專利名稱：大功率led燈珠的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種LED燈珠，特別是用于手電筒中或者礦燈中的大功率LED燈珠。
背景技術(shù)：
大功率LED燈珠用于手電筒中或者礦燈中，對照射光斑及聚光程度都有很高的要求，其照射效果以呈現(xiàn)均勻圓形光斑為佳。目前，在金屬熱沉上涂覆熒光粉時，現(xiàn)有工藝對熒光粉涂覆區(qū)以及涂覆后擴散的范圍難以控制(如圖1所示)，使得熒光粉涂覆大大超出芯片區(qū)域，無法形成較好的點光源；熒光粉涂覆區(qū)與燈具二次光學(xué)反光杯的拋物線焦點重合度不高，導(dǎo)致聚光效果不好；同時，由于涂覆熒光粉的區(qū)域比較大，使得芯片四周側(cè)邊光線路徑較長，容易形成黃圈。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種發(fā)光均勻、不帶黃圈且具有良好聚光效果的大功率 LED燈珠。本實用新型的技術(shù)方案是一種大功率LED燈珠，安裝在拋物線球面的二次光學(xué)反光杯內(nèi)包括金屬熱沉、固定在金屬熱沉中心的LED芯片、金屬熱沉兩側(cè)的引腳、連接LED 芯片與引腳的金屬鍵合引線、涂覆在LED芯片上面的熒光粉層及最外層的封裝材料；金屬熱沉中心設(shè)有固定LED芯片的固晶圓形區(qū)，固晶圓形區(qū)的直徑為LED芯片邊長再加上 0.2-0.4 mm。所述固晶圓形區(qū)為圓形凹槽或者為圓柱形凸起平臺，固晶在圓形凹槽或者圓柱形凸起平臺上的LED芯片的中心與所述二次光學(xué)反光杯的拋物線球面焦點重合。所述圓形凹槽的深度為100-500 μ m，優(yōu)選為200-300 μ m。所述圓柱形凸起平臺的高度為 300-600 μ m,優(yōu)選為 400-500 μ m。本實用新型的有益效果是1、位于金屬熱沉中心固定LED芯片的固晶圓形區(qū)包括圓形凹槽或者圓柱形凸起平臺，涂覆在圓形凹槽或者圓柱形凸起平臺上的熒光粉不會大范圍擴散，大大減小了發(fā)光區(qū)域；2、固晶在圓形凹槽或者圓柱形凸起平臺上的LED芯片的中心與所述二次光學(xué)反光杯的拋物線球面焦點重合度高，聚光度更佳；3、熒光粉被涂敷在圓形凹槽或者圓柱形凸起平臺的LED芯片的圓形小區(qū)域內(nèi)，使得照射效果具有自然圓形，照射效果更好；4、由于涂覆熒光粉的區(qū)域比較小，使得LED芯片四周側(cè)邊發(fā)出的光從芯片周圍的熒光粉覆蓋層出光路徑更短，不容易形成黃圈。

圖1現(xiàn)有工藝封裝LED燈珠的示意圖。[0012]圖2是設(shè)有圓型凹槽的固晶區(qū)的LED燈珠的結(jié)構(gòu)示意圖(圖3的A-A剖面)。圖3是圖2的俯視圖(未畫出二次光學(xué)反光杯)。圖4是設(shè)有圓柱形凸起平臺的固晶區(qū)的LED燈珠的結(jié)構(gòu)示意圖(圖5的B-B剖面)°圖5是圖4的俯視圖(未畫出二次光學(xué)反光杯)。附圖中1一金屬熱沉，2—圓形凹槽固晶區(qū)，3 —LED芯片，4 一熒光粉層， 5-引腳， 6—圓型凸起平臺固晶區(qū)，7 - 二次光學(xué)反光杯，8—金屬鍵合引線， 9一外層封裝材料。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。實施例1如附圖2-3示一種大功率LED燈珠，安裝在拋物線球面的二次光學(xué)反光杯7內(nèi)包括金屬熱沉1、固定在金屬熱沉中心的LED芯片3、金屬熱沉兩側(cè)的引腳5、連接 LED芯片3與引腳5的金屬鍵合引線8、涂覆在LED芯片上面的熒光粉層4及最外層的封裝材料9。 在金屬熱沉1中心沖壓一個深度為200-300 μ m圓形的凹槽2作為固晶圓形區(qū)， 圓形凹槽2的直徑為LED芯片3最大邊長加0. 2-0. 4mm ；將LED芯片3固晶在圓形凹槽2 上，固晶在圓形凹槽2上的LED芯片的中心與所述二次光學(xué)反光杯7的拋物線球面焦點重合度高，聚光度更佳。熒光粉被涂敷在圓形凹槽2的圓形小區(qū)域內(nèi)，不會大范圍擴散，大大減小了發(fā)光區(qū)域，芯片四周側(cè)邊出光路徑更短，不容易形成黃圈，并使得照射效果具有自然圓形，效果更好。隨后采用硅膠或環(huán)氧樹脂等其它常用封裝材料9進行最外層的封裝。實施例2如附圖4-5示一種大功率LED燈珠，安裝在拋物線球面的二次光學(xué)反光杯7內(nèi)包括金屬熱沉1、固定在金屬熱沉中心的LED芯片3、金屬熱沉兩側(cè)的引腳5、連接 LED芯片3與引腳5的金屬鍵合引線8、涂覆在LED芯片上面的熒光粉層4及最外層的封裝材料9。在金屬熱沉1中心沖壓一個高度為400-500 μ m的圓柱形凸起平臺6作為固晶圓形區(qū)，圓柱形凸起平臺6的直徑為LED芯片3最大邊長加0. 2-0. 4mm ；將LED芯片3固晶在圓柱形凸起平臺6上，固晶在圓柱形凸起平臺6上的LED芯片的中心與所述二次光學(xué)反光杯7的拋物線球面焦點重合度高，聚光度更佳。熒光粉被涂敷在圓柱形凸起平臺6上的圓形小區(qū)域內(nèi)，不會大范圍擴散，大大減小了發(fā)光區(qū)域，芯片四周側(cè)邊出光路徑更短，不容易形成黃圈，并使得照射效果具有自然圓形，效果更好。隨后采用硅膠或環(huán)氧樹脂等其它常用封裝材料9進行最外層的封裝。
權(quán)利要求1.一種大功率LED燈珠，安裝在拋物線球面的二次光學(xué)反光杯(7)內(nèi)包括金屬熱沉 (1)、固定在金屬熱沉中心的LED芯片(3)、金屬熱沉兩側(cè)的引腳(5)、連接LED芯片(3)與引腳(5)的金屬鍵合引線(8)、涂覆在LED芯片上面的熒光粉層(4)及最外層的封裝材料(9)， 其特征在于金屬熱沉(1)中心設(shè)有固定LED芯片的固晶圓形區(qū)，固晶圓形區(qū)的直徑為LED 芯片邊長再加上0. 2-0. 4 mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述大功率LED燈珠，其特征在于所述固晶圓形區(qū)為圓形凹槽(2) 或者為圓柱形凸起平臺(6)，固晶在圓形凹槽(2)或者圓柱形凸起平臺(6)上的LED芯片的中心與所述二次光學(xué)反光杯(7)的拋物線球面焦點重合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述大功率LED燈珠，其特征在于所述圓形凹槽(2)的深度為 100-500 μm0
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述大功率LED燈珠，其特征在于所述圓形凹槽(2)的優(yōu)選深度為 200-300 μm0
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述大功率LED燈珠，其特征在于所述圓柱形凸起平臺(6)的高度為 300-600 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述大功率LED燈珠，其特征在于所述圓柱形凸起平臺(6)的優(yōu)選高度為 400-500 μ m。
專利摘要本實用新型涉及一種大功率LED燈珠，安裝在拋物線球面的二次光學(xué)反光杯內(nèi)包括金屬熱沉、固定在金屬熱沉中心的LED芯片、金屬熱沉兩側(cè)的引腳、連接LED芯片與引腳的金屬鍵合引線、涂覆在LED芯片上面的熒光粉層及最外層的封裝材料；金屬熱沉中心設(shè)有固定LED芯片的圓形凹槽或者圓柱形凸起平臺的固晶圓形區(qū)，固晶在圓形凹槽或者圓柱形凸起平臺上的LED芯片的中心與二次光學(xué)反光杯的拋物線球面焦點重合度高，聚光度更佳；熒光粉涂覆在位于金屬熱沉中心固定LED芯片的圓形凹槽或者圓柱形凸起平臺上，使得照射效果具有自然圓形，照射效果更好；同時減小了發(fā)光區(qū)域，使得芯片四周側(cè)邊出光路徑更短，不容易形成黃圈。
文檔編號H01L33/50GK202221777SQ201120144429
公開日2012年5月16日 申請日期2011年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月10日
發(fā)明者萬齊欣, 劉衛(wèi)云, 李冬梅, 熊志華 申請人:江西科技師范學(xué)院