專利名稱：高壓大功率逆變器模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體混合集成電路器件，尤其涉及一種高壓大功率逆變器模塊。
背景技術(shù)：
由于大部分逆變器功率較小，工作電壓較低，輸出功率較小。因而，無(wú)法直接應(yīng)用于某些工作電壓較高，負(fù)載較大的環(huán)境，因此需要通過(guò)多個(gè)半導(dǎo)體分立功率器件組合使用來(lái)實(shí)現(xiàn)。通過(guò)半導(dǎo)體分立功率器件組合雖然可以實(shí)現(xiàn)高壓大功率應(yīng)用，但是占用空間大，重量重，組裝繁瑣。尤其是在空間要求小，重量要求輕，可靠性要求高的條件下，用多個(gè)半導(dǎo)體分立器件實(shí)現(xiàn)逆變器電路具有一定困難。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可實(shí)現(xiàn)模塊化封裝、結(jié)構(gòu)緊湊、占用空間小、可降低芯片到管殼的熱阻、可靠性高的高壓大功率逆變器模塊。本實(shí)用新型涉及的高壓大功率逆變器模塊，包括構(gòu)成逆變器電路的六個(gè)內(nèi)設(shè)續(xù)流二極管的功率MOS芯片，其特殊之處是所述的六個(gè)功率MOS芯片集成在一個(gè)管殼內(nèi)，所述的管殼長(zhǎng)度為26 30mm、寬度為20 沈讓，在管殼底座上焊接有金屬化陶瓷基板，在金屬化陶瓷基板上焊接有鉬片及可伐片，所述的功率MOS芯片通過(guò)真空燒結(jié)焊接在鉬片上，各個(gè)功率MOS器件之間采用硅鋁絲互連。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是管殼采用一體化設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)緊湊，占用空間小，特別是將功率MOS器件通過(guò)真空燒結(jié)焊接在鉬片上，可實(shí)現(xiàn)低的空洞率，降低了芯片到管殼的熱阻，提高了可靠性。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖；圖3是本實(shí)用新型的邏輯電路圖；圖中管殼1、外引線2、硅鋁絲3、功率MOS芯片4、鉬片5、可伐片6、金屬化陶瓷基板7。
具體實(shí)施方式
如圖所示，本實(shí)用新型包括管殼1、外引線2、金屬化陶瓷基板7、鉬片5、可伐片6、 集成在管殼1內(nèi)的六個(gè)內(nèi)設(shè)續(xù)流二極管的功率MOS芯片4，所述的管殼1為矩形，長(zhǎng)度為 26 30mm、寬度為20 沈讓。管殼1和金屬化陶瓷基板7通過(guò)高溫合金焊料進(jìn)行焊接，鉬片5、可伐片6與金屬化陶瓷基板7通過(guò)高溫合金焊料進(jìn)行焊接，功率MOS芯片4通過(guò)軟焊料真空燒結(jié)焊接在鉬片5上，各個(gè)功率MOS器件4之間采用硅鋁絲3互連，輸入輸出端通過(guò)硅鋁絲3連接至外引線2，最后在氮?dú)夥諊鷥?nèi)進(jìn)行封裝。
權(quán)利要求1. 一種高壓大功率逆變器模塊，包括構(gòu)成逆變器電路的六個(gè)內(nèi)設(shè)續(xù)流二極管的功率 MOS芯片，其特征是所述的六個(gè)功率MOS芯片集成在一個(gè)管殼內(nèi)，所述的管殼長(zhǎng)度為沈 30mm、寬度為20 沈讓，在管殼底座上焊接有金屬化陶瓷基板，在金屬化陶瓷基板上焊接有鉬片及可伐片，所述的功率MOS芯片通過(guò)真空燒結(jié)焊接在鉬片上，各個(gè)功率MOS器件之間采用硅鋁絲互連。
專利摘要一種高壓大功率逆變器模塊，包括構(gòu)成逆變器電路的六個(gè)內(nèi)設(shè)續(xù)流二極管的功率MOS芯片，其特殊之處是所述的六個(gè)功率MOS芯片集成在一個(gè)管殼內(nèi)，所述的管殼長(zhǎng)度為26～30mm、寬度為20～26mm，在管殼底座上焊接有金屬化陶瓷基板，在金屬化陶瓷基板上焊接有鉬片及可伐片，所述的功率MOS芯片通過(guò)真空燒結(jié)焊接在鉬片上，各個(gè)功率MOS器件之間采用硅鋁絲互連。優(yōu)點(diǎn)是管殼采用一體化設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)緊湊，占用空間小，特別是將功率MOS器件通過(guò)真空燒結(jié)焊接在鉬片上，可實(shí)現(xiàn)低的空洞率，降低了芯片到管殼的熱阻，提高了可靠性。
文檔編號(hào)H01L25/07GK202009341SQ20112011172
公開(kāi)日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月15日
發(fā)明者劉悅, 巫江嶺, 李陽(yáng), 潘蕊, 王立偉 申請(qǐng)人:錦州遼晶電子科技有限公司