專利名稱：一種高功率脈沖半導(dǎo)體激光器模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種大功率半導(dǎo)體激光器，屬于半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
高功率半導(dǎo)體激光器列陣有著廣泛的應(yīng)用，潛在著更大的市場而成為本行業(yè)各個(gè)公司相互競逐的熱點(diǎn)。然而目前高功率半導(dǎo)體激光器列陣存在著很多問題，如低性能包括功率、效率、一致性、穩(wěn)定性以及可靠性等。而且高功率半導(dǎo)體激光器數(shù)組中大都用了微通道散熱技術(shù)，這個(gè)技術(shù)價(jià)格昂貴，制作成本很高，這就大大提高了激光器的成本。現(xiàn)有的面陣有的是一次燒結(jié)成功，這樣不容易保證燒結(jié)質(zhì)量，還有一但燒結(jié)完畢模塊成為一體，不易于更換不合格巴條。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型針對現(xiàn)有高功率半導(dǎo)體激光器數(shù)組采用了微通道散熱技術(shù)存在的成本高等問題，提供一種易于保證燒結(jié)質(zhì)量、制造成本低的高功率脈沖半導(dǎo)體激光器數(shù)組。本實(shí)用新型的高功率脈沖半導(dǎo)體激光器數(shù)組采用以下技術(shù)方案該高功率脈沖半導(dǎo)體激光器模組，包括上下串聯(lián)在一起的各個(gè)單模組；每個(gè)單模組包括熱沉、絕緣片、電極片和半導(dǎo)體激光器芯片巴條，熱沉作為正極，半導(dǎo)體激光器芯片巴條的P面朝下燒結(jié)在熱沉的一側(cè)邊緣并與熱沉平齊；電極片作為負(fù)極安裝在熱沉上，電極片與熱沉之間設(shè)有絕緣片，電極片通過焊線與半導(dǎo)體激光器芯片巴條的負(fù)極相連，電極片、絕緣片和熱沉上均設(shè)有位置對應(yīng)的固定孔；下一個(gè)單模組的電極片上的焊線與上一個(gè)單模組的熱沉相連。單模組的串聯(lián)數(shù)量可以根據(jù)需要的功率和模組的體積要求決定。單模組的電極片上設(shè)有臺(tái)階，在電極片的臺(tái)階處焊線。單模組的各半導(dǎo)體激光器芯片巴條并聯(lián)連接。本實(shí)用新型解決了模組正負(fù)極相連問題，不用加過渡電極就可以把模組正負(fù)極相連。單個(gè)模組可以獨(dú)立測試?yán)匣?，可以很好的?dú)立篩選。而且各個(gè)模組用螺絲固定串聯(lián)，可以換掉壽命不合格的模組。這種封裝對于巴條芯片可以單個(gè)封裝，有利于提高燒結(jié)質(zhì)量，激光器每層線陣可以單獨(dú)測試，再進(jìn)行老化篩選，更換不合格線陣。本實(shí)用新型工作在低頻脈沖條件下，產(chǎn)生的熱量較少，由于熱沉具有良好的散熱性，所以依靠被動(dòng)散熱就完全可以達(dá)到器件散熱要求。這樣就不需要加微通道主動(dòng)散熱結(jié)構(gòu)，大大降低了模組成本。

附圖是本實(shí)用新型中單模組的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、熱沉，2、絕緣片，3、電極片，4、焊線臺(tái)階，5、半導(dǎo)體激光器芯片巴條，6、固定孔。
具體實(shí)施方式
[0011] 本實(shí)用新型高功率脈沖半導(dǎo)體激光器模組是將每個(gè)單模組上下串聯(lián)形成的。單模組的結(jié)構(gòu)如附圖所示，主要包括熱沉1、絕緣片2、電極片3和半導(dǎo)體激光器芯片巴條5，熱沉1作為正極，呈長方形。半導(dǎo)體激光器巴條芯片5的ρ面朝下燒結(jié)在熱沉1的一側(cè)邊緣， 平齊與熱沉1，保證熱沉1既不會(huì)擋光半導(dǎo)體激光器巴條芯片5的光，也不會(huì)讓芯片5突出熱沉1影響散熱。電極片3作為負(fù)極，其上設(shè)有焊線臺(tái)階4，在電極片3的焊線臺(tái)階4處焊線，焊線與半導(dǎo)體激光器芯片巴條5的負(fù)極相連，且與上模組的熱沉相連組成串聯(lián)模組。電極片3通過螺釘安裝在熱沉1上，電極片3與熱沉1之間設(shè)有絕緣片2。電極片3的臺(tái)階存在的作用是保護(hù)連接巴條負(fù)極和電極片3的焊接金線，避免引起塌陷或劃傷。絕緣片2絕緣隔開電極片3和熱沉1。電極片3、絕緣片2和熱沉1上均設(shè)有位置對應(yīng)的固定孔6，以便將多個(gè)模組上下串聯(lián)垂直封裝，這樣上模組正極(熱沉1)與下模組負(fù)極(電極片幻相連。 根據(jù)需要的功率和模組的體積要求，串聯(lián)合適數(shù)量的單模組。
權(quán)利要求1.一種高功率脈沖半導(dǎo)體激光器模組，包括上下串聯(lián)在一起的各個(gè)單模組；其特征在于每個(gè)單模組包括熱沉、絕緣片、電極片和半導(dǎo)體激光器芯片巴條，熱沉作為正極，半導(dǎo)體激光器芯片巴條的P面朝下燒結(jié)在熱沉的一側(cè)邊緣，并與熱沉平齊；電極片作為負(fù)極安裝在熱沉上，電極片與熱沉之間設(shè)有絕緣片，電極片通過焊線與半導(dǎo)體激光器芯片巴條的負(fù)極相連，電極片、絕緣片和熱沉上均設(shè)有位置對應(yīng)的固定孔；下一個(gè)單模組的電極片上的焊線與上一個(gè)單模組的熱沉相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高功率脈沖半導(dǎo)體激光器模組，其特征在于所述單模組的電極片上設(shè)有臺(tái)階，在電極片的臺(tái)階處焊線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高功率脈沖半導(dǎo)體激光器模組，其特征在于所述單模組的各半導(dǎo)體激光器芯片巴條并聯(lián)連接。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種高功率脈沖半導(dǎo)體激光器模組，包括上下串聯(lián)在一起的各個(gè)單模組；每個(gè)單模組包括熱沉、絕緣片、電極片和半導(dǎo)體激光器芯片巴條，熱沉作為正極，半導(dǎo)體激光器芯片巴條的p面朝下燒結(jié)在熱沉的一側(cè)邊緣，并與熱沉平齊；電極片作為負(fù)極安裝在熱沉上，電極片與熱沉之間設(shè)有絕緣片，電極片通過焊線與半導(dǎo)體激光器芯片巴條的負(fù)極相連，電極片、絕緣片和熱沉上均設(shè)有位置對應(yīng)的固定孔；下一個(gè)單模組的電極片上的焊線與上一個(gè)單模組的熱沉相連。本實(shí)用新型解決了模組正負(fù)極相連問題，單個(gè)模組可以獨(dú)立測試?yán)匣?，可以很好的?dú)立篩選，工作在低頻脈沖條件下，產(chǎn)生的熱量較少，不需要加微通道主動(dòng)散熱結(jié)構(gòu)，大大降低了模組成本。
文檔編號(hào)H01S5/024GK202004317SQ20112012236
公開日2011年10月5日 申請日期2011年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月25日
發(fā)明者夏偉, 房玉鎖, 李沛旭, 王娜, 王海衛(wèi) 申請人:山東華光光電子有限公司