專利名稱：一種可精確控制摻雜區(qū)摻雜濃度的半導體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種可精確控制摻雜區(qū)摻雜濃度的半導體器件。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的功率器件的雜質(zhì)的精確分布工藝過程是決定一個器件的參數(shù)的高低及均勻性的關(guān)鍵技術(shù)。對于摻雜區(qū)摻雜時基本使用二種方法硼或者磷等離子注入方法和利用乳膠源或者氣態(tài)源在高溫擴散的方法。對于離子注入方法需要離子注入機，該設備較為昂貴，加工的成本很高，很多制作低檔半導體產(chǎn)品的廠家難以承受。對于直接用乳膠源或者氣態(tài)源在高溫擴散的方法來摻入雜質(zhì)在需要高的硼方塊電阻時，由于雜質(zhì)源的濃度很高，從而精度很差，一般對于200歐姆/方塊的方塊電阻左右其誤差達到10%，在500歐姆/方塊以上的方塊電阻就很難制造。傳統(tǒng)的半導體器件制造過程中的氧化層是利用來完全隔離雜質(zhì)的擴散進入，即有氧化層的地方硼、磷等雜質(zhì)是不能擴散進入的。主要要求二氧化硅的厚度足夠厚可以阻擋雜質(zhì)的擴散。如果二氧化硅的厚度不夠硼、磷等雜質(zhì)就會擴散進入。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型目的是提供一種可精確控制摻雜區(qū)摻雜濃度的半導體器件。以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的摻雜精度差，成本較高等技術(shù)問題。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型所采用的技術(shù)方案是該半導體器件，包括硅片、二氧化硅氧化層和涂覆層，所述將硅片上表面通過擴散氧化，得到一層能夠阻擋雜質(zhì)源的二氧化硅氧化層；所述二氧化硅氧化層上通過涂覆機涂覆有涂覆層，所述不同摻雜區(qū)所需的摻雜濃度不同，調(diào)節(jié)二氧化硅氧化層的厚度，進而達到精確控制擴散雜質(zhì)的濃度。作為優(yōu)選，所述硅片進行氧化，采用500°C 800°C的氧化溫度。作為優(yōu)選，所述二氧化硅氧化層的厚度為100 200埃。本實用新型主要通過在硅片上氧化生成二氧化硅氧化層，控制氧化的厚度精度， 達到精確控制擴散雜質(zhì)的濃度，簡化工藝流程，降低生產(chǎn)成本。

圖1是本實用新型的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面通過實施例，并結(jié)合附圖，對本實用新型的技術(shù)方案作進一步具體說明。可精確控制摻雜區(qū)摻雜濃度的半導體器件包括硅片2、二氧化硅氧化層1和涂覆層3，所述將硅片2上表面通過擴散氧化，氧化溫度為500°C 800°C，得到一層能夠阻擋雜質(zhì)源的二氧化硅氧化層1，氧化層1的厚度為100 200埃。將乳膠源(或者氣態(tài)源)通過
3涂覆機在二氧化硅氧化層1上涂覆形成涂覆層3，將涂覆好的硅片2在要求的高溫及時間下擴散，所述不同摻雜區(qū)所需的摻雜濃度不同，調(diào)節(jié)部分二氧化硅氧化層1的厚度，進而達到精確控制擴散雜質(zhì)的濃度。 另外由于可以在不同的區(qū)域有不同的氧化屏蔽層厚度，從而可以通過一次擴散得到不同濃度的雜質(zhì)區(qū)域，從而簡化工藝流程。相比較傳統(tǒng)氣態(tài)源或者液態(tài)源的直接擴散方法只是增加了一個二氧化硅氧化層1的阻擋，所以成本增加很少。
權(quán)利要求1.一種可精確控制摻雜區(qū)摻雜濃度的半導體器件，包括硅片、二氧化硅氧化層和涂覆層，其特征是，所述將硅片上表面通過擴散氧化，得到一層能夠阻擋雜質(zhì)源的二氧化硅氧化層；所述二氧化硅氧化層上通過涂覆機涂覆有涂覆層，所述不同摻雜區(qū)所需的摻雜濃度不同，調(diào)節(jié)二氧化硅氧化層的厚度，進而達到精確控制擴散雜質(zhì)的濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種可精確控制摻雜區(qū)摻雜濃度的半導體器件，其特征是，所述硅片進行氧化，采用500°C 800°C的氧化溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種可精確控制摻雜區(qū)摻雜濃度的半導體器件，其特征是，所述二氧化硅氧化層的厚度為100 200埃。
專利摘要一種可精確控制摻雜區(qū)摻雜濃度的半導體器件，包括硅片、二氧化硅氧化層和涂覆層，所述將硅片上表面通過擴散氧化，得到一層能夠阻擋雜質(zhì)源的二氧化硅氧化層；所述二氧化硅氧化層上通過涂覆機涂覆有涂覆層，所述不同摻雜區(qū)所需的摻雜濃度不同，調(diào)節(jié)二氧化硅氧化層的厚度，進而達到精確控制擴散雜質(zhì)的濃度。本實用新型主要通過在硅片上氧化生成二氧化硅氧化層，控制氧化的厚度精度，達到精確控制擴散雜質(zhì)的濃度，簡化工藝流程，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號H01L29/36GK202153521SQ20112028401
公開日2012年2月29日 申請日期2011年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月6日
發(fā)明者王新 申請人:深圳市穩(wěn)先微電子有限公司