專利名稱：一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
如圖1所示，現(xiàn)有的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)包括金屬支架腳1、硅膠包覆層2、絕緣座體3以及發(fā)光二極管芯片4。發(fā)光二極管芯片4位于金屬支架腳1頂端，絕緣座體3套在金屬支架腳1上后，通過硅膠包覆層2將絕緣座體3和發(fā)光二極管芯片4全部包裹在其中。但是，這種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)存在以下兩個技術(shù)問題第一、由于硅膠包覆層2將絕緣座體3和發(fā)光二極管芯片4全部包裹在其中，但是由于硅膠沒有支撐部，在硅膠受熱后會膨脹變形，時間后會影響到照明效果。第二、上述硅膠包覆方式將會使用的硅膠量非常大。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型設(shè)計了一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其解決的技術(shù)問題是(1)現(xiàn)有發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)中硅膠沒有支撐部，在硅膠受熱后會膨脹變形，時間后會影響到照明效果；(2)傳統(tǒng)硅膠包覆方式將會使用的硅膠量非常大。為了解決上述存在的技術(shù)問題，本實用新型采用了以下方案一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬支架腳、硅膠包覆層、絕緣座體以及發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片位于金屬支架腳頂端，絕緣座體套在金屬支架腳上，還包括一環(huán)形的基座，所述環(huán)形的基座套在所述絕緣座體中，所述環(huán)形的基座上設(shè)有硅膠支撐槽，所述硅膠包覆層底部落在所述硅膠支撐槽中。進(jìn)一步，在所述絕緣座體周緣還設(shè)有防熱膨脹槽。進(jìn)一步，在所述硅膠包覆層表面涂有一層ZnS基納米熒光粉層。該發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)相比，具有以下有益效果( 1)本實用新型由于環(huán)形的基座上設(shè)有硅膠支撐槽，所述硅膠包覆層底部落在所述硅膠支撐槽中，使得硅膠受熱后膨脹后不會發(fā)生較大的變形，因而不會影響到照明效果。(2)本實用新型的硅膠包覆方式將會倒置使用的硅膠量減少，降低成本。(3 )本實用新型由于在發(fā)光二極管表面涂有ZnS基納米熒光粉層，納米級的ZnS基熒光粉可以均勻的分布并且可以使得發(fā)光二極管發(fā)出光能經(jīng)過納米熒光粉后更加明亮，與涂有普通熒光粉的發(fā)光二極管相比，在相同功率下可以達(dá)到其照明亮度的1. 5倍，因而可以在相同亮度的要求下，可以減少LED使用的數(shù)量。
圖1 現(xiàn)有發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)；圖2 本實用新型發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。CN 202084579 U
說明書
2/2頁 附圖標(biāo)記說明1 一金屬支架腳；2—硅膠包覆層；3—絕緣座體；4一發(fā)光二極管芯片；5—基座； 51—娃膠支撐槽；52—防熱膨脹槽。
具體實施方式
下面結(jié)合圖2，對本實用新型做進(jìn)一步說明一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬支架腳1、硅膠包覆層2、絕緣座體3以及發(fā)光二極管芯片4，發(fā)光二極管芯片4位于金屬支架腳1頂端，絕緣座體3套在金屬支架腳1 上，一環(huán)形的基座5，環(huán)形的基座5套在絕緣座體3中，環(huán)形的基座5上設(shè)有硅膠支撐槽51， 硅膠包覆層2底部落在所述硅膠支撐槽51中。硅膠包覆層底部落在所述硅膠支撐槽中，使得硅膠受熱后膨脹后不會發(fā)生較大的變形，因而不會影響到照明效果。 在絕緣座體3周緣還設(shè)有防熱膨脹槽52，當(dāng)硅膠包覆層2發(fā)生膨脹時，膨脹出的體積可以進(jìn)入到防熱膨脹槽52中，而不會影響到硅膠包覆層2原始形狀。在硅膠包覆層2表面涂有一層ZnS基納米熒光粉層。納米級的ZnS基熒光粉可以均勻的分布并且可以使得發(fā)光二極管發(fā)出光能經(jīng)過納米熒光粉后更加明亮，與涂有普通熒光粉的發(fā)光二極管相比，在相同功率下可以達(dá)到其照明亮度的1.5倍，因而可以在相同亮度的要求下，可以減少LED使用的數(shù)量。上面結(jié)合附圖對本實用新型進(jìn)行了示例性的描述，顯然本實用新型的實現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本實用新型的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本實用新型的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場合的，均在本實用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬支架腳(1)、硅膠包覆層(2)、絕緣座體(3)以及發(fā)光二極管芯片(4)，發(fā)光二極管芯片(4)位于金屬支架腳(1)頂端，絕緣座體(3)套在金屬支架腳(1)上，其特征在于還包括一環(huán)形的基座(5 )，所述環(huán)形的基座(5 )套在所述絕緣座體(3 )中，所述環(huán)形的基座(5 )上設(shè)有硅膠支撐槽(51)，所述硅膠包覆層(2 )底部落在所述硅膠支撐槽(51)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述絕緣座體(3)周緣還設(shè)有防熱膨脹槽(52)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述硅膠包覆層 (2)表面涂有一層ZnS基納米熒光粉層。
專利摘要本實用新型涉及一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬支架腳、硅膠包覆層、絕緣座體以及發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片位于金屬支架腳頂端，絕緣座體套在金屬支架腳上，還包括一環(huán)形的基座，所述環(huán)形的基座套在所述絕緣座體中，所述環(huán)形的基座上設(shè)有硅膠支撐槽，所述硅膠包覆層底部落在所述硅膠支撐槽中。本實用新型由于環(huán)形的基座上設(shè)有硅膠支撐槽，所述硅膠包覆層底部落在所述硅膠支撐槽中，使得硅膠受熱后膨脹后不會發(fā)生較大的變形，因而不會影響到照明效果。
文檔編號H01L33/48GK202084579SQ20112020480
公開日2011年12月21日 申請日期2011年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月17日
發(fā)明者趙勇, 陳祥龍 申請人:北京中智錦成科技有限公司