專利名稱：一種清洗裝置及拋光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及化學(xué)機械拋光設(shè)備領(lǐng)域，且特別涉及一種用于拋光頭和拋光墊修整器的清洗裝置及拋光裝置。
背景技術(shù)：
隨著集成電路(IC)制造技術(shù)的飛速發(fā)展，對硅片的加工精度和表面質(zhì)量提出了更高的要求，化學(xué)機械拋光(CMP)是目前唯一能夠?qū)崿F(xiàn)硅片局部和全局平坦化的實用技術(shù)和核心技術(shù)，正廣泛地應(yīng)用于IC制造中。圖1為目前CMP采用的拋光裝置，拋光墊11隨基臺10旋轉(zhuǎn)，拋光頭12承載晶片 15并下壓晶片15至拋光墊11上與拋光墊11相對旋轉(zhuǎn)，漿料注入機13將拋光漿料噴灑或涂抹在拋光墊11上，拋光墊修整器14用于對拋光墊11表面進行修整，增強拋光墊11的拋光性能。CMP制程中，晶片15和拋光墊11在拋光漿料作用下相對彼此執(zhí)行摩擦運動，從而將晶片15的表面變平。經(jīng)過一段時間的晶片拋光或拋光墊修整工藝后，由于離心力作用，來自拋光漿料以及晶片15被拋光去除的薄膜等的殘留物16，也會飛濺并附著在拋光頭12或拋光墊修整器14的修整頭上表面以及側(cè)表面。然而，現(xiàn)有技術(shù)中的清洗裝置一般注重于清洗拋光頭12 或拋光墊修整器14的修整頭底部表面，以用于下一批晶片的拋光；而附著在拋光頭12或拋光墊修整器14的修整頭上表面以及側(cè)表面的殘留物16則被忽視，隨著時間的推移，這些殘留物16的粘附力會降低，可能會從拋光頭12或拋光墊修整器14的修整頭上剝離，落到拋光墊11上，這樣將會造成晶片15的拋光表面出現(xiàn)刮痕、通槽或凹坑等缺陷，或者下一批拋光晶片的污染，對器件的成品率造成極大地負作用。因此需要一種清洗裝置及拋光裝置，能在拋光制程或拋光墊修整制程后清洗拋光頭或拋光墊修整器的修整頭的上表面及側(cè)表面的殘留物，減少拋光缺陷，提高晶片拋光性能。

實用新型內(nèi)容本實用新型提出一種清洗裝置及拋光裝置，能在拋光制程或修整制程后清理拋光頭或拋光墊修整器的修整頭的上表面及側(cè)表面的殘留物，減少拋光缺陷，提高晶片拋光性能。為了達到上述目的，本實用新型提出一種清洗裝置，用于拋光頭或拋光墊修整器的修整頭上表面及側(cè)表面的清洗，包括清洗劑供給設(shè)備，設(shè)有出水管；清洗罩，環(huán)繞所述拋光頭或修整頭，所述清洗罩的側(cè)壁內(nèi)部設(shè)有多路與所述出水管相連通的噴水管，所述噴水管靠近所述拋光頭或修整頭的一側(cè)設(shè)有多個噴嘴，所述清洗罩的外部設(shè)有能夠調(diào)節(jié)所述清洗罩高度的升降結(jié)構(gòu)。進一步的，所述清洗罩的側(cè)部內(nèi)部設(shè)有2 10路與所述出水管相連通的環(huán)狀的噴
3水管。進一步的，所述噴水管的噴嘴的數(shù)量為20 30個。進一步的，所述清洗罩的側(cè)壁內(nèi)側(cè)與所述拋光頭或修整頭的距離為Icm 5cm。進一步的，所述清洗罩為環(huán)柱結(jié)構(gòu)，所述清洗罩的側(cè)壁內(nèi)部沿環(huán)繞所述拋光頭或修整頭的方向設(shè)有多路與所述出水管相連通的環(huán)狀的噴水管。進一步的，所述升降結(jié)構(gòu)包含高度調(diào)節(jié)組件。進一步的，所述高度調(diào)節(jié)組件包含鉸鏈、彈簧、滑桿、套管和伸縮桿中的一種或多種。進一步的，所述清洗裝置還包括清洗裝置控制器，連接所述清洗劑供給設(shè)備和所述升降結(jié)構(gòu)，控制所述清洗劑供給設(shè)備出水和控制所述升降結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)清洗罩升降高度。進一步的，所述清洗罩的材料是不銹鋼或塑料。相應(yīng)的，本實用新型還提供一種拋光裝置，包括拋光頭和/或拋光墊修整器，還包括上述的清洗裝置。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的清洗裝置及拋光裝置，通過升降結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)清洗罩的高度，晶片拋光時或拋光墊修整時升起清洗罩，晶片拋光后或拋光墊修整后降下清洗罩， 清理拋光頭或拋光墊修整器的修整頭的上表面及側(cè)表面的殘留物，減少拋光缺陷，提高晶片拋光性能，該清洗裝置結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，提高了器件的成品率。

圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的拋光裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖2所示為本實用新型具體實施例的清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3所示為本實用新型的清洗裝置的噴水管結(jié)構(gòu)示意圖；圖4所示為本實用新型具體實施例的拋光裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為了更了解本實用新型的技術(shù)內(nèi)容，特舉具體實施例并配合所附圖示說明如下。請參考圖2，本實用新型提供一種清洗裝置，用于拋光頭或拋光墊修整器的修整頭上表面及側(cè)表面的清洗，包括清洗劑供給設(shè)備26，設(shè)有出水管261 ；清洗罩27，環(huán)繞所述拋光頭或修整頭22，所述清洗罩27的側(cè)壁內(nèi)部設(shè)有多路與所述出水管261相連通的噴水管，所述噴水管靠近所述拋光頭或修整頭的一側(cè)設(shè)有多個噴嘴 (如圖2和圖3所示的271a)，所述清洗罩的外部設(shè)有升降結(jié)構(gòu)273以調(diào)節(jié)所述清洗罩27的高度，所述升降結(jié)構(gòu)273包含高度調(diào)節(jié)組件，所述高度調(diào)節(jié)組件可以包含鉸鏈、彈簧、滑桿、 套管和伸縮桿中的一種或多種。優(yōu)選的，所述清洗罩27的側(cè)部內(nèi)部設(shè)有2 10路與所述出水管相連通的噴水管， 各路噴水管的出水是相互獨立的，各路噴水管的噴嘴的數(shù)量為20 30個，所述清洗罩27 側(cè)壁的內(nèi)側(cè)與所述拋光頭或修整頭的距離為Icm 5cm ；進一步的，所述清洗罩27為環(huán)柱結(jié)構(gòu)，所述清洗罩27的側(cè)壁內(nèi)部沿環(huán)繞所述拋光頭或修整頭22的方向設(shè)有多路與所述出水管261相連通的環(huán)狀噴水管；所述清洗罩27采用不銹鋼，不銹鋼涂層或塑料制作；所述清洗裝置還包括清洗裝置控制器28，連接所述清洗劑供給設(shè)備26以控制所述清洗劑供給設(shè)備26的出水，還連接所述升降結(jié)構(gòu)273以調(diào)節(jié)清洗罩27的升降高度，特別實時調(diào)節(jié)清洗罩27的升降高度。本實施例中，所述清洗罩27為圓柱環(huán)結(jié)構(gòu)，側(cè)壁中靠近上下底面的位置處，各設(shè)有1路與所述出水管261相連通的環(huán)狀的噴水管271，272，噴水管271，272各有25個噴嘴 (如圖3所示的271a)。相應(yīng)的，本實用新型還提供一種拋光裝置，包括拋光頭和/或拋光墊修整器，所述拋光裝置還包括如圖2所示的清洗裝置。請參考圖4，以清洗拋光頭為例，初始時，清洗罩27懸置于拋光頭22正上方，應(yīng)用本實用新型的拋光裝置的方法，包括以下步驟將晶片25承載至拋光頭22上；漿料注入機23向拋光墊21注入拋光漿料，拋光頭22將晶片25下壓至拋光墊21 上進行晶片拋光；晶片拋光結(jié)束后，清洗裝置控制器28控制升降結(jié)構(gòu)273降下清洗罩27，使清洗罩 27的側(cè)壁環(huán)繞拋光頭22，清洗裝置控制器28控制清洗劑供給設(shè)備26出水，并實時調(diào)節(jié)升降結(jié)構(gòu)273，以清洗拋光頭22上表面和側(cè)面的殘留物；清洗裝置控制器28控制清洗劑供給設(shè)備26結(jié)束出水，并控制升降結(jié)構(gòu)273使清洗罩27升起，懸置于拋光頭22正上方。綜上所述，本實用新型的清洗裝置及拋光裝置，通過升降結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)清洗罩的高度， 晶片拋光時或拋光墊修整時升起清洗罩，晶片拋光后或拋光墊修整后降下清洗罩，清理拋光頭或拋光墊修整器的修整頭的上表面及側(cè)表面的殘留物，減少拋光缺陷，提高晶片拋光性能，該清洗裝置結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，提高了器件的成品率。雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本實用新型，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本實用新型的保護范圍當視權(quán)利要求書所界定者為準。
權(quán)利要求1.一種清洗裝置，用于拋光頭或拋光墊修整器的修整頭上表面及側(cè)表面的清洗，其特征在于，包括清洗劑供給設(shè)備，設(shè)有出水管；清洗罩，環(huán)繞所述拋光頭或修整頭，所述清洗罩的側(cè)壁內(nèi)部設(shè)有多路與所述出水管相連通的噴水管，所述噴水管靠近所述拋光頭或修整頭的一側(cè)設(shè)有多個噴嘴，所述清洗罩的外部設(shè)有能夠調(diào)節(jié)所述清洗罩高度的升降結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，所述清洗罩的側(cè)部內(nèi)部設(shè)有2 10路與所述出水管相連通的噴水管。
3.如權(quán)利要求1或2所述的清洗裝置，其特征在于，所述噴水管的噴嘴的數(shù)量為20 30個。
4.如權(quán)利要求1或2所述的清洗裝置，其特征在于，所述清洗罩的側(cè)壁內(nèi)側(cè)與所述拋光頭或修整頭的距離為Icm 5cm。
5.如權(quán)利要求3所述的清洗裝置，其特征在于，所述清洗罩為環(huán)柱結(jié)構(gòu)，所述清洗罩的側(cè)壁內(nèi)部沿環(huán)繞所述拋光頭或修整頭的方向設(shè)有多路與所述出水管相連通的環(huán)狀的噴水管。
6.如權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，所述升降結(jié)構(gòu)包含高度調(diào)節(jié)組件。
7.如權(quán)利要求6所述的清洗裝置，其特征在于，所述高度調(diào)節(jié)組件包含鉸鏈、彈簧、滑桿、套管和伸縮桿中的一種或多種。
8.如權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，所述清洗裝置還包括清洗裝置控制器， 連接所述清洗劑供給設(shè)備和所述升降結(jié)構(gòu)，控制所述清洗劑供給設(shè)備出水和控制所述升降結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)清洗罩升降高度。
9.如權(quán)利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，所述清洗罩的材料是不銹鋼或塑料。
10.一種拋光裝置，包括拋光頭和/或拋光墊修整器，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1 至9中任意一項所述的清洗裝置。
專利摘要本實用新型提出一種清洗裝置及拋光裝置，通過升降結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)清洗罩的高度，晶片拋光時或拋光墊修整時升起清洗罩，晶片拋光后或拋光墊修整后降下清洗罩，清理拋光頭或拋光墊修整器的修整頭的上表面及側(cè)表面的殘留物，減少拋光缺陷，提高晶片拋光性能，該清洗裝置結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，提高了器件的成品率。
文檔編號H01L21/00GK202142510SQ201120181309
公開日2012年2月8日 申請日期2011年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
發(fā)明者劉俊良, 鄧武鋒 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司