐結(jié)構(gòu)，因而相對(duì)提高了對(duì)引腳部的內(nèi)延伸腳的總體支撐強(qiáng)度，以便進(jìn)一步增加內(nèi)延伸腳向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度至大于350 μ m。本實(shí)用新型的次要目的在于提供一種四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造及其導(dǎo)線架條， 其中導(dǎo)線架條同時(shí)利用切割道連接框條及輔助橋接部來(lái)雙重支撐各二相鄰引腳部的內(nèi)延伸腳及外接點(diǎn)，使得內(nèi)延伸腳可在足夠的支撐強(qiáng)度下進(jìn)一步增加向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度，因而相對(duì)減少了芯片至內(nèi)延伸腳的距離及導(dǎo)線所需的打線長(zhǎng)度，并進(jìn)而降低打線所需的材料成本及整體封裝成本。本實(shí)用新型的另一目的在于提供一種四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造及其導(dǎo)線架條， 其中所述封裝膠體的下表面裸露的外接點(diǎn)以及所述封裝膠體的側(cè)表面裸露的內(nèi)延伸腳之間另裸露有輔助橋接部，輔助橋接部由所述封裝膠體的下表面經(jīng)由側(cè)緣角隅延伸到其側(cè)表面，因此使得無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的有效沾錫金屬表面擴(kuò)增到封裝膠體的側(cè)緣及側(cè)表面，故在進(jìn)行表面固定(SMT)焊接時(shí)能大幅提高其側(cè)面沾錫效果及SMT焊接強(qiáng)度。本實(shí)用新型的再一目的在于提供一種四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造及其導(dǎo)線架條， 其中所述切割道連接框條上凸設(shè)有的輔助橋接部?jī)H占有一小部份體積，因此所述輔助橋接部的設(shè)置并不會(huì)影響切割刀具的原有切割使用壽命，也不會(huì)增加更換切割刀具的耗材成本。為達(dá)成本實(shí)用新型的前述目的，本實(shí)用新型提供一種四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其特征在于所述導(dǎo)線架條包含至少二導(dǎo)線架單元，各包含數(shù)個(gè)引腳部，所述引腳部各包含一內(nèi)延伸腳及一外接點(diǎn)；一切割道連接框條，連接在任二相鄰所述導(dǎo)線架單元的引腳部之間，所述切割道連接框條連接及支撐所述引腳部的內(nèi)延伸腳；以及，數(shù)個(gè)輔助橋接部，每一所述輔助橋接部連接在任二相鄰所述導(dǎo)線架單元的一對(duì)相鄰所述引腳部之間，所述輔助橋接部連接及支撐所述引腳部的外接點(diǎn)，并輔助支撐所述引腳部的內(nèi)延伸腳。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，每一所述導(dǎo)線架單元另包含一芯片承座，其中所述引腳部圍繞排列在所述芯片承座的四周。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述輔助橋接部的寬度小于所述外接點(diǎn)的寬度。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述導(dǎo)線架條的厚度介于100至300 μ m (微米)之間，優(yōu)選為介于127至2Μμπι之間。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述輔助橋接部的厚度為所述導(dǎo)線架條的厚度的 1/5至1/3之間。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述內(nèi)延伸腳向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度(即朝向所述所述芯片承座延伸的長(zhǎng)度)大于350 μ m。再者，本實(shí)用新型提供另一種四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造，其包含一導(dǎo)線架單元，包含數(shù)個(gè)引腳部，所述引腳部各包含一內(nèi)延伸腳、一外接點(diǎn)及一輔助橋接部；至少一芯片，具有數(shù)個(gè)焊墊分別電性連接至對(duì)應(yīng)的所述內(nèi)延伸腳；以及，一封裝膠體，包覆所述芯片、 所述內(nèi)延伸腳、所述外接點(diǎn)及所述輔助橋接部，其中所述封裝膠體的一下表面裸露所述外接點(diǎn)的一下表面及所述輔助橋接部的一下表面；及所述封裝膠體的至少一側(cè)表面裸露所述內(nèi)延伸腳的一側(cè)表面及所述輔助橋接部的一側(cè)表面；且所述外接點(diǎn)的下表面、所述輔助橋接部的下表面及側(cè)表面與所述內(nèi)延伸腳的側(cè)表面依序相互連接。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述芯片的焊墊通過(guò)數(shù)條導(dǎo)線電性連接至對(duì)應(yīng)的所述內(nèi)延伸腳。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述導(dǎo)線架單元另包含一芯片承座，其中所述引腳部圍繞排列在所述芯片承座的四周。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述輔助橋接部的寬度小于所述外接點(diǎn)的寬度。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述導(dǎo)線架單元的厚度介于100至300 μ m(微米) 之間，優(yōu)選為介于127至2Μμπι之間。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述輔助橋接部的厚度為所述導(dǎo)線架條的厚度的 1/5至1/3之間。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述內(nèi)延伸腳向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度大于350μπι。
圖1A、1B、1C及ID是一現(xiàn)有四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造的制造流程示意圖。圖2A是圖IB的局部放大下視圖。圖2B是現(xiàn)有四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造的立體下視圖。圖3A、3B、3C及3D是本實(shí)用新型第一實(shí)施例四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造及其導(dǎo)線架條的示意圖。圖4A是圖;3B的局部放大下視圖。圖4B是本實(shí)用新型第一實(shí)施例四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造的立體下視圖。圖5A是本實(shí)用新型第二實(shí)施例切割四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造時(shí)的示意圖。圖5B是本實(shí)用新型第二實(shí)施例四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造的立體下視圖。
具體實(shí)施方式
為讓本實(shí)用新型上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉本實(shí)用新型較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。再者，本實(shí)用新型所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、 「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本實(shí)用新型，而非用以限制本實(shí)用新型。請(qǐng)參照?qǐng)D3A、3B、3C、3D、4A及4D所示，其揭示本實(shí)用新型第一實(shí)施例的四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造的制造流程示意圖，其中一無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200主要包含由一金屬板21形成的一導(dǎo)線架條210、一芯片22、數(shù)條導(dǎo)線23及一封裝膠體M。在制造流程上，請(qǐng)參照?qǐng)D3A所示，首先準(zhǔn)備一金屬板21，其是一平坦且未加工過(guò)的金屬板體，且具有一第一表面及一第二表面。在本步驟中，所述金屬板21可選自各種具良好導(dǎo)電性的金屬，例如銅、鐵、鋁、鎳、鋅或其合金等。所述金屬板21可利用后續(xù)步驟來(lái)制做一導(dǎo)線架條210，其上面可包含一個(gè)、二個(gè)或數(shù)個(gè)導(dǎo)線架單元。再者，所述金屬板21的第一表面及第二表面則是分別以圖3A中的上表面及下表面為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。接著，本實(shí)用新型是對(duì)所述金屬板21的第一表面進(jìn)行第一次半蝕刻作業(yè)，以形成數(shù)個(gè)凹陷部(未標(biāo)示)來(lái)定義出一芯片承座211及數(shù)個(gè)內(nèi)延伸腳212的凸島狀構(gòu)形(profile)。在本步驟中，所述第一次半蝕刻作業(yè)可選擇使用濕式化學(xué)蝕刻或干式物理蝕刻來(lái)進(jìn)行，例如選擇使用蝕刻液或激光來(lái)形成所述凹陷部。所述內(nèi)延伸腳212通常是圍繞排列在所述芯片承座211的四周。 當(dāng)選用蝕刻液進(jìn)行所述第一次半蝕刻作業(yè)時(shí)，通常預(yù)先以一光刻膠膜(未繪示)覆蓋所述芯片承座211及數(shù)個(gè)內(nèi)延伸腳212的對(duì)應(yīng)位置，并另以一臨時(shí)保護(hù)層覆蓋所述金屬板21的第二表面，接著再進(jìn)行半蝕刻。另外，當(dāng)選用激光進(jìn)行所述第一次半蝕刻作業(yè)時(shí)，所述激光僅需搭配可重復(fù)使用的光罩(未繪示)及/或移動(dòng)式激光載具，而不需搭配無(wú)法重復(fù)使用的光刻膠膜及保護(hù)膜，故有利于簡(jiǎn)化第一次半蝕刻作業(yè)的制造過(guò)程。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D;3B及4A所示，對(duì)所述金屬板21的第二表面進(jìn)行第二次半蝕刻作業(yè)，以形成數(shù)個(gè)凹陷部(未標(biāo)示)來(lái)定義所述芯片承座211、數(shù)個(gè)外接點(diǎn)213、至少一切割道連接框條214及數(shù)個(gè)輔助橋接部215，因而構(gòu)成一導(dǎo)線架210。在本步驟中，可如同第一次半蝕刻作業(yè)般選擇使用濕式化學(xué)蝕刻或干式物理蝕刻來(lái)進(jìn)行，例如選擇使用蝕刻液或激光來(lái)形成所述第二表面的凹陷部，其中一部分的第二表面的凹陷部連通于第一表面的凹陷部， 以完全分隔所述芯片承座211及數(shù)個(gè)引腳部的凸島狀構(gòu)形；同時(shí)，另一部分的第二表面的凹陷部則用以定義暫時(shí)相連在一起的外接點(diǎn)213、切割道連接框條214及輔助橋接部215， 其共同形成類似魚(yú)骨狀的凸島狀構(gòu)形。所述外接點(diǎn)213是對(duì)應(yīng)凸設(shè)在所述內(nèi)延伸腳212的底部，且所述外接點(diǎn)213的水平延伸長(zhǎng)度小于所述內(nèi)延伸腳212的水平延伸長(zhǎng)度，其中每一組所述外接點(diǎn)213及內(nèi)延伸腳212在下文將其共同定義為一個(gè)「引腳部」，其圍繞排列在所述芯片承座211的四周。惟，在某些產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，其可能省略設(shè)置所述芯片承座211。再者，所述切割道連接框條214連接在任二相鄰導(dǎo)線架單元的數(shù)對(duì)相鄰引腳部之間，所述切割道連接框條214用以連接及支撐所述引腳部的內(nèi)延伸腳212。每一所述輔助橋接部215連接在任二相鄰所述導(dǎo)線架單元的一對(duì)相鄰所述引腳部之間，所述輔助橋接部 215連接及支撐所述引腳部的外接點(diǎn)213。如圖;3B所示，所述導(dǎo)線架條210的厚度優(yōu)選介于100至300 μ m(微米)之間，優(yōu)選為介于127至2M μ m之間。所述輔助橋接部215的厚度則為所述導(dǎo)線架條210的厚度的1/5至1/3之間。如圖4A所示，所述輔助橋接部215的寬度W2優(yōu)選小于所述外接點(diǎn)213的寬度W1。同時(shí)，值得注意的是，由于在所述切割道連接框條214上凸設(shè)有數(shù)個(gè)輔助橋接部215，且每一輔助橋接部215用來(lái)輔助連接各二相鄰導(dǎo)線架的相鄰引腳部的外接點(diǎn)213，因此使得各二相鄰引腳部之間同時(shí)具備有縱向延伸及橫向橋接的十字形雙重立體支撐結(jié)構(gòu)，因而相對(duì)提高了對(duì)所述引腳部的內(nèi)延伸腳212的總體支撐強(qiáng)度，故有利于進(jìn)一步增加所述內(nèi)延伸腳212向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度D2至大于350 μ m。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3C所示，本實(shí)用新型提供一芯片22并將所述芯片22固定在所述芯片承座211的第一表面上；以及利用數(shù)個(gè)導(dǎo)線23來(lái)電性連接所述芯片22至所述內(nèi)延伸腳212的第一表面上。在本步驟中，可利用液態(tài)黏著劑(underfill)或半固化黏著膠帶 (tape)來(lái)將所述芯片22黏固在所述芯片承座211上。再者，由于所述內(nèi)延伸腳212向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度D2可大于350 μ m以盡可能接近所述芯片承座211及芯片22，因此可相對(duì)減少該芯片22至內(nèi)延伸腳212的距離及所述導(dǎo)線23所需的打線長(zhǎng)度，并進(jìn)而降低打線所需的材料成本及整體封裝成本。另外，所述導(dǎo)線23可選自金線、銅線、鋁線、鍍鈀銅線或其他金屬線材，本發(fā)明并不加以限制。所述數(shù)個(gè)導(dǎo)線23是電性連接在所述芯片22朝上的一有源表面的數(shù)個(gè)接墊與所述內(nèi)延伸腳212的第一表面之間。在打線作業(yè)后，利用一封裝膠材M來(lái)包覆保護(hù)所述芯片22、所述導(dǎo)線23以及所述導(dǎo)線架210的第一表面?zhèn)?，以?gòu)成一無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的半成品。在本步驟中，所述封裝膠材M優(yōu)選是選自環(huán)氧樹(shù)脂模造塑料(印oxy moldingcompoimcbEMC)，其泛指常用的封裝材料。所述封裝膠體M的下表面將裸露出上述芯片承座211、外接點(diǎn)113及輔助橋接部215的下表面。最后，請(qǐng)參照?qǐng)D3D及4B所示，本實(shí)用新型利用切割刀具(未繪示)至少切除一部份的所述切割道連接框條214及輔助橋接部215，如此使各二相鄰封裝構(gòu)造彼此分離，以完成數(shù)個(gè)無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的制造過(guò)程，其中所述封裝膠體M的下表面裸露出所述外接點(diǎn)213及剩余一小部分的輔助橋接部215兩者的下表面，此兩者可做為輸入/輸出端子。再者，所述封裝膠體對(duì)的下表面也裸露出所述芯片承座211的下表面，其可用于芯片散熱或接地等用途。另外，所述封裝膠體M四周的數(shù)個(gè)側(cè)表面則裸露出所述內(nèi)延伸腳212 及輔助橋接部215兩者的側(cè)表面(如圖4B所示)，其中所述封裝膠體M側(cè)表面裸露出的內(nèi)延伸腳212也可以視為是剩余一小部分的切割道連接框條214。在整體外觀上，所述外接點(diǎn)213的下表面、所述輔助橋接部215的下表面及側(cè)表面與所述內(nèi)延伸腳212的側(cè)表面依序相互連接。值得注意的是，在上述切割分離作業(yè)期間，所述切割道連接框條214上凸設(shè)有的輔助橋接部215僅占有一小部份體積，因此所述輔助橋接部215的設(shè)置并不會(huì)大幅影響切割刀具的原有切割使用壽命，也不會(huì)增加更換切割刀具的耗材成本。再者，所述封裝膠體M 的下表面裸露的外接點(diǎn)213以及所述封裝膠體M的側(cè)表面裸露的內(nèi)延伸腳212之間另裸露有所述輔助橋接部215，所述輔助橋接部215由所述封裝膠體M的下表面經(jīng)由側(cè)緣角隅延伸到其側(cè)表面。在外觀上，所述封裝膠體M的下表面及側(cè)表面各具有概呈“T”且相連的有效沾錫金屬表面，也就是所述無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的有效沾錫金屬表面能連帶的擴(kuò)增到所述封裝膠體M的側(cè)緣及側(cè)表面，故在進(jìn)行表面固定(SMT)焊接時(shí)能大幅提高所述無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的側(cè)面沾錫效果及SMT焊接強(qiáng)度。請(qǐng)參照?qǐng)D5A及5B所示，本實(shí)用新型第二實(shí)施例的四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造及其導(dǎo)線架條相似于本實(shí)用新型第一實(shí)施例，并大致沿用相同元件名稱及圖號(hào)，但第二實(shí)施例的差異特征在于所述第二實(shí)施例的四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造200在進(jìn)行切割時(shí)切除整個(gè)切割道連接框條214及全部的輔助橋接部215。因此，在最終的四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造200的外觀上，所述封裝膠體M的側(cè)表面僅裸露所述內(nèi)延伸腳212及外接點(diǎn)213兩者的側(cè)表面，所述封裝膠體M的下表面僅裸露所述外接點(diǎn)213的下表面。如上所述，相較于圖IA至2B的現(xiàn)有四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造100的導(dǎo)線架條 110能提供的所述切割道連接框條114支撐結(jié)構(gòu)強(qiáng)度及所述內(nèi)延伸腳112向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度 Dl及SMT側(cè)面沾錫效果皆極為有限等缺點(diǎn)，圖3A至5B的本實(shí)用新型在所述導(dǎo)線架條210 上除了利用一切割道連接框條214連接任二相鄰導(dǎo)線架的引腳部的內(nèi)延伸腳212外，更進(jìn)一步在所述切割道連接框條214上凸設(shè)有數(shù)個(gè)輔助橋接部215，每一輔助橋接部215用來(lái)輔助連接各二相鄰導(dǎo)線架的相鄰引腳部的外接點(diǎn)212，如此使得各二相鄰引腳部之間同時(shí)具備有縱向延伸及橫向橋接的十字形雙重立體支撐結(jié)構(gòu)，因而相對(duì)提高了對(duì)引腳部的內(nèi)延伸腳212的總體支撐強(qiáng)度，以便進(jìn)一步增加所述內(nèi)延伸腳212向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度D2至大于 350 μ m。再者，所述導(dǎo)線架條210同時(shí)利用所述切割道連接框條214及輔助橋接部215來(lái)雙重支撐各二相鄰引腳部的內(nèi)延伸腳212及外接點(diǎn)213，使得所述內(nèi)延伸腳212可在足夠的支撐強(qiáng)度下進(jìn)一步增加向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度D2，因而相對(duì)減少了所述芯片22至內(nèi)延伸腳212 的距離及所述導(dǎo)線22所需的打線長(zhǎng)度，并進(jìn)而降低打線所需的材料成本及整體封裝成本。另外，所述封裝膠體M的下表面裸露的外接點(diǎn)213以及所述封裝膠體M的側(cè)表面裸露的內(nèi)延伸腳212 (即剩余一小部分的切割道連接框條214)之間另裸露有所述輔助橋接部215，且所述輔助橋接部215由所述封裝膠體M的下表面經(jīng)由側(cè)緣角隅延伸到其側(cè)表面，因此使得所述無(wú)外引腳半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的有效沾錫金屬表面擴(kuò)增到所述封裝膠體 M的側(cè)緣及側(cè)表面，故在進(jìn)行表面固定(SMT)焊接時(shí)能大幅提高其側(cè)面沾錫效果及SMT焊接強(qiáng)度。此外，所述切割道連接框條214上凸設(shè)有的所述輔助橋接部215僅占有一小部份體積，因此所述輔助橋接部215的設(shè)置并不會(huì)大幅影響切割刀具的原有切割使用壽命，也不會(huì)增加更換切割刀具的耗材成本。本實(shí)用新型已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本實(shí)用新型的范例。必需指出的是，已公開(kāi)的實(shí)施例并未限制本實(shí)用新型的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書(shū)的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。
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權(quán)利要求1.一種四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其特征在于所述導(dǎo)線架條包含 至少二導(dǎo)線架單元，各包含數(shù)個(gè)引腳部，所述引腳部各包含一內(nèi)延伸腳及一外接點(diǎn)； 一切割道連接框條，連接在任二相鄰所述導(dǎo)線架單元的引腳部之間，所述切割道連接框條連接及支撐所述引腳部的內(nèi)延伸腳；以及數(shù)個(gè)輔助橋接部，每一所述輔助橋接部連接在任二相鄰所述導(dǎo)線架單元的一對(duì)相鄰所述引腳部之間，所述輔助橋接部連接及支撐所述引腳部的外接點(diǎn)，并輔助支撐所述引腳部的內(nèi)延伸腳。
2.如權(quán)利要求1所述的四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其特征在于每一所述導(dǎo)線架單元另包含一芯片承座，其中所述引腳部圍繞排列在所述芯片承座的四周。
3.如權(quán)利要求1所述的四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其特征在于所述輔助橋接部的寬度小于所述外接點(diǎn)的寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其特征在于所述導(dǎo)線架條的厚度介于100至300微米之間。
5.如權(quán)利要求4所述的四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其特征在于所述輔助橋接部的厚度為所述導(dǎo)線架條的厚度的1/5至1/3之間。
6.如權(quán)利要求1所述的四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造的導(dǎo)線架條，其特征在于所述內(nèi)延伸腳向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度大于350微米。
7.一種四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于所述四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造包含一導(dǎo)線架單元，包含數(shù)個(gè)引腳部，所述引腳部各包含一內(nèi)延伸腳、一外接點(diǎn)及一輔助橋接部；至少一芯片，具有數(shù)個(gè)焊墊分別電性連接至對(duì)應(yīng)的所述內(nèi)延伸腳；以及一封裝膠體，包覆所述芯片、所述內(nèi)延伸腳、所述外接點(diǎn)及所述輔助橋接部，其中所述封裝膠體的一下表面裸露所述外接點(diǎn)的一下表面及所述輔助橋接部的一下表面；及所述封裝膠體的至少一側(cè)表面裸露所述內(nèi)延伸腳的一側(cè)表面及所述輔助橋接部的一側(cè)表面；且所述外接點(diǎn)的下表面、所述輔助橋接部的下表面及側(cè)表面與所述內(nèi)延伸腳的側(cè)表面依序相互連接。
8.如權(quán)利要求7所述的四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于所述芯片的焊墊通過(guò)數(shù)條導(dǎo)線電性連接至對(duì)應(yīng)的所述內(nèi)延伸腳；所述導(dǎo)線架單元另包含一芯片承座，其中所述引腳部圍繞排列在所述芯片承座的四周。
9.如權(quán)利要求7所述的四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于所述輔助橋接部的寬度小于所述外接點(diǎn)的寬度。
10.如權(quán)利要求7所述的四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于所述導(dǎo)線架單元的厚度介于100至300微米之間；所述輔助橋接部的厚度為所述導(dǎo)線架條的厚度的1/5至1/3 之間；及所述內(nèi)延伸腳向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度大于350微米。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種四方扁平無(wú)外引腳封裝構(gòu)造及其導(dǎo)線架條，所述導(dǎo)線架條上利用一切割道連接框條連接任二相鄰導(dǎo)線架的引腳部的內(nèi)延伸腳，同時(shí)也進(jìn)一步在所述切割道連接框條上凸設(shè)有數(shù)個(gè)輔助橋接部，每一輔助橋接部用來(lái)輔助連接各二相鄰導(dǎo)線架的相鄰引腳部的外接點(diǎn)，如此使得各二相鄰引腳部之間同時(shí)具備有縱向延伸及橫向橋接的十字形雙重立體支撐結(jié)構(gòu)，因而相對(duì)提高了對(duì)引腳部的內(nèi)延伸腳的總體支撐強(qiáng)度，以便進(jìn)一步增加內(nèi)延伸腳向內(nèi)延伸的長(zhǎng)度至大于350微米。
文檔編號(hào)H01L23/31GK202003988SQ20112004436
公開(kāi)日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2011年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月22日
發(fā)明者包鋒, 羅賽文 申請(qǐng)人:蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司