專利名稱：一種大功率片式二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及對(duì)二極管結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中的二極管(如圖3、4所示)的結(jié)構(gòu)形式大多為兩根引線1、4夾住芯片 2焊接，外加圓柱形封裝體5而成。具體結(jié)構(gòu)為芯片2垂直于正極的引線一1和負(fù)極的引線二 4設(shè)置。此種結(jié)構(gòu)一方面，設(shè)置端片的工藝復(fù)雜、材料消耗大；另一方面，此種結(jié)構(gòu)形式的二極管管體呈圓柱體形狀(即圓柱形封裝體5的外輪廓形狀)，造成整體高度(圓柱體封裝體5的直徑)尺寸較大；此外，此種結(jié)構(gòu)的二極管由于芯片的設(shè)置模式單一，使得同樣規(guī)定、性能的芯片只能設(shè)置一片。最終產(chǎn)品的占用空間較大，功率恒定，原材料浪費(fèi)嚴(yán)重，難以適應(yīng)客戶端小型化發(fā)展趨勢(shì)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型針對(duì)以上問(wèn)題，提供了一種在空間體積占用一定的情況下，功率成倍增加的大功率片式二極管。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是所述二極管包括引線一、引線二、芯片和封裝體，所述芯片至少設(shè)有兩塊，所述至少兩塊芯片極性同向地平置，所述引線一內(nèi)端的底面分別接觸所述芯片的正極面，所述引線二內(nèi)端的頂面分別接觸所述芯片的負(fù)極面。所述引線一和/或引線二的內(nèi)端根部呈片形，形成散熱段。所述散熱段10-60 %的面積部分設(shè)在所述封裝體內(nèi)，其余部分暴露在封裝體外。本實(shí)用新型將芯片設(shè)置形式改進(jìn)為平置式以后，能擴(kuò)充其中芯片的數(shù)量，將多個(gè)芯片以“并聯(lián)”式結(jié)構(gòu)連接，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)增大功率的目的。在功率增加后，隨之會(huì)帶來(lái)熱能的增加，為此，本實(shí)用新型還提出了將引線內(nèi)端根部“加寬”的措施，即在引線一或者引線二，或者引線一和二的根部采取增大銅質(zhì)引線局部面積的措施(即增設(shè)散熱段)，能夠?qū)⒎庋b體內(nèi)的熱能傳導(dǎo)到封裝體外，然后封裝體外的散熱段部分由于與空氣接觸面積大，能提高熱對(duì)流的效果，進(jìn)而提高產(chǎn)品的散熱性能，延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命。本實(shí)用新型在相同體積下， 能提高產(chǎn)品的功率；在相同功率下，能提高產(chǎn)品的使用壽命，縮小產(chǎn)品的空間尺寸。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中1是引線一，11是散熱段，21是芯片一，22是芯片二，3是封裝體，4是引線二 ；圖2是圖1的仰視圖；圖3是本實(shí)用新型現(xiàn)有技術(shù)示意圖；圖4是圖3的俯視圖；圖中5是圓柱形封裝體。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型如圖1、2所示，本實(shí)用新型的二極管包括引線一 1、引線二 4、芯片和封裝體3，所述芯片至少設(shè)有兩塊，即芯片一 21和芯片二 22(還可以在擴(kuò)展引線內(nèi)端工作面長(zhǎng)度后，繼續(xù)增加芯片)，所述至少兩塊芯片極性同向地平置，所述引線一 1內(nèi)端的底面分別接觸所述芯片一 21和芯片二 22的正極面，所述引線二 4內(nèi)端的頂面分別接觸所述芯片一 21和芯片二 22的負(fù)極面。所述引線一 1和/或引線二 4的內(nèi)端根部呈片形，形成散熱段11。從實(shí)驗(yàn)情況出發(fā)，本實(shí)用新型優(yōu)選將引線一 1的根部加寬，構(gòu)成散熱段11即能實(shí)現(xiàn)散熱目的；但不排除將引線二 4的根部加寬，引線1和引線4的根部同時(shí)加寬的另兩種實(shí)施手段。所述散熱段11整體面積的10-60%的部分設(shè)在所述封裝體3內(nèi)，其余部分暴露在封裝體外。工作中產(chǎn)生的熱量主要在封裝體3內(nèi)，由于封裝體3的散熱效果較差，因此，當(dāng)散熱段11的一部分在封裝體3內(nèi)部時(shí)，能夠?qū)⒎庋b體3內(nèi)部的熱能通過(guò)熱傳導(dǎo)“帶出”封裝體外，再由封裝體3外的散熱段11其它部分與空氣進(jìn)行熱對(duì)流，進(jìn)而加速散熱。
權(quán)利要求1.一種大功率片式二極管，所述二極管包括引線一、引線二、芯片和封裝體，其特征在于，所述芯片至少設(shè)有兩塊，所述至少兩塊芯片極性同向地平置，所述引線一內(nèi)端的底面分別接觸所述芯片的正極面，所述引線二內(nèi)端的頂面分別接觸所述芯片的負(fù)極面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率片式二極管，其特征在于，所述引線一和/或引線二的內(nèi)端根部呈片形，形成散熱段。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種大功率片式二極管，其特征在于，所述散熱段10-60%的面積部分設(shè)在所述封裝體內(nèi)，其余部分暴露在封裝體外。
專利摘要一種大功率片式二極管。涉及對(duì)二極管結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。在空間體積占用一定的情況下，功率成倍增加。二極管包括引線一、引線二、芯片和封裝體，芯片至少設(shè)有兩塊，至少兩塊芯片極性同向地平置，引線一內(nèi)端的底面分別接觸芯片的正極面，引線二內(nèi)端的頂面分別接觸芯片的負(fù)極面。本實(shí)用新型將芯片設(shè)置形式改進(jìn)為平置式以后，能擴(kuò)充其中芯片的數(shù)量，將多個(gè)芯片以“并聯(lián)”式結(jié)構(gòu)連接，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)增大功率的目的。本實(shí)用新型在相同體積下，能提高產(chǎn)品的功率；在相同功率下，能提高產(chǎn)品的使用壽命，縮小產(chǎn)品的空間尺寸。
文檔編號(hào)H01L29/40GK202103057SQ201120192379
公開日2012年1月4日 申請(qǐng)日期2011年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月9日
發(fā)明者王雙, 王毅 申請(qǐng)人:揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司