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一種led晶片正極焊墊的制作方法

文檔序號(hào):6851532閱讀:265來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種led晶片正極焊墊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于LED晶片焊墊技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種LED晶片正極焊墊。
背景技術(shù)
近年來(lái)LED晶片行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈,特別是2008年的經(jīng)濟(jì)危機(jī)以來(lái),LED行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)就尤為明顯。2009年后半年市場(chǎng)逐步恢復(fù)活力,各個(gè)國(guó)家大力發(fā)展LED照明業(yè),使得出現(xiàn)眾多的LED晶片生產(chǎn)商,競(jìng)爭(zhēng)更加激烈。為了增加競(jìng)爭(zhēng)力,各公司在成本的控制上也是別出心裁,主要從LED晶片的結(jié)構(gòu)上來(lái)降低成本。LED晶片包括由砷(AS)、鋁(AL)、鎵(Ga)、銦(IN)、磷(P)、氮(N)鍶(S i)這幾種元素中組成的中間發(fā)光層、下層的襯底、最下層的晶片負(fù)極和最上層的晶片正極焊墊。現(xiàn)有技術(shù)中,晶片正極焊墊是以純金作為導(dǎo)體,金在導(dǎo)熱導(dǎo)電性能上比較優(yōu)越, 但是金屬于貴金屬,使得LED晶片的成本明顯增加,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力下降。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種LED晶片正極焊墊,該種LED晶片正極焊墊成本低。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種LED晶片正極焊墊,它包括四層鍍層,從下往上依次為第一鈦層、第二鋁層、第三鈦層、第四金層。優(yōu)選的,所述第一鈦層、所述第二鋁層、所述第三鈦層、所述第四金層的厚度比為 2-3 30-40 2-3 :2_4。較為優(yōu)選的,所述第一鈦層、所述第二鋁層、所述第三鈦層和所述第四金層的厚度比為 2. 25 35 2. 25 :3。更為優(yōu)選的,所述第一鈦層的厚度為2. 25 KA,所述第二鋁層的厚度為35 ΚΑ,所述第三鈦層的厚度為2.25 ΚΑ,所述第四金層的厚度為3 ΚΑ。其中,所述第一鈦層、第二鋁層、第三鈦層和第四金層通過(guò)蒸鍍的方式固定。本實(shí)用新型的有益效果為本實(shí)用新型采用第一鈦層、第二鋁層、第三鈦層和第四金層的組合取代原來(lái)的純金LED晶片正極焊墊,在焊墊相同厚度的情況下可以節(jié)省黃金用量,大大降低了成本。根據(jù)實(shí)驗(yàn)情況可以看到LED晶片正極焊墊結(jié)構(gòu)的改變并沒(méi)有造成LED 晶片電性及外觀等的改變,符合標(biāo)準(zhǔn)要求,可完全應(yīng)用于生產(chǎn)中。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。其中,圖1中包括1——磊晶片2——第一鈦層3——第二鋁層4——第三鈦層[0018]5——第四金層。
具體實(shí)施方式
為了便于 本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解,下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明,實(shí)施方式提及的內(nèi)容并非對(duì)本實(shí)用新型的限定。一種LED晶片正極焊墊,它包括四層鍍層,在磊晶片1上面從下往上依次為第一鈦層2、第二鋁層3、第三鈦層4、第四金層5。本實(shí)用新型采用第一鈦層2、第二鋁層3、第三鈦層4和第四金層5的組合取代原來(lái)的純金LED晶片正極焊墊,可以節(jié)省黃金用量,大大降低了成本。根據(jù)實(shí)驗(yàn)情況可以看到LED晶片正極焊墊結(jié)構(gòu)的改變并沒(méi)有造成LED晶片電性及外觀等的改變,符合標(biāo)準(zhǔn)要求,可完全應(yīng)用于生產(chǎn)中。優(yōu)選的,第一鈦層2、第二鋁層3、第三鈦層4、第四金層5的厚度比為2-3 :30_40 2-3 :2-4,此時(shí)應(yīng)用該LED晶片正極焊墊的LED晶片與應(yīng)用原來(lái)的純金LED晶片正極焊墊的 LED晶片電性及外觀相接近。較為優(yōu)選的,第一鈦層2、第二鋁層3、第三鈦層4和第四金層5的厚度比為2. 25 35 2. 25 :3,此時(shí)應(yīng)用該LED晶片正極焊墊的LED晶片與應(yīng)用原來(lái)的純金LED晶片正極焊墊的LED晶片電性及外觀更為接近。更為優(yōu)選的,第一鈦層2的厚度為2. 25 KA,第二鋁層3的厚度為35 ΚΑ,第三鈦層 4的厚度為2. 25 ΚΑ,第四金層5的厚度為3 ΚΑ,此時(shí)應(yīng)用該LED晶片正極焊墊的LED晶片與應(yīng)用原來(lái)的純金LED晶片正極焊墊的LED晶片電性及外觀最為接近。第一鈦層2、第二鋁層3、第三鈦層4和第四金層5通過(guò)蒸鍍的方式固定,可使第一鈦層2、第二鋁層3、第三鈦層4和第四金層5固定得更牢固。以上內(nèi)容僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,依據(jù)本實(shí)用新型的思想,在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處,本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
權(quán)利要求1.一種LED晶片正極焊墊,其特征在于它包括四層鍍層,從下往上依次為第一鈦層、 第二鋁層、第三鈦層、第四金層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED晶片正極焊墊,其特征在于所述第一鈦層、所述第二鋁層、所述第三鈦層、所述第四金層的厚度比為2-3 30-40 2-3 :2_4。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種LED晶片正極焊墊,其特征在于所述第一鈦層、所述第二鋁層、所述第三鈦層和所述第四金層的厚度比為2. 25 35 2. 25 :3。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種LED晶片正極焊墊,其特征在于所述第一鈦層的厚度為2. 25 KA,所述第二鋁層的厚度為35 ΚΑ,所述第三鈦層的厚度為2.25 ΚΑ,所述第四金層的厚度為3 KA0
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的一種LED晶片正極焊墊,其特征在于所述第一鈦層、第二鋁層、第三鈦層和第四金層通過(guò)蒸鍍的方式固定。
專利摘要本實(shí)用新型屬于LED晶片焊墊技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種LED晶片正極焊墊,本實(shí)用新型采用第一鈦層、第二鋁層、第三鈦層和第四金層的組合取代原來(lái)的純金LED晶片正極焊墊,在焊墊相同厚度的情況下可以節(jié)省黃金用量,大大降低了成本。根據(jù)實(shí)驗(yàn)情況可以看到LED晶片正極焊墊結(jié)構(gòu)的改變并沒(méi)有造成LED晶片電性及外觀等的改變,符合標(biāo)準(zhǔn)要求,可完全應(yīng)用于生產(chǎn)中。
文檔編號(hào)H01L33/62GK202111156SQ20112017216
公開(kāi)日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月26日
發(fā)明者吳伯仁 申請(qǐng)人:東莞洲磊電子有限公司
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