專利名稱：一種to220b-7l防水密封引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件封裝的技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種T0220B-7L防水密封引線框架。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的T0220B-7L密封引線框架，芯片與引線框架的芯片部基片裝配到位后進(jìn)行塑封，由于芯片底部基島的四周是平面，故引線框架與塑膠的結(jié)合強(qiáng)度低，防水性差
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述問題，本實(shí)用新型提供了一種T0220B-7L防水密封引線框架，其使得引線框架與塑膠的結(jié)合強(qiáng)度高、防水性好。一種T0220B-7L防水密封引線框架，其技術(shù)方案是這樣的其包括散熱固定部、芯片底部基島、外引腳，所述芯片底部基島的中心安裝芯片，其特征在于所述芯片底部基島的中心四周開有V型擋水槽，所述芯片底部基島的V型擋水槽外側(cè)的四周開有凹凸槽。其進(jìn)一步特征在于所述芯片底部基島的中心四周的所述V型擋水槽相互連通形成一個(gè)閉合空間；所述芯片底部基島的中心四周的所述凹凸槽相連通形成一個(gè)閉合空間；所述凹凸槽具體為任意兩個(gè)相鄰的凹槽的中間部分不挖槽而組合形成的結(jié)構(gòu)。采用本實(shí)用新型的上述結(jié)構(gòu)后，芯片安裝在芯片部基島的中心后，由于凹凸槽的存在，塑封后的引線框架與塑膠的結(jié)合強(qiáng)度高、防水性好，由于V型擋水槽的存在，進(jìn)一步確保了防水性。

圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1的A-A剖結(jié)構(gòu)示意放大圖；圖3是圖2的B-B剖結(jié)構(gòu)示意放大圖。
具體實(shí)施方式
見圖1、圖2、圖3，其包括散熱片固定部1、芯片底部基島2、外引腳3，芯片底部基島2的中心安裝芯片(圖中未畫出，屬于現(xiàn)有成熟結(jié)構(gòu))，芯片底部基島2的中心的四周開有 V型擋水槽4，芯片底部基島2的位于V型擋水槽4外部的四周開有凹凸槽5，四周的V型擋水槽4相連通形成一個(gè)閉合空間；四周的凹凸槽5相連通形成一個(gè)閉合空間，凹凸槽5具體為任意兩個(gè)相鄰的凹槽6的中間部分不挖槽而組合形成的結(jié)構(gòu)。其中T0220B-7L為引線框架的一個(gè)型號(hào)。
權(quán)利要求1.一種T0220B-7L防水密封引線框架，其包括散熱固定部、芯片底部基島、外引腳，所述芯片底部基島的中心安裝芯片，其特征在于所述芯片底部基島的中心四周開有V型擋水槽，所述芯片底部基島的V型擋水槽外側(cè)的四周開有凹凸槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種T0220B-7L防水密封引線框架，其特征在于所述芯片底部基島的中心四周的所述V型擋水槽相互連通形成一個(gè)閉合空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種T0220B-7L防水密封引線框架，其特征在于所述芯片底部基島的中心四周的所述凹凸槽相連通形成一個(gè)閉合空間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一權(quán)利所述的一種T0220B-7L防水密封引線框架，其特征在于所述凹凸槽具體為任意兩個(gè)相鄰的凹槽的中間部分不挖槽而組合形成的結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種TO220B-7L防水密封引線框架，其使得引線框架與塑膠的結(jié)合強(qiáng)度高、防水性好。其包括散熱固定部、芯片底部基島、外引腳，所述芯片底部基島的中心安裝芯片，其特征在于所述芯片底部基島的中心四周開有V型擋水槽，所述芯片底部基島的V型擋水槽外側(cè)的四周開有凹凸槽。
文檔編號(hào)H01L23/495GK202067788SQ20112011488
公開日2011年12月7日 申請(qǐng)日期2011年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月19日
發(fā)明者侯友良 申請(qǐng)人:無錫紅光微電子有限公司