專利名稱：一種有機電致發(fā)光顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及平板顯示領(lǐng)域，特別涉及一種有機電致發(fā)光顯示器件。
背景技術(shù)：
OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發(fā)光二極管)是新一代的照明和顯示裝置，具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動、全固話、視角寬、重量輕、組成和工藝簡單等一系列優(yōu)點，成為當(dāng)前平板顯示領(lǐng)域的研究熱點。發(fā)光效率和發(fā)光壽命是有機電致發(fā)光器件實用化的兩個關(guān)鍵性問題，但電致發(fā)光效率存在一個理論極限。為了能夠在諸如照明或液晶顯示器的背光源等需要強光的情況下得到應(yīng)用，必須開發(fā)出高效率、高亮度的有機電致發(fā)光器件。在OLED器件各層材料確定后，如何更好的提高器件的發(fā)光效率和亮度成為人們研究的熱點，有機電致發(fā)光器件的發(fā)光機理包括電子和空穴從電極的注入、激子的形成及復(fù)合發(fā)光，其中，電子和空穴的注入平衡是非常重要的。在有機電致發(fā)光器件中，由于有機層與電極之間存在能力差，從而形成界面勢壘，電子和空穴要注入有機層就必須克服界面勢壘，因此有機層與電極的接觸性質(zhì)直接影響載流子的注入效率。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供了一種高亮度、高發(fā)光效率、使用壽命長的有機電致發(fā)光顯示器件。為了達到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是一種有機電致發(fā)光顯示器件，包括玻璃基板以及自下而上依次設(shè)置在玻璃基板上表面的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、金屬中間層和陰極；所述的金屬中間層所采用的材料為Al、Mg、Cu、Ag、Au、Pt中一種。所述金屬中間層的厚度為0. l-5nm。所述金屬中間層的厚度為lnm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型至少具有以下有益效果本實用新型一種有機電致發(fā)光顯示器件，通過在傳統(tǒng)OLED器件結(jié)構(gòu)中電子傳輸層與陰極之間增加一層很薄的金屬層作為中間層，增加的該層金屬中間層一方面提高了電極與有機層間界面的平整度和電極的導(dǎo)電性；另一方面，在電子傳輸層與該金屬中間層薄膜之間形成了良好的歐姆接觸，大大提高了電子的注入能力，使得電子和空穴復(fù)合發(fā)光幾率明顯增強，顯著改善了 OLED器件的發(fā)光效率、發(fā)光亮度和壽命。

附圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式

3[0011]
以下結(jié)合附圖對本實用新型的結(jié)構(gòu)和工作原理作進一步詳細說明。請參閱圖1所述，本實用新型一種有機電致發(fā)光顯示器件包括玻璃基板1以及自下而上依次設(shè)置在玻璃基板1上表面的復(fù)合金屬陽極2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、金屬中間層6和金屬陰極7 ；復(fù)合金屬陽極2和金屬陰極7分別與直流電壓的正負(fù)電極相連；金屬中間層6所采用的材料為Al、Mg、Cu、Ag、Au、Pt中一種，厚度為0. l-5nm，優(yōu)選 Inm0以上所述僅為本實用新型的一種實施方式，不是全部或唯一的實施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通過閱讀本實用新型說明書而對本實用新型技術(shù)方案采取的任何等效的變換，均為本實用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求1.一種有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于包括玻璃基板(1)以及自下而上依次設(shè)置在玻璃基板(1)上表面的陽極O)、空穴傳輸層(3)、發(fā)光層G)、電子傳輸層(5)、金屬中間層(6)和陰極(7)；所述金屬中間層(6)所采用的材料為Al、Mg、Cu、Ag、Au、Pt中一種。
2.如權(quán)利要求1所述的一種有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于所述金屬中間層(6) 的厚度為0. l-5nm。
3.如權(quán)利要求2所述的一種有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于所述金屬中間層(6) 的厚度為lnm。
專利摘要本實用新型提供一種有機電致發(fā)光顯示器件，包括玻璃基板以及自下而上依次設(shè)置在玻璃基板上表面的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、金屬中間層和陰極。金屬中間層所采用的材料為Al、Mg、Cu、Ag、Au、Pt中一種，厚度為0.1-5nm。本實用新型通過在傳統(tǒng)OLED器件結(jié)構(gòu)中電子傳輸層與陰極之間增加一層很薄的金屬層作為中間層，增加的該層金屬中間層一方面提高了電極與有機層間界面的平整度和電極的導(dǎo)電性；另一方面，在電子傳輸層與該金屬中間層薄膜之間形成了良好的歐姆接觸，大大提高了電子的注入能力，使得電子和空穴復(fù)合發(fā)光幾率明顯增強，顯著改善了OLED器件的發(fā)光效率、發(fā)光亮度和壽命。
文檔編號H01L51/50GK202127042SQ20112019284
公開日2012年1月25日 申請日期2011年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月10日
發(fā)明者丁磊, 張方輝, 張靜, 李燕菲, 梁田靜 申請人:陜西科技大學(xué)