專利名稱：功率mos橋式電路的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體混合電路器件，尤其涉及一種大功率MOS橋式電路。
背景技術：
普通半橋或全橋等橋式電路多為功率較小的無源器件構成，控制起來極為不方便，因此無法應用到逆變、調壓等電路當中；目前大多數是通過多個MOS管進行組合使用來實現。由于MOS管的特殊性，需要增加額外的保護電路，且需要外加散熱片，占用空間大，組裝繁瑣。
發(fā)明內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種體積小、重量輕、散熱性好，可保證器件的穩(wěn)定性和可靠性的功率MOS橋式電路。本實用新型涉及的功率MOS橋式電路，包括管殼，焊接在管殼上的陶瓷基片，焊接在陶瓷基片上的鉬片，功率MOS管芯片、構成柵極保護電路的穩(wěn)壓二極管芯片和柵極限流電阻，其特殊之處是功率MOS管芯片和穩(wěn)壓二極管芯片焊接在鉬片上，所述的柵極限流電阻為貼片式電阻并且焊接在陶瓷基片上，所述的管殼底板為鎢銅板，陶瓷基片為氧化鈹陶瓷或氧化鋁陶瓷，所述的柵極限流電阻、功率MOS管芯片和穩(wěn)壓二極管芯片之間采用金屬絲互連。本實用新型的優(yōu)點是將功率MOS管的柵極保護電路與功率MOS管集成在一起，體積小、重量輕；由于管殼底板為鎢銅板，陶瓷基片為氧化鈹陶瓷或氧化鋁陶瓷，兩者具有相匹配的膨脹系數，具有良好的散熱效果，可保證器件的穩(wěn)定性和可靠性；可單獨作為功率器件使用，通過組合可構成各種全橋或三相橋式電路，便于維修，方便拆卸。

圖1是本實用新型的結構示意圖；圖2是圖1 (去掉管帽)的俯視圖；圖3是本實用新型的電路圖；圖中管殼1、陶瓷基片2、穩(wěn)壓二極管芯片3、金屬絲4、柵極限流電阻5、可伐片6、 功率MOS管芯片7、鉬片8。
具體實施方式
如圖所示，本實用新型包括管殼1，設在管殼1上的陶瓷基片2，設在陶瓷基片2上的鉬片8、柵極限流電阻5和可閥片6，設在鉬片8上的功率MOS管芯片7和穩(wěn)壓二極管芯片3，所述的柵極限流電阻5和穩(wěn)壓二極管芯片3構成柵極保護電路，其中管殼1的底板為鎢銅板，陶瓷基片2為氧化鈹陶瓷(或氧化鋁陶瓷)，陶瓷基片2與管殼1之間、鉬片8與陶瓷基片2之間、功率MOS管芯片7和穩(wěn)壓二極管芯片3與鉬片8之間采用合金焊料燒結而成，柵極限流電阻5為貼片式電阻且與陶瓷基片2之間通過焊錫焊接，柵極限流電阻5、穩(wěn)壓二極管芯片3和功率MOS管芯片7之間以及所述元器件和引線之間的電連接通過金屬絲4互連。
權利要求1. 一種功率MOS橋式電路，包括管殼，焊接在管殼上的陶瓷基片，焊接在陶瓷基片上的鉬片，功率MOS管芯片、構成柵極保護電路的穩(wěn)壓二極管芯片和柵極限流電阻，其特征是: 功率MOS管芯片和穩(wěn)壓二極管芯片焊接在鉬片上，所述的柵極限流電阻為貼片式電阻并且焊接在陶瓷基片上，所述的管殼底板為鎢銅板，陶瓷基片為氧化鈹陶瓷或氧化鋁陶瓷，所述的柵極限流電阻、功率MOS管芯片和穩(wěn)壓二極管芯片之間采用金屬絲互連。
專利摘要一種功率MOS橋式電路，包括管殼，焊接在管殼上的陶瓷基片，焊接在陶瓷基片上的鉬片，功率MOS管芯片、構成柵極保護電路的穩(wěn)壓二極管芯片和柵極限流電阻，其特殊之處是功率MOS管芯片和穩(wěn)壓二極管芯片焊接在鉬片上，所述的柵極限流電阻為貼片式電阻并且焊接在陶瓷基片上，所述的管殼底板為鎢銅板，陶瓷基片為氧化鈹陶瓷或氧化鋁陶瓷，所述的柵極限流電阻、功率MOS管芯片和穩(wěn)壓二極管芯片之間采用金屬絲互連。優(yōu)點是體積小、重量輕，具有良好的散熱效果，可保證器件的穩(wěn)定性和可靠性；可單獨作為功率器件使用，通過組合可構成各種全橋或三相橋式電路，便于維修，方便拆卸。
文檔編號H01L25/18GK202008999SQ20112011143
公開日2011年10月12日 申請日期2011年4月15日 優(yōu)先權日2011年4月15日
發(fā)明者周俊輝, 杜秀杰, 王建翼, 高廣亮 申請人:錦州遼晶電子科技有限公司