專利名稱:冷水脫膠機構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實用新型屬于一種單晶硅片制作工藝中的脫膠裝置,涉及一種冷水脫膠機構(gòu)。
背景技術(shù):
在將單晶硅方錠送入切割機切割成單晶硅片之前,需要將方錠粘貼在晶托上,然后將晶托倒掛送入切割機。當(dāng)切割機把方錠切割成單晶硅片后的下一道工序,是要去除方錠與晶托之間的粘膠,使單晶硅片與晶托脫離,晶托可循環(huán)使用。要使粘膠與單晶硅片脫離,可以采用熱水或冷水浸泡,利用熱脹冷縮的原理,實現(xiàn)粘膠與單晶硅片的自動脫離。但現(xiàn)有技術(shù)的缺點是采用熱水或冷水浸泡的工序都比較繁瑣,成本過高,且需要較大面積的水池,占用生產(chǎn)場地過多。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單,成本低,操作簡便的冷水脫膠機構(gòu),能夠簡化粘膠與單晶硅片的脫離工序。為達(dá)到上述目的,本實用新型提供一種冷水脫膠機構(gòu),其關(guān)鍵在于由至少二臺結(jié)構(gòu)一致的冷水噴淋器組成,每臺所述冷水噴淋器設(shè)置有左站架和右站架,所述左站架上固定有左水管,所述右站架上固定有右水管,所述左水管和右水管相互平行,且所述左水管上開有一列朝右的噴水孔,所述右水管上開有一列朝左的噴水孔。只需將粘膠與單晶硅片放置在左水管和右水管的噴水孔下,左水管和右水管向粘膠與單晶硅片噴淋冷水,進行快速的冷卻降溫,就可以實現(xiàn)粘膠與單晶硅片的脫落。所述左水管和右水管連接在同一支水管上,該支水管上安裝有開關(guān);通過開關(guān)可以調(diào)節(jié)水的出水量和噴射角度。所述各冷水噴淋器中的支水管連接在同一總水管中。所述各冷水噴淋器中的左站架和右站架安裝在同一平臺上;可根據(jù)晶托和單晶硅片的尺寸,在左站架和右站架之間的平臺上放置相應(yīng)尺寸的單晶硅片托盤。所述平臺下方設(shè)置有引流槽,所述引流槽中的水經(jīng)水泵引入水槽,所述總水管中與該水槽相通。冷水經(jīng)水泵抽回,可以直接回收,再次利用,降低了成本。本實用新型的顯著效果是提供了一種結(jié)構(gòu)簡單,成本低,操作簡便的冷水脫膠機構(gòu),簡化了粘膠與單晶硅片的脫離工序。
圖1是冷水噴淋器的結(jié)構(gòu)示意3[0017]圖2是本實用新型出膠口的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步詳細(xì)說明。如圖1、2所示,一種冷水脫膠機構(gòu),由至少二臺結(jié)構(gòu)一致的冷水噴淋器組成,每臺所述冷水噴淋器設(shè)置有左站架1和右站架2,所述左站架1上固定有左水管3,所述右站架 2上固定有右水管4,所述左水管3和右水管4相互平行,且所述左水管3上開有一列朝右的噴水孔,所述右水管4上開有一列朝左的噴水孔。所述左水管3和右水管4連接在同一支水管5上,該支水管5上安裝有開關(guān)6 ;所述各冷水噴淋器中的支水管5連接在同一總水管中7。所述各冷水噴淋器中的左站架1和右站架2安裝在同一平臺上;所述平臺下方設(shè)置有引流槽8,所述引流槽8中的水經(jīng)水泵9引入水槽10,所述總水管中7與該水槽10相通。
權(quán)利要求1.一種冷水脫膠機構(gòu),其特征在于由至少二臺結(jié)構(gòu)一致的冷水噴淋器組成,每臺所述冷水噴淋器設(shè)置有左站架(1)和右站架O),所述左站架(1)上固定有左水管(3),所述右站架( 上固定有右水管G),所述左水管C3)和右水管(4)相互平行,且所述左水管(3) 上開有一列朝右的噴水孔,所述右水管(4)上開有一列朝左的噴水孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的冷水脫膠機構(gòu),其特征在于所述左水管(3)和右水管(4)連接在同一支水管(5)上,該支水管(5)上安裝有開關(guān)(6);所述各冷水噴淋器中的支水管( 連接在同一總水管中(7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的冷水脫膠機構(gòu),其特征在于所述各冷水噴淋器中的左站架 (1)和右站架(2)安裝在同一平臺上;所述平臺下方設(shè)置有引流槽(8),所述引流槽⑶中的水經(jīng)水泵(9)引入水槽(10),所述總水管中(7)與該水槽(10)相通。
專利摘要一種冷水脫膠機構(gòu),其特征在于由至少二臺結(jié)構(gòu)一致的冷水噴淋器組成,每臺所述冷水噴淋器設(shè)置有左站架和右站架,所述左站架上固定有左水管,所述右站架上固定有右水管,所述左水管和右水管相互平行,且所述左水管上開有一列朝右的噴水孔,所述右水管上開有一列朝左的噴水孔。本實用新型的顯著效果是結(jié)構(gòu)簡單,成本低,操作簡便,簡化了粘膠與單晶硅片的脫離工序。
文檔編號H01L21/00GK201985078SQ201120070318
公開日2011年9月21日 申請日期2011年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月17日
發(fā)明者張保林 申請人:重慶蘭花太陽能電力股份有限公司